金志浩, 章港, 戰(zhàn)洪仁, 李帥, 王立鵬, 張志剛
(沈陽化工大學機械與動力工程學院, 沈陽 110142)
沸騰是一種高效的傳熱方式,近些年來,對于沸騰傳熱機理以及強化沸騰傳熱的研究,已經(jīng)成為國際上沸騰領域的研究熱點。此研究對于提升能源利用效率、減少工程投資有著重要意義。隨著電子元器件的集成化越來越高,普通的風冷已經(jīng)無法滿足電子元件的散熱需求,采用沸騰散熱已經(jīng)成為必然的趨勢,近些年,通過調控加熱表面的潤濕性來強化沸騰傳熱已成為研究熱點之一,很多學者通過實驗對親疏水表面沸騰傳熱的影響進行了研究。Takata等[1]通過在銅表面鍍聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene,PTEE)顆粒獲得疏水表面,發(fā)現(xiàn)疏水表面在加熱面溫度低于飽和溫度時,就能形成穩(wěn)定膜態(tài)沸騰。Theofanous等[2-3]通過紅外相機觀察壁面潤濕性對氣泡脫離直徑有較大的影響。Fan等[4]通過實驗發(fā)現(xiàn)隨著壁面潤濕性的增加,氣泡脫離頻率降低。Jo等[5]通過實驗研究了接觸角對換熱特性的影響。姜洪鵬等[6]用激光燒蝕方法在拋光后的銅上制備出超疏水/親水性的規(guī)則微陣列結構表面,發(fā)現(xiàn)疏水表面尾端氣泡容易匯聚,生長周期較長;而親水表面沒有發(fā)生明顯的氣泡匯聚行為,氣泡生長周期較短。但是沸騰傳熱過程的影響因素眾多,在實驗研究中難以區(qū)分,使得實驗結果的準確性受到質疑,而且通過實驗很難觀測氣泡生長、脫離過程的微觀流動細節(jié),無法詳細描述出氣泡生長的內(nèi)在機理。
隨著計算機技術的飛速發(fā)展,流體體積法(volume of fluid,VOF)[7-9]、Level Set[10]、界面追蹤法(front tracking method,F(xiàn)TM)方法[11]及格子Boltzmann方法等數(shù)值模擬方法得到了廣泛的發(fā)展,并且已應用于研究沸騰和冷凝相變過程。但VOF、Level Set及FTM等數(shù)值模擬方法需要精確追蹤汽液界面,在氣泡和液滴的生長與脫離的過程中,追蹤汽液界面演化的方法并不能很好地滿足要求。此外,在應用這些數(shù)值方法模擬相變時,需要預先設置汽化/液化核。所以這些都意味著用傳統(tǒng)的計算流體力學方法模擬受限空間內(nèi)沸騰相變的傳熱過程仍然是一個挑戰(zhàn)。近些年,飛速發(fā)展起來的格子Boltzmann模型,在并行性和自動追蹤相界面方面具有固有的優(yōu)勢,已成為探索相變現(xiàn)象的強大的數(shù)值模擬工具。Boltzmann模型主要有自由能模型[12-14]、偽勢模型[15-17]、顏色模型[18-20]三種模型形式。偽勢模型[15]有著極高的穩(wěn)定性,可應用于大規(guī)模計算仿真、多相多組分仿真以及特定復雜流體情況和邊界條件時的仿真計算。但該模型存在密度比小,且模擬方法的穩(wěn)定性較差,嚴重限制了格子Boltzmann方法的實際應用,為解決此問題,Zhang等[21]首次將格子Boltzmann偽勢模型與有限差分法結合,并模擬大空間氣泡脫離的過程。Dong等[22]提出一種新的自由能模型,對熱格子Boltzmann模型進行了擴展與發(fā)展,形成混合格子Boltzmann模型。Gong等[23]在偽勢模型基礎上提出一個新的源相,提高數(shù)值穩(wěn)定性,并把P-R狀態(tài)方程代入格子Boltzmann方程,驗證格子Boltzmann結合P-R狀態(tài)方程穩(wěn)定性。Gong等[24]又提出一種引入流固張力的模型,使得壁面接觸角可以在0~180°調整,研究了池沸騰親疏水壁面氣泡生長傳熱過程。Gong等[25]基于P-R狀態(tài)方程的格子Boltzmann模型,用該模型模擬了大空間多氣泡生長過程。Li等[26]提出一種模擬多相流的混合熱格子流密度,研究了臨界熱流密度以及池沸騰氣泡的成核過程。汪鵬軍等[27]通過將密度分布函數(shù)與溫度分布函數(shù)進行耦合求解的方式建立了氣液相變模型,研究了氣泡脫離直徑與重力加速度的關系。綜上所述,運用格子Boltzmann方法對沸騰的研究,主要集中于大空間多氣泡核態(tài)沸騰。而多氣泡沸騰傳熱包括一系列氣泡生長、脫離、多氣泡的相互作用及表面粗糙度狀況等較多的影響因素,不利于從表面潤濕、過熱度等單一因素研究氣泡的生長機理及動力學特征,因此應用格子Boltzmann數(shù)值模擬研究討論單氣泡的生長過程,可有效避免多氣泡相互作用而產(chǎn)生非線性現(xiàn)象的影響,對多氣泡的運動特性的研究有重要意義。
現(xiàn)基于混合熱格子Boltzmann模型,建立單氣泡生長過程的數(shù)值模型,從微觀角度在不同潤濕性表面、不同有限熱源長度、不同過熱度等單一影響因素條件下,對單氣泡產(chǎn)生、長大、脫離過程的動力學特點進行模擬研究,并通過流場和溫度場對獲得的氣泡形態(tài)及氣泡生長過程的影響因素進行分析和比較,為研究強化表面沸騰傳熱及表面潤濕性的選擇提供理論依據(jù)。
采用單組多相偽勢格子Boltzmann模型[18]耦合能量方程模擬氣液相變過程,其中單組多相偽勢格子Boltzmann模型密度演化方程具體表達式為
fi(x+eiδt,t+δt)-fi(x+t)
(1)
(2)
格子點的密度ρ與速度u計算公式為
(3)
所以格子點的密度ρ為單位格子上各個方向粒子分布函數(shù)之和。
在多相流的模擬中,體積力是十分重要的,諸多學者[12]用精確差分方法求解體積力項,這樣可以保證方程穩(wěn)定性,關系式為
(4)
為了使氣液兩相分離,引入流體間粒子作用力Fint,表達式為
(5)
式(5)中:β為提高計算穩(wěn)定的權重因子,取值1.16;G為相互作用常數(shù),取值-1;x′為x的相鄰格子點坐標;ψ(x)為有效密度,與流體狀態(tài)方程有關,表達式為
(6)
式(6)中:p為流體壓力;g0為流體作用系數(shù);c0為格子系數(shù)。
通過引入Fs可獲得不同的三相接觸角,F(xiàn)s表達式為
(7)
式(7)中:sw為用來判斷格點是否是壁面的函數(shù),對于固體壁面,可以取1,對于流體取0;Gw為流體與固體壁面的作用常數(shù)。
重力Fg表達式為
Fg=g(ρ-ρave)
(8)
式(8)中:g為重力加速度;ρave為計算域內(nèi)密度平均值。
模擬氣液相變現(xiàn)象,還需要在單組份多相偽勢模型的基礎上,耦合能量方程[28-29]構成相變模型。能量方程為
(9)
宏觀速度U計算公式為
(10)
壓力ρ可運用控制流體狀態(tài)的P-R狀態(tài)方程確定,即
(11)
最后對溫度場采用二階龍格庫塔法離散,獲得區(qū)域溫度場溫度分布,二階龍格庫塔方法表達式為
(12)
寬Lx=200,高Ly=250的封閉空間中充滿飽和溫度Tf=0.86Tc的氣液兩相流體,經(jīng)過網(wǎng)格獨立性驗證,計算域200×250可保證數(shù)值穩(wěn)定性。建立物理模型圖如圖1所示,為保障在容器底部產(chǎn)生單氣泡,在底部中心處設置加熱長度為3個格子長度的有限長度恒溫熱源P,加熱溫度Ts=1.3Tc。容器左右側壁面取周期邊界條件[31],上下壁面取Zou-He邊界條件[32]。
調整重力加速度g的取值分別為-0.000 01、-0.000 02、-0.000 03、-0.000 04、-0.000 05,獲得不同氣重力加速度下泡脫離直徑曲線(圖2), 橫坐標g為重力加速度,縱坐標D代表氣泡脫離直徑,其中單位為格子長度。氣泡脫離直徑與重力加速度g的擬合函數(shù)關系為D-g-0.5,符合Fritz提出的半經(jīng)驗公式,說明程序可靠。
圖1 物理模型Fig.1 Physical model
圖2 重力加速度g與氣泡脫離直徑D關系Fig.2 The relationship between gravitational acceleration g and detachment diameterD
格子Boltzmann模擬中用格子單位表示物理量,特征長度l0通常用來描述氣液相變過程,相對應的特征時間t0是由特征長度l0除以特征速度u0得到,計算公式[25]為
(13)
式(13)中:ρl為飽和液體密度,取值6.5;ρv為飽和氣相密度,取值0.38;σ為表面張力。因此,無量綱長度l*和無量綱時間t*分別定義為
(14)
因此無量綱直徑計算方法為
D*=D/l0
(15)
無量綱溫度計算方法為
T*=T/Tc
(16)
式(16)中:Tc流體的臨界溫度;T為流體的溫度;T*為無量綱溫度。
過熱度計算方法為
ΔT=Ts-Tf
(17)
式(17)中:Ts為恒溫熱源加熱溫度;Tf為飽和溫度。
首先初始時刻在容器底部壁面處放置密度為6.5的液滴,周圍充滿密度0.38的氣體,通過調整Gw數(shù)值,改變流體與固體壁面之間作用力,待程序運行穩(wěn)定后,分別獲得不同三相接觸角的壁面,表明不同親疏水表面,如圖3(a)、圖3(b)、圖3(c)、圖3(d)所示,黃色代表放置的液滴,藍色代表空間中的氣體,其中圖3(a)、圖3(b)為親水壁面,圖3(c)、圖3(d)為疏水壁面。
圖3 不同壁面三相接觸角Fig.3 Three phase contact angle on different wall surfaces
圖4和圖5分別為在接觸角為60°的親水表面上單個氣泡生成、成長和脫離流線圖和溫度場。初始時刻,在有限熱源附近形成一個過熱邊界層,如圖5(a)所示。隨著加熱時間的推移,由圖5(b)可以觀察到過熱邊界層內(nèi)產(chǎn)生一個氣泡核,氣泡核內(nèi)的蒸汽溫度升高,氣泡內(nèi)的溫差增大,導致氣液壓差加大,氣泡內(nèi)部流體的速度大于氣泡外的速度,依靠慣性作用推動氣泡核快速生長,這時親水表面的氣泡是以圓形狀態(tài)逐漸生長,而這個階段氣泡體積小,其對外部流場擾動可忽略,如圖4(a)、圖4(b)所示。隨后氣泡內(nèi)部慣性作用逐漸減小,氣泡的長大主要依靠過熱液膜提供熱量,液相轉化為氣相,加快周圍冷流體回流,在有限熱源兩側逐漸形成反方向旋轉的渦流,致使底部熱邊界層溫度降低,熱邊界層提供熱量不足以支撐氣泡快速生長,如圖5(c)所示。此時氣泡生長形態(tài)在表面張力、浮力流場剪切力作用下由圓形被拉成橢圓形,并在近壁面處形成頸部,圖4(c)、圖4(d)所示為氣泡生長階段。圖4(e)、圖4(f)為氣泡的脫離階段,可以觀察到氣泡脫離壁面,這是由于在貼壁處氣膜的氣化需要液體補充,冷流體的回流沖擊,強化在壁面處形成兩個反方向的渦流。在流場剪切力、浮力、壁面張力的拉扯下,氣泡頸部緊縮,壁面張力急劇減小,最終導致氣泡脫離。圖5(d)為氣泡脫離溫度場,氣泡脫離后,有限熱源附近又形成一層熱邊界層,氣泡脫離的尾流對熱邊界層帶來巨大的擾動。
圖4 接觸角60°親水壁面氣泡生長流線圖Fig.4 Bubble growth flow diagram on hydrophilic wall with contact angle of 60°
圖5 接觸角60°親水性壁面氣泡生長過程無量綱溫度場Fig.5 Dimensionless temperature field during bubble growth on hydrophilic wall with contact angle of 60°
圖6、圖7為接觸角為120°的疏水壁面氣泡生長脫離過程流場圖和溫度場。起初在有限熱源附近形成過熱邊界層中,如圖6(a)、圖7(a)所示,隨后在過熱邊界層內(nèi)形成氣泡核,由于氣泡內(nèi)蒸汽溫度較高,氣泡快速向外膨脹,在慣性力和表面張力作用下,氣泡沿著疏水壁面延伸生長,致使氣泡與疏水壁面三相線長度不斷增大,同時可觀察出疏水壁面氣泡兩端有著反方向旋轉的渦流,該渦流破壞邊界層強化換熱,加速氣泡生長,如圖6(b)和圖7(b)所示的氣泡成核階段。而在圖6(c)、圖6(d)氣泡生長階段,氣泡在疏水壁面的三相線長度縮小,主要原因是隨著氣泡生長慣性力逐漸減小,氣泡浮力不斷增大,氣泡垂直向上增長。氣泡向上生長兩側形成較大的渦流,該渦流促進氣泡在中間緊縮,形成頸部。隨著渦流的增強,氣泡內(nèi)部分布的溫度梯度逐漸減弱,熱量不足以支撐氣泡快速生長,氣泡生長速度減慢,如圖7(c)所示。在圖6(e)、圖6(f)氣泡脫離階段中,氣泡在中間斷裂脫離,這是由于冷流體回流較大,在兩側形成較強循環(huán),在流場剪切力與氣液張力的拉扯下,在中間形成頸部,直至斷裂脫離。然而由于疏水壁面表面張力過強,依然有部分氣泡附著在疏水表面上作為下一個氣泡的汽化核心。如圖7(d)所示,氣泡脫離后帶走一部分熱量,氣泡脫離形成尾流,促使熱邊界層擾動。在氣泡生長、脫離過程中,溫度場與流場相互作用,促使氣泡成核、生長、脫離。
圖6 壁面接觸角120°疏水性壁面氣泡生長流線圖Fig.6 Hydrophobic wall bubble growth flow diagram with contact angle of 120°
圖7 壁面接觸角120°疏水性壁面氣泡生長 無量綱溫度場Fig.7 Dimensionless temperature field of hydrophobic wall bubble growth with contact angle of 120°
圖8表示在相同的過熱度下,親疏水壁面氣泡生長大小、脫離與時間關系圖,可以看出,親疏水壁面氣泡生長曲線先快速上升,隨后緩慢上升,最后保
圖8 親疏壁面氣泡D*與t*關系Fig.8 The relationship of bubble growth D*with t* on close and thin wall surfaces
持不變。疏水壁面氣泡脫離后,壁面有部分氣泡殘留,因此疏水壁面產(chǎn)生的氣泡大幅度減小。無論是親水壁面還是疏水壁面。分析可知,都存在快速生長階段、穩(wěn)定生長階段、氣泡脫離3個階段,其中快速生長階段氣泡快速膨脹,穩(wěn)定生長階段氣泡生長速度減慢,脫離階段氣泡不再生長,其內(nèi)在原因已在溫度場中論述。還可以觀察到疏水壁面較親水壁面先產(chǎn)生氣泡。疏水壁面曲線增長速率大于親水壁面,說明疏水壁面氣泡生長速度大于親水壁面氣泡生長速度。疏水壁面曲線增長速率大于親水壁面,說明疏水壁面氣泡生長速度大于親水壁面氣泡生長速度。疏水壁面氣泡脫離時刻有2個氣泡無量綱直徑,分別是100和61,說明由于疏水壁面具有親氣疏水的特性,氣泡脫離時被分成了2部分,一部分氣泡脫離壁面,其直徑為100,一部分氣泡殘留在壁面,直徑為61,殘留氣泡作為下一個氣泡生長的氣泡核。
由圖9(a)可以看出,氣泡脫離直徑隨著壁面三相接觸角的增大而增大,即由親水表面轉變成疏水表面,氣泡脫離時間也逐漸加長。主要原因是三相接觸角的增大,導致壁面張力增大,氣泡脫離壁面需要更大的浮力克服壁面張力,因此在壁面需孕育更大直徑氣泡,生長時間變長,氣泡脫離直徑亦增加。故可通過減小壁面三相接觸角,即改變表面親疏性來使氣泡脫離直徑減小,縮短氣泡從生成到脫離的時間,從而可以達到壁面強化傳熱。親水壁面氣泡脫離直徑隨著有限熱源加熱長度增加而增加,疏水壁面氣泡脫離直徑與有限熱源長度無關。親水壁面氣泡脫離時間隨著有限熱源長度增加而減小,疏水壁面氣泡脫離時間隨著有限熱源加熱長度增加而小幅度減小。由圖9(b)可知,親水壁面有限熱源長度增加,單位時間提供的熱量增加,因此脫離直徑增加,脫離時間減小。疏水壁面上覆蓋一層氣膜,有限熱源長度增加對疏水表面氣泡脫離直徑影響不大,脫離時間小幅度減小。由此可以說明,通過調整有限熱源的大小,可以改善壁面的換熱效果。
圖9 不同有限熱源長度下壁面接觸角對氣泡脫離的影響Fig.9 Influence of wall contact angle on bubble detachment under different finite heat source lengths
圖10為有限熱源過熱度對氣泡生長脫離的影響。圖10(a)為過熱度與氣泡脫離直徑關系圖,親水壁面氣泡脫離直徑隨著有限熱源過熱度升高而增大,表明氣泡脫離直徑與過熱度成正比關系。由圖10(a)中曲線可知,有限熱源過熱度升高,疏水壁面氣泡脫離直徑基本不變,這是由于疏水壁面氣泡生長,氣泡在中間斷裂脫離主要受浮力、流場剪切力、氣泡張力影響下,斷裂脫離,故疏水表面過熱度對氣泡脫離直徑影響不大,如圖6(a)~圖6(f)所示。
圖10 有限熱源過熱度對氣泡生長脫離影響Fig.10 Influence of superheat of heat source on bubble growth detachment
圖10(b)為過熱度對氣泡脫離時間影響的曲線圖,親水壁面有限熱源過熱度的增加,導致氣泡增長速度加快,因而氣泡脫離時間減小。對于疏水壁面,氣泡脫離時間隨著過熱度增加而大幅度減小,這是由于疏水表面在氣泡形成初期先形成了一層氣膜,但是隨著過熱度的增大,有限熱源表面氣膜傳熱能力增強,氣泡的脫離時間將持續(xù)大幅度減小。
在混和熱Boltzmann方法基礎上模擬了重力加速度對氣泡脫離直徑影響,分析了親水壁面氣泡的生長機理,得出以下結論。
(1)親疏水壁面氣泡生長機理不相同,親水壁面氣泡內(nèi)部溫度高,在慣性力的推動下長大,隨后慣性力減弱,浮力增大,流體回流,氣泡在浮力、流場剪切力,表面張力的作用下形成頸部直至脫離,壁面無氣泡殘留。疏水壁面氣泡初始在慣性力與壁面張力下,沿壁面生長,隨后慣性力減弱,浮力增強,氣泡在流場剪切力與氣液張力的拉扯下,在中間斷裂脫離,壁面有大量氣泡殘留。
(2)在相同過熱度下,親疏水壁面都有快速生長、穩(wěn)定生長、氣泡脫離3個階段,其中快速生長階段氣泡生長最快,穩(wěn)定生長階段氣泡生長速度降低,脫離階段氣泡大小基本不變。疏水壁面較親水壁面先產(chǎn)生氣泡,疏水壁面氣泡生長速度高于親水壁面。
(3)氣泡脫離直徑隨著壁面三相接觸角的增大而增大,脫離時間隨三相接觸角增大而增大。親水壁面氣泡脫離直徑隨著有限熱源加熱長度增加而增加,疏水壁面氣泡脫離直徑幾乎不隨有限熱源長度增加而改變。親水壁面氣泡脫離時間隨著有限熱源長度增加而減小,疏水壁面氣泡脫離時間隨著有限熱源加熱長度增加而小幅度減小。
(4)揭示了親疏水壁面氣泡脫離直徑與過熱度的關系,親水壁面氣泡脫離直徑與過熱度成正比,過熱度的增加會使氣泡生長速度加快,氣泡脫離時間減小。疏水壁面過熱度對氣泡脫離直徑影響不大,加熱溫度升高,傳熱推動力增強,氣泡脫離直徑基本不變,所以氣泡脫離時間大幅度減小,疏水壁面氣泡脫離時間明顯大于親水壁面,表明表面潤濕特性對氣泡脫離起主導作用,疏水性表面會增大汽泡的脫離阻力。