丁國臣,楊曉霞,張 芳,任秀芳
(海軍航空大學青島校區(qū),山東 青島 266000)
當今電子設(shè)備迅速發(fā)展,開關(guān)電源作為其中的關(guān)鍵部分,也越來越小型化、便利化。但同時,開關(guān)電源內(nèi)部結(jié)構(gòu)愈加復雜,以往設(shè)計階段所采用的產(chǎn)品試制和實物實驗,需耗費大量精力,且提高成本。相較而言,計算機仿真是一個虛擬的實驗環(huán)境,設(shè)計者可自主選擇元器件搭建電路,在更換元器件、測量等方面都要比實物實驗快得多,并且不會造成器件的浪費,大大降低了設(shè)計成本,縮短了研發(fā)周期。
本文首先對全橋式開關(guān)電源原理電路進行分析,計算和設(shè)計電路中元器件參數(shù),根據(jù)預期指標完成各部分電路關(guān)鍵元器件的選型。應用仿真軟件Multisim對電路進行建模仿真[1,2],研究改變元件參數(shù)對電路性能的影響。針對開關(guān)管“硬開關(guān)”工作模式下?lián)p耗大的問題,引入可實現(xiàn)“軟開關(guān)”技術(shù)的移相全橋變換器,研究開關(guān)的零導通和零關(guān)斷問題。
本文設(shè)計的AC/DC開關(guān)電源輸入電壓為220 V工頻交流電,輸出直流電壓24 V,波動范圍10%,開關(guān)管的工作頻率50 kHz。由輸入電路、開關(guān)電源主電路、輸出電路及驅(qū)動控制電路四部分組成,如圖1所示。其中,輸入電路采用全橋式整流濾波電路;主電路包括DC/AC變換器和高頻脈沖變壓器,變換器采用全橋式變換器;輸出整流濾波采用全波整流濾波電路;驅(qū)動控制電路由控制芯片TL494、驅(qū)動芯片IR2110及其外圍電路組成。
220 V工頻交流電在接入開關(guān)電源主電路之前要進行AC/DC變換,采用全橋整流濾波電路。經(jīng)整流后電壓:
二極管能承受的最大反向電壓[3]:
選取二極管時需考慮二極管的最大反向電壓,本文為220 V交流輸入,故選取耐壓值600 V的1N4005型整流二極管。濾波電容選取耐壓值為400 V,2 000 μF的電解電容器。
輸出整流濾波電路的主要功能是將主電路輸出的高頻交變方波電壓,通過兩個整流二極管轉(zhuǎn)換成單一極性的高頻方波電壓。配合LC濾波電路,濾除脈沖電壓中的高次諧波,輸出平滑且穩(wěn)定的直流電壓。
輸出端的整流二極管反向恢復時間應盡可能短,控制在50 ns以內(nèi)。其耐壓值應為峰值電壓的兩倍以上,最大工作電流應為輸出電路的三倍。因此本文選用反向耐壓值為200 V,最大整流電流6 A的MUR1620型超快恢復二極管。
全橋變換器最大的優(yōu)點是利用率高,適用于大功率電路。但由于其使用4個開關(guān)管,所以驅(qū)動控制電路較其他類型變換器復雜的多,設(shè)計時要考慮的因素也更為復雜。
變換器工作時,同一橋臂上的開關(guān)管交替導通或截止,即Q1、Q3同步工作,Q2、Q4同步工作,變壓器T二次側(cè)輸出功率。經(jīng)過整流濾波后輸出電壓Uo為:
式中,N2/N1為變壓器匝數(shù)比的倒數(shù)。當輸入端電壓產(chǎn)生波動時,通過調(diào)節(jié)占空比D的值使得Uo保持穩(wěn)定。
220 V工頻交流電經(jīng)整流濾波電路后輸出的直流電為310 V,所以選擇的開關(guān)管耐壓值應不小于500 V。與晶體管相比,MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點,因此本文選擇耐壓值為500 V的MOS管作為開關(guān)管,型號為IRF420。
高頻變壓器是開關(guān)電源的重要元器件,與線性穩(wěn)壓電源所用的變壓器主要區(qū)別在于工作頻率和鐵芯材料不同。一般高頻變壓器工作頻率在kHz到MHz之間,鐵芯采用鐵氧體磁芯材料。
(1)電壓比kT:電路在最大占空比和最低輸入電壓的條件下,輸出電壓能達到要求的上限,輸出電壓應留有裕量。
ΔU為電路中的壓降,應包含整流二極管壓降和電路中的線路壓降等。
(2)根據(jù)式(5)選取合適的鐵心[4]:
式中,Ae為鐵心截面積;Aw為鐵心窗口面積;PT為變壓器傳輸?shù)墓β剩籪s為開關(guān)功率;ΔB為鐵心材料所允許的最大磁通密度的變化范圍;dc為變壓器繞組導體的電流密度;kc為繞組在鐵心窗口中的填充因數(shù)。根據(jù)截面積(AeAw)在廠家提供的產(chǎn)品手冊中選擇合適的鐵心。
(3)繞組匝數(shù)
通常計算次級繞組匝數(shù)N2較為簡單,公式為:
式中,SV為繞組承受的最大伏-秒面積,定義為:
對全橋型電路,次級繞組最大伏-秒面積為:
因此二次繞組匝數(shù)的計算方法可以為:
通過電壓比可計算出一次繞組匝數(shù)。
本文中開關(guān)電源的控制方式采用脈沖寬度調(diào)制(PWM),用于輸出控制信號,控制開關(guān)管的通斷時間。選用可雙端輸出的TL494控制芯片,TL494芯片工作頻率可達300 kHz,可滿足一般開關(guān)電源的頻率需求。
位于控制電路與開關(guān)管之間的為驅(qū)動電路,作用是驅(qū)動開關(guān)管執(zhí)行控制電路發(fā)出的指令。本文采用集成的驅(qū)動芯片,帶自舉電路的IR2110。
軟開關(guān)的核心思想就是避免開關(guān)管工作過程中電流與電壓出現(xiàn)重疊的現(xiàn)象,從而降低開關(guān)管的損耗,如圖4所示,使開關(guān)電源工作頻率可進一步提高。
本文研究的移相全橋軟開關(guān)采用ZVS方式,其結(jié)構(gòu)較普通的全橋變換器多了四個諧振電容C1~C4和諧振電容L[5],其結(jié)構(gòu)如圖5所示。
MOS管的輸出電容Coss可作為諧振電容,通過查詢IRF420型MOS管的使用手冊,其輸出電容Coss=150 pF??紤]到輸出電容的非線性等效值,諧振電容的計算方法大約為C1=C2=C3=C4=(4/3)Coss=200 pF。由上文中的分析可知,電感在諧振過程中需要為4個電容的充放電提供能量,所以電感的取值應滿足:
經(jīng)計算,本文中諧振電感應取15μF。
對全橋DC/AC變換電路部分進行仿真分析,輸入電源Ui=310 V,加入電壓控制源作為開關(guān)管的控制信號,經(jīng)驅(qū)動電路輸出方波信號,研究DC/AC變換的可行性。設(shè)計高頻變壓器參數(shù),加入全波整流濾波電路,建全主電路模型。
在Multisim仿真環(huán)境下,搭建以IRF420型MOS管作為開關(guān)管的DC/AC全橋逆變電路,如圖6所示。驅(qū)動電路采用前文所介紹的電路,控制源采用理想信號源。
在全橋逆變電路中加入柵極電阻R1~R4,并聯(lián)二極管D5~D8,加快MOS管的通斷、釋放柵極電荷,保護MOS管。二極管D1~D4起續(xù)流作用,R9~R12及C7~C10構(gòu)成RC緩沖電路。設(shè)置PWM控制信號,周期T=20 μs,導通時間ton=6 μs,占空比D=30%。負載兩端的輸出波形如圖7所示。
由圖7可知,當輸入為理想的310 V直流電源時,輸出的交變方波信號脈沖寬度大約為6 μs,死區(qū)時間約為4 μs。交變方波的幅值為309 V左右,沒有明顯波動,與預期目標一致。仿真結(jié)果證明,全橋逆變電路可以實現(xiàn)DC/AC的逆變換,所選的RF420型MOS管性能參數(shù)符合電路要求。
由于Multisim仿真軟件無法實現(xiàn)高頻變壓器的建模,現(xiàn)只將高頻變壓器的參數(shù)計算方法說明如下,在進行仿真時選用的是元件庫中的理想變壓器。
選擇鐵氧體作為磁芯后,根據(jù)式(5)計算鐵心截面積與窗口面積的積,即AeAw。其中,Pt取48 W;開關(guān)頻率fs取50 kHz;ΔB取值為0.2 T;dc取4×106A/m2;kc取值0.5。經(jīng)計算,本文中的AeAw=2.4×10-9m4,可以選擇鐵心型號為EE25,Aw=0.4×10-4A/m2,Ae=0.782×10-4A/m2,AwAe=3.128×10-9A/m4, 滿 足要求。
在確定好鐵心的型號后,根據(jù)式(9)計算二次繞組匝數(shù)N2=30匝,根據(jù)式(4)算出電壓比KT≤9.6,取KT=9,則N1=270匝。在Multisim的元件庫中選擇理想變壓器進行替代,匝數(shù)比為270∶30。
在圖6模型的基礎(chǔ)上加入帶中心抽頭的變壓器、全波整流電路及LC濾波電路,搭建開關(guān)電源主電路,如圖8所示。
首先研究濾波電容對于輸出電壓的影響[7],開關(guān)管的工作頻率為50 kHz,占空比D=25%。保持負載及電感參數(shù)不變,濾波電容取值依次為0.02 μF、0.2 μF、2 μF、20 μF、100 μF、400 μF,測量結(jié)果如表1所示。
表1 不同濾波電容濾波效果
由仿真結(jié)果可知,濾波電容的大小對于濾波效果影響較大,濾波電容過小時會產(chǎn)生超調(diào),并且輸出電壓會產(chǎn)生振蕩。增大濾波電容可以得到預期平滑的直流電壓,但是輸出電壓進入穩(wěn)態(tài)的時間變長,且過大的電容會造成浪費。綜合考慮,本電路的濾波電容選用20 μF較為合適。
在加入LC濾波電路后,設(shè)置控制信號占空比D=25%,改變輸入的直流電壓依次為280 V、310 V、342 V,測量輸出端電壓Uo,實驗結(jié)果如表2所示。
表2 理論輸出電壓與實際輸出電壓對比
設(shè)置輸入電壓為280 V,微調(diào)控制信號占空比,使輸出電壓為24 V,仿真波形如圖9(a)所示,測得控制信號脈沖寬度為8.751μs,輸出電壓為24.028 V,主電路所需最大占空比Dmax為42.75%。再將輸入電壓設(shè)置為324 V,同樣微調(diào)控制信號占空比使得輸出為24 V,仿真波形如圖9(b)所示,測得控制信號脈沖寬度為7.84 μs,輸出電壓為23.952 V,所需最小占空比Dmin為39.2%。在前文對TL494進行仿真時,測得該芯片的占空比調(diào)節(jié)范圍為4%~45%,說明TL494控制芯片滿足該全橋變換器的工作需求。
在圖8電路基礎(chǔ)上,將TL494及其外圍電路接入驅(qū)動控制電路中,替換理想的控制信號,再將理想的直流電源替換成全橋整流濾波電路,則AC/DC開關(guān)電源電路搭建完成,其模型如圖10所示。
對整體電路進行仿真分析,輸出電壓波形如圖11所示,電路進入穩(wěn)態(tài)后電壓穩(wěn)定于23.9 V左右。原因一是在于反饋端存在誤差,導致TL494控制輸出電壓Uo存在誤差,第二個原因在于TL494自身控制精度存在問題。
利用Multisim14.0里的電流探針,配合示波器,觀察開關(guān)管導通與截止過程中電流與電壓的關(guān)系。
由圖12、圖13可知,在開關(guān)管導通和截止過程中,存在電壓、電流重疊的現(xiàn)象,導致?lián)p耗的產(chǎn)生。開關(guān)頻率越高,損耗也就越大[6]。這就是“硬開關(guān)”所帶來的問題,它限制了開關(guān)電源高頻化與小型化。我們希望在開關(guān)管導通與截止過程中,電流或者電壓先下降到零,之后再流過電流或者產(chǎn)生壓降,從而避免電壓、電流的重疊,也就是采用“軟開關(guān)”技術(shù)。
因元件庫中無移相控制芯片,只能利用理想信號源將滯后橋臂兩只開關(guān)管的驅(qū)動信號滯后2μs,以此模擬移相的效果。4只MOS管的控制信號如圖14所示,上方波形為超前橋臂Q1、Q4的控制信號,下方為滯后橋臂Q2、Q3的控制信號。其脈沖寬度均為7μs,驅(qū)動電路同樣采用IR2110集成芯片,搭建簡化的移相全橋變換器電路如圖15所示。
測得開關(guān)管Q1上電流與電壓波形圖16所示。
由開關(guān)管導通時電流與電壓的波形判斷,諧振回路配合移相全橋變換器可以實現(xiàn)開關(guān)管的軟開關(guān)。圖16中電壓下降過程較為平滑,沒有出現(xiàn)波動。從圖17開關(guān)管的導通過程可以看出,電流與電壓之間沒有交叉點,能較好的實現(xiàn)零電壓導通,并且間隔較大,確保MOS管導通過程中不會產(chǎn)生損耗。
從圖18開關(guān)管截止過程發(fā)現(xiàn),ZVS-零電壓開關(guān)在開關(guān)管關(guān)斷時,無法完全避免電流與電壓產(chǎn)生交叉點,這是由于其諧振電路特性所導致的。但對比圖13的硬開關(guān)方式,ZVS方式下關(guān)斷電流與電壓交叉點明顯降低,從這個角度看該方式能起到降低損耗的作用,但仍有提高的空間。
本文運用Multisim仿真軟件搭建開關(guān)電源仿真模型,研究改變器件參數(shù)對電路性能的影響,仿真結(jié)果與理論結(jié)果基本一致,證明計算機仿真的可行性。搭建移相全橋變換器的簡化模型,與“硬開關(guān)”方式進行了對比,證實“軟開關(guān)”技術(shù)確實能降低開關(guān)管工作時的損耗,可解決開關(guān)電源高頻化而又不增加切換損耗的難題,是未來新型開關(guān)電源的關(guān)鍵技術(shù)。
另外,本文在建模過程中仍存在一些不足,一是Multisim仿真軟件無法對高頻脈沖變壓器建模,通過查閱資料,Saber、Orcad pspice等更專業(yè)的電路仿真軟件可以實現(xiàn)高頻變壓器的建模與仿真;二是未建立能實現(xiàn)軟開關(guān)的移相全橋變換器的完整模型。