楊鉑瑋,申書昌,隋麗麗
(齊齊哈爾大學(xué) 化學(xué)與化學(xué)工程學(xué)院,黑龍江 齊齊哈爾 161006)
隨著工業(yè)的發(fā)展,生產(chǎn)過程中排放到大氣中的有毒、有害氣體日益增多,不但污染環(huán)境,而且危害人類的健康,有些氣體即使在濃度較低時,也會使人呼吸困難和中樞神經(jīng)受損[1]。傳統(tǒng)的檢測方法包括:比色法[2]和光譜法[3-5],但這些方法的缺點是:樣品前處理較為繁瑣、檢測周期長、設(shè)備昂貴并且無法實現(xiàn)在線檢測。因此,開發(fā)可以對目標(biāo)氣體進(jìn)行準(zhǔn)確識別、濃度檢測和實時報警的檢測器具有深遠(yuǎn)的意義?;诎雽?dǎo)體金屬氧化物的氣體傳感器具有檢測速度快、操作簡便、結(jié)果準(zhǔn)確、攜帶便捷等優(yōu)點,是目前檢測易燃、易爆、有毒、有害氣體的重要手段。氣體傳感器的核心是金屬氧化物材料,主要有NiO[6-7]、Fe2O3[8]、TiO2[9-11]、CuO[12]、SnO2[13]、ZnO[14]等,常用于檢測H2[9]、NO2[14]、H2S[12]、CO[13]等氣體。
MoO3是一種重要的功能材料,它是環(huán)境友好的n 型半導(dǎo)體金屬氧化物,在氣體傳感、電化學(xué)、氣致變色和光催化等領(lǐng)域得到了廣泛的研究與應(yīng)用[11]。現(xiàn)階段,對MoO3的研究多集中在低維納米結(jié)構(gòu)上,一維(1D)的MoO3納米帶具有很高的面積-體積比,與氣體接觸時,可有效增加氣體分子的吸附率,從而使材料具有較高的氣體靈敏度。為了進(jìn)一步提高敏感材料的氣敏性能,通常將貴金屬如Au,Ag,Pt,Pd 等負(fù)載在金屬氧化物納米材料表面。由于Ag 價格相對低廉,且導(dǎo)電性良好,成為理想的負(fù)載敏感材料的貴金屬,如:Chumakova 等[16]通過浸漬技術(shù),將Ag 納米粒子負(fù)載到LaCoO3上,復(fù)合材料對H2S 的氣體響應(yīng)比純相LaCoO3提高了十倍;Kolhe 等[17]利用化學(xué)噴霧熱解技術(shù)使Ag 負(fù)載到SnO2納米結(jié)構(gòu)上,最佳工作溫度由純相SnO2的200 ℃降低到100 ℃,并且響應(yīng)時間從58 s 縮短到46 s;Wang 等[18]通過化學(xué)還原法將Ag 納米粒子負(fù)載到向日葵狀I(lǐng)n2O3納米結(jié)構(gòu)上,與純相In2O3相比,復(fù)合材料對甲醛的響應(yīng)時間由1.8 s 縮短至0.9 s。目前,將Ag 負(fù)載MoO3材料多數(shù)用于電化學(xué)領(lǐng)域[15],而對其氣敏性能的研究的報道很少,如:He 等[19]利用濕化學(xué)還原法制備的Ag/α-MoO3納米棒,對100 μL·L-1的三乙胺的響應(yīng)值為408.6,但合成路線復(fù)雜且時間過長(24 h 以上),所以仍需要優(yōu)化和改進(jìn)。因此設(shè)計簡單的Ag 負(fù)載MoO3納米材料的方法,并實現(xiàn)其對氣體的高選擇性、高靈敏度、低溫測試具有十分重要的意義。
本文采用簡單的水熱合成法成功合成MoO3納米帶,再采用簡單的光照法將Ag 負(fù)載于α-MoO3納米帶表面,以三乙胺為目標(biāo)氣體,測試并對比了α-MoO3和Ag/MoO3納米帶氣敏元件對三乙胺的氣敏性能。
JF02F 型氣敏元件特性測試儀(昆明貴研金峰科技有限公司);D8-Advance 型X 射線粉末衍射儀(德國Bruker);S-3400 型掃描電子顯微鏡(Hitachi);JEOL-JEM-2010 型透射電子顯微鏡(日本電子株式會社),紫外燈(20 W),SXL-1400 高溫箱式爐(中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所),CF-1A 型基礎(chǔ)型磁力攪拌器(日本A SONE)。
乙酰丙酮鉬(C10H14MoO6,純度>99%),硝酸銀(AgNO3,純度>99%),濃硝酸、無水乙醇、松油醇均為分析純試劑,實驗用水為超純水(>18.2 MΩ)。
首先,按照文獻(xiàn)[20]報道的溶劑熱法制備α-MoO3納米帶,具體過程如下:用50 mL 的稱量瓶準(zhǔn)確稱取0.228 g 乙酰丙酮氧鉬,加入20 mL 二次蒸餾水后磁力攪拌,同時滴加15 mL 濃硝酸,持續(xù)攪拌30 min,溶液混合均勻后,將上述混合溶液轉(zhuǎn)移到50 mL 帶有聚四氟乙烯內(nèi)襯的反應(yīng)釜中,密封后置于烘箱200 ℃反應(yīng)4 h,反應(yīng)結(jié)束后,將反應(yīng)釜冷卻至室溫,生成的沉淀依次用蒸餾水和乙醇洗滌、離心3 次,80 ℃烘干12 h,在高溫箱式爐按程序升溫以15 ℃/min 升溫20 min,到達(dá)300 ℃后持續(xù)1 h 煅燒,待冷卻到室溫后得到α-MoO3納米帶材料。
取30 mL 石英稱量瓶,準(zhǔn)確稱取大約10 mg 的α-MoO3納米帶倒入其中,加入2.0 mmol/L 的AgNO3乙醇溶液10 mL,避光攪拌1 h,即得乳白色懸濁液,在20 W 紫外燈下光照15 min,生成的沉淀依次用蒸餾水和乙醇洗滌、離心3 次,80 ℃烘干12 h,在高溫箱式爐按程序升溫以15 ℃/min 升溫20 min,到達(dá)300 ℃后持續(xù)1 h 煅燒,待冷卻到室溫后得到Ag/MoO3納米帶復(fù)合材料。
氣敏元件的制備:將制備的Ag/MoO3納米帶與松油醇混合,研磨制成漿狀,均勻涂抹到帶有金電極的陶瓷管表面,在300 ℃下熱處理1 h,再將Ni-Cr 絲穿過陶瓷管以用于加熱,然后將其焊接到底座上,170 ℃電壓下老化一周,待用。
氣敏性能測試:對器件的氣敏性能測試選用靜態(tài)配氣法,具體操作見文獻(xiàn)[15],Ag/MoO3納米帶氣敏元件對三乙胺氣體的響應(yīng)的計算公式為:S=Ra/Rg。Ra 和Rg 分別為一定工作溫度下,氣敏元件在空氣中和待測氣體中穩(wěn)定的電阻值。響應(yīng)時間定義為氣敏元件在接觸待測氣體后電阻由Ra 減小到Ra-90%(Ra-Rg)時所用的時間;恢復(fù)時間定義為氣敏元件脫離待測氣體后,電阻值由Rg 上升到Rg+90%(Ra-Rg)所用的時間。
為了確定前驅(qū)體的熱處理溫度,利用熱重分析儀對前驅(qū)體進(jìn)行了熱穩(wěn)定分析,結(jié)果如圖1 所示。由圖1 可知,前驅(qū)體在整個升溫中經(jīng)歷了如下過程:首先,25~200 ℃溫度范圍內(nèi),樣品有非常微小的失重,失重率達(dá)到5%,失重主要原因是材料失去表面吸附水。其次,200~700 ℃時,復(fù)合材料較為穩(wěn)定,說明樣品在此溫度區(qū)間有很好的熱穩(wěn)定性。最后,在溫度由700 ℃升高至820 ℃時,樣品迅速失重,失重率達(dá)到90%,說明此過程中MoO3受熱分解。因此,在實驗中,為了能讓煅燒后生成的MoO3仍然保持其結(jié)構(gòu)的完整性,確定最終的煅燒溫度為300 ℃。
圖1 Ag/MoO3納米帶復(fù)合材料的熱重分析圖
將α-MoO3和Ag/MoO3納米帶進(jìn)行XRD 測試。如圖2 所示,曲線a 為純相α-MoO3納米帶的XRD 圖,將衍射峰與標(biāo)準(zhǔn)卡片(JCPDS No. 05-0508)對比可知,有三處明顯的衍射峰,分別位于2θ=12.4, 25.2, 38.6 °分別對應(yīng)于正交相α-MoO3的(020)、(040)、(060)晶面,此外,沒有其他雜質(zhì)峰存在,表明產(chǎn)物a 為純相的α-MoO3納米帶。曲線b 為Ag/MoO3納米帶的XRD 圖,衍射峰位置和a 曲線基本吻合,沒有發(fā)現(xiàn)Ag的衍射峰,原因可能是Ag 的復(fù)合量太少沒有達(dá)到XRD 最低的檢測要求,或者是由于α-MoO3結(jié)晶度較高,衍射峰太強(qiáng),把Ag 的衍射峰掩蓋了。
圖3 為制備的Ag/MoO3納米帶的SEM 與TEM 圖像。如圖3(a)所示,納米帶呈現(xiàn)均勻的帶狀結(jié)構(gòu),納米帶尺寸比較均一,且分散性好。由圖3(b)顯示,納米帶寬度在0.2~1 μm,且納米帶表面現(xiàn)負(fù)載了很多的納米粒子,分布均勻。圖3(c)為Ag/MoO3納米帶的TEM 圖,可以看出納米帶寬度為100 nm左右,且可以明顯觀察到在納米帶表面均勻分布著大小約為2 nm 的Ag 粒子,說明在MoO 納米帶表面成功且均勻的負(fù)載了Ag 納米粒子。其結(jié)果與圖3(b)結(jié)果吻合。
圖2 純相α-MoO3(a)與Ag/α-MoO3(b)的XRD 譜
圖3 Ag/MoO3納米帶的SEM(a,b)和TEM 譜圖(c)
為了進(jìn)一步了解復(fù)合材料的表面信息,對樣品進(jìn)行了X 射線光電子能譜的測試,圖4(a)為Ag/MoO3納米帶中Mo 元素的XPS 譜圖,可以看出,由于自旋軌道的相互影響,Mo 3d 軌道分裂為Mo 3d3/2 和Mo 3d5/2,兩個特征峰分別位于232.5 eV 和235.7 eV,說明Mo 的價態(tài)為+6[20]。圖4(b)為Ag/MoO3納米帶中Ag 元素的XPS 圖,由于自旋軌道相互作用,Ag 3d 軌道分裂為Ag 3d5/2 和Ag 3d3/2 兩個峰,分別368.5 eV 和374.5 eV,說明Ag 的價態(tài)為0[20]。因此,進(jìn)一步證明了所得到的材料為Ag/MoO3復(fù)合納米帶材料。
圖4 Ag/MoO3材料的Mo 3d(a)及Ag/MoO3材料的Ag 3d(b)XPS 譜圖
將Ag/MoO3納米帶復(fù)合材料制備成厚膜型氣敏元件,在不同的工作溫度下對100 μL·L-1的三乙胺氣體進(jìn)行氣敏性測試,如圖5 所示,在92~170 ℃溫度范圍內(nèi),Ag-MoO3氣敏元件對三乙胺的響應(yīng)值隨著工作溫度的升高而上升,在170 ℃時響應(yīng)值達(dá)到了最大值(416.0),然后隨著工作溫度的繼續(xù)升高,Ag/MoO3氣敏元件對三乙胺氣體的響應(yīng)值逐漸降低,因此,Ag/MoO3納米帶氣敏元件得最佳工作溫度為170 ℃,與純相α-MoO3納米帶氣敏元件相比,其最佳工作溫度由217 ℃降低到170 ℃。
Ag/MoO3納米帶氣敏元件在工作溫度170 ℃時,對濃度范圍0.1~100 μL·L-1的三乙胺的響應(yīng)曲線如圖6所示,可見,隨著三乙胺氣體濃度的增加,Ag/MoO3納米帶氣敏元件對其響應(yīng)值也逐漸增加,對100 μL·L-1三乙胺的響應(yīng)值為416.0,是純相α-MoO3納米帶器件響應(yīng)值(213.7)的1.94 倍,且對三乙胺的最低檢出限為0.1 μL·L-1。Ag/MoO3納米帶氣敏元件對濃度范圍0.1~100 μL·L-1的三乙胺線性關(guān)系良好,線性相關(guān)系數(shù) R2=0.999 5。
圖5 Ag/MoO3氣敏元件在92~270 ℃對 100 μL·L-1三乙胺的靈敏度圖
圖6 Ag/MoO3氣敏元件在170 ℃對于不同 濃度三乙胺的靈敏度圖
圖7 為Ag/MoO3氣敏元件在170 ℃下對100 μL·L-1甲苯、苯、丙酮、甲醛、乙醇、三乙胺的靈敏度圖,圖中可以明顯地觀察到Ag/MoO3氣敏元件在170 ℃下對100 μL·L-1TEA 的響應(yīng)值最高,其響應(yīng)值為416.0,而對甲苯、苯、丙酮、甲醛、乙醇的響應(yīng)值相對較小,分別為1.6, 2.9, 1.6, 2.7, 5.0,說明Ag/MoO3對三乙胺有很好的選擇性,可以用于復(fù)雜環(huán)境對三乙胺的測試。
Ag/MoO3器件在工作溫度170 ℃時,對濃度范圍0.1~100 μL·L-1的三乙胺的響應(yīng)-恢復(fù)曲線如圖8 所示。將Ag/MoO3器件置于三乙胺氣氛中,器件的電阻快速降低并達(dá)到最小值,當(dāng)脫離了三乙胺氣體重新置于空氣中時,電阻能恢復(fù)到初始值,表明Ag/MoO3對三乙胺響應(yīng)快速且恢復(fù)性好,Ag/MoO3器件對100 μL·L-1三乙胺的響應(yīng)時間為10.2 s,恢復(fù)時間為1996 s。
圖7 Ag/MoO3氣敏元件在170 ℃時對 100 μL·L-1 不同氣體的靈敏度圖
圖8 Ag/MoO3氣敏元件在170 ℃對不同濃度的 三乙胺的響應(yīng)/恢復(fù)曲線
當(dāng)α-MoO3氣敏材料暴露在空氣中時,其表面吸附氧分子,這些氧分子從導(dǎo)帶中捕獲電子,這樣氧分子轉(zhuǎn)換為化學(xué)吸附的氧離子(O2-,O-,O2-),這些化學(xué)吸附的氧離子,在α-MoO3表面形成電子耗盡層,使得材料的電導(dǎo)率下降,電阻從而升高。當(dāng)α-MoO3暴露在還原性氣體(三乙胺)下,其表面氧離子與氣體發(fā)生反應(yīng)并得到氣體分子給出的電子,因此電導(dǎo)率升高,因此電阻降低,而反之當(dāng)暴露在氧化性氣體環(huán)境下,氧離子給出電子,電導(dǎo)率下降,因此電阻升高。
而添加Ag 后,Ag 可以作為活性催化劑作用于中心,可以將氧分子轉(zhuǎn)化為吸附氧離子。Ag 可以通過降低活化能來加速M(fèi)oO3中吸附得氧離子與TEA 分子中的活性基團(tuán)間的相互作用,Ag 這種促進(jìn)功能(溢出效應(yīng))有利于加強(qiáng)氣敏反應(yīng)。
采用光照法制備了Ag/MoO3納米帶,該方法簡單、耗時短。Ag/MoO3納米帶比純相α-MoO3納米帶對三乙胺具有更好的氣敏特性,最佳工作溫度由217 ℃降低到170 ℃時;相對于乙醇、甲醛、甲苯、丙酮和苯等揮發(fā)性氣體,Ag/MoO3納米帶對三乙胺氣體有較高的選擇性;對濃度為100 μL·L-1的三乙胺的響應(yīng)值是純相(213.7)的1.94 倍,響應(yīng)值高達(dá)416.0,最低檢出限為0.1 μL·L-1。該Ag/MoO3納米帶厚膜器件可有效地監(jiān)控工廠等復(fù)雜環(huán)境中痕量的三乙胺氣體。