谷惠民,閆翎鵬,劉博文,李澤睿,楊永珍,馬昌期
(1.太原理工大學(xué) a.新材料界面科學(xué)與工程教育部重點實驗室,b.新型碳材料研究院,太原 030024;2.中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米放生研究所 印刷電子研究中心,江蘇 蘇州 215123)
近年來,聚合物太陽能電池由于具有柔性、成本低、可溶液加工以及有望實現(xiàn)建筑一體化等優(yōu)點,成為人們的研究熱點[1-2]。隨著非富勒烯受體小分子的出現(xiàn),聚合物太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率節(jié)節(jié)攀升[3-4]。目前,單節(jié)聚合物太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)突破18%[5],逐漸接近商業(yè)化應(yīng)用。相比高的光電轉(zhuǎn)換效率,聚合物:非富勒烯薄膜光伏電池的成本和穩(wěn)定性依然是限制其實用化的瓶頸因素。
已有研究結(jié)果表明,為了有效降低聚合物薄膜光伏電池的成本,有機(jī)共軛半導(dǎo)體材料的制備方法需要簡單便捷[6]。其中,聚(3-己基噻吩)(P3HT)以及D-A類共軛有機(jī)小分子受體因其合成制備工藝簡單、成本低、質(zhì)量可控性高等優(yōu)點是低成本聚合物光伏電池給體材料的典型代表[7]。非富勒烯受體小分子具有可調(diào)的帶隙結(jié)構(gòu)、強(qiáng)且寬的光譜吸收能力以及低于富勒烯受體材料的制備成本,也逐漸成為了低成本聚合物光伏電池受體材料的首選。隨著各種高效非富勒烯小分子的相繼開發(fā),P3HT:NFA光伏電池的效率不斷刷新[8-10]。然而這類光伏電池的穩(wěn)定性研究并不多見。
已有的研究結(jié)果表明,聚合物:富勒烯光伏電池在工作過程中通常表現(xiàn)出一個“指數(shù)式”快速衰減過程[11]。通過系統(tǒng)的比較分析,已經(jīng)明確聚合物:富勒烯光伏電池衰減主要是由于富勒烯分子的光二聚過程所導(dǎo)致[12]。作者課題組前期研究已確定富勒烯的二聚過程與富勒烯分子的激發(fā)態(tài)密切相關(guān)[13]?;诖耍查_發(fā)了利用哌嗪摻雜提升器件穩(wěn)定性的方法[13]。同富勒烯受體一樣,非富勒烯太陽能電池在工作過程中也表現(xiàn)出快速光致衰減的現(xiàn)象。JIANG et al[14]的實驗表明,在紫外線的照射下,非富勒烯受體ITIC與ZnO發(fā)生降解反應(yīng)使得器件性能下降。此后,Park和Son也報道了類似的分解反應(yīng)機(jī)理[15]。UPAMA et al[16]通過光熱偏轉(zhuǎn)光譜分析發(fā)現(xiàn),PBDB-T:ITIC電池JSC和FF產(chǎn)生“burn-in”過程的原因是光誘導(dǎo)活性層材料產(chǎn)生更多的陷阱態(tài),從而引起活性層內(nèi)態(tài)密度的彌散使得器件性能下降[16]。除此之外,非富勒烯電池的穩(wěn)定性研究仍存在較大的空白。其中,非富勒烯受體小分子的分子結(jié)構(gòu)對電池器件穩(wěn)定性具有至關(guān)重要的影響。而隨著各種新型非富勒烯受體小分子的不斷涌現(xiàn),其分子結(jié)構(gòu)對器件的性能以及穩(wěn)定性的影響勢必成為聚合物太陽能電池發(fā)展的關(guān)鍵問題。因此,深入探究非富勒烯分子結(jié)構(gòu)對聚合物太陽能電池器件性能以及穩(wěn)定性的影響,有助于實現(xiàn)高性能高穩(wěn)定的聚合物太陽能電池。
目前,文獻(xiàn)中基于P3HT:NFA的報道主要是關(guān)于非富勒烯受體結(jié)晶性對器件性能的影響[8],而對于其分子結(jié)構(gòu)與器件穩(wěn)定性之間的關(guān)系缺乏深入研究?;谝陨犀F(xiàn)狀,本文選擇P3HT為給體材料,以A-D-A型共軛有機(jī)小分子FBR((5Z,5'Z)-5,5'-{(9,9-dioctyl-9H-fluoren-e-2,7-diyl)bis[2,1,3-benzothiadiazole-7,4-diyl(Z)methylylidene]}bis(3-ethyl-2-thioxo-1,3-thiazolidin-4-one)作為基礎(chǔ)的分子受體,比較研究了具有苯環(huán)(IDFBR)以及噻吩環(huán)(IDTBR)稠化的兩個受體分子的光電性能以及光伏器件性能。通過比較基于不同結(jié)構(gòu)受體器件的性能和穩(wěn)定性,結(jié)合形貌結(jié)構(gòu)、光電學(xué)性能等表征分析,揭示非富勒烯分子結(jié)構(gòu)與器件性能及穩(wěn)定性之間的構(gòu)效關(guān)系。
P3HT:Mw=22.9 g/mol,PDI=1.13,Rr=97.1%,澳大利亞墨爾本大學(xué)Wallace Wong課題組合成[17]。IDTBR(98%,蘇州納凱科技有限公司);FBR(98%,蘇州納凱科技有限公司);IDFBR(98%,蘇州納凱科技有限公司);MoO3(美國Strem Chemicals公司);ZnO納米粒子(甲醇)(12 mg/mL,本實驗室合成);氯苯(99.8%,北京百靈威科技有限公司);氯仿(分析純≥99%,國藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司);丙酮(分析純≥99%,國藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司);異丙醇(分析純≥99%,國藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司)。
活性層溶液配制:以氯苯為溶劑,按質(zhì)量比1∶1混合比配制P3HT:IDTBR(24 mg/mL)溶液。然后將其置于60 ℃熱臺上,攪拌過夜。P3HT:FBR和P3HT:IDFBR溶液配制方法與P3HT:IDTBR溶液相同。
器件制備:P3HT:NFA器件均在圖案化的ITO玻璃基底上制備。ITO玻璃依次采用清潔劑、去離子水、丙酮以及異丙醇在25 ℃的環(huán)境中分別超聲30 min;隨后,將清洗好的ITO玻璃取出,用N2槍吹干,并置于紫外-臭氧(UV-ozone)清洗機(jī)中,處理30 min。待樣品冷卻至室溫之后,在ITO玻璃上旋涂ZnO(甲醇)薄膜,轉(zhuǎn)速為2 000 r/min,旋涂時間1 min;之后將樣品置于130 ℃的熱臺上退火10 min;接下來,等待樣品冷卻至室溫,開始旋涂P3HT:NFA共混溶液,旋涂轉(zhuǎn)速為2 000 r/min,旋涂時間為30 s;旋涂完畢后,將其放在130 ℃的熱臺上,熱退火10 min;最后,將樣品置于真空熱蒸發(fā)腔體內(nèi),抽真空直至腔體內(nèi)壓力<10-4Pa,蒸鍍10 nm厚的MoO3和100 nm厚的Al電極。蒸鍍完畢后,冷卻15~20 min,關(guān)閉抽真空系統(tǒng);進(jìn)氣取出器件,用氯仿擦邊之后即可進(jìn)行測試。其器件結(jié)構(gòu)圖如圖1(a)所示。
薄膜性能表征:所有的薄膜樣品均是在干凈的石英玻璃或者全面ITO基底上制備。采用Lambda 750 UV/Vis/NIR分光光度計(Perkin Elmer)對P3HT:NFA薄膜的紫外-可見光吸收光譜(UV-vis)進(jìn)行表征。通過探針式Park XE-120 microscope原子力顯微鏡(AFM)對測試樣品表面的粗糙度進(jìn)行分析。通過D8Advance Diffractometer(Bruker AXA)設(shè)備對P3HT:NFA薄膜進(jìn)行粉末衍射(X-ray diffraction,XRD)圖譜表征,掃描速度為1 (°)/min.
器件性能表征:首先,制備完成的器件在N2環(huán)境中進(jìn)行J-V曲線掃描和外量子效率(External quantum efficiency,EQE)譜圖測試分析,兩種光學(xué)性能表征設(shè)備均是實驗室自行搭建,在測試之前需要預(yù)熱20 min,然后用標(biāo)準(zhǔn)硅電池作為參照進(jìn)行校準(zhǔn),而且測試電池裝在充滿N2的密閉測試盒(有石英窗口)。J-V測試是采用100 mW/cm2(AM 1.5G)的模擬光源(Verasol-2,LED 3A Sun simulator,Newport)對器件進(jìn)行光照,通過Keithley 2400輸出電信號,最后在模擬軟件上分析計算得到J-V曲線。EQE測試是采用150 W的鹵鎢燈(Osram 64610)模擬一個太陽標(biāo)準(zhǔn)光強(qiáng),光源經(jīng)過單色儀(卓立漢光,Omini-λ300)機(jī)械調(diào)制;隨后單色光經(jīng)內(nèi)設(shè)光路照射在器件上,所激發(fā)的光電響應(yīng)通過J-V轉(zhuǎn)換器(蘇州德睿科儀儀器設(shè)備有限公司)和鎖相放大器(stanford research systems SR 830)轉(zhuǎn)換為電壓進(jìn)行信號記錄。其次,器件的穩(wěn)定性測試均在太陽能電池壽命測試系統(tǒng)(PVLT-G8001M,蘇州德??苾x有限公司)上進(jìn)行。整個測試過程均在符合ISOS-L-1標(biāo)準(zhǔn)(H2O和O2的體積分?jǐn)?shù)均小于1×10-6)的手套箱中進(jìn)行。穩(wěn)定性測試過程中采用的光源為白光LED(D&R Light,L-W6000KA-150,蘇州德??苾x儀器設(shè)備有限公司),光譜覆蓋范圍為410~850 nm,不含紫外光。測試系統(tǒng)的初始光強(qiáng)設(shè)置為:器件在測試系統(tǒng)測得的JSC和其在標(biāo)準(zhǔn)光強(qiáng)下測得JSC一致。光伏器件衰減測試過程中,由于持續(xù)光照,器件表面溫度為40~45 ℃.為了更加準(zhǔn)確反映光伏電池在實際工作過程中的器件穩(wěn)定性能,器件衰減過程中實時追加一個外加負(fù)載,以實現(xiàn)器件老化過程中處于最大功率輸出點(mpp)[18].
圖1(a)為本論文所研究的有機(jī)薄膜光伏電池的器件結(jié)構(gòu),其中ZnO和MoO3分別作為電子和空穴傳輸層,而P3HT:NFA則是光活性層。圖1(b)是P3HT、IDTBR、FBR和IDFBR四種材料的化學(xué)結(jié)構(gòu)。依據(jù)文獻(xiàn)可知,給體材料P3HT的LUMO/HOMO能級為-3.25/-5.13 eV,而IDTBR、FBR和IDFBR的LUMO/HOMO能級分別為-3.88/-5.51 eV、-3.75/-5.83 eV和-3.70/-5.75 eV[19]。相應(yīng)的能級排布列于圖1(c)中,可以看出,所有受體分子的LUMO軌道能級與給體P3HT的LUMO能級之間的差大于0.45 eV,為二者之間的電子轉(zhuǎn)移過程提供了驅(qū)動力的保障[20-21]。圖2(a)是四種材料對應(yīng)的UV-Vis光譜??梢钥吹?,在可見光范圍內(nèi),IDFBR與FBR具有相似的吸收譜帶,都集中于短波段(400~600 nm),其最大吸收峰波長分別為530和510 nm,較P3HT的最大吸收峰(562 nm)藍(lán)移,二者的光學(xué)帶隙分別為2.05 eV和2.08 eV。相比之下,IDTBR的吸收譜帶則較寬且集中于長波段(500~800 nm),其最大吸收波長達(dá)到712 nm,光譜帶隙降為1.63 eV.從三種非富勒烯受體的化學(xué)結(jié)構(gòu)可知,三種材料的端基一致,只有中間的π共軛核心單元存在明顯的差異。IDFBR和FBR的π核心均由苯環(huán)組成,且前者比后者多一個苯環(huán),這使得IDFBR的吸收光譜較FBR有一定的紅移。與IDFBR相比,IDTBR的π橋則是由噻吩和苯環(huán)單元共同組成。噻吩單元的引入,使得IDTBR的吸收譜帶發(fā)生了明顯的紅移;這主要是由于噻吩分子具有更強(qiáng)的給電子能力,因此能夠形成更強(qiáng)的分子內(nèi)D-A結(jié)構(gòu),進(jìn)而得到紅移的光譜。此外,IDTBR與給體材料P3HT在吸收譜帶上沒有明顯的重疊,可以形成良好的光譜互補(bǔ)。當(dāng)三種材料分別與P3HT共混時,所得的固體吸收譜帶如圖2(b)所示??梢钥闯觯旌媳∧さ奈兆V帶基本上是對應(yīng)材料單獨吸收譜帶的簡單疊加,其中P3HT:IDTBR共混薄膜的光譜吸收覆蓋了400~800 nm,這將有利于電池對太陽光譜的采集。
圖1 (a)P3HT:NFA器件結(jié)構(gòu)圖;(b)給受體材料的化學(xué)結(jié)構(gòu)式;(c)化合物的能級示意圖Fig.1 Device structure of P3HT:NFA solar cells (a); chemical structure of donor and acceptor materials (b); Energy diagram of these materials (c)
圖2 (a)P3HT、IDTBR、FBR和IDFBR薄膜和(b)P3HT:NFA固體薄膜的UV-Vis圖譜Fig.2 UV-Vis spectra of (a) P3HT, IDTBR, FBR, and IDFBR films and (b) P3HT:NFA blend films
為了進(jìn)一步考察P3HT:NFA薄膜形貌之間的差異,通過AFM和XRD對三種固體薄膜的表面形貌以及內(nèi)部結(jié)晶性進(jìn)行表征。圖3是P3HT:NFA薄膜的AFM圖譜??梢钥吹剑N薄膜的形貌差別較大,其中,P3HT:FBR薄膜的表面呈無規(guī)納米粒子聚集狀(圖3(a)),薄膜的表面均方粗糙度(RMS)為3.74 nm。相比之下P3HT:IDFBR薄膜的表面較為平整(RMS=2.76 nm),且P3HT納米纖維清晰可見[22],這表明IDFBR與P3HT共混時IDFBR并不能改變P3HT的結(jié)晶。P3HT:IDTBR薄膜表面則呈現(xiàn)塊狀形貌,無明顯的P3HT納米纖維結(jié)構(gòu),薄膜具有較大的表面粗糙度,其RMS達(dá)到13.14 nm,表明IDTBR與P3HT具有較好的分子相容性,IDTBR的摻入明顯地改變了P3HT的結(jié)晶性,推測形成了共混結(jié)晶相。由此可知,不同受體材料對于P3HT在成膜過程中的結(jié)晶行為有較大的影響。
圖3 (a)P3HT:FBR、(b)P3HT:IDFBR和(c)P3HT:IDTBR共混薄膜的AFM圖譜Fig.3 AFM images of (a)P3HT:FBR, P3HT:(b)IDFBR and (c)P3HT:IDTBR blend films
圖4是P3HT:NFA薄膜的XRD圖譜,從圖可以看出,三種固體薄膜都在5.4°處檢測出P3HT的XRD特征衍射峰,對應(yīng)的晶格間距d為1.61 nm.
圖4 P3HT:NFA共混薄膜的XRD譜圖Fig.4 XRD spectra of P3HT: NFA blend films
這一衍射峰位置與P3HT:PC61BM的衍射峰位置相一致,對應(yīng)P3HT分子的(100)晶面[23]。因此在這三個NFA體系中,微納尺度下P3HT依然形成自身的結(jié)晶。然而,在這三種混合薄膜中,P3HT的XRD峰強(qiáng)有較大的不同。其中,P3HT:IDFBR薄膜的P3HT衍射峰最強(qiáng),而P3HT:IDTBR最弱。這表明IDFBR與P3HT的相容性較差,共混薄膜中P3HT存在顯著自身結(jié)晶行為。而在P3HT:IDTBR中,由于IDTBR與P3HT具有良好的相容性,因此降低了活性層中P3HT自身的結(jié)晶,進(jìn)而形成非常粗糙的表面形貌。
利用P3HT作為給體,F(xiàn)BR、IDFBR、IDTBR作為受體,制備了結(jié)構(gòu)為ITO/ZnO/P3HT:NFA/MoO3/Al的光伏電池(圖1(a)),器件光電性能列于表1,其對應(yīng)的J-V曲線和EQE譜圖如圖5所示,所有器件的有效面積為0.09 cm2,JSC是器件經(jīng)EQE校準(zhǔn)之后所得的積分電流值??梢钥闯?,三種器件的光電性能存在較大差異。相比于P3HT:IDFBR和P3HT:FBR,P3HT:IDTBR器件具有較高的JSC(12.41 mA/cm2).由UV-Vis實驗結(jié)果(圖2(a)和2(b))可知,P3HT:IDTBR薄膜具有更寬的光譜吸收范圍,所以器件獲得更高的JSC;而IDFBR和FBR的吸收光譜與P3HT的吸收光譜有較大的重疊,因此對應(yīng)器件的JSC較低。而由于IDFBR(0.86 V)和FBR(0.82 V)具有較低的HOMO能級,它們的器件較IDTBR器件具有更高的開路電壓(0.74 V)。同時,由于IDTBR與P3HT之間形成了良好的共混形貌,高效地促進(jìn)了給受體間的電荷分離與傳輸,這有利于使器件獲得較高的FF。雖然薄膜表面具有高的粗糙度,可能會降低界面接觸性能,但良好的共混薄膜形貌對器件性能的正向作用更占主導(dǎo),故P3HT:IDTBR器件仍具有較高的FF.最終該器件的PCE高達(dá)5.80%,與文獻(xiàn)報道數(shù)據(jù)基本相當(dāng)[24]。
圖5 P3HT:NFA器件的J-V曲線(a)和EQE譜圖(b)Fig.5 J-V curves (a) and EQE spectra (b) of P3HT:NFA devices
表1 P3HT:NFA器件光電性能參數(shù)統(tǒng)計數(shù)據(jù)Table 1 Optoelectronic performance parameter statistics of P3HT: NFA devices
為了進(jìn)一步探究三種器件性能差異背后的物理機(jī)制,對三種器件的JSC以及VOC的光強(qiáng)依賴性進(jìn)行了表征,如圖6所示。從圖6(a)可以看出,三種器件的JSC和光強(qiáng)均呈線性關(guān)系,其斜率α都接近1.0,說明對于這三種非富勒烯器件來說,雙分子電荷復(fù)合和空間電荷效應(yīng)幾乎可以忽略[25]。此外,三種器件的VOC隨光強(qiáng)的變化也呈線性變化,但是,其對應(yīng)擬合曲線的斜率存在較大的差異(圖6(b))。通常,VOC與光強(qiáng)變化關(guān)系的斜率接近1kBT/q(kB為玻爾茲曼常數(shù),T為絕對溫度,q為單位電荷電量)表明器件中存在雙分子復(fù)合[26],而斜率接近2kBT/q,則表明器件中存在單分子復(fù)合。雙分子復(fù)合主要是分離載流子傳輸?shù)诫姌O界面的過程中,雙分子在給受體界面處的復(fù)合[27]。單分子復(fù)合是指激發(fā)態(tài)分子中的空穴-電子對的淬滅,通??梢杂尚蚊不蛘呓缑嫒毕菪纬上葳鍛B(tài)或者活性層內(nèi)存在電荷復(fù)合中心所導(dǎo)致。聚合物光伏電池的單分子復(fù)合增加會減少激子分離,進(jìn)而降低器件的性能。P3HT:IDTBR、P3HT:FBR和P3HT:IDFBR電池的VOC與光強(qiáng)的擬合斜率分別為1.45、1.56和1.73kBT/q,表明三種電池活性層薄膜都存在不同程度的單分子復(fù)合過程,而IDFBR表現(xiàn)出最強(qiáng)的單分子復(fù)合過程。這主要是因為IDFBR自身結(jié)晶性能弱,不能和P3HT形成理想的互穿網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),因而造成活性層內(nèi)部形成較多的陷阱態(tài)或電荷復(fù)合中心,導(dǎo)致活性層中空穴-電子對的淬滅。
圖6 P3HT:NFA器件的JSC(a)和VOC(b)光強(qiáng)依賴性曲線Fig.6 JSC (a) and VOC (b) light intensity dependence curves of P3HT: NFA devices
為了進(jìn)一步考察這三種器件穩(wěn)定差異,在氮氣手套箱中對所有器件進(jìn)行了穩(wěn)定性測試,測試結(jié)果如圖7所示。相應(yīng)的T80和η500/η0值列于表1.可以看到,P3HT:IDTBR和P3HT:FBR器件的T80遠(yuǎn)大于500 h,并且老化500 h之后仍具有初始性能的95%以上((η500/η0):109% vs 95.9%).同時隨著光照時間的增加,這兩種器件的JSC和FF還有所提升,這可能是器件受熱引起活性層分子熱運動,進(jìn)一步優(yōu)化了兩種活性層薄膜的微觀形貌導(dǎo)致的。相反,P3HT:IDFBR器件的T80僅為1.45 h,表現(xiàn)出明顯的性能衰減。老化500 h之后,器件僅保留初始性能的12.1%(η500/η0).尤其是JSC的“burn-in”過程,在短短的50 h之內(nèi),JSC已經(jīng)衰減了63%.除此之外,器件的VOC下降了9%,F(xiàn)F下降了30%,最終導(dǎo)致器件PCE衰減87.9%。可以看出JSC的衰減是導(dǎo)致三種器件光穩(wěn)定差異的主要影響因素。結(jié)合圖3分析,對三種P3HT:NFA共混薄膜的形貌對比可以看出,P3HT:IDFBR具有最強(qiáng)的P3HT自身結(jié)晶行為,表明IDFBR無法調(diào)節(jié)聚合物的結(jié)晶行為,由此推斷P3HT:IDFBR之間無法形成較為穩(wěn)定的相分離是導(dǎo)致這類器件性能快速衰減的重要原因;此外,該器件VOC的光強(qiáng)依賴性結(jié)果(圖6(b))表明,器件中存在較多的缺陷態(tài)和陷阱態(tài),這導(dǎo)致器件在界面處以及活性層中的單分子復(fù)合增多,因此,VOC和FF均表現(xiàn)出一定的衰減。相比之下,由于IDTBR與FBR在一定程度上與P3HT形成相對穩(wěn)定的結(jié)晶態(tài)(圖3),所以在老化過程中能夠維持活性層的形貌穩(wěn)定,進(jìn)而獲得較好的器件穩(wěn)定性。
圖7 P3HT:NFA器件歸一化衰減曲線Fig.7 Normalized degradation curves of P3HT:NFA devices
需要特別指出的是,P3HT:IDTBR器件同時具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率以及良好的器件穩(wěn)定性能,結(jié)合P3HT以及IDTBR易于合成制備的優(yōu)點,P3HT:IDTBR在綜合性價比方面具有很強(qiáng)的優(yōu)勢,極有可能實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。
本文以FBR、IDFBR和IDTBR三種非富勒烯小分子作為受體材料,與聚合物P3HT組成非富勒烯太陽能電池,探究了受體小分子結(jié)構(gòu)苯環(huán)和噻吩稠化對活性層光學(xué)性能和器件性能的影響。研究表明,對FBR的π-共軛內(nèi)核進(jìn)行噻吩修飾得到IDTBR可以降低分子的帶隙,而若進(jìn)行苯環(huán)稠化修飾得到IDFBR則會降低分子本身的結(jié)晶。AFM和XRD分析結(jié)果表明,P3HT:IDFBR體系中表現(xiàn)出顯著的P3HT結(jié)晶,而IDTBR及FBR則與P3HT形成了良好的共混結(jié)晶,這在一定程度上有利于獲得良好的器件性能?;贗DFBR的光伏電池具有更高的開路電壓,而IDTBR則具有更高的短路電流,P3HT:IDTBR基光伏電池的最優(yōu)光電轉(zhuǎn)換效率可達(dá)5.80%。此外,IDTBR基光伏電池還展示出良好的穩(wěn)定性,器件在持續(xù)光照500 h后效率沒有出現(xiàn)衰減,甚至略有提升。綜上所述,P3HT:IDTBR在效率和穩(wěn)定性上具有明顯的優(yōu)勢,有望實現(xiàn)大規(guī)模合成制備,具有廣闊的應(yīng)用前景。