高溫豎向串?dāng)_發(fā)生機(jī)理的定量研究

劉 俊， 趙達(dá)裕， 陳 鵬， 郭會(huì)斌， 高玉杰

(武漢京東方光電科技有限公司，湖北 武漢 430000)

1 引 言

在TFT-LCD產(chǎn)品開(kāi)發(fā)過(guò)程中，高溫信賴(lài)性測(cè)試是產(chǎn)品品質(zhì)評(píng)價(jià)的重要項(xiàng)目。TFT特性在該測(cè)試環(huán)境下容易劣化，進(jìn)而會(huì)發(fā)生一些電學(xué)性不良。此類(lèi)不良的發(fā)生因其時(shí)間上的進(jìn)行性、頑固性，對(duì)產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)效率會(huì)造成嚴(yán)重影響。高溫豎向串?dāng)_(Vertical-Cross Talk，V-CT)作為普遍發(fā)生和亟待解決的一種不良，影響其發(fā)生的因素主要有兩方面[1]：(1)像素電極和自身或相鄰數(shù)據(jù)線(xiàn)之間的寄生電容(Cpd)的影響。即當(dāng)寄生電容較大時(shí)，像素電壓信號(hào)就會(huì)受到數(shù)據(jù)線(xiàn)電壓信號(hào)的影響而發(fā)生變化[2-3]；(2)TFT的關(guān)態(tài)漏電流(Ioff)的影響。即當(dāng)漏電流過(guò)大時(shí)，像素電壓信號(hào)會(huì)受到自身數(shù)據(jù)線(xiàn)電壓信號(hào)的影響而發(fā)生變化。我們可通過(guò)采用在數(shù)據(jù)線(xiàn)周?chē)O(shè)置屏蔽電極、Cpd對(duì)稱(chēng)補(bǔ)償設(shè)計(jì)、Z反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方式等優(yōu)化面板設(shè)計(jì)的手段消除Cpd的影響[4-5]。但由于薄膜晶體管陣列采用的材料是氫化非晶硅(a-Si)。在高溫條件下，a-Si中可參與導(dǎo)電的電子和空穴數(shù)量增多，關(guān)態(tài)漏電流Ioff會(huì)增大[6～8]，高溫V-CT不良相對(duì)常溫也更易發(fā)生。

不良的根本解決要求能夠?qū)⒙╇娏髋cV-CT不良發(fā)生區(qū)域之間建立關(guān)聯(lián)，后續(xù)才可以有針對(duì)性地調(diào)整TFT特性工藝條件。前人就漏電流對(duì)V-CT不良程度的影響做了一些較為淺顯的研究。肖文俊[9]通過(guò)調(diào)節(jié)關(guān)斷電壓Vgl，確認(rèn)相應(yīng)的V-CT嚴(yán)重程度，得到最佳Vgl電壓。同樣，張樂(lè)[10]也據(jù)此原理設(shè)計(jì)了一種可自動(dòng)調(diào)整串?dāng)_程度的顯示裝置。這些僅表明：Vgl電壓影響漏電流大小，進(jìn)而影響V-CT現(xiàn)象的嚴(yán)重程度。且此方法只是一種簡(jiǎn)單的電路調(diào)試方法，并不能完全解決不良。周焱[11]提出的一種判斷V-CT水平的方法，其理論依據(jù)為亮度變化和電壓差間的關(guān)系。該方法僅考慮了窗口時(shí)序段的數(shù)據(jù)線(xiàn)壓差對(duì)垂直串?dāng)_水平的影響，但并未完整考慮幀周期內(nèi)各時(shí)序段的壓差作用。

以上研究都未涉及到漏電流大小的具體評(píng)估，也沒(méi)有定量表征出漏電流的大小與V-CT不良現(xiàn)象嚴(yán)重程度間的關(guān)系?；谝陨媳尘?，本文試圖建立一種可靠的定量表征漏電流和V-CT現(xiàn)象間關(guān)系的測(cè)試方法，并將其應(yīng)用于某一畫(huà)面發(fā)生高溫V-CT不良時(shí)的機(jī)理分析，找到主要影響因素，為后續(xù)快速調(diào)整TFT特性提供依據(jù)。

2 研究方法

本文的測(cè)試方法及原理簡(jiǎn)單介紹如下。

首先，為了將漏電流大小和V-CT現(xiàn)象嚴(yán)重程度建立關(guān)聯(lián)，通過(guò)調(diào)節(jié)Vgl電壓，確認(rèn)V-CT不良現(xiàn)有無(wú)發(fā)生，得到可以表現(xiàn)V-CT現(xiàn)象發(fā)生規(guī)律的V-CT電壓梯度曲線(xiàn)。

其次，若想知道漏電流的具體值，必須得到TFT開(kāi)關(guān)在各時(shí)序段的實(shí)際工作狀態(tài)。圖1為客戶(hù)端評(píng)價(jià)畫(huà)面(CT-SEC)?，F(xiàn)以該畫(huà)面發(fā)生高溫V-CT為例進(jìn)行說(shuō)明。CT-SEC畫(huà)面的四角白A區(qū)為L(zhǎng)255灰階，B區(qū)和C區(qū)同為L(zhǎng)127灰階。①區(qū)為V-CT發(fā)生區(qū)域，現(xiàn)象為發(fā)暗;②區(qū)為未發(fā)生V-CT現(xiàn)象的正常區(qū)域?，F(xiàn)取其某一掃描行進(jìn)行分析：以該行分界，幀周期分為t1、t2、t3、t4時(shí)序段。圖2為正負(fù)幀周期①、②區(qū)的數(shù)據(jù)線(xiàn)電壓和像素電壓波形圖。由圖2可知，①區(qū)主要受異幀信號(hào)電壓拉動(dòng)影響，導(dǎo)致區(qū)域發(fā)暗。由于正負(fù)幀周期各個(gè)階段的像素充電電壓有正負(fù)之分，因此TFT開(kāi)關(guān)工作狀態(tài)(Vgs，Vds)皆不相同。若想估算各階段漏電流大小，必須通過(guò)TFT特性測(cè)試設(shè)備獲得對(duì)應(yīng)狀態(tài)(Vgs，Vds)的Id-Vg轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)。而幀周期內(nèi)總的漏電流的大小Ioff_total可結(jié)合時(shí)序占空比加權(quán)求和得到。

圖1 CT-SEC畫(huà)面Fig.1 Pattern of CT-SEC

圖2 源漏極信號(hào)電壓波形圖Fig.2 Signals of source and drain

另外，由于信號(hào)衰減等因素，時(shí)序控制器(Timing Controller，TCON)端的輸入信號(hào)電壓和面內(nèi)TFT開(kāi)關(guān)的實(shí)際工作電壓存在差異。CT-SEC畫(huà)面對(duì)應(yīng)的各灰階電壓可通過(guò)模組光學(xué)測(cè)量系統(tǒng)獲得的灰階-透過(guò)率(Gamma)曲線(xiàn)和色彩分析儀獲得的像素電壓-透過(guò)率(V-T)曲線(xiàn)聯(lián)合推得。某掃描行的關(guān)斷電壓Vgl可通過(guò)探針測(cè)試法得到。

3 實(shí) 驗(yàn)

3.1 樣品與儀器

實(shí)驗(yàn)所用樣品主要有：ADS模式液晶顯示面板(面板)1個(gè)，分辨率為3 840×2 160。實(shí)驗(yàn)所用的設(shè)備及儀器主要有：高溫老化爐，LCM模組光學(xué)測(cè)量系統(tǒng)設(shè)備，TFT特性測(cè)試設(shè)備(YAF-6565M)，色彩分析儀CA410，示波器。

3.2 實(shí)驗(yàn)過(guò)程

3.2.1 V-CT電壓梯度曲線(xiàn)

在高溫信賴(lài)性評(píng)價(jià)環(huán)境下，通過(guò)在TCON板外加直流電壓的方式調(diào)節(jié)Vgl電壓值(Vgl_TCON)，觀測(cè)CT-SEC畫(huà)面V-CT的復(fù)現(xiàn)情況。具體操作流程為：

(1)將面板放置在高溫老化爐內(nèi)，并以正常點(diǎn)燈的狀態(tài)老化0.5 h，使得初始高溫TFT特性達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)；

(2)通過(guò)圖3所示的描畫(huà)，即同C區(qū)的灰階和高度一致的窄長(zhǎng)條，描畫(huà)出各梯度電壓下V-CT發(fā)生的區(qū)域范圍及現(xiàn)象。梯度電壓Vgl_TCON的取值范圍一般為-20～0 V；

(3)通過(guò)在數(shù)據(jù)信號(hào)輸入端及其對(duì)側(cè)(DP、DPO側(cè))設(shè)置長(zhǎng)白條(高度同CT-SEC畫(huà)面四角A區(qū))，定性觀察各梯度區(qū)域V-CT現(xiàn)象嚴(yán)重程度，為后續(xù)測(cè)試點(diǎn)位的選取提供參考；

(4)為更好地比較梯度測(cè)點(diǎn)各時(shí)序段漏電流大小，即排除時(shí)序影響，要求將梯度測(cè)點(diǎn)設(shè)定在同一掃描行。

梯度曲線(xiàn)及測(cè)試點(diǎn)位如圖3所示。正向梯度曲線(xiàn)分別為-4.0，-3.5，-3.0，-2.5 V，曲線(xiàn)的區(qū)域范圍從-4.0 V到-2.5 V逐漸外擴(kuò)，范圍內(nèi)發(fā)黑，程度較重。正向梯度測(cè)點(diǎn)設(shè)置在掃描行G1002，分別為1-1，1-2，1-3，1-4，以-3.0，-3.5，-4.0 V 分界。負(fù)向梯度曲線(xiàn)分別為-20，-18，-16，-14 V，曲線(xiàn)區(qū)域范圍從-14 V到-20 V逐漸外擴(kuò)，范圍內(nèi)發(fā)黑，程度非常輕微。負(fù)向梯度測(cè)點(diǎn)設(shè)置在掃描行G1530，分別為2-1，2-2，2-3，2-4，以-18，-16，-14 V分界。

圖3 V-CT電壓梯度曲線(xiàn)Fig.3 Gradient curves of V_CT voltage

3.2.2 灰階電壓

為準(zhǔn)確得到CT-SEC畫(huà)面中的L127和L255灰階電壓，可先通過(guò)Gamma曲線(xiàn)獲得灰階和透過(guò)率間的對(duì)應(yīng)關(guān)系，再通過(guò)V-T曲線(xiàn)得到相應(yīng)透光率下的像素電壓(即為對(duì)應(yīng)的灰階電壓)。

(1)Gamma曲線(xiàn)測(cè)試

人眼感覺(jué)近似正比與亮度的(1/γ)次方，該變化關(guān)系曲線(xiàn)叫做Gamma曲線(xiàn)，Gamma值一般在2.0～2.4。Gamma曲線(xiàn)公式可表示為：

透過(guò)率(亮度/總亮度)=(灰階/灰階總數(shù))γ

圖4為使用LCM模組光學(xué)測(cè)量系統(tǒng)測(cè)得的面板中心點(diǎn)位的Gamma曲線(xiàn)，即圖中所示虛線(xiàn)。根據(jù)其灰階和透過(guò)率間的對(duì)應(yīng)關(guān)系可得L127和L255灰階下的透過(guò)率T。L127、L255灰階分別對(duì)應(yīng)透過(guò)率為21.66%、100%。

圖4 Gamma曲線(xiàn)Fig.4 Gamma curves

(2)V-T曲線(xiàn)測(cè)試

V-T曲線(xiàn)是指液晶顯示面板透過(guò)率隨電壓變化的曲線(xiàn)，它反映了亮度與驅(qū)動(dòng)電壓之間的關(guān)系[12]。V-T曲線(xiàn)測(cè)試，是通過(guò)在數(shù)據(jù)信號(hào)輸入端施加電壓，使用色彩分析儀CA410同步測(cè)試畫(huà)面亮度變化。圖5為顯示面板正向梯度測(cè)點(diǎn)的V-T曲線(xiàn)。V-T曲線(xiàn)上的點(diǎn)橫軸為信號(hào)電壓，縱軸為歸一化的亮度。由于曲線(xiàn)是通過(guò)外加直流電壓來(lái)測(cè)量的，不存在漏電等問(wèn)題，可認(rèn)為曲線(xiàn)上的數(shù)據(jù)線(xiàn)電壓和對(duì)應(yīng)灰階的像素電壓相同。由圖可知，正向測(cè)點(diǎn)V-T曲線(xiàn)差異基本可以忽略不計(jì)。同理可知，負(fù)向測(cè)點(diǎn)的V-T曲線(xiàn)差異也可忽略。

圖5 V-T曲線(xiàn)Fig.5 V-T curves

表1為正負(fù)向測(cè)點(diǎn)L127和L255灰階對(duì)應(yīng)的像素電壓?？梢钥吹?，正負(fù)向測(cè)點(diǎn)的正負(fù)極性灰階電壓差異較小。后續(xù)以正向測(cè)點(diǎn)的正負(fù)極性電壓為準(zhǔn)進(jìn)行計(jì)算。

表1 L127和L255灰階對(duì)應(yīng)的像素電壓Tab.1 Drive voltages of L127/255

3.2.3 關(guān)斷電壓Vgl_GOUT

面板的掃描驅(qū)動(dòng)集成電路采用GOA驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，即在陣列基板上制作移位寄存器電路，依次對(duì)掃描行輸出高電平方波，實(shí)現(xiàn)AA區(qū)像素TFT的逐行開(kāi)啟。GOA單元提供了TFT的開(kāi)關(guān)態(tài)電壓Vgh、Vgl，而該單元可看作是由重復(fù)單元陣列得到。因此，某掃描行的Vgl_GOUT電壓可通過(guò)線(xiàn)性擬合得到。

首先，在正常點(diǎn)屏的狀態(tài)下，通過(guò)示波器實(shí)測(cè)得到各Vgl_TCON下DPO/DP側(cè)的Vgl_GOUT電壓值。示波器的采樣頻率為1.0 μs/pt，10.0 ms/div。

然后，通過(guò)擬合得到DPO/DP側(cè)的Vgl_GOUT隨Vgl_TCON變化的關(guān)系曲線(xiàn)，結(jié)果如圖6所示。

圖6 Vgl_GOUT同Vgl_TCON間的關(guān)系Fig.6 Relationship between Vgl_GOUT and Vgl_TCON

(1) DP側(cè)Vgl_GOUT同Vgl_TCON間的關(guān)系式為：Vgl_GOUT_DP=0.960Vgl_TCON+0.418；

(2)DPO側(cè)Vgl_GOUT同Vgl_TCON間的關(guān)系式為：Vgl_GOUT_DPO=0.926Vgl_TCON+1.148；

Vgl_GOUT_DP：DP側(cè)首行(G0001行)GOUT信號(hào)的低電壓值；

Vgl_GOUT_DPO：DPO側(cè)尾行(G2 160行)GOUT信號(hào)的低電壓值。

對(duì)于某一掃描行，其Vgl_GOUT電壓值可通過(guò)線(xiàn)性擬合得到：

(1)

其中：H掃描行為某一掃描行行數(shù)。

3.2.4 漏電流的計(jì)算

(1)根據(jù)3.2.2和3.2.3節(jié)，計(jì)算得到正負(fù)向梯度點(diǎn)位在各時(shí)序段下的TFT開(kāi)關(guān)實(shí)際工作狀態(tài)(Vgs，Vds)。以負(fù)向梯度Vgl_TCON=-20 V為例，各時(shí)序段的實(shí)際工作狀態(tài)(Vgs，Vds)如表2所示。定義：Vs=min(V像素端,V數(shù)據(jù)線(xiàn)端),Vd= max(V像素端,V數(shù)據(jù)線(xiàn)端)，正幀周期為像素電壓處于正極性時(shí)段，負(fù)幀周期為像素電壓處于負(fù)極性時(shí)段。

表2 各時(shí)序段的TFT開(kāi)關(guān)實(shí)際工作狀態(tài)(Vgs,Vds)Tab.2 Actual working state of TFT in sequence ofFig.2

(2)通過(guò)TFT特性測(cè)試設(shè)備得到各點(diǎn)位TFT開(kāi)關(guān)實(shí)際工作狀態(tài)下的Id-Vg轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)，提取對(duì)應(yīng)Vgl_GOUT下的電流值，加權(quán)求和得到總體漏電流Ioff_total。

4 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論

4.1 正向Vgl_TCON對(duì)漏電流的影響

(1)不同Vgl_TCON，正向梯度各測(cè)點(diǎn)總體漏電流Ioff_total變化趨勢(shì)如圖7所示。由圖可知，Vgl_TCON梯度自-2.5 V到-4.0 V變化時(shí)，各測(cè)點(diǎn)總體漏電流Ioff_total均逐漸較小，說(shuō)明其向最佳Vgl電壓靠近?；赥FT轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)特征，即曲線(xiàn)的最低點(diǎn)一般在-12 V左右，Vgl電壓向最低點(diǎn)趨近時(shí)，漏電流逐漸減小，V-CT現(xiàn)象逐漸變輕。不同梯度電壓下，點(diǎn)位位置自1-1到1-4變化時(shí)，Ioff_total逐漸增大，說(shuō)明TFT特性逐漸變差。其中1-4 漏電流最大，特性最差。此Ioff_total漸變規(guī)律可較好地匹配面板中不良現(xiàn)象的輕重梯度。

圖7 正向測(cè)點(diǎn)不同Vgl_TCON 下Ioff_total的變化趨勢(shì)Fig.7 Ioff_totalunder different Vgl_TCON(positive point)

(2)對(duì)于正向梯度，計(jì)算正負(fù)幀各時(shí)序段TFT實(shí)際工作狀態(tài)(Vgs，Vds)下的漏電流大小，結(jié)果如圖8所示。負(fù)幀t4時(shí)序段對(duì)像素電壓的拉動(dòng)使灰階發(fā)亮，正幀t1時(shí)序段對(duì)像素電壓的拉動(dòng)使灰階發(fā)暗。由3.2.1節(jié)可知現(xiàn)象總體發(fā)暗，且后者的漏電流絕對(duì)值較大?？烧J(rèn)為正幀t1時(shí)序段為其主導(dǎo)工作狀態(tài)，對(duì)應(yīng)的(Vgs,Vds)=(Vgl_GOUT-Vpixel_255-,Vpixel_127+-Vpixel_255-)。帶入公式(1)得：

圖8 正向梯度各時(shí)序段漏電流大小Fig.8 Leakage current of each sequence segment of positive gradient

(Vgs,Vds)={(-0.034Vgl_TCON+0.7)×H掃描行/2160+ (0.96Vgl_TCON+0.4)-Vpixel_255-，(Vpixel_127+-Vpixel_255-)}

(2)

其中：式Vpixel_255-為L(zhǎng)255灰階負(fù)極性電壓；Vpixel_127+為L(zhǎng)127灰階正極性電壓。

4.2 負(fù)向Vgl_TCON對(duì)漏電流的影響

(1)不同Vgl_TCON，負(fù)向梯度測(cè)點(diǎn)Ioff_total變化趨勢(shì)如圖9所示。各點(diǎn)加權(quán)平均后的總體轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)的最低點(diǎn)不同，其中2-2,2-3,2-4最低點(diǎn)位于(-14 V，-12 V)，2-1最低點(diǎn)位于(-16 V，-14 V)之間。由圖可以看到，當(dāng)Vgl_TCON自-20 V向-14 V逐漸增大時(shí)，即Vgl_GOUT自-17.8 V增大為-12 V，2-2，2-3，2-4點(diǎn)位的總體漏電流Ioff_total呈現(xiàn)先減小后增大或者持續(xù)減小的趨勢(shì)。而2-1點(diǎn)位則會(huì)提前達(dá)到最小值。當(dāng)梯度電壓在(-20 V，-16 V)區(qū)間時(shí)，點(diǎn)位位置從2-1到2-4，總體漏電流Ioff_total逐漸增大，說(shuō)明區(qū)域特性逐漸變差。當(dāng)梯度電壓為-14 V時(shí)，2-1，2-2，2-3點(diǎn)位的關(guān)態(tài)特性較好，漏電流較小。僅2-4點(diǎn)位有V-CT現(xiàn)象發(fā)生，漏電流也相對(duì)較大。該負(fù)向測(cè)點(diǎn)的Ioff_total變化趨勢(shì)同樣符合負(fù)向梯度曲線(xiàn)V-CT現(xiàn)象的發(fā)生規(guī)律。

圖9 不同Vgl_TCON負(fù)向測(cè)點(diǎn)Ioff_total變化趨勢(shì)Fig.9 Ioff_total under different Vgl_TCON(negative point)

(2)對(duì)于負(fù)向梯度，計(jì)算正負(fù)幀各時(shí)序段TFT實(shí)際工作狀態(tài)(Vgs，Vds)下的漏電流大小，結(jié)果如圖10所示。根據(jù)正負(fù)幀各時(shí)序段作用方向及漏電流大小可知：

圖10 負(fù)向梯度各時(shí)序段漏電流大小Fig.11 Leakage current of each sequence segment of negative gradient

(a)對(duì)于TFT關(guān)態(tài)特性較差的2-2，2-3，2-4點(diǎn)位，負(fù)幀t1時(shí)序段為其主導(dǎo)工作狀態(tài)，對(duì)應(yīng)的(Vgs,Vds)=(Vgl_GOUT-Vpixel_127_Vpixel_255+-Vpixel_127-)

(Vgs,Vds)={[(-0.034Vgl_TCON+0.7)×H掃描行/2160+ (0.96Vgl_TCON+0.4)-Vpixel_127_]，(Vpixel_255+-Vpixel_127-)}

(3)

帶入公式(2)得：

其中：Vpixel_255+為L(zhǎng)255灰階正極性電壓；Vpixel_127-為L(zhǎng)127灰階負(fù)極性電壓。

(b)對(duì)于關(guān)態(tài)特性較好的2-1點(diǎn)位，當(dāng)Vgl_TCON在(-20 V，-18 V)區(qū)間時(shí)，主導(dǎo)狀態(tài)同為負(fù)幀t1時(shí)序段。當(dāng)Vgl_TCON在(-16 V，-14 V)區(qū)間時(shí)，正幀t1時(shí)序段為主導(dǎo)狀態(tài)，對(duì)應(yīng)的TFT工作狀態(tài)為：(Vgs,Vds)=(Vgl_GOUT-Vpixel_255-,Vpixel_127+-Vpixel_255-)。

4.3 影響V-CT的主要因素

在產(chǎn)品開(kāi)發(fā)過(guò)程中，各驗(yàn)證條件投入品質(zhì)信賴(lài)性評(píng)價(jià)前，一般會(huì)進(jìn)行Vgl余量(Margin)測(cè)試。具體方法為：在高溫信賴(lài)性評(píng)價(jià)環(huán)境下，通過(guò)外加直流的方式調(diào)節(jié)Vgl_TCON電壓值，觀測(cè)各畫(huà)面V-CT或其他不良復(fù)現(xiàn)情況。各畫(huà)面的Vgl余量測(cè)試結(jié)果表現(xiàn)形式一般為(Vgl_默認(rèn)值-b，Vgl_默認(rèn)值+a)，其中a,b≥0 V，分別稱(chēng)為正負(fù)向余量。該測(cè)試主要目的為評(píng)價(jià)產(chǎn)品條件的高溫初始特征。

對(duì)于信賴(lài)性評(píng)價(jià)而言，需要考慮高溫初檢及終檢兩個(gè)狀態(tài)。本文漏電流的評(píng)估是基于高溫條件下的Id-Vg轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)，可說(shuō)明高溫初檢狀態(tài)。而因?yàn)樘匦郧€(xiàn)閾值電壓(Vth)隨信賴(lài)性時(shí)間的延長(zhǎng)逐漸向左漂移，所以終檢狀態(tài)亦可由其近似。由4.1節(jié)可知，正向梯度下，正幀t1時(shí)序段為其主導(dǎo)工作狀態(tài)，即該狀態(tài)的漏電流越小，正向余量越大，即a值越大。對(duì)于正向梯度而言，漏電流隨Vgl電壓值的增大而增大，所以可以用梯度區(qū)間中的某一Vgl電壓的漏電流值Ioff來(lái)表征TFT關(guān)斷特性的優(yōu)劣。將通過(guò)TFT特性測(cè)試獲得的各面板光照漏電流Ioff(-8 V) (Vgl電壓為-8 V時(shí)的光照漏電流值)和經(jīng)Vgl余量測(cè)試得到的各面板的a值進(jìn)行關(guān)聯(lián)，得到圖11。由圖可知，各面板Vgl_TCON正向余量伴隨面內(nèi)光照漏電流Ioff(-8 V)的增大而減小。其中，A1、B2、C2為G10.5代線(xiàn)6切的1 905 mm(75 in)面板。此結(jié)果較好驗(yàn)證了以上理論。

圖11 Vgl+_TCON 余量同光照漏電流Ioff(-8 V)間的關(guān)系Fig.11 Relationship between Vgl+_TCONmargin and the leakage current under the photo Ioff (-8 V)

因此，對(duì)于CT-SEC畫(huà)面，高溫初始及長(zhǎng)期信賴(lài)性條件下，V-CT不良的發(fā)生同面板面內(nèi)光照漏電流Ioff(Vgl_GOUT-Vpixel_255-)強(qiáng)相關(guān)。

5 結(jié) 論

針對(duì)客戶(hù)端評(píng)價(jià)畫(huà)面CT-SEC發(fā)生V-CT不良進(jìn)行了研究，得到以下結(jié)果：(1)對(duì)于正負(fù)向梯度,Ioff_total漸變規(guī)律均可較好匹配面板不良現(xiàn)象輕重梯度。說(shuō)明漏電流同V-CT現(xiàn)象正相關(guān)。(2)對(duì)于正向梯度，正幀t1時(shí)序段為其主導(dǎo)工作狀態(tài)。對(duì)于負(fù)向梯度的2-2，2-3，2-4點(diǎn)位，負(fù)幀t1時(shí)序段為其主導(dǎo)工作狀態(tài)。對(duì)于2-1點(diǎn)位，當(dāng)Vgl_TCON在(-20 V，-18 V)區(qū)間時(shí)，負(fù)幀t1時(shí)序段為其主導(dǎo)工作狀態(tài)；當(dāng)Vgl_TCON在(-16 V，-14 V)區(qū)間時(shí)，正幀t1時(shí)序段為主導(dǎo)狀態(tài)。說(shuō)明正負(fù)向梯度影響V-CT的主導(dǎo)狀態(tài)(Vgs,Vds)存在差異。(3)在實(shí)際大尺寸TFT-LCD產(chǎn)品設(shè)計(jì)中，Vgl電壓一般設(shè)置在正向梯度區(qū)間。所以，高溫初始及長(zhǎng)期信賴(lài)性條件下，V-CT不良的發(fā)生同面板面內(nèi)光照漏電流Ioff(Vgl_GOUT-Vpixel_255-)強(qiáng)相關(guān)。

通過(guò)本文的分析可以看出，影響CT-SEC畫(huà)面發(fā)生V-CT的主要因素為狀態(tài)(Vgs,Vds)=(Vgl_GOUT-Vpixel_255-,Vpixel_127+-Vpixel_255-)下的漏電流。后續(xù)通過(guò)調(diào)節(jié)TFT特性工藝條件，降低Id-Vg轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)中光照漏電流Ioff(Vgl_GOUT-Vpixel_255-)的大小，進(jìn)而達(dá)到解決V-CT不良的目的。