DEPDC5基因突變相關的癲癇綜合征的診治分析

龍綺婷，張瑋，張翠榮，尚麗，柴英，馮亞梅，龔德山，劉興洲

DEPDC5基因突變可導致多種癲癇綜合征，大部分的患者發(fā)作類型為局灶性發(fā)作，其中一部分患者通過結構及功能影像學檢查可發(fā)現(xiàn)局灶性異常，例如廣泛大腦皮層發(fā)育畸形和局灶性皮層發(fā)育不良[1]等。其相關的癲癇綜合征包括：家族性多變局灶性癲癇(familial focal epilepsy with variable foci,FFEVF)[2-3]、家族性顳葉內(nèi)側癲癇(familial mesial temporal lobe epilepsies,FMTLE)[3]、常染色體顯性遺傳夜間額葉癲癇(autosomal dominant nocturnal frontal lobe epilepsy,ADNFLE)[4]、常染色體顯性遺傳癲癇并聽覺障礙(autosomal dominant epilepsy with auditory features,ADEAF)[5]、嬰兒痙攣(infantile spasms)[6]和良性癲癇伴中央顳區(qū)棘波(benign epilepsy with centrotemporal spikes,BECTS)[7]等。臨床表現(xiàn)為多數(shù)在嬰兒或兒童期起病，局灶性發(fā)作類型多見，夜間發(fā)作常見，大部分患者為藥物難治性癲癇，一部分患者存在癲癇家族史；神經(jīng)系統(tǒng)查體發(fā)現(xiàn)大部分患者的精神運動發(fā)育正常，部分患者可存在輕度認知功能下降或孤獨癥樣表現(xiàn)[2,8]；結構功能成像可發(fā)現(xiàn)廣泛大腦皮層發(fā)育畸形、局灶性皮層發(fā)育不良、巨腦回畸形和多微腦回畸形[9-10]等。本文通過總結3個DEPDC5基因突變家系的臨床表現(xiàn)、頭顱結構及功能影像學和基因學等特點，闡述DEPDC5基因突變導致的癲癇為常染色體顯性遺傳，不完全外顯，其癲癇發(fā)作表現(xiàn)多樣，即便在同一家系中也有可能出現(xiàn)不同類型的癲癇發(fā)作，在臨床工作中需要結合臨床表現(xiàn)、癲癇家族史、結構功能成像和基因學篩查等，對于部分局灶性癲癇患者通過外科手術可以達到滿意效果?，F(xiàn)報道如下。

1 資料和方法

1.1 臨床資料

本文總結2017年至2019年就診于上海德濟醫(yī)院的3個DEPDC5基因突變家系的臨床資料，包括病史、查體、腦電圖、核磁共振、頭顱18氟-脫氧葡萄糖標記正電子發(fā)射計算機斷層成像(PET-CT)和基因學等結果。

A家系先證者為女性，30歲，右利手，生長發(fā)育正常，本科畢業(yè)，工商管理專業(yè)。14歲首次發(fā)作，發(fā)作表現(xiàn)為先兆(恐懼，心慌)→ 心率增快 → 喉部發(fā)聲 → 右手摸索，左上肢僵硬不動，每次發(fā)作持續(xù)20 s到1 min左右，睡眠期發(fā)作占70%，發(fā)作頻率10～12次/月。病程中只有1次繼發(fā)全身強直陣攣發(fā)作。起病后曾服用托吡酯、卡馬西平、丙戊酸鎂、氯硝西泮等治療均無效，目前服用奧卡西平600 mg/早、晚，左乙拉西坦750 mg/早、晚治療。既往史無特殊。家族史：患者父親有癲癇病史，12歲起病，30歲至今無發(fā)作，具體表現(xiàn)不詳；患者姐姐的女兒有失神發(fā)作，患者姑姑的外孫有強直發(fā)作(圖1A)。神經(jīng)系統(tǒng)查體無特殊。韋氏全量表94分，韋氏記憶75分。

B家系先證者為男性，19歲，右利手，生長發(fā)育輕度落后同齡兒童，語言少，有孤獨癥樣表現(xiàn)，初二輟學。3歲首次發(fā)作，發(fā)作表現(xiàn)為先兆(頭部不適，難以描述)→ 眨眼、右側凝視→ 四肢僵硬，每次持續(xù)10～20 s，清醒期發(fā)作占100%，每日發(fā)作5～7次。起病后曾服用拉莫三嗪、卡馬西平、氯硝西泮、丙戊酸鈉、唑尼沙胺等治療均無效，目前服用拉莫三嗪100 mg/早、中、晚，唑尼沙胺150 mg/早、中，300 mg/晚。17歲在外院行“左額中下回+右額中回+胼胝體前2/3切除術”，術后發(fā)作表現(xiàn)及頻率同術前。家族史：患者的舅舅有癲癇病史，36歲起病，表現(xiàn)為全身強直陣攣發(fā)作(圖1B)。神經(jīng)系統(tǒng)查體：孤獨癥樣表現(xiàn)，眼神交流及語言表達少，其余無特殊。韋氏全量表47分，韋氏記憶<50分。

C家系先證者為女性，5歲零8個月，右利手，生長發(fā)育同其他同齡兒童，幼兒園中班在讀。11月齡時首次發(fā)作，11月齡至2歲零5個月齡發(fā)作表現(xiàn)為雙眼上翻、四肢僵硬，數(shù)秒緩解，成串發(fā)作，每日1～2串，每串10余次。2歲零5個月齡后發(fā)作表現(xiàn)：眨眼、顏面潮紅、四肢僵硬，隨后抖動數(shù)下，每日1～2次，睡眠中發(fā)作多見。起病后曾服用丙戊酸鈉、左乙拉西坦、拉莫三嗪、托吡酯等治療均無效，曾給予生酮飲食治療無效，目前服用丙戊酸鈉9 mL/早、晚，托吡酯50 mg/早、晚，拉莫三嗪12.5 mg/早治療。既往史、家族史無特殊(圖1C)。神經(jīng)系統(tǒng)查體無特殊。韋氏智力及記憶不能配合。

圖1 A家系中箭頭所示為先證者，發(fā)作表現(xiàn)為先兆(恐懼，心慌)→植物神經(jīng)癥狀→復雜運動→左上肢肌張力障礙，先證者的父親有癲癇病史，12歲起病，30歲至今無發(fā)作，具體表現(xiàn)不詳；先證者姐姐的女兒有失神發(fā)作；先證者姑姑的外孫子有強直發(fā)作。B家系中箭頭所示為先證者，發(fā)作表現(xiàn)為先兆(頭部不適)→眨眼→右側凝視→左上肢強直，先證者的舅舅有全身強直陣攣發(fā)作，先證者的母親攜帶基因。C家系中箭頭所示為先證者，發(fā)作表現(xiàn)為①痙攣發(fā)作；②雙側非對稱強直發(fā)作，先證者的父親攜帶基因。

1.2 研究方法

1.2.1 頭皮腦電圖

對先證者進行頭皮腦電圖檢查記錄間歇期放電及發(fā)作期癥狀學表現(xiàn)。監(jiān)測時間至少24 h，包括清醒期及睡眠期，至少記錄3次以上慣常發(fā)作。

1.2.2 頭顱核磁共振

完善頭顱核磁共振檢查，序列包括Flair成像(3 mm層厚，0間距)，T1WI成像(1 mm層厚，0間距)，了解有無腦結構異常。

1.2.3 頭顱PET-CT

完善頭顱PET-CT(1 mm層厚，0間距)，了解有無腦功能代謝異常。

1.2.4 高通量全外顯子測序與Sanger測序驗證

在獲得先證者及家屬的知情同意后，取其4 mL靜脈血進行全外顯子測序。對先證者家屬取靜脈血進行Sanger測序驗證。

1.2.5 立體定向顱內(nèi)電極腦電圖

根據(jù)頭皮腦電圖及結構、功能成像檢查，3個家系的先證者考慮為局灶性癲癇，因需確定致癇區(qū)范圍，征求患者家屬同意后行立體定向顱內(nèi)電極植入，并監(jiān)測間歇期及發(fā)作期放電情況確定致癇區(qū)范圍。

1.2.6 手術切除及病理

3個家系的先證者，根據(jù)立體定向顱內(nèi)電極腦電圖，結合結構及功能成像決定致癇區(qū)范圍，并行致癇區(qū)切除術，術后標本送病理檢查。

2 結果

2.1 頭皮腦電圖

A家系先證者頭皮腦電圖間歇期放電提示右側半球彌漫性棘慢波，以右側前頭部為著(圖2)，發(fā)作期癥狀學表現(xiàn)為先兆(恐懼，心慌)→植物神經(jīng)癥狀(心率增快60～105次/min)→復雜運動(右上肢重復摸被子、整理衣服、挪髖等)→左上肢肌張力障礙，腦電圖提示右側半球棘慢波。B家系先證者頭皮腦電圖間歇期提示右側額-中央?yún)^(qū)棘慢波、多棘慢波(圖3)，發(fā)作期癥狀學表現(xiàn)為先兆(頭部不適，難以描述)→眨眼→右側凝視→左上肢強直，腦電圖提示右側額-中央?yún)^(qū)棘慢波→棘慢波。C家系先證者頭皮腦電圖間歇期提示右側半球彌漫性棘慢波、多棘慢波，以右額區(qū)為著(圖4)，發(fā)作期癥狀學表現(xiàn)為①11月齡時記錄到痙攣發(fā)作，腦電圖提示全部性；②2歲零5個月齡后表現(xiàn)為雙側非對稱強直發(fā)作(左側肢體為著)→眼球震顫→強直陣攣(累及眼瞼、面肌、四肢)，腦電圖提示右額區(qū)棘慢波→彌漫性棘慢波和多棘慢波。

圖2 A家系先證者的腦電圖。清醒期背景可，雙側后頭部節(jié)律10～11 Hz，調(diào)節(jié)調(diào)幅可，箭頭示右側半球彌漫性棘慢波，以右側前頭部為著。

圖3 B家系先證者的腦電圖。清醒期可見雙側前頭部缺損節(jié)律，雙側后頭部節(jié)律9～10 Hz，調(diào)節(jié)調(diào)幅可，箭頭示右側額-中央?yún)^(qū)多棘慢波。

圖4 C家系先證者的腦電圖。清醒期背景可，雙側后頭部節(jié)律9～10 Hz，調(diào)節(jié)調(diào)幅可，箭頭示右側半球彌漫性棘慢波、多棘慢波，以右額區(qū)為著。

2.2 頭顱核磁共振及PET-CT

A家系先證者頭顱核磁共振未發(fā)現(xiàn)明顯腦結構異常，PET-CT提示右側眶額區(qū)、前扣帶回、右側額葉內(nèi)側面、雙側顳極、顳葉內(nèi)側結構和島葉低代謝(圖5)。B家系先證者頭顱核磁共振提示右側額上回、額上溝發(fā)育異常，PET-CT提示右側額上回、額葉內(nèi)側面及額上溝低代謝(圖6)。C家系先證者頭顱核磁共振提示右側額上回、額上回旁中間溝(superior frontal para-midline sulcus，SFPS)發(fā)育畸形，PET-CT提示右側額上回、扣帶回低代謝(圖7)。

圖5 A家系先證者的頭顱核磁共振未見明顯腦結構異常，頭顱PET-CT與核磁共振融合后(箭頭所示)提示右側眶額區(qū)、右側額葉內(nèi)側面，雙側顳極、顳葉內(nèi)側結構低代謝。

圖6 B家系先證者在外院的術前頭顱核磁共振(箭頭所示)提示右側額上回、額上溝發(fā)育異常，頭顱PET-CT與核磁共振融合(箭頭所示)提示右側額上回、額葉內(nèi)側面及額上溝低代謝。

圖7 C家系先證者的頭顱核磁共振(箭頭所示)提示右側額上回、旁中間溝發(fā)育畸形，頭顱PET-CT與核磁共振融合(箭頭所示)提示右側額上回、扣帶回低代謝。

2.3 高通量全外顯子測序與Sanger測序驗證

A家系先證者22號染色體(NM_001242 896.1)區(qū)域存在缺失突變，cDNA水平c.489_491delGTT，使得所編碼的蛋白質第164 位Phe發(fā)生缺失p.(Phe164del)，功能學研究表明該變異引起DEPDC5通路信號減弱，抑制了GATOR-1復合物形成，從而增強TORC1激酶活性。先證者的父親在相同位點發(fā)現(xiàn)突變。有文獻報道在多個家系的家族型多變性局灶性癲癇患者中檢測到該變異，考慮該變異為病理性變異[2]。

B家系先證者22號染色體(NM_001242896.2)區(qū)域存在錯義突變,cDNA水平c.4620C>A，該外顯子位于基因最后一個外顯子，為罕見變異，但有報道認為該變異之前的無義突變 Gln1536為致病性變異[2]，因此考慮該變異為病理性變異。先證者的母親在相同位點有變異，但無臨床表現(xiàn)，考慮為不完全外顯。先證者的舅舅有癲癇發(fā)作病史，但拒絕驗證基因位點，推測其舅舅可能攜帶相同基因。

C家系先證者22號染色體位置chr22:32211008存在缺失突變c.1476delA，導致外顯子exon21所編碼的蛋白序列p.Arg492Argfs*25發(fā)生移碼突變，在其后的25位氨基酸位置發(fā)生截斷突變。患者的父親在相同位點有突變，但無臨床表現(xiàn)。該位點無既往的文獻報道，結合患者臨床表現(xiàn)及基因學特點，考慮為病理性變異。

2.4 立體定向顱內(nèi)電極腦電圖

根據(jù)頭皮腦電圖，結構、功能影像學檢查，3個家系的先證者考慮為局灶性癲癇，行立體定向顱內(nèi)電極植入，并監(jiān)測間歇期及發(fā)作期放電。

A家系先證者考慮致癇區(qū)位于右側額葉，需要鑒別右側顳葉，行立體定向顱內(nèi)電極植入，植入方案如下(圖8①②)。術后監(jiān)測顱內(nèi)電極放電情況，清醒期眶額區(qū)觸點B′6-8持續(xù)棘慢波，伴有高頻放電；杏仁核、顳極、海馬觸點有少量放電。睡眠期前扣帶回觸點B′1-2持續(xù)多棘慢波，伴有高頻放電；眶額區(qū)觸點Y′1-2近持續(xù)多棘慢波；杏仁核及海馬觸點少量放電。發(fā)作前期眶額區(qū)觸點B′6-8及Y′1-6棘慢波及高頻放電。腦電圖發(fā)作起始從眶額區(qū)觸點B′6-8，Y′1-6起始，早期擴散至眶額區(qū)觸點X′1-2。考慮致癇區(qū)位于右側眶額區(qū)、前扣帶回、額葉內(nèi)側面(圖8)。

圖8 ①②為A家系先證者的右側半球電極植入方案；③為核磁共振軸位，顯示B′1-2觸點位置位于前扣帶回;④為核磁共振軸位，顯示B′電極入點位于后眶額區(qū)，靶點位于前扣帶回; ⑤為核磁共振矢狀位，顯示Y′電極入點位于額中回，靶點位于后眶額區(qū);⑥為核磁共振冠狀位，顯示X′1-2觸點位置位于內(nèi)眶額區(qū)。

B家系先證者考慮致癇區(qū)位于右額上溝、額上回，需要明確致癇區(qū)的范圍(后界及外側界)，行立體定向顱內(nèi)電極植入，植入方案如下(圖9①②)。術后監(jiān)測顱內(nèi)電極放電情況，清醒期額上溝觸點Y′5-10持續(xù)棘慢波，伴有高頻放電；前輔助運動區(qū)、中央前溝觸點有同步性棘慢波放電。發(fā)作前期額上溝觸點Y′5-8及U′5-8棘慢波、多棘慢波，伴有高頻放電。腦電圖發(fā)作起始從Y′5-8、U′5-8起始，早期擴散至前輔助運動區(qū)觸點Z′1-6、S′6-7、U′1-4、Q′1-3?？紤]致癇區(qū)位于右側額上溝、額上回(圖9)。

圖9 ①②為B家系先證者的右側半球電極植入方案；③④為核磁共振軸位，顯示Y′6-8觸點位于額上溝內(nèi)側壁，Z′1-4觸點位于前輔助運動區(qū);⑤為核磁共振軸位，顯示S′電極入點位于中央前回，穿中央前溝到達靶點輔助運動區(qū);⑥為核磁共振冠狀位，顯示U′電極入點位于額中回，穿額上溝到達靶點前輔助運動區(qū)。

C家系先證者考慮致癇區(qū)位于右額上回、右額上回旁中間溝，需要明確致癇區(qū)的范圍(后界，內(nèi)側面的下界)，行立體定向顱內(nèi)電極植入，植入方案如下(圖10①②)。術后監(jiān)測顱內(nèi)電極放電情況，清醒期額葉旁中間溝觸點C′5-7、G′4-6持續(xù)性棘慢波，伴有高頻放電；前扣帶回觸點G′1-4、Q′1-2持續(xù)性棘慢波。發(fā)作前期額葉旁中間溝觸點C′5-7、G′4-6及前扣帶回觸點G′1-4棘慢波、多棘慢波，伴有高頻放電。腦電圖發(fā)作起始彌漫，受累電極觸點包括額葉旁中間溝、前扣帶回、額上回、額下回?？紤]致癇區(qū)位于右額上回旁中間溝、額上回(圖10)。

圖10 ①②為C家系先證者的右側半球電極植入方案;③為核磁共振軸位，顯示C′6觸點位于額上回旁中間溝;④為核磁共振軸位，顯示G′6觸點位于額上回旁中間溝的溝底，C′1觸點位于中扣帶回;⑤為核磁共振軸位，顯示Q′4觸點位于額上回，G′2觸點位于前扣帶回;⑥為核磁共振矢狀位，顯示Q′1觸點位于前扣帶回。

2.5 手術及病理

根據(jù)立體定向顱內(nèi)電極腦電圖監(jiān)測結果，結合結構及功能成像，3位家系先證者均行致癇區(qū)切除術。A家系先證者切除范圍包括右側直回、眶額區(qū)(內(nèi)眶額區(qū)、后眶額區(qū))、額葉內(nèi)側面及額上回、前扣帶回。B家系先證者切除范圍包括右側額上回、額上溝，外側面完整切除額上溝，內(nèi)側面后界到旁中央溝前壁。C家系先證者切除范圍包括右側額上回、額上回旁中間溝、前扣帶回、中扣帶回，內(nèi)側面后界到旁中央溝前壁。切除方案見圖11。3位家系先證者手術過程順利，術后無不適，無后遺癥表現(xiàn)。A家系先證者的病理結果提示膠質細胞增多，B家系及C家系先證者的病理結果提示局灶性皮層發(fā)育不良(focal cortical dysplasia,FCD)IIA型。3位家系先證者術后隨訪至今均無發(fā)作。A家系先證者術后至今2年余無發(fā)作，已逐漸減藥，調(diào)整藥物為奧卡西平600 mg/早、晚，左乙拉西坦500 mg/早、晚，減藥期間無發(fā)作。B家系先證者術后至今1年余無發(fā)作，繼續(xù)按照術前藥物服藥，目前所`服藥為拉莫三嗪100 mg/早、中、晚，唑尼沙胺150 mg/早、中，300 mg/晚。C家系先證者術后至今2年余無發(fā)作，已逐漸減停托吡酯，目前服藥為丙戊酸鈉9 mL/早、晚，拉莫三嗪12.5mg/早，減藥期間無發(fā)作。

圖11 ①②分別為A家系先證者在核磁共振冠狀位及三維成像的切除方案，范圍包括右側直回、眶額區(qū)(內(nèi)眶額區(qū)、后眶額區(qū))、額葉內(nèi)側面及額上回、前扣帶回;③④分別為B家系先證者在核磁共振軸位及三維成像的切除方案，范圍包括右側額上回、額上溝，外側面完整切除額上溝，內(nèi)側面后界到旁中央溝前壁;⑤⑥分別為C家系先證者在核磁共振軸位及三維成像的切除方案，范圍包括右側額上回、額上回旁中間溝、前扣帶回、中扣帶回，內(nèi)側面后界到旁中央溝前壁。

3 討論

DEPDC5基因位于22號染色體長臂22q12.2-q12.3，其編碼的1 604氨基酸與NPRL2及NPRL3共同組成GATOR1 (GTPase-activating protein activity towards rags) 復合物，抑制mTORC1(mechanistic target of the rapamycin complex 1)通路。mTORC1具有絲氨酸-蘇氨酸激酶活性，對下游網(wǎng)絡蛋白進行磷酸化，從而調(diào)節(jié)重要的細胞功能，如蛋白合成、細胞生長及遷徙和分化等。DEPDC5基因突變導致GATOR1復合物減少，mTORC1活性增強，mTOR通路激活，可能會導致神經(jīng)細胞之間的突觸聯(lián)系方式發(fā)生改變，神經(jīng)元興奮性增高，但具體如何導致腦結構改變機制目前尚不明確。已有報道表明， NPRL2或NPRL3突變導致的癲癇綜合征表現(xiàn)與DEPDC5相關的癲癇綜合征類似[8,11]，提示GATOR1復合物為重要的影響因素。動物實驗表明，在DEPDC5基因純合突變的老鼠，mTORC1的活性增強，可導致嚴重的顱腦畸形等[12]。在本文的3位家系先證者中，A及B家系的先證者致病位點已有報道與家族性多變局灶性癲癇相關，C家系的先證者基因發(fā)生移碼突變，導致后續(xù)的氨基酸發(fā)生截斷突變，考慮為病理性變異。

DEPDC5基因突變相關的癲癇綜合征為常染色體顯性遺傳，外顯率為60%～70%[2]，一般具有家族性發(fā)病特點，部分個體為新發(fā)突變[6]，具體比例不詳。其相關的癲癇綜合征包括：家族性多變局灶性癲癇綜合征(FFEVF)、家族性顳葉內(nèi)側癲癇(FMTLE)、常染色體顯性遺傳夜間額葉癲癇(ADNFLE)、常染色體顯性遺傳癲癇并聽覺障礙(ADEAF)、嬰兒痙攣和良性癲癇伴中央顳區(qū)棘波(BECTS)等。在本研究中，高通量全外顯子測序對3個家系中共9例進行全外顯子檢測，其中攜帶DEPDC5基因突變者6例，有癲癇發(fā)作者4例，外顯率為67%，與文獻報道一致。

FFEVF首次在DEPDC5基因相關的癲癇綜合征中被報道，目前已發(fā)現(xiàn)超過80個DEPDC5基因位點突變可導致該綜合征，其主要特征為患者的首次發(fā)作年齡多在嬰幼兒期，癲癇發(fā)作癥狀學由致癇區(qū)部位決定，發(fā)作類型為局灶性發(fā)作，其中以額葉及顳葉最為多見。具有癲癇家族史。在同一家系中，不同的親屬其致癇區(qū)部位可以不一致，發(fā)作類型不一。因此，F(xiàn)FEVF的診斷基于家族層面，不能單從個體來診斷。在本研究中A家系具有明顯的家族聚集特點，其中4例親屬有癲癇病史，4例親屬的癲癇發(fā)作表現(xiàn)不一，考慮為家族性多變局灶性癲癇綜合征。在本研究中B家系中除了先證者外，先證者的舅舅也有癲癇病史，兩者的癲癇發(fā)作類型不同，結合病史及結構功能成像，考慮為家族性多變局灶性癲癇綜合征。

DEPDC5基因突變相關的癲癇綜合征患者，以往文獻報道大部分智力發(fā)育正常，一部分可出現(xiàn)輕度智力落后、心理或行為異常、孤獨癥樣表現(xiàn)。在本文中，A家系及C家系先證者精神運動發(fā)育基本正常。而B家系先證者，其智力發(fā)育稍差于同齡兒童，韋氏全量表分值低于同齡人，且合并孤獨癥樣表現(xiàn)。

既往的文獻報道，發(fā)現(xiàn)DEPDC5基因突變相關的癲癇綜合征常見的大腦皮層發(fā)育畸形為FCD Ⅱ型、巨腦回畸形、雙側對稱性外側裂綜合征等[13]。在本研究的B、C家系先證者，通過結構核磁共振成像均發(fā)現(xiàn)右側額葉廣泛皮層發(fā)育畸形。在本研究的A家系先證者，通過功能成像PET-CT發(fā)現(xiàn)右側額、顳、島葉廣泛低代謝，提示致癇區(qū)范圍較大。3位家系先證者通過顱內(nèi)電極腦電圖監(jiān)測明確致癇區(qū)范圍后均行手術切除，其中B、C家系先證者病理結果提示FCD ⅡA型，與文獻報道一致。

本文通過總結3個家系的臨床及輔助檢查資料，揭示DEPDC5基因突變相關的癲癇綜合征多數(shù)具有癲癇家族史，大部分的患者精神運動發(fā)育正常，其癲癇發(fā)作類型以局灶性發(fā)作多見，單藥治療效果普遍欠佳，多數(shù)患者為藥物難治性癲癇。通過結構及功能成像往往可以發(fā)現(xiàn)存在大腦皮層發(fā)育畸形。值得一提的是，其致癇區(qū)往往范圍較大，與FCD不同，可以累及腦區(qū)或者腦葉。本研究的3位家系先證者通過立體定向顱內(nèi)電極腦電圖，結合結構及功能成像決定致癇區(qū)范圍，發(fā)現(xiàn)致癇區(qū)并不僅僅限于腦溝或腦回。完整地切除致癇區(qū)后，3個家系的先證者術后隨訪至今均無發(fā)作，提示DEPDC5基因突變的癲癇綜合征通過手術干預可以達到良好的效果。但對于癲癇發(fā)作類型為全部性癲癇，或者雙側半球致癇、多腦區(qū)致癇的患者，可能難以通過手術達到無發(fā)作。在臨床工作中，診斷需要結合癲癇家族史、發(fā)作的癥狀學、視頻腦電圖記錄間歇期及發(fā)作期腦電圖、結構及功能成像以及基因學檢查等，以明確為哪種類型的DEPDC5基因突變癲癇綜合征，選擇合適的治療方法。