朱學(xué)森,胡 輝,黃 浩,牛建輝
(北華航天工業(yè)學(xué)院,河北 廊坊 065000)
正弦脈寬調(diào)制是在PWM的基礎(chǔ)上改變調(diào)制脈沖的方式,脈沖寬度時(shí)間占空比按正弦波規(guī)率排列,經(jīng)過(guò)驅(qū)動(dòng)隔離電路,在給信號(hào)提高驅(qū)動(dòng)能力的基礎(chǔ)上又隔離了輸出與控制電路,有效保證了控制電路的安全性,再經(jīng)過(guò)開(kāi)關(guān)管的全橋逆變電路輸出具有帶載能力的PWM脈沖信號(hào),這樣輸出的波形經(jīng)過(guò)合適的濾波電路就可以得到有帶載能力的正弦波[1-2]。
SPWM波形的生成采用異步雙極性調(diào)制,載波選用三角波信號(hào),載波頻率100 kHz,輸出正弦500 Hz,輸出電流0~2 A,輸出電壓30 V,此時(shí)載波比N=200。
三相正弦電源由DC電源模塊、逆變MOS管電路、STM32核心控制、信號(hào)隔離驅(qū)動(dòng)電路、LC濾波電路等組成[1],整體系統(tǒng)結(jié)構(gòu)如圖1所示。
圖1 三相正弦系統(tǒng)
用STM32高級(jí)定時(shí)器TIM1產(chǎn)生正弦脈沖調(diào)制信號(hào)(SPWM),經(jīng)光耦隔離驅(qū)動(dòng)電路提高SPWM波的驅(qū)動(dòng)能力,6路SPWM信號(hào)發(fā)送給6個(gè)MOS管,通過(guò)MOS管的開(kāi)關(guān)作用將直流電轉(zhuǎn)換成交流電。
開(kāi)關(guān)管選用IRFS3607,最大輸出電流80 A,耐壓75 V。濾波電路鐵氧體磁環(huán)電感1 mH,磁環(huán)初始導(dǎo)磁率為90,CBB電容3.3 uF,理論截止頻率2.77 kHz。
筆者采用STM32F407做主控制器,此處主要介紹SPWM調(diào)制波形的生成方法。使用STM32的高級(jí)定時(shí)器TIM1做3路互補(bǔ)輸出PWM,計(jì)數(shù)方式采用中心對(duì)齊方式,開(kāi)啟中斷;在程序中斷回調(diào)函數(shù)中,做正弦波數(shù)據(jù)與三角波的調(diào)制比較值的更改,即改變每個(gè)輸出脈沖波形的占空比按正弦波變化的規(guī)律變化。載波頻率即PWM輸出頻率。
調(diào)制方法選用異步單極性調(diào)制,保持載波頻率不變,改變調(diào)制波頻率,實(shí)際在單片機(jī)程序中體現(xiàn)為改變載波比N的值。載波比N值不能太小,因?yàn)檩d波比N值決定了一個(gè)調(diào)制周期內(nèi)脈沖的個(gè)數(shù),如果N值小,那么脈沖數(shù)就小,輸出SPWM波形的脈沖不對(duì)稱性就會(huì)增大[3-4]。
波形檢測(cè)采用TELEDYNE公司的HDO9000四通道示波器,功率輸出采用橫河電機(jī)WT333數(shù)字功率。WT333數(shù)字功率計(jì)基本精度為讀數(shù)的0.1%,可測(cè)量三相電源相電壓、線電壓、線電流、諧波失真率THD等。直流供電源采用漢晟HSPY-120-93直流電源,輸出電壓電流可調(diào)。
負(fù)載采用0~100 Ω可變電阻器,并采用星形連接。本系統(tǒng)借助WT333測(cè)量輸出電壓電流變化,并記錄諧波失真率THD值、示波器觀測(cè)波形輸出、當(dāng)前頻率值與任意兩相的相位差。100 kHz載波下的數(shù)據(jù)如表1所示,可以觀察到示波器在電流1.4 A時(shí)的波形變化。
表1 100 kHz載波電壓電流數(shù)據(jù)
由表1可以看到,當(dāng)電流變大時(shí),輸出波形出現(xiàn)明顯變化,輸出電壓降低,輸出波形紋波變大,諧波失真率THD變大。基于此現(xiàn)象,筆者提出以下問(wèn)題:是什么影響輸出波形的失真與輸出電壓的降低?
猜測(cè)一:LC濾波器截止頻率太低,影響了濾波性能,筆者嘗試進(jìn)行如下實(shí)驗(yàn)測(cè)試。
將電感參數(shù)換為耐流值5 A,1 mH,電容換為1 uF,此時(shí),將理論截止頻率5.03 kHz再次做通電測(cè)試。載波100 kHz改善后的電壓電流如表2所示。
表2 100 kHz 改善濾波后的電壓電流
由實(shí)驗(yàn)結(jié)果可知,波形失真有一定改善,但是在壓降電流增大時(shí)壓降更明顯,且輸出紋波變大。這說(shuō)明截止頻率設(shè)高之后濾波不完全。
猜測(cè)二:載波頻率太大,當(dāng)電流增大時(shí)帶給開(kāi)關(guān)管器件的負(fù)擔(dān)變大,導(dǎo)致開(kāi)關(guān)管器件不能正常工作。
實(shí)驗(yàn)人員需要測(cè)量輸出電流為200 mA時(shí)的濾波前波形和輸出電流為1.4 A時(shí)的濾波前波形。輸出電流為1.4 A時(shí)的濾波前波形如圖2所示,MOS管輸出波形無(wú)明顯失真,輸出載波頻率在MOS管開(kāi)關(guān)頻率范圍內(nèi)。
圖2 輸出電流為1.4 A時(shí)的濾波前波形
猜測(cè)三:載波頻率太大,當(dāng)電流增大時(shí),電感的磁通量不足,使得電感L上的分壓變大,導(dǎo)致濾波效果不好。
實(shí)驗(yàn)人員將載波調(diào)小到21 kHz,并觀察LC濾波后的輸出波形,主要觀察輸出電流為1.4 A時(shí)的載波波形。21 kHz載波輸出時(shí)的電壓、電流數(shù)據(jù)如表3所示。
表3 21 kHz載波輸出電壓電流
輸出載波為21 kHz,輸出電流為1.4 A時(shí)的輸出波形如圖3所示,濾波波形得到明顯優(yōu)化,但是輸出波形平滑度不夠,還有一些毛刺。
從圖2、圖3可以看到,在開(kāi)關(guān)管開(kāi)關(guān)時(shí),會(huì)對(duì)另一個(gè)MOS管進(jìn)行干擾毛刺,當(dāng)電流增大時(shí)毛刺增大,這時(shí)需要在開(kāi)關(guān)管DS極之間加入RCD吸收電路。并且,從上述實(shí)驗(yàn)中能得到電感L的磁通量不足的問(wèn)題[5]。
圖3 輸出載波為21 kHz,輸出電流為1.4 A時(shí)的濾波后波形
圖4 三相開(kāi)環(huán)逆變仿真
在Slimlink中進(jìn)行LC濾波輸出波形,獲得的FFT分析結(jié)果如圖5所示。
圖5 SimlinkFFT仿真
重新選取LC濾波參數(shù)之后,得到的THD值為0.56%。
載波頻率不能直接影響輸出電流能力,而是載波頻率過(guò)高會(huì)使開(kāi)關(guān)管負(fù)擔(dān)變大。當(dāng)載波頻率過(guò)高,沒(méi)有負(fù)載電流時(shí),開(kāi)關(guān)管輸出壓力小,能正常工作;當(dāng)負(fù)載電流增大時(shí),開(kāi)關(guān)的尖峰脈沖也會(huì)增大,會(huì)縮短開(kāi)關(guān)管的使用壽命,同時(shí)電感上的分壓和相移也會(huì)增大,影響輸出波形,并且當(dāng)電流增大時(shí),開(kāi)關(guān)管相互間的影響毛刺也會(huì)變大,這些毛刺會(huì)影響輸出的波形,甚至損壞開(kāi)關(guān)管,縮短其使用壽命。所以,測(cè)試人員需要加入RCD吸收電路改善這種情況[9]。
此外,在測(cè)試波形問(wèn)題時(shí),當(dāng)把載波頻率調(diào)小,保持調(diào)制波頻率不變時(shí),輸出的三相正弦波形的相位差會(huì)改變,不再是標(biāo)準(zhǔn)的120°。通過(guò)查閱資料與多次反復(fù)調(diào)整載波頻率得出結(jié)論:載波頻率增大時(shí),通過(guò)LC感性負(fù)載的相移影響會(huì)減小。
在測(cè)試過(guò)程中,載波頻率繼續(xù)減小,輸出波形不會(huì)持續(xù)優(yōu)化,當(dāng)載波比N小于30時(shí),輸出波形會(huì)出現(xiàn)波紋,毛刺也會(huì)變多。
載波頻率高可以使輸出波形在LC濾波之后的相移影響變小,同時(shí)載波頻率的值受到電感磁通量的限制,高載波頻率需要大磁通量線圈支持,這樣濾波器的體積就會(huì)變得很大,不符合逆變電源輕量化趨勢(shì)。
筆者在系統(tǒng)調(diào)試時(shí)發(fā)現(xiàn),只要輸出電流增大,輸出濾波后的正弦電壓必然會(huì)發(fā)生一定程度的下降,即電感的阻抗損耗。針對(duì)這樣的情況,后續(xù)使用時(shí),技術(shù)人員可以加入閉環(huán)反饋系統(tǒng),保證輸出的穩(wěn)定性。