半導體激光應用于瘺道型根管再治療的臨床研究

鄭媛，吳潔，林冬梅

(韶關(guān)市口腔醫(yī)院牙體牙髓科，廣東 韶關(guān) 512026)

根管治療是牙髓病、根尖周病患者常用的治療方法，隨著臨床口腔材料、新技術(shù)的研發(fā)與應用，該治療方法成功率明顯提高[1]。但是，部分患者治療失敗后發(fā)生瘺道型根尖周炎，影響患者預后[2]。激光被生物組織吸收后瞬間產(chǎn)生高強度光化學、光熱作用，能引起組織瞬間汽化、熔融及凝固，達到快速、有效殺滅深層細菌的目的。因此，本文以前牙需要根管再治療的瘺道型根尖周炎患者為研究對象，探討半導體激光在瘺道型根管再治療中的臨床效果，報道如下。

1 資料與方法

1.1 臨床資料

選擇2021年1月至2021年8月本院收治的前牙需要根管再治療的瘺道型根尖周炎患者124例，隨機分為觀察組和對照組各62例。對照組男35例，女27例，年齡24～62歲，平均(46.39±5.81)歲；病程1～7月，平均(3.49±4.51)月；觀察組男33例，女29例，年齡23～64歲，平均(46.53±5.88)歲；病程1～8月，平均(3.52±4.58)月。兩組一般資料比較差異無統(tǒng)計學意義(P>0.05)，具有可比性。

1.2 入選標準

納入標準：(1)均為單根管前牙患者；(2)根管治療后出現(xiàn)瘺道或伴有自發(fā)痛、叩痛；(3)具有完整的臨床資料及隨訪資料；(4)X線牙片顯示恰充，根尖周區(qū)具有透光影，但是直徑<5mm。排除標準：(1)精神異常、牙周炎、牙根吸收或由于牙根折斷引起的根管治療失??；(2)欠充、超充等原因引起的治療失敗。

1.3 方法

治療前向患者及家屬講解根管治療流程、治療期間注意事項等，提高患者治療配合度。所有患者經(jīng)篩查后均由醫(yī)院統(tǒng)一研究人員操作。常規(guī)上橡皮障，顯微鏡輔助下去除原填充物，借助protaper鎳鈦再治療銼將根管內(nèi)填充物取出，超聲蕩洗根管，并根據(jù)患者情況完成工作長度測量。采用M3 pro鎳鈦銼完成根管預備，并根據(jù)患牙根尖孔直徑大小常規(guī)預備P1或P2，利用濃度為1%次氯酸鈉溶液超聲蕩洗根管。上述操作完畢后，采用濃度為0.9%生理鹽水完成根管沖洗，并采用紙捻干燥。

觀察組：采用半導體激光處理后行常規(guī)熱牙膠充填。采用DenLase-980/7半導體激光對患者進行治療，設定為根管滅菌模式，光纖緩慢地、螺旋式從根尖貼壁上升到根管口，盡可能將激光光纖置入根尖端較深的部位，保證四周照射均勻，每次10s，每次根管消毒20s。完成操作后選擇齦切除術(shù)模式，光纖從瘺管底部逐步向外消毒，常規(guī)完成熱牙膠充填。對照組：采用氫氧化鈣糊劑進行消毒封藥，不使用激光處理。叮囑患者1周后復診，對于無急性炎癥患者常規(guī)熱牙膠充填，否則換藥，直到無急性炎癥后常規(guī)熱牙膠充填，兩周、1個月，3 個月、6個月后復查。

1.4 觀察指標

(1)瘺道愈合時間、根尖陰影變化值。兩組治療后兩周、1個月、3 個月、6個月叮囑患者復查，記錄患者瘺道愈合時間、根尖陰影變化值。(2)成功率。評估兩組治療后兩周、1個月、3 個月、6個月成功率。成功：瘺道愈合，術(shù)后未見癥狀，X線顯示根充嚴密恰當、尖周透射影消失或患者未見癥狀，但是X線片可見根尖周透射影縮?。皇。函浀牢从?，且患者咬合不適，X線下根尖周透射區(qū)變化不明顯或存在明顯癥狀，不能正常咀嚼，X線片可見根尖周頭攝影變大[3]。

1.5 統(tǒng)計學方法

2 結(jié)果

2.1 瘺道愈合時間、根尖陰影變化值

兩組治療后3個月、6個月瘺道愈合時間、根尖陰影變化值差異無統(tǒng)計學意義(P>0.05)；觀察組治療后兩周、1個月患者瘺道愈合時間、根尖陰影變化值均短(少)于對照組(P<0.05)；不同時間點比較差異有統(tǒng)計學意義(P<0.05)。見表1。

表1 兩組瘺道愈合時間、根尖陰影變化值比較

2.2 成功率

兩組治療后3個月及6個月治療成功率差異無統(tǒng)計意義(P>0.05)；觀察組治療后兩周、1個月患者治療成功率均高于對照組(P<0.05)。見表2。

表2 兩組成功率比較[n(%)]

3 討論

研究表明[4]，糞腸球菌是影響根管治療患者預后的主要病原菌，該菌是一種革蘭氏陽性兼厭氧菌，能侵入牙本質(zhì)小管，且耐受機械預備與化學預備的清理，對于氫氧化鈣亦具有較強的耐受力。因此，根管消毒對提高根管治療成功率具有重要的作用[5]。由于根管解剖結(jié)構(gòu)的復雜性及根管感染的特殊性，常用的根管預備器械及技術(shù)難以達到預期的治療效果，增加根管內(nèi)感染率，造成竇道口經(jīng)久不愈，亦成為治療失敗的主要原因。近年來，半導體激光作為一種新的根管消毒方法廣泛用于根管的滅菌中，且效果理想。與傳統(tǒng)根管沖洗劑相比，半導體激光能更好地滲入牙體組織，殺滅根管系統(tǒng)中傳統(tǒng)方法難以達到的部位的細菌[6]。同時，半導體激光能更深入到牙本質(zhì)小管中，有助于減少根管內(nèi)細菌的數(shù)量，在電鏡下可見大量的牙本質(zhì)小管熔融封閉，引起玷污層消失。半導體激光能發(fā)揮良好的生物刺激作用，其生物學效應有助于減少炎性滲出，降低血管壁的通透性，從而減少患者術(shù)后水腫、充血，使得瘺管內(nèi)肉芽組織發(fā)生氣化，達到抗感染的目的，發(fā)揮消炎、改善組織血液循環(huán)作用，從而促進瘺管內(nèi)炎性肉芽組織愈合[7]。本文觀察組治療后兩周、1個月患者瘺道愈合時間、根尖陰影變化值均短(少)于對照組，治療成功率高于對照組(P<0.05)，說明半導體激光用于瘺道型根管再治療中能縮短患者瘺道愈合時間，縮小根尖陰影范圍，可獲得較高的成功率。

綜上所述，半導體激光用于瘺道型根管再治療中能縮短操作及瘺道愈合時間，成功率較高，半導體激光根管消毒比氫氧化鈣根管消毒更具有臨床意義，值得推廣應用。