中國雷達工業(yè)關(guān)鍵起步點
——第一代波導(dǎo)元件研制始末

趙 軻 操均益 梅鶴飛

(電子科技大學(xué)，成都 611731)

電子科技大學(xué)(原成都電訊工程學(xué)院)電子科技博物館內(nèi)，保存了記錄電子工業(yè)發(fā)展的1.4萬件/套藏品，包括通信、雷達、電子元器件、電子計算機等領(lǐng)域的藏品，其中就有中國第一代自主研制的三公分波導(dǎo)管，共有三類七件，包括直波導(dǎo)、彎波導(dǎo)和匹配負載等。

在中國“第一個五年計劃”期間，蘇聯(lián)通過“156項工程”對中國進行援建，幫助建立比較完整的工業(yè)體系，電子工業(yè)是其中重要部分。同時，在蘇聯(lián)的援助下，通過籌建高校、建立實驗室，開展教育教學(xué)和技術(shù)培訓(xùn)的方式，培養(yǎng)出了中國電子工業(yè)第一批科研人員。

中國第一代波導(dǎo)元件就是在這樣的背景下研發(fā)和生產(chǎn)出來的。它作為電磁波傳輸線路組成雷達內(nèi)部的能量傳輸系統(tǒng)，填補了中國無法自制雷達中波導(dǎo)元件的空白，是中國自主發(fā)展雷達工業(yè)的起點，在中國電子工業(yè)歷史中有重要意義。

本文根據(jù)電子科技大學(xué)電子科技博物館的館藏藏品、檔案館的館藏檔案和相關(guān)文獻資料，并對相關(guān)科技工作者進行訪談，追溯和研究這批波導(dǎo)元件的自行研制過程。希望通過該研究，更多人能了解中國電子工業(yè)起步階段的歷史，同時希望在中國電子工業(yè)蓬勃發(fā)展的今天，特別是在各國高端科技領(lǐng)域競爭異常激烈的背景下，給中國創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展之路以有益啟示。

1 中國第一代波導(dǎo)元件成功研制的歷史背景

1.1 研發(fā)背景及必要性

20世紀50年代以前，中國不具備微波技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)能力，尤其是對雷達零配件進行研發(fā)和生產(chǎn)的能力。中國的雷達技術(shù)最初以南京為源頭，以日本和美國在“二戰(zhàn)”中的雷達為基礎(chǔ)進行修配，后逐漸開始仿制。1949年，中華人民共和國成立后，由于西方國家的封鎖，開始關(guān)注自身國防實力。國家決定“以蘇為鑒、以蘇為師”([1]，頁471—472)，與蘇聯(lián)開展合作，學(xué)習(xí)蘇聯(lián)先進的工業(yè)技術(shù)，抓緊雷達的仿制和研發(fā)[2]。本文的研究對象——三公分波導(dǎo)管便誕生于這樣的時代背景之下。

1950年，中蘇簽訂的《中蘇友好同盟互助條約》開啟了援建的序幕。1953年，蘇聯(lián)對華方略調(diào)整，中國的“第一個五年計劃”在同時期開始實施。中蘇兩國發(fā)表系列決議聲明，其中1954年兩國簽訂《關(guān)于重點高等學(xué)校和專家工作范圍的決議》[3]，讓蘇聯(lián)專家?guī)椭M行高等教育。兩國于1954年簽訂《關(guān)于援助中華人民共和國建設(shè)工業(yè)企業(yè)，向中國派蘇聯(lián)專家和關(guān)于另外接受中國工人來蘇聯(lián)企業(yè)學(xué)習(xí)的決議》([4]，頁194)，1957年簽訂《中蘇科學(xué)技術(shù)合作協(xié)定》([4]，頁227)。蘇聯(lián)陸續(xù)對華提供3500套圖紙、900套技術(shù)、2950套專題說明、1100套設(shè)計圖紙([4]，頁227)，形成蘇聯(lián)援建中國的“156項工程”([1]，頁297)。其中44項軍事工業(yè)中，電子工業(yè)占10項[5]。蘇聯(lián)對中國的援建，已經(jīng)深入高精尖技術(shù)。

在中國“第一個五年計劃”的第三年(1956年)，國家指示，按教育部發(fā)文“(56)工辛字第717號文”，對高等工業(yè)學(xué)校蘇聯(lián)專家配備研究生的計劃提出草案，請各學(xué)校報送相應(yīng)計劃[6]，將在1956至1957學(xué)年實施。在1956年4月7日的文件中，當(dāng)時正在籌備的成都電訊工程學(xué)院上報，需要超高頻電子管方面的專家，擬從南京工學(xué)院選拔配備“電氣真空技術(shù)”專業(yè)的畢業(yè)生8人攻讀研究生[6]。以依·弗·列別捷夫(I. V. Lebedev)博士(圖1)為代表的多位蘇聯(lián)專家到成都，與從中國國內(nèi)其他高等學(xué)校抽派的師生一起籌建了新中國第一所無線電專業(yè)的大學(xué)——成都電訊工程學(xué)院。

圖1 蘇聯(lián)專家依·弗·列別捷夫(I. V. Lebedev， 1922—2016)

中國在具備波導(dǎo)元件的研制能力前，該類元器件只能依靠進口。1957年起，中國出現(xiàn)電子元件進口困難的問題。然而，由于國防建設(shè)的需要，中國工業(yè)迫切需要元件支持。面臨進口困難的問題，在蘇聯(lián)專家的鼓勵下，國家決定開始自行研制波導(dǎo)元件，成都電訊工程學(xué)院的科研人員和研究生也全心投入，從而發(fā)展超高頻技術(shù)，開啟雷達的研制[7]。

1.2 蘇聯(lián)專家在技術(shù)及人才培養(yǎng)上的支援

在自主研制波導(dǎo)元件的過程中，蘇聯(lián)專家列別捷夫起到了非常重大的作用。列別捷夫是蘇聯(lián)莫斯科莫洛托夫動力學(xué)院(1)莫斯科莫洛托夫動力學(xué)院創(chuàng)建于1930年，于2013年更名為俄羅斯國立研究大學(xué)(莫斯科動力學(xué)院)。的副教授[8]，1956年9月來到成都，帶來了波導(dǎo)元件和其他大量元器件、多套儀器設(shè)備、成套的裝置圖紙，以及一批學(xué)術(shù)文獻，其中波導(dǎo)元件分為兩個波段——X波段和S波段[9]。他到中國工作的原定期限為一年，到中國后看到實際情況困難，主動提出延長到兩年。在1957年2月初，他曾短暫回到莫斯科動力學(xué)院進行博士論文答辯，并且順利通過。答辯結(jié)束后，他立即返回成都，并再次隨身攜帶了一批新的儀器，當(dāng)時從蘇聯(lián)攜帶的儀器并沒有得到允許，因為沒有時間辦理相關(guān)手續(xù)。回到成都后，他恢復(fù)了所有研究、講課和答疑工作。在列別捷夫的兩年聘期中，現(xiàn)中國科學(xué)院院士劉盛綱(2)劉盛綱(1933—)，安徽肥東人，1980年當(dāng)選為中國科學(xué)院學(xué)部委員(院士)，1986年至2001年4月?lián)坞娮涌萍即髮W(xué)校長。是他的俄語翻譯，幫助他主動深入地開展教研指導(dǎo)工作。

列別捷夫與劉樹杞、孫詩瑛等青年教師一道，建立超高頻技術(shù)實驗室(圖2)。他累計指導(dǎo)23人，包括超高頻教研組教師6人、研究生6人、外校及科研機構(gòu)選派來進修老師11人[7，10]。其中6名研究生都是南京工學(xué)院無線電系的畢業(yè)生，進修老師與外校研究生來自全國各個高校[7]。除了這些直接指導(dǎo)的人員外，他還組織了培訓(xùn)班，有時也會在相關(guān)學(xué)校邀請下到北京郵電學(xué)院(現(xiàn)北京郵電大學(xué))等學(xué)校講座講學(xué)[11]。

圖2 列別捷夫指導(dǎo)研究生實驗

列別捷夫講授了三門課程，分別為超高頻技術(shù)、超高頻電真空器件、超高頻電真空器件測試，完整覆蓋了微波技術(shù)理論、器件生產(chǎn)工藝和器件檢驗測試等三部分。三門超高頻技術(shù)的課程，原定的講課總課時數(shù)為155小時，結(jié)果實際講授達到260小時。列別捷夫為三門課程均編著了相應(yīng)的教材，譯成中文后字數(shù)累計有60萬字，教材在人民教育出版社進行了出版(圖3)。三本教材除了提供給成都電訊工程學(xué)院師生使用外，也送到相關(guān)的工廠、機關(guān)、學(xué)校及研究所使用。這三門課程也成為中國最早的微波技術(shù)課程。

圖3 教材《電真空材料及工藝(上冊)》與《超高頻電真空器件(下冊)》中文版

列別捷夫關(guān)注工程技術(shù)實踐及其與工業(yè)界的合作，堅持必須考慮教學(xué)課程和工業(yè)界、國防需求實際任務(wù)的聯(lián)系。他多次安排研究生到成都東郊電子工業(yè)基地的電子工業(yè)工廠實習(xí)，包括七七三廠(國營紅光電子管廠、生產(chǎn)微波電子管)、七七六廠(國營國光電子管廠、生產(chǎn)電子束器件)和七八四廠(國營錦江電器廠、生產(chǎn)雷達整機)等[7]。研究生在這些工廠親手操作電真空器件的研發(fā)和生產(chǎn)過程，每人獨立解決生產(chǎn)中急需的任務(wù)方案。1957年，列別捷夫曾帶領(lǐng)研究生和教師到北京七七四廠、南京七二〇廠及七七二廠參觀實習(xí)[10]，幫助青年教師和學(xué)生將理論結(jié)合實踐，親身體驗生產(chǎn)，也為考察超高頻元件研制后的生產(chǎn)工藝打下基礎(chǔ)。

1958年5月，列別捷夫回國，他帶來的資料和設(shè)備有69份留下來[12]，包括9份技術(shù)和器件的說明文件，5份圖紙，55份(套)課程設(shè)計圖紙、工作報告和測量儀器等。

1958年的《專家工作年終總結(jié)報告》檔案描述[7]：

波導(dǎo)設(shè)備的制造當(dāng)時在中國尚未能掌握，直到1957年中由于進口困難及在專家(指列別捷夫)的鼓勵下，才決心設(shè)法自制波導(dǎo)元件，對此項工作開始重視得較遲，因此至今在設(shè)備方面尚未能滿足需要，如果我們能及早設(shè)法克服困難在自制設(shè)備上多作努力，列別捷夫?qū)＜业淖饔媒袢諏⒌玫礁酶嗟陌l(fā)揮。

2 中國第一代波導(dǎo)元件的自主研制

2.1 自主研制成功，中國雷達工業(yè)開始起步

1953年至1957年，在中國的“第一個五年計劃”期間，蘇聯(lián)向中國提供大量的技術(shù)圖紙、工業(yè)樣品，并派遣了專家對中國的工業(yè)技術(shù)進行指導(dǎo)。在此基礎(chǔ)上，1957至1958年間，在列別捷夫建立實驗室、開設(shè)超高頻技術(shù)課程和與工業(yè)界緊密合作的基礎(chǔ)上，成都電訊工程學(xué)院的科研人員改進并補充列別捷夫帶來的波導(dǎo)圖紙，在四位8級技術(shù)工人的幫助下，在校辦工廠成功試制了三公分波導(dǎo)管，通過調(diào)試和測試，性能參數(shù)符合標準。后來又陸續(xù)生產(chǎn)了100多套，每套有20件不同類型的波導(dǎo)管。

全國各地的學(xué)校、研究機構(gòu)和工廠(3)主要包括：清華大學(xué)，交通大學(xué)，復(fù)旦大學(xué)，武漢大學(xué)，北京郵電學(xué)院，中國科學(xué)院電子學(xué)研究所，中國人民解放軍總參謀部通信電信科學(xué)技術(shù)研究所，第二機械部第十二所、第十所，國營七一四廠等。要求訂購波導(dǎo)管[13]。成都電訊工程學(xué)院將修改后的波導(dǎo)元件圖紙共238張上交于第二機械工業(yè)部第十局，并在成都地區(qū)的科學(xué)技術(shù)展上展示。之后，圖紙在南京國營七二〇廠進行必要修改后制成樣品，向各需求單位開放訂購[13]。所供應(yīng)給全國各地的波導(dǎo)元件，解決了當(dāng)時教學(xué)科研設(shè)備的急需，特別是解了進口國外元器件困難的燃眉之急。

從此，中國具備了波導(dǎo)元件的研制能力，中國的超高頻技術(shù)開始起步。三公分波導(dǎo)管的試制成功，成為雷達工業(yè)發(fā)展和電子工業(yè)發(fā)展的起步點。

1958年，中蘇關(guān)系走向冰點，援建的蘇聯(lián)專家開始大范圍撤離，列別捷夫也于當(dāng)年5月回到蘇聯(lián)。在蘇聯(lián)專家離開后，成都電訊工程學(xué)院乃至整個中國，依托于“第一個五年計劃”已初步建立的工業(yè)體系和培養(yǎng)的研究人員，參考相關(guān)圖紙，在電子工業(yè)的各個領(lǐng)域進行了大量嘗試，生產(chǎn)試制了寬頻帶保護放電器、雷達天線開關(guān)系統(tǒng)、模擬電子計算機等379項產(chǎn)品，其中32項產(chǎn)品為中國首次自主生產(chǎn)[2]。

在蘇聯(lián)的援助下，中國陸續(xù)建起一系列的雷達整機廠和配套設(shè)備廠，雷達工業(yè)起步。中國在1961年形成雷達科研體系，雷達工業(yè)的門類已比較齊全，形成9個骨干廠、5個地方廠和7個研究所，從仿制階段進入改進和自行設(shè)計階段；70年代，中國研制成功遠程精密跟蹤測量雷達和大型相控陣雷達；80年代初期，中國研制出第一部三坐標雷達；1980年到1985年，已有17種型號數(shù)百部雷達產(chǎn)品對外出口；到1985年，中國雷達工業(yè)系統(tǒng)已有企業(yè)52個、研究所14個，年產(chǎn)雷達1361部[14]。

2.2 中國第一代波導(dǎo)元件的基本情況

電子科技博物館內(nèi)現(xiàn)存的波導(dǎo)元件，即1957至1958年試制的第一批三公分波導(dǎo)管，主要包括直波導(dǎo)、彎波導(dǎo)和匹配負載，基本情況如下：

第一類是直波導(dǎo)，是矩形截面的長直空金屬管，微波以一定入射角入射，并在波導(dǎo)壁上反射，以合成波沿波導(dǎo)軸向進行傳輸。直波導(dǎo)(圖4①②)，由中間的傳輸線和兩邊的矩形法蘭盤構(gòu)成，矩形法蘭盤的四個頂點分別有圓形缺口。該波導(dǎo)采用蓋板-扼流型連接方式，因此其中一端法蘭盤中有圓形軸向槽作為扼流圈。

第二類是彎波導(dǎo)，在直波導(dǎo)傳輸方式的基礎(chǔ)上，通過曲形的金屬腔體來改變電磁波在波導(dǎo)中的傳輸方向。彎波導(dǎo)(圖4⑥)，形狀成拱形，其法蘭盤結(jié)構(gòu)與上述直波導(dǎo)相同。

第三類是匹配負載，作為終端器吸收全部入射波的能量。匹配負載(圖4③④⑤)，其一段為法蘭盤，而另一端封閉。

圖4 保存于電子科技博物館的中國第一代波導(dǎo)元件

3 第一代波導(dǎo)元件成功研制的意義

3.1 波導(dǎo)元件的重要性

利用微波的定向性和反射性，人們在第二次世界大戰(zhàn)時就研制了雷達，而微波早期的發(fā)展正是在雷達需求的推動下才迅速成長起來的。微波同大多數(shù)電磁波一樣，需要一定的約束機構(gòu)進行傳輸，否則會向空中輻射。用以傳輸微波能量的約束機構(gòu)和線路就是微波的傳輸系統(tǒng)，主要分成三類：多導(dǎo)體傳輸線、金屬管傳輸線和介質(zhì)傳輸線。第一類——多導(dǎo)體傳輸線，由至少兩個導(dǎo)體構(gòu)成，如雙根線、同軸線、帶狀線、微帶線等。在低頻率時，兩根導(dǎo)線就可以進行電能的傳輸，但隨頻率提高，波長短到可以與兩根導(dǎo)線間的距離比擬時，電磁能量就會從導(dǎo)線輻射出去，雙根線無法傳輸頻率很高的微波。此時，為了避免輻射損耗，人們用一根導(dǎo)線把另一根導(dǎo)體包起來，從而把電磁場限制在內(nèi)、外導(dǎo)體之間使之無法輻射出去，就構(gòu)成了同軸線。

但是，當(dāng)頻率進一步提高，又需要將兩個導(dǎo)體之間的距離再作減小，這就使得同軸線的橫截面必須再減小，不僅會限制同軸線的傳輸功率容量，而且使損耗(損耗主要集中在內(nèi)導(dǎo)體)迅速增加。人們自然地想到，可以直接把同軸線內(nèi)導(dǎo)體去掉，以減小損耗和提高功率容量，直接由外導(dǎo)體形成金屬空心管來傳輸微波的電磁能量。這就是第二類——金屬管傳輸線，稱為波導(dǎo)，如矩形波導(dǎo)、圓形波導(dǎo)、橢圓波導(dǎo)、脊波導(dǎo)等，傳輸橫電波或橫磁波。1936年，索斯沃斯(G.C.Southworth)采用了內(nèi)徑12.5cm青銅圓管作為波導(dǎo)進行微波的傳輸[15]。目前，波導(dǎo)已成為微波領(lǐng)域應(yīng)用最廣泛的傳輸系統(tǒng)。在雷達中，波導(dǎo)連接各功能部件，形成電磁波的傳輸系統(tǒng)。它的制造工藝并不復(fù)雜，但是作為制造雷達的最基本元件，代表著雷達工業(yè)的基礎(chǔ)。

3.2 成功研制的意義

在雷達產(chǎn)業(yè)方面，三公分波導(dǎo)管研制的成功，填補了雷達基礎(chǔ)元器件自主研制的空白。在此之前，中國甚至連波導(dǎo)管這樣的基礎(chǔ)元器件都無法制造。所以，這實際是自主雷達工業(yè)發(fā)展的第一步，是一個從無到有的過程，是雷達工業(yè)從“修配”到具備“自主研制”可能性的重要進化。列別捷夫等專家?guī)淼睦碚撝R、研發(fā)技術(shù)和生產(chǎn)經(jīng)驗，為中國建立了學(xué)科，培養(yǎng)了人才，促進了高校、研究院所和生產(chǎn)企業(yè)的迅猛發(fā)展，這為中國雷達工業(yè)奠定了一定基礎(chǔ)。以三公分波導(dǎo)管的研制為起點，以發(fā)展雷達工業(yè)為牽引的微波技術(shù)，以理論-研發(fā)-生產(chǎn)的路徑在中國正式建立起來，磁控管、行波管、速調(diào)管等雷達關(guān)鍵元器件也相繼從仿制開始轉(zhuǎn)為獨立研發(fā)，為中國雷達整機的自主研制提供了有利條件。

在人才培養(yǎng)方面，在蘇聯(lián)專家直接或間接指導(dǎo)下，僅至1966年，成都電訊工程學(xué)院共培養(yǎng)了46名研究生、530名進修生。這些人才后來大多成為了電子領(lǐng)域的骨干，成為中國電子發(fā)展的重要力量，如中科院院士劉盛綱教授、清華大學(xué)無線電系主任張克潛教授、中國電波傳播研究所潘威焱教授、深圳大學(xué)楊淑雯教授等。成都電訊工程學(xué)院從1981年開始，招收博士研究生，1985年培養(yǎng)的第一批博士生共8名畢業(yè)，這是中國電子學(xué)領(lǐng)域第一批以自己的師資培養(yǎng)的博士，他們成為了電子領(lǐng)域的中堅力量。

在學(xué)術(shù)研究方面，在蘇聯(lián)專家的援建和帶動下，成都電訊工程學(xué)院的科研人員從1960年到1982年間，陸續(xù)在波導(dǎo)領(lǐng)域發(fā)表約20篇期刊論文，主要集中在中文期刊。1961年林為干(4)林為干(1919—2015)，廣東臺山人，曾任成都電訊工程學(xué)院副院長，1980年當(dāng)選為中國科學(xué)院學(xué)部委員(院士)，被譽為“中國微波之父”。教授發(fā)表《波導(dǎo)波型理論的幾點補充》，1980年楊淑雯教授發(fā)表《開波導(dǎo)的特性測量》和《非圓介質(zhì)波導(dǎo)的實驗研究》，1981年阮成禮發(fā)表《成層介質(zhì)填充矩形波導(dǎo)的截止波長計算法》，1982年彭仲秋發(fā)表《波導(dǎo)寬邊輻射縱縫中的場分布》，1984年徐孔義發(fā)表《變截面波導(dǎo)開放式諧振腔的研究》。阮成禮、彭仲秋、徐孔義是成都電訊工程學(xué)院培養(yǎng)的首批8名博士中的成員，分別由林為干教授、劉盛綱教授和謝處方教授指導(dǎo)。中國在波導(dǎo)研究領(lǐng)域產(chǎn)生了第二代、第三代中流砥柱。

4 結(jié)論與啟示

本文以成都電訊工程學(xué)院成功試制中國第一代三公分波導(dǎo)管為主線，探究蘇聯(lián)援助對中國雷達工業(yè)所產(chǎn)生的影響。蘇聯(lián)對中國的援助，除了幫助籌建工廠和生產(chǎn)線、培養(yǎng)技術(shù)工人，更重要的是在高等教育領(lǐng)域，幫助建立實驗室、培養(yǎng)研究生、提高科研人員和教師水平，將科學(xué)研究和技術(shù)發(fā)展的種子播撒在中國。這種在高等教育上的幫助，使中國在1960年后，有了獨立、持續(xù)地發(fā)展科學(xué)技術(shù)的可能。其中，波導(dǎo)元件的自行試制成功，便是中國具備科技自主能力的起點和標志之一。

當(dāng)然，蘇聯(lián)的技術(shù)轉(zhuǎn)移援助為中國建立了工業(yè)基礎(chǔ)，具有積極作用，但也存在一定問題。在援助早期出現(xiàn)的“以蘇聯(lián)為主，對蘇聯(lián)專家的絕對盲從”，加之兩國國情不同，也導(dǎo)致了問題的出現(xiàn)。比如，蘇聯(lián)援助的領(lǐng)域，是經(jīng)過選擇的，有所保留的，關(guān)鍵技術(shù)資料從1958年起就不再提供，蘇聯(lián)甚至在1959年單方面撕毀1957年簽訂的《中蘇國防新技術(shù)協(xié)定》，到1960年蘇聯(lián)專家大批撤走，導(dǎo)致一些合作項目未能順利完成，浪費了大量的人力物力[16]。

同時，由于水土不服、意識形態(tài)差異等原因，中國也失去了與西方國家開展更多科技交流的機會。中蘇技術(shù)轉(zhuǎn)移，以中蘇關(guān)系的破裂為結(jié)局。這種受國際政治所左右的，也可以說地位不對等的技術(shù)轉(zhuǎn)移，只能作為部分領(lǐng)域新生時的一種推動力，最終可持續(xù)的發(fā)展仍需要靠自身的人才培養(yǎng)。

在世界發(fā)展進程中，發(fā)生過多次國家之間的技術(shù)轉(zhuǎn)移，這些技術(shù)轉(zhuǎn)移，往往遵循“學(xué)習(xí)-模仿-吸收-自主創(chuàng)新”的規(guī)律。沒有勇氣和精神進行最后一步自主創(chuàng)新的國家，往往不能建立自己的科技和工業(yè)體系。而通過設(shè)備援助、知識吸收和自主創(chuàng)新三個階段的中國，成功試制了波導(dǎo)元件，開啟了雷達工業(yè)，在一定程度上使中國的工業(yè)化進入了新進程。技術(shù)轉(zhuǎn)移中，技術(shù)強國對弱國的發(fā)展有奠基作用，這是無可否認的，但在此基礎(chǔ)上，必須堅持學(xué)習(xí)、消化、吸收和自主創(chuàng)新，堅持培養(yǎng)出自己的工業(yè)體系、教育體系，才能走出自己的道路，才能茁壯生長，否則只能望其項背。

當(dāng)今世界正面臨百年未有之大變局，科學(xué)技術(shù)被各國政府視為重要的國家核心資產(chǎn)，圍繞著科學(xué)技術(shù)的國際競爭也日趨激烈，在科技競爭中落伍的國家，未來在國際權(quán)力結(jié)構(gòu)中將處于極為被動的位置。此時，尤其是在以美國為首的西方發(fā)達國家通過高端芯片出口禁運、打壓中國高科技公司等方式開始對中國實施技術(shù)封鎖的時候，對中國第一代波導(dǎo)元件成功自主研制的歷史背景、研制歷程進行探究，不僅能讓更多人了解中國電子工業(yè)起步階段的歷史，也能對當(dāng)前中國創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展之路提供有益啟示。