孫心悅,文 穎,楊海峰
(上海師范大學(xué)化學(xué)與材料科學(xué)學(xué)院,上海200234)
對羥基苯甲酸酯是對羥基苯甲酸的酯,通常作為食品、醫(yī)藥和化妝品的防腐劑[1].由于它們廣泛的抗菌活性和良好的穩(wěn)定性,也可以用作一些產(chǎn)品中的抗菌藥物[2].然而,最近有報(bào)道稱:大量苯甲酸酯可能會(huì)破壞內(nèi)分泌系統(tǒng)[3].此外,還發(fā)現(xiàn)對羥基苯甲酸甲酯(MP)在紫外線下會(huì)損害皮膚[4].因此,為了減少這些可能的危害,在化妝品中使用MP類作為防腐劑受到包括歐洲經(jīng)濟(jì)共同體(EEC)在內(nèi)的多個(gè)國家/地區(qū)法規(guī)的限制,對于單一對羥基苯甲酸酯最高允許質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.4%,總對羥基苯甲酸酯類最高質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.8%[5].最近的研究表明:MP會(huì)誘導(dǎo)過敏性接觸性皮炎,破壞人類生殖系統(tǒng)和對線粒體的呼吸能力產(chǎn)生抑制作用,從而影響人類健康,并導(dǎo)致人類乳腺腫瘤.因此,定量分析樣本中苯甲酸酯的量對于監(jiān)測其對人類、動(dòng)物和環(huán)境的危害具有重要意義.
國內(nèi)外已經(jīng)報(bào)道了一些用于檢測和定量分析苯甲酸酯類化合物的方法,包括液相色譜法[6]、毛細(xì)管電泳[7]、吸附萃取-高效液相色譜法[8]和微萃取法[9].盡管這些技術(shù)精度高、檢出限低,但昂貴、耗時(shí).而且由于環(huán)境基質(zhì)的復(fù)雜性,在分析前必須先對樣品進(jìn)行預(yù)濃縮.與傳統(tǒng)的分析方法相比,電化學(xué)傳感器[1,10]具有簡單、快速、原位分析的可能性,因此具有開發(fā)為苯甲酸酯檢測傳感器的潛力.
目前已報(bào)道了多種對羥基苯甲酸酯的電化學(xué)傳感器,例如用于檢測對羥基苯甲酸丙酯(PP)[11]和總MP量[12]的分子印跡聚合物(MIP),用于檢測對羥基苯甲酸乙酯(EP)的富勒烯納米棒[13],用于檢測對羥基苯甲酸丁酯(BP)的氧化銦(In2O3)納米塊[14].也有以碳納米纖維和貴金屬[3,15]為催化劑,對MP進(jìn)行檢測的.
氧化石墨烯(GO)具有高表面體積比、出色的電性能、快速的電子轉(zhuǎn)移、低的制造成本和強(qiáng)大的機(jī)械性能,它被認(rèn)為是具有電子和電化學(xué)應(yīng)用潛力的理想襯底,已有一些文獻(xiàn)報(bào)道使用GO來測定羥苯甲酸酯.例如MENDON?A等[16]發(fā)現(xiàn)過渡金屬納米顆粒附著在GO表面或還原氧化石墨烯(rGO)表面可提高電導(dǎo)率,促進(jìn)電荷轉(zhuǎn)移的特性,并用納米釕修飾GO的納米復(fù)合材料定量檢測MP.PIOVESAN等[17]使用rGO金納米顆粒(Au NP)納米復(fù)合材料(rGO-Au NP)檢測MP,由于rGO與Au NP的協(xié)同作用,為MP的檢測提供了更靈敏的方法.最近的研究表明:利用纖維素納米晶(CNC)-rGO納米復(fù)合材料[18],CNCs可以減少或避免MP在rGO表面的吸附,并且該傳感器可以檢測較高濃度的MP,不需要在測試前進(jìn)行樣品稀釋,但不能測相對低濃度的樣品.以上已經(jīng)報(bào)道的研究有著操作復(fù)雜、電極制作成本高、線性范圍小、存在其他物質(zhì)的干擾等缺點(diǎn).
為克服以上缺點(diǎn),采用綠色、便捷、成本低、效率高的電化學(xué)沉積還原氧化石墨烯(ERG)的方法[19],電還原150 s即可成功制備修飾電極.對于酚類化合物,碳材料有強(qiáng)吸附作用[1],在高濃度酚類化合物中會(huì)鈍化電極,在電極表面形成不導(dǎo)電的化合物,影響電極的重復(fù)使用性,所以摻入金屬氧化物,不僅可以改善電極的穩(wěn)定性,還提高了催化性能和靈敏度.最終成功制備了具有較好抗干擾能力的電還原石墨烯/鎳-鎳氧化物電極,可在實(shí)際樣品中檢測MP.
GO粉末(質(zhì)量分?jǐn)?shù)大于99%,aladdin);MP(質(zhì)量分?jǐn)?shù)大于99%,adamas),NiSO4·6H2O(分析純,aladdin);NaCl,NaNO3,Na2SO4,Na2HPO4·12H2O,NaH2PO4·2H2O,F(xiàn)eCl3·6H2O,葡萄糖、酒石酸、無水檸檬酸和草酸均為分析純,購買于國藥化學(xué)試劑有限公司.K3[Fe(CN)6](98%)和乙醇均為分析純,購買于銳捷公司(上海,中國).所有實(shí)驗(yàn)用水均為超純水(電阻率大于18 MΩ·cm).所使用的全部化學(xué)品未經(jīng)進(jìn)一步純化即按原樣使用.實(shí)際樣品為化妝水和隱形眼鏡護(hù)理液,都購買于相應(yīng)專賣店.
差分脈沖伏安法(DPV)使用CHI660C電化學(xué)工作站(中國上海晨華儀器有限公司).電化學(xué)測量是通過使用三電極體系完成的,其中裸玻碳電極或修飾電極作為工作電極,鉑(Pt)絲作為對電極,飽和甘汞電極(SCE)作為參比電極,0.1 mol·L-1PBS溶液作為電解質(zhì)溶液.在0.4~1.2 V的電位范圍內(nèi)記錄DPV響應(yīng),振幅為50 mV,階躍電位為4 mV,脈沖寬度為0.2 s,脈沖周期為0.5 s.使用CHI 660D在5.0 mmol·L-1K3[Fe(CN)6]/K4[Fe(CN)6](2種溶液的物質(zhì)的量之比為1∶1)包含0.1 mol·L-1KCl溶液中,記錄改性電極的電化學(xué)阻抗(EIS)譜,電化學(xué)工作站頻率范圍設(shè)置為0.1 Hz~100 kHz,幅度為50 mV.通過場發(fā)射掃描電子顯微鏡(FE-SEM,JEOL,JSM-6700F)表征不同修飾電極的表面形態(tài).利用拉曼光譜儀(Raman,Thermo公司DXR2系統(tǒng))進(jìn)行拉曼光譜表征.用X射線光電子能譜(XPS,日本島津公司)表征了最終修飾電極.
將40 mg氧化石墨分散在10 mL的去離子水中,用超聲波將其分散,形成均勻的4 mg·mL-1GO懸浮液.在電化學(xué)沉積之前,將玻碳電極(GCE)用直徑為0.3μm的α-Al2O3粉末在麂皮上將電極拋成鏡面,分別用超純水、乙醇、超純水超聲清洗,持續(xù)超聲處理1 min后,用氮?dú)猓∟2)吹干,獲得干凈的電極表面.將GCE浸入4.0 mg·mL-1GO,40.0 mmol·L-1硫酸鎳(NiSO4)和0.1 mol·L-1硫酸鈉(Na2SO4)的懸濁液中,然后施加-1.5 V(vs.SCE)的恒電位150 s.利用電化學(xué)還原的方法在GCE表面沉積鎳-鎳氧化物粒子和ERG,在室溫下干燥,制備出還原氧化石墨烯/鎳-鎳氧化物修飾電極(ERG/Ni-NiO/GCE).另外,形貌與拉曼表征是在氧化錫銦(ITO)電極上進(jìn)行沉積,其他條件保持一致.
圖1給出了不同活性物質(zhì)修飾電極的FE-SEM圖.圖1(a)顯示的是ERG的FE-SEM圖,可以看到ERG顯示出明顯的片狀平面褶皺結(jié)構(gòu),并且沒有發(fā)生團(tuán)聚,這些片狀褶皺可以增加電極的比表面積,作為載體負(fù)載金屬氧化物顆粒從而增加修飾電極的催化性能.圖1(b)是只有鎳-鎳氧化物沉積在電極表面的形貌圖,可以看出在裸電極上直接沉積鎳-鎳氧化物會(huì)導(dǎo)致許多小的鎳-鎳氧化物納米顆粒發(fā)生團(tuán)聚,聚集成超過1μm的大顆粒且大小不均一,這可能是由于基底不同導(dǎo)致的.含有4.0 mg·mL-1GO,40.0 mmol·L-1Ni SO4和0.1 mol·L-1Na2SO4的溶液中電沉積150 s所制得的ERG/Ni-NiO,如圖1(c)所示,可以觀察到電極表面出現(xiàn)分層的現(xiàn)象,從內(nèi)到外依次是大小約為500 nm的鎳-鎳氧化物納米顆粒、ERG和尺寸較大的鎳-鎳氧化物納米顆粒.通過FE-SEM圖可以證實(shí)大量的鎳-鎳氧化物顆粒分散在電化學(xué)還原的GO的上層和下層,初步確定電極表面的成功修飾.
圖1 不同修飾電極表面的FE-SEM圖.(a)ERG/ITO;(b)Ni-NiO/ITO;(c)ERG/Ni-NiO/ITO
利用拉曼光譜對納米復(fù)合材料進(jìn)行了表征,如圖2(a)所示.GO和ERG都顯示了在1 325 cm-1處較強(qiáng)的D峰[20]和1 600 cm-1處強(qiáng)的G峰.但是,與GO相比,ERG顯示了一個(gè)稍強(qiáng)的2D峰[21],并且ERG的D峰強(qiáng)度與G峰強(qiáng)度的比值(D/G)為1.9,大于GO的(D/G的強(qiáng)度約為1.5).由此表明,GO電還原后,面內(nèi)sp2結(jié)構(gòu)域的尺寸減小,這可以解釋為大量新的石墨烯結(jié)構(gòu)域的產(chǎn)生,這些石墨烯結(jié)構(gòu)域的尺寸比GO中所呈現(xiàn)的?。?2].這些均說明GO已經(jīng)成功被還原為石墨烯.并且在ERG/Ni-NiO的Raman光譜中,在549 cm-1可以觀察到微弱的峰,并且這個(gè)峰在Ni-NiO中的549 cm-1處也可以觀察到,可以歸因于NiO的一階聲子散射[23],與報(bào)道的文獻(xiàn)相符合[24].通過拉曼表征可以確定該修飾電極的成功制備.
另外,從圖2(b)可以看出,在873.6 eV附近的Ni 2p3/2峰和在856.3 eV附近的Ni 2p1/2峰屬于NiO[19].在852.6 eV附近的Ni 2p3/2峰和869.8 eV Ni 2p1/2表明存在金屬Ni[25-26].因此,再一次證明了該修飾電極的成功制備.
圖2 不同修飾電極的表征.(a)GO,ERG,Ni-NiO以及ERG/Ni-NiO的拉曼光譜圖;(b)Ni 2p的XPS
在K3[Fe(CN)6]/K4[Fe(CN)6]和KCl混合溶液中,運(yùn)用EIS表征各電極的電荷轉(zhuǎn)移值,如圖3(a)所示,不同電極的奈奎斯特圖包括一個(gè)較高頻率的半圓形部分,對應(yīng)于電子轉(zhuǎn)移控制過程.從擬合電路可以計(jì)算出:裸GCE的阻抗半徑較大,電荷轉(zhuǎn)移電阻為1 108Ω,ERG/GCE的電荷轉(zhuǎn)移電阻減小為519Ω,而Ni-NiO/GCE的電荷轉(zhuǎn)移電阻(Rct)值增加為980Ω,這是由于單獨(dú)的鎳-鎳氧化物沉積會(huì)導(dǎo)致顆粒聚集和導(dǎo)電性差.ERG/Ni-NiO/GCE電荷轉(zhuǎn)移電阻最小為416Ω,與裸GCE相比,基于ERG/Ni-NiO/GCE的Rct明顯下降可歸因于存在具有大表面積和良好電導(dǎo)率的電還原氧化石墨烯與鎳-鎳氧化物的協(xié)同作用.此外,Ni-Ni O可能在電子傳遞過程中充當(dāng)電子媒介的作用.綜上所述,該材料大大改善了修飾電極的傳感性能[27].
圖3(b)顯示了在0.1 mol·L-1PBS(pH=7.0)包含50.0μmol·L-1MP的溶液中不同修飾電極的差分脈沖伏安圖.從圖3(b)中可以看出:在+0.78 V電位下出現(xiàn)MP催化氧化的特征峰,這與文獻(xiàn)報(bào)道一致[28].與裸GCE相比,電極沉積rGO后,峰電流信號有些許增加,約為0.25μA,可能是由于rGO只是微弱地增加了電極的電活性面積;只單獨(dú)沉積鎳-鎳氧化物后,峰電流信號沒有增加,可能是由于鎳-鎳氧化物的團(tuán)聚,這與電鏡圖的分析結(jié)果一致.在導(dǎo)電性較高的ERG/Ni-NiO/GCE上可以觀察到MP氧化的最高峰值電流,峰電流為1.48μA,約為裸GCE的7.5倍,與此同時(shí),氧化電位稍微向負(fù)值偏移.說明電化學(xué)還原氧化石墨烯/鎳-鎳氧化物修飾電極對MP的氧化具有出色的電催化能力,這可能歸因于電極電活性面積的增加,以及rGO和鎳-鎳氧化物的性質(zhì)所提供的協(xié)同效應(yīng)[19],從而改善MP的氧化.這種獨(dú)特的響應(yīng)有望可以實(shí)現(xiàn)高靈敏檢測MP.
圖3 不同修飾電極的電化學(xué)表征圖.(a)在K3[Fe(CN)6]/K4[Fe(CN)6]和KCl的溶液中,各電極的EIS譜,內(nèi)插圖為擬合電路;(b)不同電極在0.1 mol·L-1 PBS(pH=7.0)包含50μmol·L-1 MP的差分脈沖伏安圖,內(nèi)插圖為ERG/Ni-NiO/GCE在0.1 mol·L-1 PBS(pH=7.0)的差分脈沖伏安圖
為了考察電極反應(yīng)的動(dòng)力學(xué)過程,通過在0.1 mol·L-1PBS(pH=7.0)包含50.0μmol·L-1MP的溶液中,對基于ERG/Ni-NiO/GCE的傳感器進(jìn)行線性伏安測定,研究它對MP氧化的電流隨掃描速率的變化,如圖4所示.氧化峰值電流隨掃描速率增加(35~125 mV·s-1)呈線性增加,如圖4(b)所示,線性方程如下:其中,Ipa表示陽極峰電流,單位μA;v表示掃速,單位mV·s-1;相關(guān)系數(shù)R2=0.998.可以表明在該修飾電極的催化下此反應(yīng)是由吸附過程控制的,因?yàn)镋RG的高比表面積使其容易被溶液分子和反應(yīng)中間體吸附[1],另外有報(bào)道稱酚類化合物對碳材料有強(qiáng)吸附作用[29].但是摻雜鎳-鎳氧化物有利于改善電極的吸附鈍化問題,相關(guān)結(jié)果在評價(jià)電極穩(wěn)定性部分有所呈現(xiàn).
圖4 不同掃速對電流強(qiáng)度的影響.(a)ERG/Ni-NiO/GCE在0.1 mol·L-1 PBS(pH=7.0)包含有50.0μmol·L-1 MP溶液中,不同掃描速率(10,35,60,75,100和125 mV·s-1)下獲得的線性掃描伏安圖;(b)陽極峰值電流與掃描速率(35,60,75,100和125 mV·s-1)的線性圖(誤差棒是平行3次實(shí)驗(yàn)的相對標(biāo)準(zhǔn)偏差)
為了獲得更高的檢測靈敏度和選擇性,需要對實(shí)驗(yàn)中所需沉積液中GO溶液與硫酸鎳溶液體積比,以及電沉積的時(shí)間進(jìn)行優(yōu)化.
2.5.1 氧化石墨溶液與硫酸鎳溶液體積比的優(yōu)化
在電極制備過程中,把4.0 mg·mL-1的GO膠體溶液與40.0 mmol·L-1的Ni SO4·6H2O包含1.0 mol·L-1Na2SO4的溶液配制了不同的體積比(1∶3,1.5∶1,3∶1,5∶1和9∶1),制備了不同的修飾電極用于MP的催化氧化.并以氧化峰電流的大小為標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了選擇.從圖5(a)可以發(fā)現(xiàn),隨著GO含量的增加,氧化峰電流增大,在3∶1時(shí)達(dá)到了最大,之后反而減小了,推測是因?yàn)殒?鎳氧化物含量過多,其較差的導(dǎo)電性阻礙了電子的傳導(dǎo).為達(dá)到最佳的催化效果,所以選擇體積比為3∶1作為電解液的最佳體積比.
圖5 對不同條件的優(yōu)化.(a)不同GO膠體溶液與NiSO4·6H2O溶液的體積比條件下制備的電極對50.0μmol·L-1 MP的氧化峰電流的影響;(b)在0.1 mol·L-1 PBS(pH=7.0)的NiSO4·6H2O和GO混合溶液中,電沉積時(shí)間對50.0μmol·L-1 MP催化氧化電流的影響(誤差棒是平行3次實(shí)驗(yàn)的相對標(biāo)準(zhǔn)偏差)
2.5.2 電沉積時(shí)間的影響
為了確定合適的沉積時(shí)間,在0.1 mol·L-1PBS(pH=7.0)中,使用DPV研究50.0μmol·L-1MP在不同沉積時(shí)間制備的電極上的氧化行為,結(jié)果如圖5(b)所示.當(dāng)沉積時(shí)間小于150 s時(shí),MP的氧化峰電流顯著增加.猜測GCE表面沉積的ERG和鎳-鎳氧化物的總量將增加,導(dǎo)致表面反應(yīng)性的增強(qiáng)效應(yīng),MP的陽極峰值電流大大增加.隨著沉積時(shí)間的進(jìn)一步增加,MP的氧化峰電流逐漸減小,這可能是由于ERG與金屬氧化物的團(tuán)聚導(dǎo)致過度沉積,阻礙了對MP的電子轉(zhuǎn)移,所以在后續(xù)的實(shí)驗(yàn)中選擇150 s為最佳沉積時(shí)間.
用相同的電化學(xué)方法研究了不同pH條件下ERG/Ni-Ni O/GCE對MP的電化學(xué)響應(yīng).如圖6(a)和圖6(b)所示,隨著電解液pH值從5.0增加到9.0,MP的陽極峰電位呈負(fù)向移動(dòng).陽極峰電位和pH值之間的線性方程式如下:
圖6 溶液pH的影響.(a)ERG/Ni-NiO/GCE在不同pH(5.0,6.0,7.0,8.0,9.0)下對50μmol·L-1MP催化的差分脈沖伏安曲線;(b)陽極峰電位與不同pH的線性關(guān)系圖(誤差棒是平行3次實(shí)驗(yàn)的相對標(biāo)準(zhǔn)偏差)
其中,Epa表示陽極峰電位,Y表示pH值,相關(guān)系數(shù)R2=0.990.根據(jù)公式dEpa/dY=0.005 9X/αn,X是反應(yīng)的質(zhì)子轉(zhuǎn)移數(shù),n是電子轉(zhuǎn)移數(shù),α是電子傳遞系數(shù),表明該電化學(xué)反應(yīng)實(shí)質(zhì)是等電子等質(zhì)子數(shù)轉(zhuǎn)移.MP檢測的氧化還原過程描述如圖7所示.
圖7 MP的氧化還原機(jī)制
當(dāng)pH為5.0~7.0時(shí),氧化峰電流逐漸增大.然而,當(dāng)pH值為8.0時(shí),峰電流減小,這是由于酚解離,隨后產(chǎn)生了陰離子[30],導(dǎo)致反應(yīng)物的減少.當(dāng)pH=7.0時(shí),氧化峰電流最大,說明在此條件下還原氧化石墨烯/鎳-鎳氧化物電極具有最好的催化性能.因此,后續(xù)實(shí)驗(yàn)采用pH值為7.0.
采用DPV研究了最佳實(shí)驗(yàn)條件下ERG/Ni-Ni O/GC電極對MP檢測的分析性能,DPV具有更高的電流靈敏度和更好的峰分離度,可實(shí)現(xiàn)對MP的定量檢測.如圖8(a)所示,在0.1 mol·L-1PBS緩沖溶液中隨著MP濃度的增加,電流響應(yīng)逐漸增大.從圖8(b)中可以得到以下的線性方程:
圖8 ERG/Ni-Ni O/GC電極的線性響應(yīng).(a)ERG/Ni-NiO/GC電極在不同物質(zhì)的量濃度MP溶液中(0.5,1.0,5.0,10.0,20.0,40.0,60.0和80.0μmol·L-1)的差分脈沖伏安圖;(b)陽極峰值電流(I pa)與MP物質(zhì)的量濃度的關(guān)系圖(誤差棒是平行3次實(shí)驗(yàn)的相對標(biāo)準(zhǔn)偏差)
其中,R2=0.998,C表示MP的物質(zhì)的量濃度.
基于ERG/Ni-NiO的傳感器在MP物質(zhì)的量濃度為5.0~60.0μmol·L-1范圍內(nèi)具有線性響應(yīng).計(jì)算得出該傳感器對MP檢測的最低檢測限(LOD)為4.7×10-7mol·L-1,與各文獻(xiàn)報(bào)道的相應(yīng)值相比,LOD可能比貴金屬材料的高,但還是具有合適且較寬的線性范圍和較低的檢出限的.說明基于ERG/Ni-NiO的傳感器對MP氧化過程的電化學(xué)測定具有優(yōu)異的性能.
在MP的物質(zhì)的量濃度為50.0μmol·L-1的條件下,研究了ERG和電還原氧化石墨烯/鎳-鎳氧化物修飾電極連續(xù)多次掃描的重現(xiàn)性,結(jié)果如圖9(a)和圖9(b)所示.ERG/GCE和ERG/Ni-NiO/GCE的相對標(biāo)準(zhǔn)偏差(RSD)值分別為25.6%和3.7%.ERG/Ni-NiO修飾的電極具有可接受的重復(fù)性,RSD值小于5%,對于ERG修飾電極,RSD值較高,這可能是由于MP在ERG表面的吸附和MP在ERG表面的直接氧化相互競爭導(dǎo)致其制備重現(xiàn)性較低[18].研究結(jié)果表明:鎳-鎳氧化物的加入對提高電極的穩(wěn)定性起到了重要的作用.
圖9 同一根電極(a)ERG-GCE;(b)ERG/Ni-NiO/GCE連續(xù)掃描多次的陽極峰響應(yīng);(c)ERG/Ni-NiO/GCE電極存放37 d檢測50.0μmol·L-1MP的峰值電流響應(yīng)圖(誤差棒是平行3次實(shí)驗(yàn)的相對標(biāo)準(zhǔn)偏差)
此外,還研究了不同批次制備的傳感器之間的重現(xiàn)性.用制備的5根相同的電極,均檢測50.0μmol·L-1的MP,相對標(biāo)準(zhǔn)偏差是7.2%,結(jié)果小于10%,在可接受的范圍內(nèi).上述結(jié)果說明了該電極具有很好的制備重現(xiàn)性.7根電極在常溫下保存37 d,每隔7 d對50.0μmol·L-1的MP進(jìn)行測量,37 d后發(fā)現(xiàn)它的峰電流是原來80%,如圖9(c)所示,由此說明了該電極具有較好的時(shí)間穩(wěn)定性.
為了評估所制備的修飾電極的選擇性,向50.0μmol·L-1MP溶液中分別加入100倍濃度的葡萄糖、草酸、檸檬酸、酒石酸,SO42-,Cl-,Na+和NO3-等化妝品和個(gè)人護(hù)理產(chǎn)品中常見的潛在干擾物,所得結(jié)果表明:電流降低值低于MP氧化電流的10%,說明以上物質(zhì)對MP產(chǎn)生的干擾在可接受范圍內(nèi),該傳感器具有較高的選擇性.
將電化學(xué)傳感器用于實(shí)際樣品的MP檢測中,采用加標(biāo)回收法檢驗(yàn)了方法的可靠性,并計(jì)算其回收率.在實(shí)際樣品溶液中加入3種不同濃度的MP,標(biāo)準(zhǔn)偏差低于10%,回收率在97%~109%范圍內(nèi),具有較高的可信度,具體數(shù)據(jù)如表1所示.由表1可知,該MP傳感器在實(shí)際樣品分析中具有應(yīng)用潛力.
表1 使用加標(biāo)回收法(n=3)測定實(shí)際化妝水中的MP
采用簡單的電化學(xué)還原方法制備了修飾電極,構(gòu)建了電還原氧化石墨烯/鎳-鎳氧化物的化學(xué)傳感器.由于電還原氧化石墨烯/鎳-鎳氧化物的協(xié)同作用,該傳感器對MP的氧化具有較好的催化作用,能夠進(jìn)行定量的分析檢測,具有較低的檢出限和較寬的線性范圍,制備的傳感器具有較好的選擇性、重現(xiàn)性和穩(wěn)定性,并可用于實(shí)際樣品中MP的檢測.該傳感器有望發(fā)展成為快速檢測環(huán)境干擾物的傳感平臺.