淺談專利審查中的檢索策略

楊歡歡

摘 要：檢索是專利實質審查過程中的一個關鍵步驟，檢索的結果直接影響后續(xù)審查的質量。本文通過結合專利審查工作中的實際案例來說明如何挖掘專利申請文件信息，準確提取關鍵詞，構建檢索式，獲得有效的對比文件，從而實現(xiàn)高效檢索的檢索策略。

關鍵詞：檢索策略;高效檢索

中圖分類號：G306 ? ?文獻標識碼：A? ?文章編號：1003-5168（2021）21-0142-03

Talking about the Search Strategy in Patent Examination

YANG Huanhuan

（Patent Examination Cooperation Center of the Patent Office， CNIPA， Guangzhou Guangdong 510555）

Abstract： Searching is a key step in the process of patent substantive examination， and the result of search directly affects the quality of subsequent examination. This article combined with the actual cases in patent examination work to explain how to mine patent application document information， extract keywords accurately， construct search formulas， and obtain effective comparative documents， thereby realizing efficient search strategies.

Keywords： search strategy; efficient search

1 引言

檢索是發(fā)明專利申請實質審查程序中的一個關鍵步驟[1]。對發(fā)明進行檢索，其中一個主要目的是要找出評價發(fā)明的技術方案是否具備新穎性或創(chuàng)造性的對比文件，檢索的結果直接影響后續(xù)審查的質量。常規(guī)檢索主要是采用分類號和關鍵詞的組合檢索，而各種檢索策略、檢索技巧的運用有助于提高檢索效率。本文通過專利審查工作中的幾個案例來說明如何挖掘專利申請文件信息，準確提取關鍵詞，構建檢索式，獲得有效的對比文件，以實現(xiàn)高效檢索。

2 挖掘申請文件內容，實現(xiàn)高效檢索

2.1 采用發(fā)明構思關鍵手段進行檢索

案例1：一種穩(wěn)壓電路（如圖1所示）

權利要求：1.一種穩(wěn)壓電路，其特征在于，包括：雙極型晶體管Q1、雙極型晶體管Q2、雙極型晶體管Q3;PMOS晶體管M30、PMOS晶體管M31、PMOS晶體管M32、PMOS晶體管M33;NMOS晶體管M40、NMOS晶體管M41;電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R41;運算放大器A1，緩沖器B1、緩沖器B2;電容Cc。

其中，PMOS晶體管M30、PMOS晶體管M31、PMOS晶體管M32、PMOS晶體管M33的源極連接電源VDD端，PMOS晶體管M30的柵極分別連接PMOS晶體管M31、PMOS晶體管M32、PMOS晶體管M33的柵極;PMOS晶體管M30的漏極分別連接雙極型晶體管Q1的發(fā)射極和電阻R1的一端，電阻R1的另一端分別連接電阻R2的一端和緩沖器B1的輸入端，緩沖器B1的輸出端連接雙極型晶體管Q1、雙極型晶體管Q2的基極;電阻R2的另一端和雙極型晶體管Q1的集電極接地。

PMOS晶體管M31的漏極分別連接雙極型晶體管Q2的發(fā)射極和運算放大器A1的反相輸入端，雙極型晶體管Q2的集電極接地;運算放大器A1的輸出端連接PMOS晶體管M31的柵極;運算放大器A1的正相輸入端連接NMOS晶體管M41的柵極。

NMOS晶體管M40的漏極連接PMOS晶體管M32的柵極;NMOS晶體管M40的柵極分別連接電阻R41的一端和NMOS晶體管M41的漏極，NMOS晶體管M40的源極接地;PMOS晶體管M32的漏極連接雙極型晶體管Q3的發(fā)射極，雙極型晶體管Q3的基極連接緩沖器B2的輸出端，雙極型晶體管Q3的集電極接地;電阻R41的一端連接電源VDD端，另一端連接NMOS晶體管M41的漏極;NMOS晶體管M41的源極接地。

電容Cc的一端連接電源VDD端，另一端連接PMOS晶體管M33的柵極;PMOS晶體管M33的源極連接電源VDD端，漏極連接電阻R3的一端，并作為穩(wěn)壓電路的輸出端;電阻R3的另一端連接緩沖器B2的輸入端和電阻R4的一端，電阻R4的另一端接地。

說明書：與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有如下優(yōu)勢：

1.本發(fā)明采用了低輸出阻抗單位增益緩沖器輸入至雙極型晶體管的基極，提高了輸出電壓的整體穩(wěn)定性，并且其輸出電壓與環(huán)境溫度無關。

2.本發(fā)明采用的運算放大器的輸出隨電源電壓紋波變化，從而使輸出電流維持不變，使基準輸出保持恒定值，這種設計電路結構更簡單，而且能夠在高頻段也具有較高的PSRR。

【案例分析】該案權利要求記載的是電路的具體結構，主要包括晶體管、電阻、電容、放大器等元件，采用這些元件構建檢索式進行檢索，檢索結果文獻量大且噪聲大，很難有效命中對比文件。通過閱讀說明書“本發(fā)明采用了低輸出阻抗單位增益緩沖器輸入至雙極型晶體管的基極，提高了輸出電壓的整體穩(wěn)定性，并且其輸出電壓與環(huán)境溫度無關。”可知，本案發(fā)明構思為：采用低輸出阻抗單位增益緩沖器輸入至雙極型晶體管的基極來提高輸出電壓的整體穩(wěn)定性;因此，采用“低輸出阻抗單位增益緩沖器”作為關鍵詞在CNABS庫中進行檢索，檢索式為“低輸出阻抗單位增益緩沖器”，通過該檢索式即可獲得評述本案權利要求1—5新穎性的對比文件：CN106652881A。