“GaN 電子器件與先進(jìn)集成”專題前言

GaN 半導(dǎo)體技術(shù)是具有戰(zhàn)略性、先導(dǎo)性等顯著特性的新一代半導(dǎo)體芯片技術(shù)。因GaN 材料具有寬禁帶寬度、高功率密度、強(qiáng)擊穿電場(chǎng)等優(yōu)勢(shì)，GaN 電子器件，尤其是GaN 微波固態(tài)器件，已被公認(rèn)為變革軍事電子系統(tǒng)與架構(gòu)的顛覆性元器件之一，上述器件在我國目前推進(jìn)的嫦娥、天宮等航天工程以及空間站建設(shè)任務(wù)中的應(yīng)用正得到國家的大力支持。

隨著能源高效轉(zhuǎn)換、5G 通信的創(chuàng)新應(yīng)用，GaN 半導(dǎo)體技術(shù)在民用領(lǐng)域也呈現(xiàn)出一番光明的前景。GaN 半導(dǎo)體技術(shù)沿襲拓展摩爾定律的技術(shù)路線，采取以非尺寸依賴的特色工藝，它有望成為我國在裝備-材料-芯片全鏈條上擺脫西方封鎖、實(shí)現(xiàn)獨(dú)立發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新技術(shù)。以GaN 半導(dǎo)體技術(shù)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)也因此被正式寫入國家的“十四五”規(guī)劃中，這極大地促進(jìn)了該領(lǐng)域技術(shù)創(chuàng)新鏈、產(chǎn)業(yè)鏈和投資鏈的相互滲透。

目前，GaN 功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)是學(xué)術(shù)界、產(chǎn)業(yè)界共同關(guān)注的熱點(diǎn)領(lǐng)域，對(duì)前者的應(yīng)用研究、產(chǎn)品研制和集成應(yīng)用均需得到主流半導(dǎo)體技術(shù)的支撐和符合系統(tǒng)架構(gòu)的應(yīng)用與標(biāo)準(zhǔn)。為此，我們推出了“GaN 電子器件與先進(jìn)集成”專題，圍繞GaN 功率半導(dǎo)體、微波固態(tài)器件與MMIC 兩個(gè)方向，分別形成四篇、一篇特邀報(bào)告，基本覆蓋GaN 微波、功率半導(dǎo)體與集成應(yīng)用的關(guān)鍵要素點(diǎn)，較全面地反映了GaN 功率器件先進(jìn)封裝、GaN 電力電子器件、GaN 單片集成芯片、GaN HEMT 柵驅(qū)動(dòng)技術(shù)以及GaN 微波固態(tài)器件、MMIC 毫米波芯片的最新研究成果和研究進(jìn)展。

衷心感謝為專題提供特邀論文的專家學(xué)者們的大力支持，感謝審稿專家們的嚴(yán)格把關(guān)。相信本專題將有利于推動(dòng)我國GaN 電子器件與先進(jìn)集成的半導(dǎo)體技術(shù)研究與產(chǎn)業(yè)發(fā)展。