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    基于專(zhuān)利分析的芯片“卡脖子”問(wèn)題研究

    2021-09-01 01:08:38陳長(zhǎng)益芮雯奕
    中國(guó)科技資源導(dǎo)刊 2021年4期
    關(guān)鍵詞:光刻機(jī)光刻卡脖子

    姜 迪 徐 寅 陳長(zhǎng)益 芮雯奕

    (1.江蘇科學(xué)技術(shù)情報(bào)研究所,江蘇南京 210042;2.移動(dòng)集團(tuán)江蘇分公司,江蘇南京 210029)

    0 引言

    早在2016年,國(guó)際專(zhuān)利檢索公司QUESTEL發(fā)布的《芯片行業(yè)專(zhuān)利分析及專(zhuān)利組合質(zhì)量評(píng)估》報(bào)告指出,中國(guó)近10年芯片專(zhuān)利增長(zhǎng)驚人,已成為芯片專(zhuān)利申請(qǐng)第一大國(guó)[1]。然而,雖然我國(guó)芯片專(zhuān)利申請(qǐng)量位居世界前列,但據(jù)國(guó)務(wù)院發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示,2019年我國(guó)芯片自給率卻僅為30%左右[2],高端芯片嚴(yán)重依賴(lài)進(jìn)口。隨著中美貿(mào)易戰(zhàn)的加劇,美國(guó)對(duì)華為芯片實(shí)施制裁和打壓,全面封鎖華為芯片采購(gòu),高端芯片的制造已成為我國(guó)當(dāng)下最關(guān)心,也是急需解決的“卡脖子”問(wèn)題。生產(chǎn)芯片的核心設(shè)備是光刻機(jī)。全球能夠生產(chǎn)高端芯片的極紫外(EUV)光刻機(jī)的只有荷蘭的阿斯麥以及日本的尼康、佳能?,F(xiàn)階段我國(guó)只能生產(chǎn)中低端光刻機(jī),難以滿(mǎn)足高端芯片制造的需求。

    專(zhuān)利記載了發(fā)明創(chuàng)造的內(nèi)容,是技術(shù)信息最有效的載體。分析專(zhuān)利文獻(xiàn)可以掌握技術(shù)發(fā)展趨勢(shì),實(shí)現(xiàn)其特有的經(jīng)濟(jì)價(jià)值。為探究高端光刻機(jī)制造難的原因,有學(xué)者從光源、抗蝕劑、防護(hù)膜等方面對(duì)EUV光刻技術(shù)進(jìn)行了難點(diǎn)分析[3],但從專(zhuān)利角度進(jìn)行分析的卻很少。通過(guò)文獻(xiàn)檢索發(fā)現(xiàn),只是對(duì)光刻機(jī)的曝光系統(tǒng)中物鏡拋光技術(shù)[4]、光刻膠[5]、無(wú)掩蓋光刻技術(shù)[6]、對(duì)準(zhǔn)技術(shù)[7]進(jìn)行了專(zhuān)利分析,而針對(duì)光刻技術(shù)特別是EUV光刻技術(shù)的專(zhuān)利分析研究卻非常少。在這極少的研究中涉及的數(shù)據(jù)樣本還比較陳舊,不能很好地反映EUV光刻技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀[8]。因此,本文將從專(zhuān)利的角度分析EUV光刻技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展趨勢(shì)、技術(shù)分布、競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)和專(zhuān)利布局,挖掘我國(guó)大陸EUV光刻技術(shù)與發(fā)達(dá)國(guó)家/地區(qū)的技術(shù)發(fā)展差距,提出擺脫芯片“核芯”技術(shù)受制于人困境的對(duì)策建議。

    1 芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

    1.1 芯片產(chǎn)業(yè)鏈

    隨著我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,芯片產(chǎn)業(yè)已具有一定的規(guī)模,從芯片設(shè)計(jì)到芯片應(yīng)用形成了產(chǎn)業(yè)鏈。從芯片產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)看,上游主要包括設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)等制造環(huán)節(jié);中游主要包括功率半導(dǎo)體芯片、射頻芯片、WiFi芯片、藍(lán)牙芯片、存儲(chǔ)芯片等產(chǎn)品;下游主要包括消費(fèi)電子(手機(jī)、PC平板、可穿戴設(shè)備等)、汽車(chē)電子(車(chē)載攝像頭、雷達(dá)、傳感器等)、新型創(chuàng)新(物聯(lián)網(wǎng)、虛擬現(xiàn)實(shí)技術(shù)VR、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)技術(shù)AR)等應(yīng)用領(lǐng)域(圖1)。

    1.2 我國(guó)芯片發(fā)展格局

    長(zhǎng)期以來(lái),我國(guó)國(guó)內(nèi)芯片集成電路行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈中最具競(jìng)爭(zhēng)力環(huán)節(jié)是封測(cè)產(chǎn)業(yè),目前已具備了規(guī)模和技術(shù)基礎(chǔ),發(fā)展了凸塊技術(shù)、晶圓級(jí)封裝和3D堆疊封裝等先進(jìn)技術(shù),設(shè)計(jì)業(yè)自主發(fā)展迅速,群雄并起,華為海思、紫光展銳已進(jìn)入全球前10 位。

    圖1 芯片行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)疽?/p>

    然而,目前芯片制造業(yè)依舊是我國(guó)大陸芯片產(chǎn)業(yè)中最為薄弱的領(lǐng)域。在芯片制造工藝方面,我國(guó)臺(tái)灣的臺(tái)積電、韓國(guó)的三星已演化到最新一代5 nm工藝制程,下一代4 nm、3 nm也在穩(wěn)步推進(jìn)之中。而中芯國(guó)際作為我國(guó)大陸最先進(jìn)的芯片制造企業(yè),僅有14 nm工藝制程,遠(yuǎn)落后于國(guó)際水平。光刻機(jī)是芯片制造的核心設(shè)備,被譽(yù)為芯片之母。目前我國(guó)量產(chǎn)的仍然是90 nm以下的中低端光刻機(jī),而全球擁有制造高端芯片的EUV光刻機(jī)技術(shù)的只有荷蘭ASML以及日本尼康和佳能,這些核心裝備用錢(qián)是買(mǎi)不來(lái)的[9]。從產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展格局看,EUV光刻機(jī)技術(shù)是我國(guó)芯片的主要“卡脖子”技術(shù)問(wèn)題。

    1.3 我國(guó)芯片市場(chǎng)發(fā)展情況

    從產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)來(lái)看,我國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)依然不均衡,制造業(yè)比重相對(duì)過(guò)低,2019年我國(guó)芯片設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)三業(yè)銷(xiāo)售收入比重分別為40.5%、28.4%、31.1%,而技術(shù)發(fā)達(dá)國(guó)家的設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)三業(yè)占比一般為3:4:3。從市場(chǎng)份額來(lái)看,2013—2018年,我國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售額由368.9 億美元增加至約955 億美元,市場(chǎng)規(guī)模復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)14.5%,全球市場(chǎng)占比提升至20%,成為全球芯片消費(fèi)的主要市場(chǎng)(圖2)。從芯片自給率來(lái)看,2019年我國(guó)芯片的進(jìn)口金額為3 040 億美元,芯片自給率僅為30%左右,芯片制造設(shè)備自給率不到20%。

    通過(guò)以上分析可以看出,芯片制造工藝水平低下是芯片產(chǎn)業(yè)鏈中最為薄弱的環(huán)節(jié),芯片自給率低,芯片制造設(shè)備嚴(yán)重依賴(lài)進(jìn)口。高端芯片制造的核心設(shè)備是EUV光刻機(jī)。本文將從專(zhuān)利分析角度對(duì)全球EUV光刻技術(shù)進(jìn)行發(fā)展趨勢(shì)、技術(shù)分布、競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)和專(zhuān)利布局分析,從專(zhuān)利視角挖掘我國(guó)大陸EUV光刻技術(shù)與發(fā)達(dá)國(guó)家/地區(qū)的技術(shù)發(fā)展差距。

    2 全球EUV光刻技術(shù)專(zhuān)利分析

    本文采用Derwent Innovation專(zhuān)利信息檢索分析平臺(tái)作為芯片技術(shù)專(zhuān)利數(shù)據(jù)的信息來(lái)源。根據(jù)EUV光刻技術(shù)的分類(lèi)和特點(diǎn),以“LITHOGRAPHY/ Mask ADJ Aligner”“integrated circuit/IC/chip/microcircuit/microchip”“Extreme Ultraviolet/EUV”等為檢索關(guān)鍵詞構(gòu)建檢索式,以1990年為檢索的起點(diǎn)時(shí)間,經(jīng)清洗和人工篩選后,共得到13 530 件專(zhuān)利,其中德溫特世界專(zhuān)利索引(Derwent World Patents Index,DWPI)同族數(shù)量有4 837 件。由于專(zhuān)利申請(qǐng)存在18 個(gè)月不等的公開(kāi)滯后,2019—2020年并不代表全年完整數(shù)據(jù),僅作參考[10]。本文專(zhuān)利檢索時(shí)間為2020年11月28日。

    圖2 2013—2018年我國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售額及全球占比

    2.1 專(zhuān)利申請(qǐng)趨勢(shì)

    以全部專(zhuān)利數(shù)據(jù)為數(shù)據(jù)源分析EUV光刻技術(shù)專(zhuān)利申請(qǐng)趨勢(shì)。由圖3可知,1997年之前,EUV光刻技術(shù)發(fā)展較為緩慢,每年專(zhuān)利申請(qǐng)數(shù)量?jī)H為個(gè)位數(shù)。1998年到2004年期間,由于集成電路行業(yè)巨頭的關(guān)注,EUV光刻技術(shù)逐步引起越來(lái)越多研發(fā)機(jī)構(gòu)的重視,EUV光刻技術(shù)申請(qǐng)量開(kāi)始呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)趨勢(shì)[7],2004年申請(qǐng)量是1998年的6.7 倍。在2005年到2007年期間,業(yè)界對(duì)EUV技術(shù)的研發(fā)遠(yuǎn)不如預(yù)期,相關(guān)專(zhuān)利申請(qǐng)量出現(xiàn)了下降趨勢(shì)。2008年以后,芯片晶體管逐步向22 nm、10 nm、7 nm,甚至更小尺寸發(fā)展,傳統(tǒng)的浸沒(méi)式光刻技術(shù)無(wú)法滿(mǎn)足生產(chǎn)要求,且雙重光刻等其他光刻技術(shù)的成本迅速上升,因此業(yè)內(nèi)人士再次對(duì)EUV光刻抱以期望[8],2013年EUV光刻技術(shù)申請(qǐng)量達(dá)到884 件,比2008年增長(zhǎng)了187件。根據(jù)摩爾定律,EUV光刻技術(shù)達(dá)到更小尺寸工藝時(shí)也將遇到更大的發(fā)展瓶頸,因此2014年以來(lái),EUV光刻技術(shù)專(zhuān)利申請(qǐng)量略有下降,每年都在600 ~800 件。

    以家族申請(qǐng)量為數(shù)據(jù)源,分析EUV光刻技術(shù)的技術(shù)來(lái)源國(guó)/地區(qū)專(zhuān)利申請(qǐng)趨勢(shì)。從圖4可以看出,日本于1990年開(kāi)始申請(qǐng)EUV光刻技術(shù)專(zhuān)利,是申請(qǐng)最早的技術(shù)來(lái)源國(guó),美國(guó)緊隨其后,其次是德國(guó)、歐專(zhuān)局。而中國(guó)大陸作為技術(shù)來(lái)源國(guó)/地區(qū)的專(zhuān)利申請(qǐng)起步較晚,晚于發(fā)達(dá)國(guó)家10年以上,同時(shí)申請(qǐng)總量排名第五,僅為技術(shù)來(lái)源國(guó)/地區(qū)專(zhuān)利申請(qǐng)量最多的日本的1/10。

    2.2 主要技術(shù)領(lǐng)域

    通過(guò)表1可知,全球EUV光刻技術(shù)的研究主要集中在G03F(半導(dǎo)體器件的加工工藝、感光材料)、H01L(半導(dǎo)體器件)等大組。進(jìn)一步細(xì)分可以發(fā)現(xiàn),熱點(diǎn)技術(shù)主要分布于G03F 7/20(曝光及其設(shè)備)、H01L 21/027(在半導(dǎo)體之上制作掩膜)、G03F 7/039(可光降解的高分子化合物,如正電子抗蝕劑)、G03F 7/004(感光材料),分別占同族專(zhuān)利總數(shù)的47.8%、41.1%、16.3%、16.1%。其次是H05G 2/00(專(zhuān)用于產(chǎn)生X射線(xiàn)的設(shè)備或方法)、G03F 1/24(反射掩膜及其制備)、G03F 7/038(不溶或非均勻可濕的光敏材料),占比分別為10.2%、9.6%、6.1%。這表明全球EUV光刻技術(shù)的研究主要聚焦于曝光設(shè)備、掩膜、感光材料、可光降解的高分子化合物、X射線(xiàn)產(chǎn)生設(shè)備、光敏材料、光學(xué)鏡子等技術(shù)領(lǐng)域。

    圖3 全球EUV光刻技術(shù)領(lǐng)域?qū)@暾?qǐng)趨勢(shì)

    圖4 EUV光刻技術(shù)的技術(shù)來(lái)源國(guó)/地區(qū)專(zhuān)利申請(qǐng)趨勢(shì)

    表1 全球EUV光刻領(lǐng)域?qū)@麛?shù)量前十的熱點(diǎn)技術(shù)專(zhuān)題

    從表2來(lái)看,各技術(shù)方向國(guó)內(nèi)外申請(qǐng)比例不一,但我國(guó)大陸在熱點(diǎn)技術(shù)方向的申請(qǐng)占比均很少,其中占比最多的是G03F 7/20(曝光及其設(shè)備),也僅有4.6%,H05G 2/00、G02B 5/08 次之。由此可以看出,我國(guó)大陸在EUV光刻技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力還遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于技術(shù)發(fā)達(dá)國(guó)家/地區(qū)。

    2.3 主要申請(qǐng)人分析

    由表3分析可知,全球EUV光刻專(zhuān)利申請(qǐng)量最多的是荷蘭的阿斯麥公司;其次是日本的富士、尼康和中國(guó)臺(tái)灣的臺(tái)積電。從所屬?lài)?guó)家來(lái)看,在全球前10 位的申請(qǐng)人中,荷蘭有阿斯麥和已經(jīng)被阿斯麥?zhǔn)召?gòu)的CYMER,日本占5 席,德國(guó)占1 席,美國(guó)占1 席。

    表2 全球EUV光刻技術(shù)專(zhuān)利TOP 10 技術(shù)方向中國(guó)大陸外申請(qǐng)分布

    同時(shí),表3還列出了EUV光刻技術(shù)領(lǐng)域主要申請(qǐng)人的重點(diǎn)技術(shù)方向。全球申請(qǐng)量前10 位的申請(qǐng)人所研究的技術(shù)主要集中在G03F 7/20、H01L 21/027、G03F 7/039、G03F 7/004、H05G 2/00、G03F 1/24 等領(lǐng)域,其中研究最多的就是G03F 7/20(曝光設(shè)備)。其中,阿斯麥、臺(tái)積電、卡爾蔡司在曝光設(shè)備方面研發(fā)最多,尼康、佳能、IBM重點(diǎn)關(guān)注掩膜技術(shù)。

    圖5為申請(qǐng)量前10 位的專(zhuān)利申請(qǐng)人布局圖。從圖5中可以看出,阿斯麥在本國(guó)申請(qǐng)的專(zhuān)利特別少,它側(cè)重于在全球主要申請(qǐng)國(guó)進(jìn)行均勻布局,其中在美國(guó)的專(zhuān)利申請(qǐng)量占比達(dá)22.9%,而日本的富士和尼康均以本國(guó)申請(qǐng)為主,再在其他國(guó)家均勻布局。臺(tái)積電和阿斯麥類(lèi)似,主要在其他國(guó)家/地區(qū)進(jìn)行專(zhuān)利布局,在中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)申請(qǐng)的專(zhuān)利只有41 件,是布局在美國(guó)專(zhuān)利數(shù)量的1/4。

    2.4 區(qū)域分布

    由EUV光刻技術(shù)的全部專(zhuān)利數(shù)分析可以得到,排名靠前的申請(qǐng)國(guó)家/地區(qū)以及組織機(jī)構(gòu)為日本、美國(guó)、韓國(guó)、中國(guó)大陸、中國(guó)臺(tái)灣、世界知識(shí)產(chǎn)權(quán)組織、歐洲專(zhuān)利局、德國(guó)、荷蘭。統(tǒng)計(jì)分析可以看出(圖6),日本申請(qǐng)量最多,主要來(lái)自本國(guó)申請(qǐng),其他主要來(lái)自美國(guó)、歐洲專(zhuān)利局、德國(guó);美國(guó)申請(qǐng)量排名第二,同樣也是本國(guó)申請(qǐng)量最多,其他主要來(lái)自日本、歐洲專(zhuān)利局、德國(guó)。美國(guó)、日本、德國(guó)是申請(qǐng)世界知識(shí)產(chǎn)權(quán)組織(PCT)專(zhuān)利的主要國(guó)家,說(shuō)明這3 個(gè)國(guó)家比較重視EUV光刻專(zhuān)利的全球布局。中國(guó)大陸申請(qǐng)量排名第四,只有18.7%的專(zhuān)利來(lái)自本國(guó)申請(qǐng),申請(qǐng)中國(guó)大陸優(yōu)先權(quán)的專(zhuān)利有275 件,進(jìn)入其他國(guó)家/地區(qū)的只有16 件??梢钥闯觯袊?guó)大陸的本國(guó)申請(qǐng)數(shù)量比其他國(guó)家 / 地區(qū)在中國(guó)大陸布局的專(zhuān)利數(shù)量少,同時(shí)中國(guó)大陸在其他國(guó)家/地區(qū)布局的專(zhuān)利也微乎其微,說(shuō)明中國(guó)大陸在EUV光刻領(lǐng)域有一些專(zhuān)利申請(qǐng),但與該領(lǐng)域技術(shù)強(qiáng)國(guó)的差距很大。這里值得關(guān)注的是荷蘭。荷蘭申請(qǐng)量?jī)H有137 件,且主要來(lái)自美國(guó)、歐洲專(zhuān)利局,荷蘭優(yōu)先權(quán)數(shù)量也僅有34 件,而荷蘭擁有世界最先進(jìn)光刻技術(shù)的阿斯麥公司,申請(qǐng)專(zhuān)利高達(dá)3 127件,遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了荷蘭申請(qǐng)量和荷蘭優(yōu)先權(quán)數(shù)量,說(shuō)明荷蘭主要在國(guó)外布局大量專(zhuān)利和申請(qǐng)國(guó)外的優(yōu)先權(quán)。

    表3 全球EUV光刻專(zhuān)利申請(qǐng)人前十

    圖5 EUV光刻技術(shù)主要申請(qǐng)人的申請(qǐng)國(guó)/地區(qū)分布

    2.5 分析小結(jié)

    通過(guò)專(zhuān)利分析可知,EUV光刻技術(shù)正處于平穩(wěn)發(fā)展期。中國(guó)大陸作為技術(shù)來(lái)源國(guó)/地區(qū)進(jìn)行專(zhuān)利申請(qǐng)起步較晚,且專(zhuān)利申請(qǐng)量?jī)H有日本的1/10;中國(guó)大陸在全球EUV光刻熱點(diǎn)技術(shù)方向的申請(qǐng)均很少,其中申請(qǐng)最多的是曝光設(shè)備方向,全球占比僅有4.6%;在全球?qū)@暾?qǐng)量排名前10 的主要申請(qǐng)人中,申請(qǐng)量最多的是荷蘭阿斯麥,日本占據(jù)5 席;在全球EUV光刻技術(shù)申請(qǐng)量排名中,中國(guó)大陸申請(qǐng)量排名第四,但只有18.7%的專(zhuān)利來(lái)自本國(guó)申請(qǐng),其余申請(qǐng)主要來(lái)自美國(guó)和日本等國(guó)的在華申請(qǐng);在全球EUV光刻技術(shù)的專(zhuān)利布局中,荷蘭在國(guó)外布局大量專(zhuān)利和申請(qǐng)國(guó)外優(yōu)先權(quán),而中國(guó)大陸在其他國(guó)家/地區(qū)布局的專(zhuān)利微乎其微。

    3 結(jié)論與建議

    本文從芯片的產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀和發(fā)展格局入手,梳理出我國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)鏈上的“卡脖子”環(huán)節(jié)是“高端芯片制造的EUV光刻技術(shù)”,然后從專(zhuān)利角度分析我國(guó)大陸EUV光刻技術(shù)與發(fā)達(dá)國(guó)家/地區(qū)的申請(qǐng)趨勢(shì)、技術(shù)分布、競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)和專(zhuān)利布局的差距,得到以下分析結(jié)論,并提出相應(yīng)的對(duì)策建議。

    圖6 EUV光刻技術(shù)主要申請(qǐng)國(guó)/地區(qū)的技術(shù)來(lái)源國(guó)/地區(qū)分布

    (1)通過(guò)芯片產(chǎn)業(yè)分析得知,我國(guó)大陸芯片制造業(yè)是芯片產(chǎn)業(yè)中最為薄弱的環(huán)節(jié),芯片工藝制程遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于國(guó)外發(fā)達(dá)國(guó)家/地區(qū)水平,生產(chǎn)高端芯片的核心設(shè)備光刻機(jī)嚴(yán)重依賴(lài)進(jìn)口。通過(guò)對(duì)EUV光刻技術(shù)進(jìn)行專(zhuān)利分析可知,荷蘭、美國(guó)、日本等發(fā)達(dá)國(guó)家EUV光刻技術(shù)專(zhuān)利申請(qǐng)方面起步較早,在海外布局的專(zhuān)利很多,已經(jīng)形成了很強(qiáng)的專(zhuān)利壁壘,而我國(guó)大陸在EUV光刻各熱點(diǎn)技術(shù)領(lǐng)域的專(zhuān)利申請(qǐng)量均很少,在海外布局的專(zhuān)利更少,因此我國(guó)大陸的芯片制造嚴(yán)重受制于人。

    (2)基于以上芯片“卡脖子”問(wèn)題分析研究,從以下3 個(gè)方面提出建議:一是積極攻克芯片制造的技術(shù)短板問(wèn)題。建議國(guó)家進(jìn)一步集中科研力量,聯(lián)合上海微電子等光刻機(jī)研發(fā)廠(chǎng)家,聚焦EUV光刻技術(shù),推動(dòng)光刻領(lǐng)域的曝光、光源、鏡頭、光刻機(jī)、掩膜等核心技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新,盡快突破一系列光刻核心技術(shù)難題,逐步實(shí)現(xiàn)具有先進(jìn)工藝制程的光刻機(jī)國(guó)產(chǎn)化替代。二是深化轉(zhuǎn)型,提升產(chǎn)業(yè)協(xié)同與集中度。打通芯片生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈,建立設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)企業(yè)之間良好的溝通渠道,縮短研發(fā)周期,提高生產(chǎn)效率,打造可以獨(dú)立完成設(shè)計(jì)、制造和封測(cè)所有環(huán)節(jié)的企業(yè);在區(qū)位布局上,應(yīng)推動(dòng)三業(yè)形成產(chǎn)業(yè)集聚,積極引導(dǎo)集成電路企業(yè)與整機(jī)廠(chǎng)商對(duì)接,促進(jìn)協(xié)同發(fā)展;積極融入全球化進(jìn)程,在全球范圍內(nèi)加強(qiáng)合作和對(duì)外交流,共同打造芯片產(chǎn)業(yè)鏈,使它更加健康可持續(xù)發(fā)展[11-12]。三是換道超車(chē),突破專(zhuān)利壁壘。加強(qiáng)在芯片制造、計(jì)算、應(yīng)用發(fā)展的領(lǐng)域布局,從5G+工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、人工智能等新一代技術(shù)等角度尋求新興領(lǐng)域的突破,避開(kāi)國(guó)外發(fā)達(dá)國(guó)家在芯片傳統(tǒng)領(lǐng)域的專(zhuān)利壁壘,實(shí)現(xiàn)“換道超車(chē)”。

    (3)本文僅圍繞芯片的其中一個(gè)重要“卡脖子”環(huán)節(jié)即EUV光刻技術(shù)進(jìn)行專(zhuān)利分析。由于篇幅有限,專(zhuān)利分析未能向法律狀態(tài)信息、引文信息、核心專(zhuān)利等方面深入開(kāi)展,且僅從專(zhuān)利挖掘信息,研究存在一定的局限性。未來(lái)可以進(jìn)一步從政策、產(chǎn)業(yè)、市場(chǎng)、人才、技術(shù)等多方面視角進(jìn)行剖析,也可以從芯片的其他“卡脖子”問(wèn)題入手,挖掘出更多有價(jià)值的情報(bào)。

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