• <tr id="yyy80"></tr>
  • <sup id="yyy80"></sup>
  • <tfoot id="yyy80"><noscript id="yyy80"></noscript></tfoot>
  • 99热精品在线国产_美女午夜性视频免费_国产精品国产高清国产av_av欧美777_自拍偷自拍亚洲精品老妇_亚洲熟女精品中文字幕_www日本黄色视频网_国产精品野战在线观看 ?

    硅基光子調(diào)制器研究進(jìn)展

    2022-03-25 09:19:10胡祥建馮露露勇陳夢(mèng)林丁斌斌韓小祥
    集成技術(shù) 2022年2期
    關(guān)鍵詞:調(diào)制器波導(dǎo)光子

    胡祥建 馮 松 馮露露 王 迪 劉 勇陳夢(mèng)林 丁斌斌 韓 超 韓小祥

    (西安工程大學(xué)理學(xué)院 西安 710048)

    1 引 言

    光子調(diào)制器是光子集成的核心器件,特別是在通信領(lǐng)域,它具有將電數(shù)據(jù)寫入光載波的功能。隨著硅光子技術(shù)的快速發(fā)展,世界各大研究機(jī)構(gòu)都開始研發(fā)各種高性能的器件[1-3],而調(diào)制器作為通信領(lǐng)域的核心器件之一,引起了全世界的關(guān)注。目前,對(duì)調(diào)制器的研發(fā)集中于亞微米絕緣體上硅(Silicon On Insulator,SOI)波導(dǎo)。然而,亞微米 SOI 波導(dǎo)存在高光纖耦合損耗、高偏振相關(guān)損耗、大波導(dǎo)雙折射和相位噪聲等問題[4-7]。現(xiàn)有亞微米器件的一些缺點(diǎn),可能成為實(shí)現(xiàn)下一代片上光互連器件的主要障礙,用亞微米 SOI 波導(dǎo)集成的器件要克服這些障礙仍需做大量的研究工作。硅基高速光子調(diào)制器是一個(gè)關(guān)鍵構(gòu)建模塊,可以為未來的光互連和通信系統(tǒng)提供解決方案。

    一般來說,硅基光子調(diào)制器的調(diào)制機(jī)制分為兩種:強(qiáng)度調(diào)制和相位調(diào)制。強(qiáng)度調(diào)制主要通過改變電壓、溫度等偏置條件,來改變折射率的大小從而進(jìn)行調(diào)制;相位調(diào)制主要是在調(diào)制器中加入移相器,通過改變電壓大小,使吸收系數(shù)發(fā)生改變進(jìn)而實(shí)現(xiàn)調(diào)制。與強(qiáng)度調(diào)制相比,相位調(diào)制由于采用干涉技術(shù)而具有很高的檢測(cè)靈敏度和極大的動(dòng)態(tài)測(cè)量范圍,抗干擾能力強(qiáng);且調(diào)制器形式靈活多樣,可適用于多種物理量和不同的測(cè)量環(huán)境,因而被廣泛使用。硅基光子調(diào)制器可以采用 SOI 材料、鍺硅(SiGe)材料、鍺(Ge)材料、鐵電材料、有機(jī)光電材料、III-V 族材料和石墨烯材料等進(jìn)行制作。化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition,CVD)法是常用的外延材料制備技術(shù),其中,減壓化學(xué)氣相沉積(Reduced Pressure Chemical Vapor Deposition,RPCVD)法具有成本低、效率高、薄膜質(zhì)量好等優(yōu)點(diǎn),是適合工業(yè)量產(chǎn)的外延工藝之一。早在 2011 年,中國科學(xué)院卞劍濤的課題組已提出采用 RPCVD 法在 Si 襯底上生長出高質(zhì)量的 Ge 薄膜[8]。同年,蘭州大學(xué)陳達(dá)的課題組也采用 RPCVD 法在硅(Si)襯底上制備出了組分約為 20% 的高質(zhì)量 SiGe 薄膜[9]。此外,制備 SiGe 薄膜的方法還有分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)以及超真空化學(xué)氣相沉積(Ultra High Vacuum Chemical Vapor Deposition,UHVCVD)。磁控濺射是物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,PVD)的一種,一般的濺射法可用于制備金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多種材料,且具有價(jià)格低廉、適應(yīng)性強(qiáng)、制備技術(shù)成熟的特點(diǎn)。對(duì)于單晶薄膜,磁控濺射已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了鈦酸鹽系、鉍系單晶薄膜的制備,以及低居里溫度的鐵電薄膜的制備,且具有設(shè)備簡(jiǎn)單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。通過磁控濺射已經(jīng)實(shí)現(xiàn)的鐵電薄膜有鈮酸鋰(LiNbO3)、鈦酸鋇(BaTiO3)等。分子束外延是一種在晶體基片上生長高質(zhì)量晶體薄膜的新技術(shù),具有能精確控制厚度、結(jié)構(gòu)與成分,以及形成陡峭的異質(zhì)結(jié)構(gòu)等優(yōu)點(diǎn)。2015 年,上海大學(xué)楊文獻(xiàn)的課題組提出基于分子束外延方法制備高質(zhì)量的 InGaAsP 薄膜[10]。自單層及多層石墨烯發(fā)現(xiàn)以來,石墨烯的制備便受到廣泛關(guān)注。石墨烯的制備方法一般有3 種:機(jī)械剝離法;化學(xué)合成法,如 CVD 法和氧化還原法等;特殊的制備方法,如有機(jī)合成和碳納米管軸向切割法等。

    近年來,硅基光子調(diào)制器的性能有了顯著提升。但采用傳統(tǒng)硅材料制成的調(diào)制器,其調(diào)制速度并不理想,這是由于硅材料沒有一階電光效應(yīng),且高階電光效應(yīng)十分微弱。因此,采用傳統(tǒng)硅材料制成的調(diào)制器一般都是基于等離子色散效應(yīng)。等離子色散效應(yīng)是指在外加電場(chǎng)的作用下,使有源區(qū)的自由載流子濃度發(fā)生改變,進(jìn)而改變輸出光波的幅值和相位,從而實(shí)現(xiàn)電光調(diào)制。但是,由于受到載流子本身壽命的限制,調(diào)制器的速度并不是很高,因此,采用其他材料或結(jié)構(gòu)制成調(diào)制器的研究已迫在眉睫。隨著硅基半導(dǎo)體工藝的發(fā)展,硅基光子調(diào)制器已經(jīng)成為了主流器件。通過大量實(shí)驗(yàn)證明,將其他材料與 SOI 波導(dǎo)結(jié)合,實(shí)現(xiàn)調(diào)制的混合器件已經(jīng)取得了長足的進(jìn)展,包括 III-V 族材料[11]、聚合物[12]、Ge[13]和石墨烯[14]等材料。為進(jìn)一步研究硅基光子調(diào)制器,本文對(duì)基于 SOI 材料、SiGe 材料、Ge 材料、鐵電材料、有機(jī)光電材料、III-V 族材料以及石墨烯材料等硅基光子調(diào)制器的研究現(xiàn)狀進(jìn)行了討論,并對(duì)相關(guān)調(diào)制器的調(diào)制速率、插入損耗、消光比等參數(shù)進(jìn)行了對(duì)比和分析,為未來繼續(xù)研發(fā)高速率、低損耗的光子調(diào)制器提供了思路。

    2 基于 SOI 材料的調(diào)制器

    SOI 是指在具有絕緣層的硅襯底上生成一層單晶硅薄膜,或是通過絕緣層(通常為 SiO2)將單晶硅薄膜與支撐的硅襯底分離的一種材料?;诠璨牧虾凸杓呻娐分圃旆矫娴某晒?jīng)驗(yàn),SOI 技術(shù)具有其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。采用 SOI 材料所制備的 CMOS 器件具備良好的無閂鎖效應(yīng)及低功耗、高運(yùn)行速率等優(yōu)點(diǎn),其也是制備微納米光子器件的理想襯底材料。近年來,隨著商用光電子與微電子技術(shù)的快速發(fā)展,SOI 技術(shù)已成為商用光電子和微電子領(lǐng)域的主流技術(shù),已被廣泛應(yīng)用于光波導(dǎo)器件、光通信器件、抗輻照硅集成電路和高速微電子集成器件等重要的商用信息技術(shù)領(lǐng)域,是國際公認(rèn)的“21 世紀(jì)的半導(dǎo)體新技術(shù)”。

    2012 年,英國薩里大學(xué) Thomson 的課題組首次提出了調(diào)制速率為 50 Gb/s 的硅光調(diào)制器[15]。該調(diào)制器是在馬赫-曾德爾(Mach-Zehnder,MZ)干涉儀中加入相位調(diào)制器得到的,通過實(shí)驗(yàn)仿真,結(jié)果顯示該調(diào)制器在波長為 1 550 nm 處,其消光比為 3.1 dB,相應(yīng)的插入損耗約為 3.7 dB。相位調(diào)制器截面圖如圖 1 所示,該器件設(shè)計(jì)的一個(gè)關(guān)鍵優(yōu)點(diǎn)是制造過程相對(duì)簡(jiǎn)單,其被設(shè)計(jì)成內(nèi)脊高為 220 nm、脊寬為 400 nm、平板高度為100 nm 的脊型波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。與平板高度為 50 nm 的器件相比,100 nm 的平板高度具有更低的接觸電阻和側(cè)壁粗糙度。該器件脊型區(qū)和一側(cè)的平板區(qū)是 P 型摻雜,另一側(cè)的平板區(qū)是 N 型摻雜,由于P 型區(qū)域的摻雜濃度低于 N 型區(qū)域,使得在反向偏壓條件下,耗盡層主要延伸到脊型區(qū),這種摻雜比例可以有效降低插入損耗。

    圖1 相位調(diào)制器截面圖Fig. 1 Cross section of phase modulator

    2013 年,中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 Xiao 的研究小組設(shè)計(jì)了一種在 1 550 nm 波長下工作,基于橫向 PN 結(jié)結(jié)構(gòu)的高速硅 MZ 調(diào)制器[16],調(diào)制速率高達(dá) 60 Gb/s,該速率是目前報(bào)道中通信波段單個(gè)調(diào)制器芯片的最高速率。該調(diào)制器是在200 mm 厚的 SOI 晶圓上制備的,頂層硅厚度為340 nm,埋氧層厚度為 2 μm,該調(diào)制器的截面圖和俯視圖如圖 2 所示。

    圖2 MZ 調(diào)制器的截面示意圖和俯視圖Fig. 2 Section diagram and top view of MZ modulator

    2018 年,英國南安普頓大學(xué) Cao 的課題組設(shè)計(jì)了在 1 950 nm 波長下,基于 SOI 材料的高速調(diào)制器[17]。該調(diào)制器被設(shè)計(jì)成基于 PN 結(jié)結(jié)構(gòu)的 MZ 干涉儀,其調(diào)制速率為 20 Gb/s,該速率是目前報(bào)道中紅外調(diào)制器的最高速率。通過實(shí)驗(yàn)仿真,結(jié)果顯示該調(diào)制器在 1 950 nm 波長處的插入損耗為 13 dB,明顯高于 1 550 nm 波長處的插入損耗值(4 dB),這種差異是因?yàn)椴▽?dǎo)在直接穿過金屬層下面區(qū)域時(shí)被金屬吸收。該結(jié)構(gòu)的波導(dǎo)層頂部和金屬層底部之間的垂直距離只有 600 nm,在 1 950 nm 波長處的光學(xué)模場(chǎng)較大,因此與金屬之間存在較大的重疊。由于帶寬的限制,該實(shí)驗(yàn)無法獲得在 2 μm 波長下,調(diào)制器速率大于20 Gb/s 的眼圖數(shù)據(jù),但由于 PN 結(jié)在 1 950 nm和 2 μm 波長處的帶寬非常相似,因此,該實(shí)驗(yàn)預(yù)測(cè)所設(shè)計(jì)的調(diào)制器可以具有更高的調(diào)制速率。該調(diào)制器的截面圖如圖 3 所示,器件是在頂層硅厚度為 220 nm 的 SOI 波導(dǎo)上制作的,脊波導(dǎo)寬為 550 nm,平板區(qū)刻蝕深度為 90 nm。PN 結(jié)位于波導(dǎo)的中心,高摻雜區(qū)寬度分別為 1.125 μm(N型)和 1.025 μm(P 型),圖中 N、P、N+、P+區(qū)域的摻雜濃度分別為 3e17 cm-3、8.5e17 cm-3、le20 cm-3和 le20 cm-3。

    圖3 MZ 調(diào)制器的橫截面Fig. 3 Cross section of MZ modulator

    2019 年,日本富士通實(shí)驗(yàn)室 Sobu 的研究小組提出了一種基于載流子注入等離子色散效應(yīng)的 Si MZ 調(diào)制器[18]。該調(diào)制器是基于帶無源電阻電容(Resistor-Capacitor,RC)均衡器的正向偏置 PIN 二極管的設(shè)計(jì),通過對(duì)其改進(jìn)制作了一種Si MZ 調(diào)制器,證明了在 50 Gbaud 以上高速運(yùn)行的可行性。圖 4 為 Si MZ 調(diào)制器截面圖,基于摻雜脊波導(dǎo)的非對(duì)稱 Si MZ 調(diào)制器結(jié)構(gòu)是在 SOI 晶片上制作的,該晶片由一個(gè) 220 nm 厚的 Si 層和一個(gè) 3 μm 厚的埋氧層組成,正向偏置的 PIN 移相器在 480 nm×220 nm 波導(dǎo)的芯層內(nèi)有一個(gè)未摻雜的本征區(qū)。通過在無源均衡器的電容器中引入金屬-絕緣體-金屬(Metal-Insulator-Metal,MIM)結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)了 37.5 GHz 的 3 dB 帶寬,調(diào)制效率測(cè)量為 2 V·cm。在大信號(hào)實(shí)驗(yàn)中,當(dāng)消光比大于1.38 dB 時(shí),獲得了高達(dá) 70 Gbaud 不歸零編碼信號(hào)的清晰眼圖。這些結(jié)果都清楚地表明了全硅調(diào)制器用于高速和低功耗芯片的可行性。

    圖4 Si MZ 調(diào)制器的截面圖Fig. 4 Cross section of Si MZ modulator

    為了對(duì) SOI 材料調(diào)制器進(jìn)行更為清晰的對(duì)比,表 1 列出了近年來基于不同調(diào)制結(jié)構(gòu)的 SOI 光子調(diào)制器的性能參數(shù)。由表 1 可知,在 1 550 nm的工作波長下,Xiao[16]和 Timurdogan[19]等人設(shè)計(jì)的光子調(diào)制器的插入損耗較低,均為 1.20 dB;此外,與其他工作在 1 550 nm 波長下的光子調(diào)制器相比,Xiao 等[16]設(shè)計(jì)的光子調(diào)制器還具有較高的調(diào)制速率以及較大的帶寬(3 dB)。

    表1 調(diào)制器性能參數(shù)Table 1 Modulator performance parameters

    3 基于 SiGe 材料的調(diào)制器

    目前,采用傳統(tǒng)硅材料制成的調(diào)制器的調(diào)制速率已經(jīng)達(dá)到 50 Gb/s,但進(jìn)一步提高調(diào)制速率是十分困難的。與 Si 材料相比,SiGe 材料具有更高的載流子遷移率,其制備工藝與 CMOS 工藝相兼容,且材料本身具有很強(qiáng)的電吸收(EA)效應(yīng),利用弗朗茲-凱爾迪什(Franz-Keldysh,F(xiàn)K)效應(yīng)或量子限制斯塔克效應(yīng),就可以使其工作在吸收邊界波長處。SiGe 材料作為一種制作高速率器件的理想材料,具有調(diào)制帶寬大、調(diào)制效率高、消光比高、插入損耗低等優(yōu)點(diǎn),尤其在中紅外波段方面有著良好的應(yīng)用前景。

    2012 年,美國 Kotura 公司和 Sun 實(shí)驗(yàn)室聯(lián)合演示了一種高速 SiGe 電吸收調(diào)制器[30]。該調(diào)制器利用 FK 效應(yīng),采用水平 P-I-N 結(jié)構(gòu),設(shè)計(jì)集成在一個(gè) 3 μm 厚的 SOI 波導(dǎo)上,其工作波長為 1 546~1 581 nm。當(dāng)波長為 1 550 nm、擺幅電壓為 2.8 V 時(shí),器件的插入損耗為 5.0 dB,消光比為 6.0 dB。該器件在 1 550 nm 波長處的插入損耗較大,損耗主要來源于沒有施加電壓時(shí) SiGe的吸收損耗,以及 Si 波導(dǎo)和 SiGe 波導(dǎo)之間的模式失配損耗。3 dB 帶寬測(cè)量結(jié)果表明,該器件在2.8 V 反向偏壓下,3 dB 帶寬為 40.7 GHz。其結(jié)構(gòu)示意圖如圖 5 所示,當(dāng)光從脊 SOI 波導(dǎo)傳播到調(diào)制區(qū)域時(shí),在有源區(qū)(SiGe)被吸收,吸收的量取決于 P-I-N 結(jié)的施加電壓大小。這種水平的P-I-N 結(jié)構(gòu)使得 SiGe 區(qū)域非常狹窄,降低了實(shí)現(xiàn)高消光比所需的擺幅電壓。通過實(shí)驗(yàn)測(cè)量發(fā)現(xiàn),該調(diào)制器的漏電流很大,產(chǎn)生這種高漏電流的一個(gè)可能原因是 SiGe 和 Si 之間的界面處存在過高的缺陷密度;另一個(gè)可能原因是鈦/鋁金屬在干法刻蝕后存在金屬殘留。通過優(yōu)化 SiGe 材料的生長和后退火條件,或是對(duì)鈦/鋁金屬進(jìn)行過度刻蝕來除去金屬殘留,可以顯著降低漏電流。這種器件的優(yōu)點(diǎn)是體積小、速度快、功耗低。

    圖5 SiGe FK 調(diào)制器截面圖Fig. 5 Cross section of SiGe FK modulator

    2016 年,比利時(shí)根特大學(xué) Srinivasan 的課題組采用了與 Ge 波導(dǎo)電吸收調(diào)制器[31]類似的橫向 P-I-N 二極管設(shè)計(jì),演示了一種調(diào)制速率為50 Gb/s 的 SiGe 波導(dǎo)電吸收調(diào)制器[32]。其截面示意圖如圖 6 所示,該調(diào)制器寬度為 0.6 μm、長度為 40 μm,集成在 220 nm 厚的 SOI 波導(dǎo)上。通過實(shí)驗(yàn)仿真,結(jié)果表明,SiGe 電吸收調(diào)制器在室溫下的最佳工作波長為 1 560 nm。其 3 dB帶寬大于 50 GHz,在-1 V 偏置電壓下結(jié)電容為 13.8 fF。當(dāng)擺幅電壓為 2 V 時(shí),直流消光比為(4.2±0.3)dB,插入損耗為(4.4±0.6)dB,鏈路功率損耗為 8.5 dB。當(dāng)調(diào)制速率為 50 Gb/s 時(shí),該實(shí)驗(yàn)還在波長為 1 560 nm、擺幅電壓為 2 V的條件下,測(cè)試出了該調(diào)制器的動(dòng)態(tài)消光比為3.0 dB。

    圖6 SiGe 電吸收調(diào)制器截面圖Fig. 6 Cross section of SiGe electro absorption modulator

    2016 年,西安工程大學(xué)馮松的課題組提出了一種新型 Si/SiGe/Si 雙異質(zhì)結(jié) P-I-N 電學(xué)調(diào)制結(jié)構(gòu)[33],該結(jié)構(gòu)波導(dǎo)寬度W為 450 nm,平板高h(yuǎn)為 50 nm,內(nèi)脊高H為 220 nm,其中,N+、P+以及 I 的摻雜濃度分別為 1e19 cm-3、1e19 cm-3、1e15 cm-3,Ge 含量為 0.2。其結(jié)構(gòu)示意圖如圖 7所示,通過模擬仿真其載流子濃度與調(diào)制電壓的關(guān)系,對(duì)比 SiGe-OI 以及 SOI 兩種 P-I-N 電學(xué)調(diào)制結(jié)構(gòu)發(fā)現(xiàn),這種雙異質(zhì)結(jié) P-I-N 電學(xué)調(diào)制結(jié)構(gòu)可以在更小的調(diào)制電壓下獲得更高的載流子注入效率,且更便于調(diào)制,可有效減小調(diào)制電壓并進(jìn)一步降低調(diào)制功耗。

    圖7 Si/SiGe/Si 雙異質(zhì)結(jié)Fig. 7 Si/SiGe/Si double heterojunction

    2018 年,英國南安普頓大學(xué) Mastronardi 的課題組提出了一種在 1 566 nm 波長下工作的低功耗 Si/SiGe 異質(zhì)結(jié)電吸收調(diào)制器[34]。該調(diào)制器基于 FK 效應(yīng),尺寸為 1.5 μm×40 μm。在調(diào)制速率為 56.2 Gb/s 下對(duì)該調(diào)制器進(jìn)行測(cè)量,測(cè)量結(jié)果表明該調(diào)制器具有 5.2 dB 的動(dòng)態(tài)消光比和44 fJ/bit 的調(diào)制功率。此外,56 GHz 的 3 dB 帶寬證明了該設(shè)計(jì)方法在高速應(yīng)用方面的領(lǐng)先能力。該調(diào)制器選用了一種環(huán)繞式 P-I-N Si/SiGe 異質(zhì)結(jié)構(gòu),并在 800 nm 厚的 SOI 平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)。其結(jié)構(gòu)示意圖如圖 8 所示,在一個(gè)寬 1.5 μm 的脊波導(dǎo)上集成了一個(gè)二極管,P 摻雜定義在一個(gè) 100 nm厚的硅層(綠色),本征區(qū)(總厚度 600 nm)包括底部的 Ge 層(黑色)和 SiGe 區(qū)域(金色),其中 N摻雜(厚度為 100 nm)沿著脊波導(dǎo)頂部的輪廓(橙色/紅色區(qū)域)。顯然,這種設(shè)計(jì)是有利的,因?yàn)殡妶?chǎng)分布與波導(dǎo)寬度無關(guān),并且還可根據(jù)需要對(duì)波導(dǎo)寬度進(jìn)行調(diào)整,以改善光學(xué)模式的偏振和光學(xué)約束的傳播。這種異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)也為高速緊湊型電吸收調(diào)制器提供了一種簡(jiǎn)單、可定制的制造工藝。

    圖8 調(diào)制器橫截面示意圖Fig. 8 Cross section diagram of modulator

    表 2 為近年來基于同種材料的 SiGe 光子調(diào)制器的性能參數(shù)。由表 2 可知,對(duì)于相同材料、相同結(jié)構(gòu)且都采用 FK 效應(yīng)制作的調(diào)制器,其各方面性能有所不同,是因?yàn)?SiGe 在整個(gè) Si 中含量的占比大小,會(huì)直接影響器件調(diào)制速率的大小。此外,SiGe 里 Ge 的含量雖相比于 Si 占比很小,但由于 Ge 的遷移率比 Si 的遷移率快得多,因此,Ge 含量越高,載流子遷移率越高,通過調(diào)節(jié) Ge 的含量大小可以優(yōu)化器件特性 。但并不是 Ge 的含量越高越好,因?yàn)?Ge 存在吸收損耗,會(huì)使調(diào)制器具有較大的損耗,所以一般調(diào)制器都是采用低 Ge 含量設(shè)計(jì)的。

    表2 調(diào)制器性能參數(shù)Table 2 Modulator performance parameters

    4 基于純 Ge 材料的調(diào)制器

    Ge 材料主要應(yīng)用于半導(dǎo)體電子器件、光導(dǎo)纖維、紅外元器件、太空用太陽能電池等領(lǐng)域。與 Si 材料相比,Ge 材料在大功率器件中具有明顯優(yōu)勢(shì)。目前,基于 Ge 材料制備的紅外器件已應(yīng)用于軍事遙感和空間科學(xué)技術(shù),如紅外通信、紅外偵察及各種軍事目標(biāo)的偵測(cè)與搜索等。Ge 材料具有很強(qiáng)的電吸收效應(yīng),利用這種效應(yīng),很多于 Ge 材料的高速調(diào)制器進(jìn)行了研究。

    圖9 Ge 電吸收調(diào)制器的截面示意圖和俯視圖Fig. 9 Cross section and top view of Ge electro absorption modulator

    2015 年,比利時(shí)根特大學(xué) Srinivasan 的課題組研發(fā)了一種帶寬超過 50 GHz 的 Ge 波導(dǎo)電吸收調(diào)制器[31]。該調(diào)制器利用 FK 效應(yīng),在 1 610 nm 的工作波長下,調(diào)制速率高達(dá) 56 Gb/s。對(duì)其施加2 V 的驅(qū)動(dòng)電壓,可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 3.3 dB 的動(dòng)態(tài)消光比,該器件的結(jié)電容僅為 12.8 fF,靜態(tài)功耗為1.2 mW。通過相關(guān)實(shí)驗(yàn)得出,該調(diào)制器在實(shí)現(xiàn)以 56 Gb/s 或更高速率進(jìn)行短程光互連的高密度和低功率硅光子收發(fā)器方面具有巨大的潛力。如圖 10 所示,該調(diào)制器集成在 220 nm 厚的 SOI 平臺(tái)上,采用 RPCVD 法在 110 nm 深的凹硅區(qū)選擇性地生長 Ge。晶圓經(jīng)過退火以降低螺紋位錯(cuò)密度,Ge 層經(jīng)過化學(xué)機(jī)械拋光,最終厚度為 350 nm。Ge 通過離子注入形成 N 型和 P 型區(qū)域。由于 Ge外延層與 Si 襯底之間熱膨脹系數(shù)不匹配,Ge 電吸收調(diào)制器顯示出 0.2% 的拉伸應(yīng)變,將帶隙從0.8 eV(1 550 nm)移動(dòng)到 0.78 eV(1 580 nm),其在 Pantouvaki[40]和 Ishikawa[41]等人的研究中均有相關(guān)驗(yàn)證。

    圖10 集成在 220 nm 厚的 SOI 平臺(tái)上的 Ge 電吸收調(diào)制器的截面示意圖Fig. 10 Cross section diagram of Ge electro absorption modulator device integrated on 220 nm SOI platform

    表 3 為近年來基于相同材料的 Ge 光子調(diào)制器的性能參數(shù)。從 Liu 等[42]的研究可知,電吸收調(diào)制器的 3 dB 帶寬僅受器件 RC 時(shí)間常數(shù)的限制,減小器件電容是實(shí)現(xiàn)更高調(diào)制速度的有效途徑。當(dāng)增大反向偏置電壓時(shí),器件的本征區(qū)由于載流子耗盡而增大,因此 P-I-N 結(jié)的電容減小,這使得 RC 時(shí)間常數(shù)更小,調(diào)制速度更高。為了得到更高的調(diào)制速度,可以將其尺寸設(shè)計(jì)得更小,但這對(duì)其工藝的要求較高;或可通過合理設(shè)計(jì)器件電極,減小器件電容來實(shí)現(xiàn)更高的調(diào)制速度。

    表3 調(diào)制器性能參數(shù)Table 3 Modulator performance parameters

    5 基于鐵電材料與有機(jī)光電材料的調(diào)制器

    鐵電材料具有優(yōu)異的物理性能,其除具有鐵電性外,還具有聲光效應(yīng)、光電效應(yīng)和非線性光學(xué)效應(yīng)等性能,可用于制備傳感器、波導(dǎo)管等器件。鐵電材料擁有廣闊的應(yīng)用前景,因而備受關(guān)注。

    有機(jī)光電材料具有帶寬大、響應(yīng)速度快、驅(qū)動(dòng)電壓低、介電常數(shù)低、電光系數(shù)大和易于加工等優(yōu)點(diǎn)。這些優(yōu)勢(shì)是無機(jī)/半導(dǎo)體材料所無法媲美的,因此,有機(jī)光電材料受到了廣泛的關(guān)注,并被認(rèn)為是制備高性能電光器件和實(shí)現(xiàn)超高帶寬以及信息快速處理傳輸?shù)年P(guān)鍵。

    5.1 LiNbO3 與硅光子集成

    LiNbO3晶體是一種多功能鐵電材料, 具有良好的聲光、非線性光學(xué)、電光等特性,被稱為光子學(xué)領(lǐng)域中的“硅”?;?LiNbO3材料的集成光子學(xué)平臺(tái),由于其出色的光學(xué)特性,已被廣泛應(yīng)用在快速電光調(diào)制、非線性光學(xué)頻率轉(zhuǎn)換和頻率梳生成等方面。LiNbO3作為一種被廣泛應(yīng)用的調(diào)制器材料,可以實(shí)現(xiàn)帶寬大于 35 GHz 的高速調(diào)制器[44-45],且這類調(diào)制器已長期應(yīng)用于光纖網(wǎng)絡(luò)中[46]。

    2019 年,中山大學(xué) He 的課題組提出了一種混合 Si/LiNbO3MZ 調(diào)制器。該調(diào)制器使用了兩層混合集成波導(dǎo)和垂直絕熱耦合器[47]。垂直絕熱耦合器可以在 Si 波導(dǎo)和 LiNbO3波導(dǎo)之間進(jìn)行光信號(hào)傳輸,這種方法有效地利用了 LiNbO3膜。該器件具有電光帶寬大、調(diào)制效率高、片上插入損耗低等優(yōu)點(diǎn),為未來高速、節(jié)能的光通信網(wǎng)絡(luò)開辟了新途徑。此高性能調(diào)制器通過基于 LiNbO3波導(dǎo)與低損耗硅電路的無縫集成來實(shí)現(xiàn)。通過仿真實(shí)驗(yàn),成功得到了高達(dá) 100 Gb/s 的開關(guān)鍵控調(diào)制和高達(dá) 112 Gb/s 的四級(jí)脈沖振幅調(diào)制。LiNbO3波導(dǎo)截面示意圖如圖 11 所示,LiNbO3波導(dǎo)作為該器件中最關(guān)鍵的組成部分,必須進(jìn)行優(yōu)化,以實(shí)現(xiàn)高調(diào)制效率和低光損耗。所制作的波導(dǎo)的頂部寬度為w=1 μm,平板厚度為s=420 nm,脊高為h=180 nm,波導(dǎo)和電極之間的間隙被設(shè)為2.75 μm。這些參數(shù)旨在實(shí)現(xiàn)調(diào)制效率和光學(xué)損失(包括金屬吸收和側(cè)壁散射損失)之間的平衡,電極以接地-信號(hào)-接地(Ground-Signal-Ground,GSG)的形式配置,其中,兩個(gè) LiNbO3波導(dǎo)分別位于接地和信號(hào)金屬之間的兩個(gè)間隙中。為了實(shí)現(xiàn)較大的電光帶寬,電極以行波的方式操作,并優(yōu)化了阻抗匹配,以及微波和光信號(hào)的速度匹配,電極的厚度設(shè)為t=600 nm,信號(hào)和接地電極的寬度分別設(shè)為ws=19.5 μm 和wg=30 μm。

    圖11 LiNbO3 波導(dǎo)截面示意圖Fig. 11 Schematic diagram of LiNbO3 waveguide section

    5.2 BaTiO3 與硅光子集成

    BaTiO3是一種很有希望與硅光子(Silicon Photonics,SiPh)平臺(tái)集成的材料。BaTiO3具有較高的泡克爾斯(Pockels)系數(shù)(在大體積形式中,LiNbO3的 Pockels 系數(shù)僅為-30 pm/V,而 BaTiO3提供了高的 Pockels 系數(shù)(>1 000 pm/V))[48],具備與硅襯底集成的可行性,并有高速調(diào)制的能力[49]。BaTiO3材料還具有化學(xué)熱穩(wěn)定性[50]、可集成、低損耗[51]等優(yōu)點(diǎn)。目前,Si/BaTiO3混合技術(shù)已取得了一些進(jìn)展,包括低傳輸損耗的無源結(jié)構(gòu)、有源光開關(guān)[49]以及在光子器件中[52-53]的高速調(diào)制等。

    2018 年,瑞士 IBM 研究所 Eltes 的研究小組設(shè)計(jì)了一種基于硅襯底的 BaTiO3電光器件[53]。通過實(shí)驗(yàn)仿真,證實(shí)了在 Si/BaTiO3電光器件中存在 Pockels 效應(yīng),該小組還證實(shí)了相同的實(shí)驗(yàn)結(jié)果,可以采用 BaTiO3的 Pockels 系數(shù)(r42=923 pm/V)來復(fù)現(xiàn),且所采用的 Pockels 系數(shù)是截至 2018 年所報(bào)道的 Si/BaTiO3電光器件中的最高值。Si/BaTiO3移相器的橫截面如圖 12 所示,其中,BaTiO3層厚度為 225 nm,二氧化硅層厚度為2 μm。首先,將 BaTiO3沉積在具有 100 nm 厚 Si層的 SOI 晶片上;其次,通過直接晶圓鍵合將BaTiO3和器件硅層轉(zhuǎn)移到另一個(gè)具有厚熱氧化物的硅片上;最后,在移除施主晶圓后,將硅層圖案化為波導(dǎo)。其中,退火步驟確保了器件具有低的傳輸損耗。移相器是通過沿波導(dǎo)制作電極來施加平面內(nèi)電場(chǎng)形成的。當(dāng) BaTiO3層以外延方式沉積時(shí),器件的電光響應(yīng)強(qiáng)烈依賴于外加電場(chǎng)、光場(chǎng)和晶體軸的相對(duì)方向。鈦酸鋇材料的這種各向異性是 Pockels 效應(yīng)的一個(gè)關(guān)鍵特征,在以往的 Si/BaTiO3光子器件中還未被證實(shí)。為了探究這種各向異性,該實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)了兩種不同的波導(dǎo)幾何形狀,并最終得到超過 25 GHz 的強(qiáng)電光響應(yīng),展現(xiàn)出了其高速調(diào)制的巨大潛力。

    圖12 Si/BaTiO3 移相器的橫截面圖Fig. 12 Cross section of Si/BaTiO3 phase shifter

    5.3 有機(jī)光電材料與硅光子集成

    2020 年,德國卡爾斯魯厄理工學(xué)院 Kieninger的課題組演示了一種高效的硅有機(jī)混合體(Silicon-Organic Hybrid,SOH)MZ 調(diào)制器[54],該調(diào)制器是在新加坡 A*Star 微電子研究所(IME)200 mm 厚的 SOI 晶片上用紫外光刻制而成的。MZ 調(diào)制器的兩臂各包含 280 μm 長的移相器,因此所制成的調(diào)制器面積小。移相器的插入損耗僅為 0.7 dB,這是迄今為止 SiPh 平臺(tái)上高速 MZ 調(diào)制器所報(bào)告的最低移相器損耗。移相器截面示意圖如圖 13 所示,波導(dǎo)由兩條寬度Wrail=240 nm、高度為 220 nm 的硅軌構(gòu)成,再由一條寬度Wslot=130 nm 的狹縫從中隔開,兩條硅軌通過高度為70 nm 的 N 摻雜硅板層與底部金屬層的 GSG 傳輸線電連接,2 μm 厚的埋氧層將波導(dǎo)與硅基板分離。3 μm 厚的二氧化硅包層覆蓋整個(gè)芯片,并在移相器上方選擇性打開,用來沉積高效的有機(jī)光電(OEO)材料[55]。

    圖13 移相器截面示意圖Fig. 13 Section diagram of phase shifter

    表 4 為近年來基于鐵電材料與有機(jī)光電材料的調(diào)制器性能參數(shù)。對(duì)表 4 數(shù)據(jù)分析可得,與其他 Pockels 調(diào)制器相比,有機(jī)電光調(diào)制器具有較好的調(diào)制效率,Kieninger 等[56]所提出調(diào)制器的最低調(diào)制速率為 0.032 V·cm,且能耗明顯低于混合 Si/LiNbO3電光調(diào)制器?;旌?Si/BaTiO3電光調(diào)制器的調(diào)制效率要優(yōu)于混合 Si/LiNbO3電光調(diào)制器,主要是因?yàn)?LiNbO3的 Pockels 系數(shù)要遠(yuǎn)小于 BaTiO3,而 Pockels 系數(shù)越大,器件的調(diào)制效率就越好。

    表4 調(diào)制器性能參數(shù)Table 4 Modulator performance parameters

    6 III-V 族材料

    III-V 族材料與 SiPh 平臺(tái)的集成是一個(gè)成熟的研究領(lǐng)域,因?yàn)樗鼮榧す庠磁c硅光子的集成提供了一條可行的途徑[58-60]。直接鍵合[58]、BCB輔助粘合劑鍵合[59]、III-V/Si 倒裝芯片鍵合[60]是III-V/Si 集成的一些成熟的鍵合機(jī)制。III-V 與先進(jìn)的 SiPh 平臺(tái)集成已經(jīng)被演示[61]。盡管 Si 和III-V 族材料之間存在很大的晶格失配,但也有III-V 在 Si 上的外延生長,III-V 族材料在 Si 上的集成也為實(shí)現(xiàn)高速調(diào)制器提供了一條途徑[62],因?yàn)?III-V 族材料提供了較大的電子誘導(dǎo)折射率變化、高電子遷移率和低載流子等離子體吸收[63]。

    2020 年,日本東京大學(xué) Li 的課題組提出了一種具有反偏 III-V/Si 混合金屬氧化物半導(dǎo)體(Metal Oxide Semiconductor,MOS)光學(xué)移相器的高效光學(xué)調(diào)制器[64]。該調(diào)制器是基于 FK 效應(yīng)和載流子耗盡的 III-V/Si 混合 MOS 光調(diào)制器。通過將這兩種效應(yīng)結(jié)合起來,實(shí)現(xiàn)了與正偏 III-V/Si混合 MOS 光調(diào)制器相同的調(diào)制效率,以及較大的調(diào)制帶寬和較小的能耗。圖 14 為反偏 III-V/Si混合 MOS 光調(diào)制器示意圖,該調(diào)制器是將 P 型Si 波導(dǎo)的頂部和一個(gè)薄的 N 型 InGaAsP 膜相連。其中,脊波導(dǎo)寬度為 1 μm,厚度為 220 nm,在Si 波導(dǎo)上的 InGaAsP 層厚度為 200 nm。通過實(shí)驗(yàn)仿真分析,反向偏置的 III-V/Si 混合 MOS 光調(diào)制器的調(diào)制效率為 0.12 V·cm,其電容為正向偏置情況下所需的一半,且所提出的 III-V/Si 混合MOS 光調(diào)制器有望達(dá)到超過 100 GHz 的帶寬,能耗低于 100 fJ/bit。

    圖14 反偏 III-V/Si 混合 MOS 光調(diào)制器示意圖Fig. 14 Schematic diagram of reverse bias III-V/Si hybrid MOS optical modulator

    7 基于石墨烯材料的調(diào)制器

    石墨烯是二維碳的同素異形體,在其固有狀態(tài)下可吸收光的帶寬范圍從紫外到遠(yuǎn)紅外線。然而,在摻雜石墨烯中,通過狀態(tài)填充和相應(yīng)的泡利阻塞可以有效地減少吸收,特別是在紅外頻率下。石墨烯即使只有一個(gè)原子層,也能吸收2.3% 正常入射的紫外線和可見光[65]。這個(gè)普遍的吸收系數(shù)是由于狄拉克費(fèi)米子獨(dú)有的線性和無隙帶色散[66]。盡管這種吸收很小,但利用石墨烯的各向異性的吸收特性以及由此產(chǎn)生熱電子的新型無源光電子技術(shù)(包括鎖模激光器、偏振器和光電探測(cè)器在內(nèi))已經(jīng)得到了驗(yàn)證[67-70]。

    7.1 單層石墨烯結(jié)構(gòu)

    2018 年,比利時(shí)根特大學(xué) Alessandri 的課題組制作并仿真了速度為 20 Gb/s 的單層石墨烯-硅電吸收調(diào)制器[14]。調(diào)制器采用石墨烯-氧化物-硅(Graphene-Oxide-Silicon,GOS)結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)位于嵌入在 SiO2中的平面化摻雜 Si 波導(dǎo)之上。該調(diào)制器在 1 520~1 590 nm 波長范圍內(nèi)和零偏壓下,具有 4.4 dB 消光比和 16.0 GHz 的 3 dB 帶寬。單層石墨烯電吸收調(diào)制器示意圖與等效電路模型如圖 15 所示,該設(shè)備運(yùn)行速度為 20 Gb/s,當(dāng)施加2.5 V 電壓時(shí),測(cè)得的動(dòng)態(tài)消光比為 1.8 dB。

    圖15 單層石墨烯電吸收調(diào)制器的示意圖與等效電路模型Fig. 15 Equivalent electrical model of the monolayer graphene electro absorption modulator

    由于環(huán)境和聚合物污染,未鈍化的石墨烯[71]通常具有高濃度的 P 摻雜。當(dāng)石墨烯和 Si 接觸,并在 GOS 電容上施加電場(chǎng)時(shí),石墨烯中性點(diǎn)會(huì)向負(fù)偏壓方向偏移,從而導(dǎo)致低正偏置下具有低電阻。從電光角度來看,石墨烯上的 P 摻雜也具有優(yōu)勢(shì)。在 P 摻雜的石墨烯中,光透射的最小值向負(fù)偏壓方向偏移。因此,在大約 0 V 到較低的正偏置(2 V)范圍內(nèi),會(huì)發(fā)生 on 和 off 狀態(tài)之間的切換,而不是高的正向偏置或反向偏置。為了在低正向偏壓下降低石墨烯電吸收調(diào)制器的電容,可以使用 P 摻雜 Si 波導(dǎo)。GOS 電容器在負(fù)直流偏置下進(jìn)行累積工作,并在低正向直流偏置時(shí)切換到耗盡狀態(tài),從而使石墨烯電吸收調(diào)制器工作區(qū)域的電容更低。為了優(yōu)化電阻和電容之間的平衡,并使 RC 常數(shù)最大化,通過優(yōu)化 Si 波導(dǎo)和接觸板的摻雜水平,可進(jìn)一步改進(jìn)該器件。

    7.2 雙層石墨烯結(jié)構(gòu)

    圖16 雙層石墨烯光調(diào)制器示意圖Fig. 16 Schematic diagram of double layer graphene light modulator

    表 5 為近年來基于不同結(jié)構(gòu)的石墨烯光子調(diào)制器的性能參數(shù)。由表 5 可知,雙層石墨烯調(diào)制器的 3 dB 帶寬明顯高于單層石墨烯調(diào)制器,且雙層石墨烯調(diào)制器的消光比明顯高于單層石墨烯調(diào)制器。由于高的寬帶是石墨烯材料重要的優(yōu)勢(shì)之一,所以隨著石墨烯層數(shù)的增加,其 3 dB 帶寬也會(huì)隨之變大。對(duì)于相同調(diào)制結(jié)構(gòu)的單層石墨烯調(diào)制器,器件的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不同,器件的性能也有所差別。

    表5 調(diào)制器性能參數(shù)Table 5 Modulator performance parameters

    8 結(jié) 論

    基于 Si、Ge 的 FK 效應(yīng)或量子限制斯塔克效應(yīng)所制成的電吸收調(diào)制器,其器件尺寸可以達(dá)到微米級(jí)別,F(xiàn)K-電吸收調(diào)制器提供了 100 Gb/s的調(diào)制速率,但這些調(diào)制器的消光比和光學(xué)帶寬十分有限。LiNbO3、BaTiO3、石墨烯和有機(jī)薄膜具有較高的 Pockels 系數(shù),為線性和無啁啾高性能的 SiPh 調(diào)制器鋪平了道路。早期研究結(jié)果表明,將 LiNbO3、BaTiO3材料集成在 Si 上可以獲得良好的性能,有機(jī)光電材料在 Si 上的集成也達(dá)到了 100 Gb/s 的調(diào)制速率和較高調(diào)制效率。據(jù)報(bào)道,在解決器件壽命方面也取得了長足進(jìn)展,但在有機(jī)電光材料的高速調(diào)制器商業(yè)化之前,需要進(jìn)行更多的研究與發(fā)展。將 III-V 族材料與 Si結(jié)合,可以充分利用兩者的優(yōu)點(diǎn)來實(shí)現(xiàn) MOS 型相位調(diào)制器和電吸收調(diào)制器。在 MOS 型光調(diào)制器中,調(diào)制帶寬和能耗存在一種相互制衡的關(guān)系。而高調(diào)制帶寬需要 MOS 結(jié)中具有較小的電容,但是這會(huì)限制調(diào)制效率,增大驅(qū)動(dòng)電壓,導(dǎo)致能耗過高。由于石墨烯獨(dú)特的電子結(jié)構(gòu)和二維特性,在該材料中尚未發(fā)現(xiàn)較強(qiáng)的 EA 效應(yīng),這意味著石墨烯有作為電吸收調(diào)制器活性介質(zhì)的潛力。然而,單層石墨烯調(diào)制器所面臨的挑戰(zhàn)之一是單層的石墨烯對(duì)光的吸收有限??赏ㄟ^將石墨烯與光波導(dǎo)集成來解決該問題,光波導(dǎo)通過倏逝波與石墨烯之間的耦合大大增加了相互作用的長度。據(jù)相關(guān)文獻(xiàn)報(bào)道,多層石墨烯的調(diào)制器在一些重要性能參數(shù)上要明顯優(yōu)于單層石墨烯的調(diào)制器。

    本文主要圍繞硅基光子調(diào)制器,對(duì)近年來國內(nèi)外一些調(diào)制器件的研究成果進(jìn)行了陳述,對(duì)不同材料的光子調(diào)制器進(jìn)行了研究與分析,對(duì)采用相同材料的調(diào)制器性能差異進(jìn)行了對(duì)比。光子調(diào)制器作為光纖通信系統(tǒng)的核心器件,實(shí)現(xiàn)其高調(diào)制速率、低驅(qū)動(dòng)電壓以及低插入損耗,仍是目前需要解決的問題。近年來,國內(nèi)外進(jìn)行了大量的基于 SOI 材料、Ge 材料、SiGe 材料、鐵電材料、有機(jī)光電材料、III-V 族材料以及新型二維材料石墨烯調(diào)制器的研究,可實(shí)現(xiàn)器件的高速調(diào)制以及獲得更低的插入損耗,為未來繼續(xù)發(fā)展高速率、低損耗的光子調(diào)制器提供了思路,也為其他光子器件的研發(fā)提供了技術(shù)參考。由于硅光子技術(shù)的發(fā)展,全球范圍內(nèi)涌現(xiàn)出了很多高性能的調(diào)制器,而采用傳統(tǒng)硅材料的調(diào)制器已經(jīng)不能滿足日益快速發(fā)展的光通信技術(shù)以及光互連技術(shù),基于其他材料及結(jié)構(gòu)的調(diào)制器必將不斷出現(xiàn),同時(shí),現(xiàn)有器件與制造工藝的兼容性也將不斷提高。

    猜你喜歡
    調(diào)制器波導(dǎo)光子
    《光子學(xué)報(bào)》征稿簡(jiǎn)則
    一種新型波導(dǎo)圓極化天線
    基于鎖相環(huán)技術(shù)的振蕩器穩(wěn)頻調(diào)制器仿真研究
    電子制作(2019年15期)2019-08-27 01:12:08
    一種脊波導(dǎo)超寬帶濾波器
    電子制作(2016年11期)2016-11-07 08:43:34
    一種帶寬展寬的毫米波波導(dǎo)縫隙陣列單脈沖天線
    一種用數(shù)字集成電路FPGA實(shí)現(xiàn)的偽速率調(diào)制器
    在光子帶隙中原子的自發(fā)衰減
    D類功放中數(shù)字調(diào)制器的研究與實(shí)現(xiàn)
    光子晶體在兼容隱身中的應(yīng)用概述
    基于反射系數(shù)的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)不連續(xù)位置識(shí)別
    国产野战对白在线观看| 国产精品 国内视频| 国产精品美女特级片免费视频播放器 | 亚洲成人久久性| 精品福利观看| 日韩欧美 国产精品| 婷婷精品国产亚洲av在线| 日本黄色视频三级网站网址| 在线免费观看的www视频| 最近视频中文字幕2019在线8| 欧美黑人精品巨大| 老汉色av国产亚洲站长工具| 久久久精品欧美日韩精品| 国产黄色小视频在线观看| 久久精品成人免费网站| 亚洲人成电影免费在线| 精品一区二区三区四区五区乱码| 国产麻豆成人av免费视频| 国产成人欧美在线观看| 最新美女视频免费是黄的| 一级毛片高清免费大全| 欧美日韩国产亚洲二区| 小说图片视频综合网站| avwww免费| 久久精品国产亚洲av高清一级| 成年免费大片在线观看| 50天的宝宝边吃奶边哭怎么回事| 欧美三级亚洲精品| 日韩欧美三级三区| 国产亚洲av嫩草精品影院| 久久午夜综合久久蜜桃| 久久香蕉精品热| 国产av一区二区精品久久| 亚洲aⅴ乱码一区二区在线播放 | 久久香蕉精品热| 亚洲 欧美 日韩 在线 免费| 亚洲国产欧洲综合997久久,| 国产成人影院久久av| 久久久久久亚洲精品国产蜜桃av| 伦理电影免费视频| 一级黄色大片毛片| 亚洲全国av大片| 久久精品国产亚洲av香蕉五月| 欧美成人性av电影在线观看| 国产久久久一区二区三区| 亚洲专区字幕在线| 啦啦啦免费观看视频1| 俄罗斯特黄特色一大片| 久久草成人影院| 久久精品亚洲精品国产色婷小说| av在线播放免费不卡| 狠狠狠狠99中文字幕| 国产成人一区二区三区免费视频网站| 免费在线观看黄色视频的| 亚洲成人免费电影在线观看| 日日摸夜夜添夜夜添小说| 高潮久久久久久久久久久不卡| 法律面前人人平等表现在哪些方面| 91麻豆av在线| 50天的宝宝边吃奶边哭怎么回事| xxx96com| 中文字幕熟女人妻在线| 亚洲七黄色美女视频| 亚洲黑人精品在线| 国产野战对白在线观看| 最新美女视频免费是黄的| 两人在一起打扑克的视频| 99久久精品国产亚洲精品| 香蕉国产在线看| 亚洲色图av天堂| 欧美不卡视频在线免费观看 | 午夜免费成人在线视频| www.自偷自拍.com| 成熟少妇高潮喷水视频| 国产片内射在线| 国产人伦9x9x在线观看| 一级毛片高清免费大全| 免费在线观看视频国产中文字幕亚洲| 亚洲精品一卡2卡三卡4卡5卡| 好男人电影高清在线观看| 老司机靠b影院| 岛国视频午夜一区免费看| 男人的好看免费观看在线视频 | 亚洲精品一区av在线观看| 国产精品精品国产色婷婷| 桃色一区二区三区在线观看| 777久久人妻少妇嫩草av网站| 久久婷婷人人爽人人干人人爱| 99国产精品一区二区蜜桃av| 十八禁人妻一区二区| 久久久久久久久免费视频了| 午夜福利在线在线| 国产黄a三级三级三级人| 99精品久久久久人妻精品| 脱女人内裤的视频| 久久久国产欧美日韩av| 中亚洲国语对白在线视频| 日韩欧美国产在线观看| 国产爱豆传媒在线观看 | 色老头精品视频在线观看| 亚洲美女视频黄频| 桃红色精品国产亚洲av| 99国产精品99久久久久| 久久国产乱子伦精品免费另类| 搡老妇女老女人老熟妇| 日韩欧美在线二视频| 在线观看免费视频日本深夜| 久久久水蜜桃国产精品网| 青草久久国产| 欧美成人一区二区免费高清观看 | 国产三级中文精品| 老汉色∧v一级毛片| 丁香欧美五月| 香蕉av资源在线| 久久久久久大精品| 18美女黄网站色大片免费观看| 婷婷丁香在线五月| 国产亚洲精品久久久久久毛片| 亚洲av美国av| 中文字幕精品亚洲无线码一区| 91九色精品人成在线观看| 天天躁狠狠躁夜夜躁狠狠躁| 午夜福利视频1000在线观看| 国产亚洲精品av在线| 一级a爱片免费观看的视频| 夜夜爽天天搞| 99精品在免费线老司机午夜| av国产免费在线观看| a级毛片在线看网站| 国产高清videossex| 熟女电影av网| 国产精品自产拍在线观看55亚洲| 久久久久精品国产欧美久久久| 欧美日韩黄片免| 午夜免费观看网址| 久久久久久久精品吃奶| xxx96com| 亚洲精品在线美女| 日韩欧美一区二区三区在线观看| 无人区码免费观看不卡| 不卡av一区二区三区| 午夜a级毛片| 男人的好看免费观看在线视频 | 国产精品爽爽va在线观看网站| 国产精品亚洲av一区麻豆| 精品福利观看| 久久久国产精品麻豆| 少妇的丰满在线观看| 天天一区二区日本电影三级| 久久99热这里只有精品18| 嫁个100分男人电影在线观看| 日日爽夜夜爽网站| 亚洲国产看品久久| tocl精华| 激情在线观看视频在线高清| 国产三级黄色录像| 成人国语在线视频| 精品一区二区三区视频在线观看免费| 午夜免费观看网址| 在线国产一区二区在线| 性色av乱码一区二区三区2| 丝袜人妻中文字幕| 国产亚洲欧美98| 国内精品久久久久精免费| 亚洲va日本ⅴa欧美va伊人久久| 亚洲成人久久性| 欧美日韩瑟瑟在线播放| 精品一区二区三区四区五区乱码| 欧美日韩福利视频一区二区| 久久久精品大字幕| 香蕉久久夜色| 亚洲成人免费电影在线观看| 婷婷亚洲欧美| 欧美极品一区二区三区四区| 一级毛片高清免费大全| 中文亚洲av片在线观看爽| 在线视频色国产色| 久久精品国产清高在天天线| 国产精品精品国产色婷婷| 久久午夜亚洲精品久久| 91大片在线观看| 中文字幕高清在线视频| 亚洲电影在线观看av| 欧美在线黄色| 国产精品一区二区三区四区久久| 免费观看人在逋| 久久香蕉激情| 欧美大码av| 曰老女人黄片| 久久人人精品亚洲av| 亚洲人成77777在线视频| 1024手机看黄色片| videosex国产| 久久精品影院6| 99国产精品一区二区蜜桃av| 精品午夜福利视频在线观看一区| 看黄色毛片网站| 亚洲成人中文字幕在线播放| 亚洲国产日韩欧美精品在线观看 | 熟妇人妻久久中文字幕3abv| 久久中文看片网| 操出白浆在线播放| 亚洲欧美日韩高清在线视频| 女人高潮潮喷娇喘18禁视频| 真人一进一出gif抽搐免费| 无限看片的www在线观看| 亚洲,欧美精品.| 国产97色在线日韩免费| 欧美绝顶高潮抽搐喷水| 一级a爱片免费观看的视频| 国产一区二区在线av高清观看| 欧美日韩黄片免| 村上凉子中文字幕在线| 久久天堂一区二区三区四区| 可以在线观看的亚洲视频| 韩国av一区二区三区四区| 最好的美女福利视频网| 黄色视频,在线免费观看| 又爽又黄无遮挡网站| 白带黄色成豆腐渣| 国产精品久久久人人做人人爽| 在线观看免费日韩欧美大片| 一级毛片女人18水好多| 免费在线观看影片大全网站| 欧美一区二区国产精品久久精品 | www.精华液| 久久婷婷成人综合色麻豆| 嫩草影院精品99| e午夜精品久久久久久久| 91九色精品人成在线观看| 国产真人三级小视频在线观看| 日本 欧美在线| 精品第一国产精品| 老司机靠b影院| 亚洲九九香蕉| www.熟女人妻精品国产| 999精品在线视频| 久久久精品欧美日韩精品| 欧美成人免费av一区二区三区| 免费无遮挡裸体视频| 天堂动漫精品| 在线看三级毛片| 白带黄色成豆腐渣| 国产精品一区二区三区四区久久| 免费在线观看黄色视频的| 看片在线看免费视频| 悠悠久久av| 国产黄a三级三级三级人| 别揉我奶头~嗯~啊~动态视频| 怎么达到女性高潮| 91字幕亚洲| 亚洲性夜色夜夜综合| aaaaa片日本免费| 亚洲最大成人中文| 国产精品久久久av美女十八| 亚洲国产精品成人综合色| xxx96com| 国产精品综合久久久久久久免费| 中文字幕熟女人妻在线| 在线看三级毛片| 久久国产精品影院| 长腿黑丝高跟| 男人的好看免费观看在线视频 | 欧美又色又爽又黄视频| 日韩欧美免费精品| 欧美国产日韩亚洲一区| 999久久久精品免费观看国产| 久久中文字幕人妻熟女| 国产激情久久老熟女| 国产一级毛片七仙女欲春2| 亚洲国产欧美人成| 欧美丝袜亚洲另类 | 成人18禁在线播放| 岛国在线观看网站| 一区福利在线观看| 欧美zozozo另类| 午夜久久久久精精品| 两个人的视频大全免费| 91成年电影在线观看| 美女 人体艺术 gogo| 亚洲av五月六月丁香网| 免费高清视频大片| 日本撒尿小便嘘嘘汇集6| 久久人妻av系列| 在线a可以看的网站| 国产精品av视频在线免费观看| 男插女下体视频免费在线播放| 国产熟女xx| 一进一出好大好爽视频| 18禁裸乳无遮挡免费网站照片| 一区二区三区国产精品乱码| 婷婷精品国产亚洲av在线| 国产精品 国内视频| 人妻丰满熟妇av一区二区三区| 丁香欧美五月| 久久九九热精品免费| 亚洲av中文字字幕乱码综合| 国产一区在线观看成人免费| 午夜福利视频1000在线观看| 91在线观看av| 国产精品久久电影中文字幕| 免费在线观看日本一区| 国产精品久久久久久久电影 | 国产1区2区3区精品| 成人永久免费在线观看视频| 法律面前人人平等表现在哪些方面| 看黄色毛片网站| 久久香蕉精品热| 国产精品久久久久久精品电影| 久久九九热精品免费| 国产精品永久免费网站| 怎么达到女性高潮| 欧美成人午夜精品| 男女下面进入的视频免费午夜| a级毛片a级免费在线| 久久久久九九精品影院| 国内少妇人妻偷人精品xxx网站 | 狠狠狠狠99中文字幕| 国产精品一区二区免费欧美| 国产爱豆传媒在线观看 | 亚洲自偷自拍图片 自拍| 天天躁夜夜躁狠狠躁躁| 少妇裸体淫交视频免费看高清 | 一本大道久久a久久精品| 亚洲片人在线观看| 99riav亚洲国产免费| 脱女人内裤的视频| 久久欧美精品欧美久久欧美| 哪里可以看免费的av片| 久久九九热精品免费| 老司机午夜福利在线观看视频| 一级毛片女人18水好多| 亚洲成人精品中文字幕电影| 嫁个100分男人电影在线观看| 一级毛片精品| 国内揄拍国产精品人妻在线| а√天堂www在线а√下载| 非洲黑人性xxxx精品又粗又长| 国产黄片美女视频| 久久久久久国产a免费观看| 很黄的视频免费| 午夜激情av网站| 一a级毛片在线观看| 日韩有码中文字幕| 日韩国内少妇激情av| 亚洲熟妇熟女久久| 麻豆国产av国片精品| 岛国在线观看网站| 久久中文看片网| 欧美黄色淫秽网站| 在线观看www视频免费| 91麻豆精品激情在线观看国产| 久99久视频精品免费| 亚洲av五月六月丁香网| 老汉色av国产亚洲站长工具| 久久久久九九精品影院| 国产精品野战在线观看| 日本免费一区二区三区高清不卡| 久久久久久国产a免费观看| 99热这里只有精品一区 | 免费无遮挡裸体视频| 男女床上黄色一级片免费看| 老司机福利观看| 久热爱精品视频在线9| 国产黄a三级三级三级人| 精品无人区乱码1区二区| 黑人巨大精品欧美一区二区mp4| 亚洲熟妇中文字幕五十中出| 美女扒开内裤让男人捅视频| 久久欧美精品欧美久久欧美| a在线观看视频网站| 两个人看的免费小视频| 久久国产乱子伦精品免费另类| 夜夜爽天天搞| 看黄色毛片网站| 搡老岳熟女国产| 后天国语完整版免费观看| 成人国产综合亚洲| 婷婷六月久久综合丁香| 天天添夜夜摸| 色尼玛亚洲综合影院| 男人舔奶头视频| 最近最新免费中文字幕在线| 欧美3d第一页| 亚洲va日本ⅴa欧美va伊人久久| 国产亚洲精品第一综合不卡| 中文字幕熟女人妻在线| 成人18禁高潮啪啪吃奶动态图| 好男人电影高清在线观看| av在线天堂中文字幕| 国产成人av激情在线播放| 国产在线观看jvid| 高清毛片免费观看视频网站| 日本一本二区三区精品| 亚洲专区中文字幕在线| 久久精品国产亚洲av高清一级| 非洲黑人性xxxx精品又粗又长| 伦理电影免费视频| 午夜福利在线在线| www.熟女人妻精品国产| 国产成人aa在线观看| 国产精品一区二区三区四区免费观看 | 少妇被粗大的猛进出69影院| 这个男人来自地球电影免费观看| 成人永久免费在线观看视频| 日韩欧美三级三区| 18美女黄网站色大片免费观看| 国产精品一区二区免费欧美| 亚洲美女黄片视频| 黄色片一级片一级黄色片| 黄色毛片三级朝国网站| 日本黄大片高清| 亚洲av成人av| 两性夫妻黄色片| 国产片内射在线| 国产精品综合久久久久久久免费| 国产成年人精品一区二区| 久久九九热精品免费| 国产精品电影一区二区三区| 妹子高潮喷水视频| 日韩av在线大香蕉| 91在线观看av| 亚洲中文av在线| 精品久久久久久成人av| 嫩草影视91久久| 青草久久国产| 三级男女做爰猛烈吃奶摸视频| 99国产精品一区二区蜜桃av| 国产熟女xx| 亚洲熟妇中文字幕五十中出| 黄色丝袜av网址大全| 日本 av在线| 首页视频小说图片口味搜索| 国产99白浆流出| 十八禁人妻一区二区| 又黄又粗又硬又大视频| av有码第一页| 久久久精品大字幕| 欧美黄色片欧美黄色片| 精品久久久久久久久久久久久| 国产精品久久久av美女十八| avwww免费| 久久久国产成人精品二区| 一进一出抽搐gif免费好疼| 国产亚洲av嫩草精品影院| 亚洲熟女毛片儿| 亚洲黑人精品在线| 成人精品一区二区免费| 亚洲,欧美精品.| 亚洲av电影不卡..在线观看| 又紧又爽又黄一区二区| 欧美成人性av电影在线观看| 亚洲中文日韩欧美视频| 欧美日韩一级在线毛片| 国产人伦9x9x在线观看| 久久久久久九九精品二区国产 | 搡老熟女国产l中国老女人| 日本精品一区二区三区蜜桃| 免费在线观看成人毛片| 757午夜福利合集在线观看| 国产精品,欧美在线| 级片在线观看| 欧美一区二区精品小视频在线| 在线观看免费日韩欧美大片| 小说图片视频综合网站| 亚洲国产精品成人综合色| 久久久久国产精品人妻aⅴ院| 在线观看美女被高潮喷水网站 | 国产精品98久久久久久宅男小说| 国产成人精品久久二区二区91| 超碰成人久久| 亚洲精品美女久久久久99蜜臀| 制服人妻中文乱码| 国产又色又爽无遮挡免费看| 亚洲免费av在线视频| 久久久久亚洲av毛片大全| 日韩有码中文字幕| 动漫黄色视频在线观看| 亚洲国产精品成人综合色| 成人高潮视频无遮挡免费网站| 麻豆国产97在线/欧美 | 国产午夜福利久久久久久| 麻豆av在线久日| 777久久人妻少妇嫩草av网站| а√天堂www在线а√下载| 怎么达到女性高潮| 在线观看一区二区三区| 亚洲免费av在线视频| 亚洲人成网站在线播放欧美日韩| 成在线人永久免费视频| 久久久精品大字幕| 变态另类丝袜制服| 丰满人妻熟妇乱又伦精品不卡| 国产av在哪里看| 国产麻豆成人av免费视频| 国产高清视频在线播放一区| 黄色片一级片一级黄色片| 女人高潮潮喷娇喘18禁视频| e午夜精品久久久久久久| 午夜免费成人在线视频| xxxwww97欧美| 亚洲欧美日韩无卡精品| 最新在线观看一区二区三区| 一进一出抽搐gif免费好疼| 嫁个100分男人电影在线观看| 少妇熟女aⅴ在线视频| 久久中文字幕人妻熟女| 国产免费男女视频| 午夜亚洲福利在线播放| 岛国在线观看网站| 久久亚洲真实| 久热爱精品视频在线9| 18禁裸乳无遮挡免费网站照片| av福利片在线观看| 丝袜美腿诱惑在线| 欧美最黄视频在线播放免费| 日韩欧美一区二区三区在线观看| 99久久精品国产亚洲精品| 日韩欧美 国产精品| 久久性视频一级片| 变态另类成人亚洲欧美熟女| 日本a在线网址| а√天堂www在线а√下载| 可以在线观看毛片的网站| 欧美性猛交黑人性爽| 中文资源天堂在线| 日本免费a在线| 亚洲专区字幕在线| 人成视频在线观看免费观看| 欧美不卡视频在线免费观看 | 黄色毛片三级朝国网站| 国产精品免费一区二区三区在线| 亚洲精品国产一区二区精华液| 女人高潮潮喷娇喘18禁视频| 国产成人aa在线观看| 亚洲一区二区三区色噜噜| 国产av又大| 亚洲精品中文字幕在线视频| 午夜福利在线观看吧| 精品不卡国产一区二区三区| 欧美成人一区二区免费高清观看 | 老司机在亚洲福利影院| 母亲3免费完整高清在线观看| av免费在线观看网站| 久久久久国内视频| 亚洲 欧美 日韩 在线 免费| 精品欧美国产一区二区三| 麻豆久久精品国产亚洲av| 真人一进一出gif抽搐免费| 国产精品久久久久久久电影 | 午夜视频精品福利| 1024手机看黄色片| 精品国产亚洲在线| 久久精品成人免费网站| 国产黄片美女视频| 欧美成人性av电影在线观看| 午夜日韩欧美国产| 国产精品日韩av在线免费观看| 日日爽夜夜爽网站| 99精品欧美一区二区三区四区| 一级毛片女人18水好多| 视频区欧美日本亚洲| 亚洲午夜理论影院| 精品免费久久久久久久清纯| 手机成人av网站| 嫁个100分男人电影在线观看| 999精品在线视频| 日韩有码中文字幕| 亚洲乱码一区二区免费版| av片东京热男人的天堂| 欧美又色又爽又黄视频| 国产精品亚洲av一区麻豆| 男女下面进入的视频免费午夜| 欧美国产日韩亚洲一区| 88av欧美| 久久久久久久久中文| 黄频高清免费视频| 国产精品1区2区在线观看.| 91国产中文字幕| 18禁观看日本| 欧美中文日本在线观看视频| 99久久精品热视频| 最新美女视频免费是黄的| 91av网站免费观看| 我的老师免费观看完整版| 99热这里只有精品一区 | 99国产精品一区二区蜜桃av| www.自偷自拍.com| 欧美久久黑人一区二区| 亚洲av熟女| 久久欧美精品欧美久久欧美| 亚洲人成网站高清观看| 日韩av在线大香蕉| 精品人妻1区二区| 黄色a级毛片大全视频| 夜夜爽天天搞| 长腿黑丝高跟| 脱女人内裤的视频| av超薄肉色丝袜交足视频| 又粗又爽又猛毛片免费看| 级片在线观看| 少妇裸体淫交视频免费看高清 | 免费人成视频x8x8入口观看| 伊人久久大香线蕉亚洲五| 中文在线观看免费www的网站 | 精品国产超薄肉色丝袜足j| 亚洲av电影不卡..在线观看| 国产一区二区三区在线臀色熟女| 国产一级毛片七仙女欲春2| 亚洲av电影不卡..在线观看| 最近视频中文字幕2019在线8| 老汉色∧v一级毛片| 国产精品永久免费网站| 搡老妇女老女人老熟妇| www.自偷自拍.com|