超結(jié)高壓MOSFET驅(qū)動電路及EMI設(shè)計

劉松 曹雪 劉瞻 張龍

摘 要：分析了超結(jié)結(jié)構(gòu)功率MOSFET在開關(guān)過程中由于Coss和Crss電容更強(qiáng)烈的非線性產(chǎn)生更快開關(guān)速度的特性；給出了不同外部驅(qū)動參數(shù)對開關(guān)過程的dV/dt和di/dt的影響；列出了不同驅(qū)動電路開關(guān)波形及開關(guān)性能的變化。最后，設(shè)計了優(yōu)化驅(qū)動電路，實現(xiàn)優(yōu)化的EMI結(jié)果，并給出了相應(yīng)驅(qū)動電路的EMI測試結(jié)果。

關(guān)鍵詞：超結(jié)；驅(qū)動；EMI；非線性

0 引言

近幾年，超結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)高壓功率MOSFET 由于具有非常低的導(dǎo)通電阻（RDSON）和開關(guān)損耗，在各種電源系統(tǒng)中獲得越來越多的應(yīng)用。超結(jié)結(jié)構(gòu)通過降低內(nèi)部晶胞單元的尺寸，采用非常高的單元密度，大幅降低了導(dǎo)通電阻和硅片面積，節(jié)省成本。硅片面積的降低也會導(dǎo)致器件的各種寄生電容降低，器件開關(guān)速度更快，開關(guān)損耗減小，進(jìn)一步提高系統(tǒng)的效率。

但是，器件過低的寄生電容導(dǎo)致開關(guān)速度過快，開關(guān)過程中產(chǎn)生過大的dV/dt和di/dt，這會帶來EMI設(shè)計的問題及柵極振蕩。因此，對于超結(jié)結(jié)構(gòu)高壓MOSFET，需要優(yōu)化系統(tǒng)及驅(qū)動電路，從而在效率和EMI之間達(dá)到設(shè)計的平衡，滿足系統(tǒng)的要求。[1-4]

1 超結(jié)結(jié)構(gòu)高壓功率MOSFET的開關(guān)特性

在開關(guān)過程中，平面功率MOSFET的dV/dt、di/dt完全由柵極驅(qū)動控制，通過調(diào)整外部的柵極電阻就可以控制系統(tǒng)的dV/dt和di/dt。，但是，超結(jié)結(jié)構(gòu)功率MOSFET柵極電荷、Coss和Crss的非線性特性增加，在高壓下電容變得非常小，在低壓時電容又變得非常大，如果使用柵極電阻值取值范圍小，柵極驅(qū)動電路的柵極電阻參數(shù)不能有效控制其開關(guān)特性，如VDS電壓的變化率主要受輸出電容Coss和負(fù)載電流控制。

如果超結(jié)功率MOSFET想用RG控制關(guān)斷的dV/dt， RG必須增加到非常大的值，這又會導(dǎo)致開關(guān)速度非常慢，增加開關(guān)損耗和延時開關(guān)。圖1展示了功率MOSFET柵極驅(qū)動電阻值非常小的工作波形，從波形可以看到，關(guān)斷的VDS和ID波形的交錯區(qū)域非常小，類似于零電壓開關(guān)ZVS的關(guān)斷模式，因此關(guān)斷損耗非常小，在硬開關(guān)電源結(jié)構(gòu)中，可以提高系統(tǒng)的效率。

2 驅(qū)動參數(shù)的影響

驅(qū)動電路設(shè)計的關(guān)鍵的控制參數(shù)有：外部串聯(lián)的柵極電阻RG，外部并聯(lián)的柵極漏極電容Cgd，以及外部并聯(lián)的漏極源極電容Cds。

超結(jié)結(jié)構(gòu)功率MOSFET的柵極驅(qū)動電阻值較小時，dV/dt主要受輸出電容Coss和最大負(fù)載電流的限制；隨著負(fù)載電流的上升，di/dt以非?？斓乃俣壬仙?，在大負(fù)載電流時，主要受外部寄生電感和外部應(yīng)用電路的限制。當(dāng)柵極驅(qū)動電阻增加到較大值，di/dt開始部分受到驅(qū)動電路的限制，dV/dt情況也基本相同。

如果增大CGD的值，也就是G、D外加并聯(lián)電容，就可以使用較小的RG，以控制關(guān)斷的dV/dt，這是一個比較優(yōu)化的方法。當(dāng)然，也可以使用增大CDS的值，D、S外加并聯(lián)電容的方法來控制關(guān)斷dV/dt，其缺點是會增加開通電流尖峰和di/dt。

如果功率MOSFET流過的負(fù)載電流變化范圍大，不外加元件，在關(guān)斷過程中，dV/dt和di/dt也會在很大范圍內(nèi)變動，給系統(tǒng)的EMI和器件可靠性帶來問題。

超結(jié)結(jié)構(gòu)功率MOSFET通常需要外加一些元件和柵極電阻相配合，控制器件的開關(guān)速度，保持柵極驅(qū)動電路對器件關(guān)斷過程的相關(guān)參數(shù)可控或部分可控，從而保證器件在極端條件下在可靠工作區(qū)工作，或滿足EMI要求。

柵極電阻低，開關(guān)速度更快，開關(guān)損耗更低，但會增加開關(guān)過程中功率MOSFET的寄生電感和寄生電容所產(chǎn)生的VDS尖峰電壓，加劇柵極振蕩，同時增加開通和關(guān)斷過程中電壓和電流上升的斜率dV/dt和di/dt。反之，增加?xùn)艠O電阻，會增加開關(guān)過程中的開通損耗和關(guān)斷損耗，減小VDS的尖峰電壓，減小柵極振蕩，同時降低在開通和關(guān)斷過程中電壓和電流上升的斜率dV/dt和di/dt。

因此，要基于實際應(yīng)用和電路特性以及設(shè)計要求選擇合適的RG值。RG的最大值要保持功率MOSFET開關(guān)損耗和溫升在設(shè)計范圍內(nèi)，RG的最小值保證VDS的尖峰電壓、柵極振蕩、dV/dt和di/dt在設(shè)計范圍內(nèi)。

圖3展示了不同的外部參數(shù)對關(guān)斷過程中VDS的尖峰電壓、dV/dt和di/dt的影響，外部并聯(lián)的柵極漏極電容Cgd以及外部并聯(lián)的漏極源極電容Cds，對于VDS的尖峰電壓以及dV/dt的影響和RG一樣具有相同的趨勢。

3 驅(qū)動電路的設(shè)計及EMI影響

功率MOSFET通常由PWM或其他模式的控制器IC內(nèi)部驅(qū)動源來驅(qū)動，為了提高關(guān)斷速度，實現(xiàn)快速關(guān)斷，降低關(guān)斷損耗，提高系統(tǒng)效率，通常要盡可能降低柵極驅(qū)動電阻。由于控制器IC和功率MOSFET柵極通常在PCB上有一定距離，因此，在PCB上會有一段引線，這條引線越長，引線電感越大，儲存的能量越大，關(guān)斷過程中容易導(dǎo)致柵極振蕩，不僅會產(chǎn)生EMI問題，還有可能在關(guān)斷過程中關(guān)斷并不完全，導(dǎo)致其誤開通而損壞；同時，如果過高的振零尖峰大于VGS最大額定值，也可能損壞柵極。因此，在很多AC-DC電源、手機(jī)充電器以及適配器的驅(qū)動電路設(shè)計中，通常使用圖4的驅(qū)動電路，使用合適的開通和關(guān)斷電阻，并使用柵極下拉PNP管，以減小柵極和源極回路的引線電感。

圖4的驅(qū)動電路常用于驅(qū)動平面結(jié)構(gòu)高壓功率MOSFET，可以在各種性能之間取得非常好的平衡。但是，由于超結(jié)結(jié)構(gòu)功率MOSFET開關(guān)速度非?？?，雖然使用這樣的驅(qū)動電路效率更高，但是，會產(chǎn)生較大的dV/dt和di/dt，從而對EMI產(chǎn)生影響。

采用AOD600A70R，其中，R1=150 ，R2=10 ， R3=10 k ，分別在輸入120 V & 60 Hz、264 V & 50 Hz， 輸出11 V/4 A，44 W條件下測量關(guān)斷波形，如圖4所示。

由于具有足夠的空間，電視機(jī)的板上AC-DC電源、電腦適配器等可以在實現(xiàn)快開關(guān)速度的同時，通過電路系統(tǒng)中的各路濾波器實現(xiàn)EMI性能。而手機(jī)快速充電器內(nèi)部空間極其有限，因此，無法通過周圍濾波器保證EMI性能。這種情況就需要優(yōu)化驅(qū)動電路來改善系統(tǒng)性能。當(dāng)然，對于AC-DC電源、電腦適配器，優(yōu)化驅(qū)動電路同樣可以提高EMI性能。[5]

超結(jié)結(jié)構(gòu)功率MOSFET的Coss和Crss強(qiáng)烈的非線性特性導(dǎo)致快速開關(guān)特性，可以通過外部柵極-漏極、漏極-源極并聯(lián)電容來改善其非線性特性。在基于圖5的驅(qū)動電路中，外部并聯(lián)柵極-漏極電容為11 pF，然后測量關(guān)斷波形。從圖5的波形可以看到，外部并聯(lián)柵極-漏極電容可以降低di/dt，但是對dV/dt的影響很小。從EMI的測量結(jié)果來看，無法達(dá)到系統(tǒng)要求。為了提高系統(tǒng)安全性，圖中柵極-漏極電容采用2顆高壓陶瓷電容串聯(lián)，C1=C2=22 pF。

分別在輸入120 V & 60 Hz、264 V & 50 Hz，輸出11 V/4 A、44 W條件下，使用圖4的驅(qū)動電路，測量相關(guān)輻射。測量結(jié)果如圖7所示，其結(jié)果或者超標(biāo)，或者達(dá)不到系統(tǒng)的裕量要求。

分別在輸入120 V & 60 Hz、264 V & 50 Hz，輸出11 V/4 A、44 W條件下，使用圖6的驅(qū)動電路，測量相關(guān)的輻射，測量結(jié)果如圖8所示，這些結(jié)果都達(dá)到了系統(tǒng)裕量的要求。

4 結(jié)束語

超結(jié)結(jié)構(gòu)功率MOSFET的Coss和Crss電容更強(qiáng)烈的非線性導(dǎo)致更快的開關(guān)速度，產(chǎn)生EMI的設(shè)計問題。去除常用的柵極下拉快速關(guān)斷三極管，增加外部電容，超結(jié)結(jié)構(gòu)功率MOSFET的開關(guān)特性可以較好實現(xiàn)開關(guān)速度、開關(guān)損耗和EMI的平衡。

參考文獻(xiàn)：

[1] 劉業(yè)瑞，劉松.超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET輸出電容特性[J].電子產(chǎn)品世界，2020（8）：82-84.

[2] 劉業(yè)瑞，劉松.功率MOSFET輸出電容的非線性特性[J].電子產(chǎn)品世界，2020（10）：70-71.

[3] 劉松.再談米勒平臺和線性區(qū)：為什么傳統(tǒng)計算公式對超結(jié)MOSFET開關(guān)損耗無效[J].今日電子，2018（5）：38-40.

[4] 劉松.超結(jié)型高壓功率MOSFET結(jié)構(gòu)工作原理[J].今日電子， 2013（11）：30-31.

[5] 劉松，孫國營.快充次級同步整流MOSFET對EMI輻射干擾的影響[J].今日電子，2017（8） ：32-33.