黃朝志, 宋秀西, 郭桂秀, 劉細(xì)平
(江西理工大學(xué)電氣與自動(dòng)化學(xué)院, 贛州 341000)
近年來(lái),隨著電力電子設(shè)備的進(jìn)步,開關(guān)磁阻電機(jī)(switched reluctance motors,SRM)在汽車、油田、礦山、鍛壓、紡織機(jī)械、家用電器等工業(yè)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用[1-3]。SRM的主要優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、效率高、容錯(cuò)性好、可靠性高、性價(jià)比高[4]。但是開關(guān)磁阻電機(jī)轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)較大、功率密度相對(duì)較低,與常用的感應(yīng)電機(jī)和永磁電機(jī)相比飽和程度較高,降低了SRM及其驅(qū)動(dòng)的總體性能[5]。為了改善電機(jī)性能,獲得更高的轉(zhuǎn)矩性能和功率密度,眾多學(xué)者提出獨(dú)立的定/轉(zhuǎn)子模塊化結(jié)構(gòu)或加入永磁體輔助構(gòu)成混合勵(lì)磁磁阻電機(jī)。獨(dú)立的定/轉(zhuǎn)子模塊化結(jié)構(gòu)主要分為分段定子模塊和分段轉(zhuǎn)子模塊。其中分段定子結(jié)構(gòu)主要分為C型和E型定子。在文獻(xiàn)[6]中提出了一種具有C形模塊的新型分段SRM用于風(fēng)力發(fā)電,由于質(zhì)量較輕,因此更容易啟動(dòng)。在文獻(xiàn)[7-8]中提出了一種帶有C形分段定子鐵心的SRM,該電機(jī)具有較好的容錯(cuò)性,鐵損也低于傳統(tǒng)SRM。在文獻(xiàn)[9]中,對(duì)具有E形磁芯定子的新型兩相模塊SRM進(jìn)行了分析、優(yōu)化、原型設(shè)計(jì)和實(shí)驗(yàn)測(cè)試。結(jié)果表明,這種新型SRM與傳統(tǒng)SRM相比,銅節(jié)省20%,鋼材節(jié)省20%,鐵芯損耗更低,平均轉(zhuǎn)矩更高。
分段轉(zhuǎn)子開關(guān)磁阻電機(jī)(switched reluctance motors with segmental rotor, SSRM)的研究最先開始于英國(guó)紐卡斯?fàn)柎髮W(xué)的Mecrow教授,他提出一種具有整距繞組的12/8極SSRM結(jié)構(gòu),該電機(jī)磁路較短,且沒(méi)有反向磁通,在相同銅耗下其輸出轉(zhuǎn)矩比同等尺寸普通SRM大41%[10]。文獻(xiàn)[11]研究了定子為勵(lì)磁極和輔助極的分段轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)提高了對(duì)稱位置的電感和磁鏈,增加了瞬時(shí)輸出轉(zhuǎn)矩,平均轉(zhuǎn)矩提高11.6%,但磁鏈變化加劇,轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)更加明顯。
混合磁阻電機(jī)(hybrid reluctance motor,HRM)一般在定子上增加永磁體,在不影響電機(jī)的可靠性和高速運(yùn)行性能的前提下,增加了平均轉(zhuǎn)矩,降低了銅耗[12]。
文獻(xiàn)[13]將永磁體連接在三相6/5極電機(jī)的兩個(gè)定子極之間,該電機(jī)的優(yōu)點(diǎn)是磁路短、鐵損小、齒槽轉(zhuǎn)矩幾乎為零、有較高的功率密度和效率。然而,因?yàn)閮H有3個(gè)U形硅鋼片,產(chǎn)生了單邊的徑向不平衡的磁吸力,引起了較大的振動(dòng)和噪聲。在此基礎(chǔ)上,西安交通大學(xué)的丁文博士用6個(gè)U形的定子極硅鋼片,并在兩個(gè)定子槽口增加永磁體,該電機(jī)在平均轉(zhuǎn)矩、轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)、效率和啟動(dòng)性能上都有較大提高[14]。然而該電機(jī)定子分段需要將定子嵌入高磁阻的定子套中,勢(shì)必增加電機(jī)尺寸,從而減低電機(jī)功率密度。若采用分段轉(zhuǎn)子式混合勵(lì)磁則可避免此缺點(diǎn)。
在SSRM定子槽口加入12塊永磁體,實(shí)現(xiàn)了混合勵(lì)磁方式,構(gòu)成一種新型混合勵(lì)磁分段轉(zhuǎn)子開關(guān)磁阻電機(jī)(hybrid excitation switched reluctance motor with segmental rotors, HESSRM)。采用等效磁路法分析永磁體的增磁原理?;谟邢拊浖嗀nsoft仿真分析其靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能。結(jié)果表明,新型電機(jī)飽和程度變低,操作范圍變大,電機(jī)轉(zhuǎn)矩性能得到提高,電機(jī)利用系數(shù)變大。
圖1所示為12/8 HESSRM的結(jié)構(gòu)。與傳統(tǒng)分段SSRM有所不同,HESSRM轉(zhuǎn)子由8個(gè)扇形硅鋼片組成,并嵌入在高磁阻的鋁制轉(zhuǎn)子套中。定子有12個(gè)定子齒,在相鄰的兩定子齒之間加入永磁體,磁極方向?yàn)閳D1中箭頭方向。HESSRM中永磁體的N、S極方向與繞組通電方向一致,二者產(chǎn)生的磁鏈疊加。這相當(dāng)于在繞組產(chǎn)生的勵(lì)磁基礎(chǔ)上并聯(lián)一個(gè)永磁體磁源。每個(gè)定子齒的齒尖采用極靴設(shè)計(jì),為定子槽口的永磁體提供結(jié)構(gòu)支撐。電機(jī)有三相,每相包括兩個(gè)串聯(lián)繞組,繞組采用整距繞組,即每個(gè)繞組跨越3個(gè)定子齒,且每個(gè)定子槽只加有一相繞組。
圖1 12/8 HESSRM的結(jié)構(gòu)Fig.1 Construction of 12/8 HESSRM
HESSRM和普通SRM一樣遵循磁阻最小原理。各相輪流通電,轉(zhuǎn)子從磁阻最大的位置轉(zhuǎn)向磁阻最小位置從而產(chǎn)生轉(zhuǎn)矩[15]。普通12/8極SRM磁通路徑如圖2所示,其流經(jīng)定子、氣隙、轉(zhuǎn)子、轉(zhuǎn)子軛,再到另一邊的轉(zhuǎn)子、氣隙、定子、定子軛,最后回到定子,占據(jù)1/4圓面積。普通12/8極SSRM和HESSRM的磁通路徑一樣,如圖3所示,磁通在相鄰的定子齒和對(duì)應(yīng)的一個(gè)扇形轉(zhuǎn)子之間形成回路,僅占據(jù)小于1/8的圓面積。相對(duì)于傳統(tǒng)開關(guān)磁阻電機(jī)HESSRM磁通路徑更短,從而損耗更小。
圖2 普通12/8極SRM磁路Fig.2 Conventional 12/8 SRM
HESSRM磁通由電勵(lì)磁和永磁體一起產(chǎn)生,為了簡(jiǎn)化推理,只考慮在兩定子齒間加入永磁體,其工作模式如圖4所示。
圖4(a)為普通SSRM磁通路徑,單相通電且定子齒間沒(méi)有永磁體,根據(jù)右手定則產(chǎn)生紅色實(shí)線所示的磁通。圖4(b)為在定子齒間加入永磁體,繞組未通電只有永磁體產(chǎn)生磁通,磁通路徑藍(lán)色虛線表示。圖4(c)為在定子槽口加入永磁體,繞組通入電流很小,勵(lì)磁產(chǎn)生的磁路用紅色實(shí)線表示,永磁體產(chǎn)生的磁路用藍(lán)色虛線表示。兩者產(chǎn)生的磁鏈方向相反。此時(shí)電機(jī)磁動(dòng)勢(shì)是永磁體的磁動(dòng)勢(shì)減去勵(lì)磁產(chǎn)生的磁動(dòng)勢(shì)。圖4(d)為在定子槽口加入永磁體,繞組通入較大電流時(shí),電勵(lì)磁產(chǎn)生的磁通路徑為紅色實(shí)線表示。永磁體產(chǎn)生磁通路徑為藍(lán)色虛線所示,方向和圖4(c)情況下相反。在此情況下HESSRM磁動(dòng)勢(shì)為永磁體磁動(dòng)勢(shì)和電勵(lì)磁產(chǎn)生的磁動(dòng)勢(shì)二者之和,從而電機(jī)的輸出轉(zhuǎn)矩增加。
圖3 12/8極HESSRM磁路Fig.3 12/8 HESSRM
圖4 不同勵(lì)磁方式下的磁鏈曲線Fig.4 Magnetic circuit under different excitation modes
為了建立HESSRM電機(jī)數(shù)學(xué)模型,忽略電機(jī)運(yùn)行系統(tǒng)產(chǎn)生的銅耗、鐵耗和摩擦損耗,把系統(tǒng)看成一個(gè)無(wú)損系統(tǒng)。機(jī)電能量轉(zhuǎn)換僅認(rèn)為通過(guò)磁場(chǎng)儲(chǔ)能這一媒介[16]完成。該物理系統(tǒng)表示為
(1)
(2)
dWfld=idψ-fflddx
(3)
對(duì)于HESSRM,在僅有一相繞組通有電流時(shí),電流會(huì)快速上升,快速越過(guò)小電流下[圖4(c)]的工作模式到達(dá)大電流下[圖4(d)]的工作模式,此時(shí)磁鏈ψx由一相電勵(lì)磁產(chǎn)生的磁鏈ψix和永磁體產(chǎn)生的磁鏈ψpmx兩者產(chǎn)生的磁鏈總和。其中電勵(lì)磁產(chǎn)生的磁鏈為電感L和電流i的乘積。磁鏈、電感都是轉(zhuǎn)子位置和電流的函數(shù),因此此時(shí)磁鏈為
ψx=ψix(ix,θ)+ψpmx(ix,θ)=
Li+ψpmx(ix,θ)
(4)
對(duì)于磁場(chǎng)的儲(chǔ)能系統(tǒng)無(wú)損線圈的端電壓就是線圈磁鏈對(duì)時(shí)間的變化率:
Ux=dψ/dt
(5)
將式(4)帶入式(5)可得:
(6)
激發(fā)x相的磁共能為
W′x=W′ix(ix,θ)+W′pmx(ix,θ)
(7)
式中:Wix(ix,θ)為勵(lì)磁電流產(chǎn)生的磁共能;Wpmx(ix,θ)為永磁體產(chǎn)生的磁共能。因此單相產(chǎn)生的電磁轉(zhuǎn)矩為
(8)
式(8)中:Trx為勵(lì)磁電流產(chǎn)生的電磁轉(zhuǎn)矩;Tpmx為永磁體產(chǎn)生的轉(zhuǎn)矩。即HESSRM轉(zhuǎn)矩是電勵(lì)磁產(chǎn)生的轉(zhuǎn)矩和永磁體產(chǎn)生的轉(zhuǎn)矩之和。
等效磁路模型已被用于模擬各種電磁裝置中的飽和磁場(chǎng)分析[17]。HESSRM和傳統(tǒng)的SRM一樣,其一般工作在高飽和狀態(tài),電磁特征有很強(qiáng)的非線性,很難定量對(duì)磁鏈進(jìn)行分析。為了定性分析磁鏈,建立HESSRM等效磁路模型如圖5所示。
圖5 HESSRM等效磁路Fig.5 Magnetic equivalent circuit model of HESSRM
提出線性假設(shè),忽略相間互感和漏感,且僅研究單繞組通電和通電相間對(duì)應(yīng)的永磁體作用的情況。在圖5中,Fe代表電勵(lì)磁產(chǎn)生的磁動(dòng)勢(shì),F(xiàn)m代表永磁體產(chǎn)生的磁動(dòng)勢(shì),Φm為永磁體產(chǎn)生的磁通,Φe為通電繞組產(chǎn)生的磁通,Rstd代表定子齒與永磁體連接部分的磁阻,Rstu代表定子齒上除去Rstd剩下的磁阻,Rm代表永磁體內(nèi)部磁阻,Rδ代表氣隙磁阻,Rry代表定子軛磁阻,Rrt代表扇形轉(zhuǎn)子磁阻。在電機(jī)實(shí)際工作中Rδ1和Rδ4所在回路磁阻值比較大,而且磁路中其他回路磁阻也較大,因此忽略圖5磁路虛線框外的其他部分,只考慮圖中虛線部分磁路,對(duì)磁路列方程得
(9)
進(jìn)一步化簡(jiǎn)磁路得到簡(jiǎn)化的等效磁路如圖6所示。在圖6中Re為Rstu1、Rsy2、Rstu2三者之和,Rm1為永磁體磁阻,R為Rstd1、Rδ2、Rrt2、Rδ3、Rstd2五者之和。Fm1為永磁體磁動(dòng)勢(shì),Φm是其產(chǎn)生的磁鏈,F(xiàn)e1為單相繞組產(chǎn)生的磁動(dòng)勢(shì),Φe是其產(chǎn)生的磁鏈。對(duì)磁路列寫磁路方程為
(10)
解得
(11)
圖6 HESSRM簡(jiǎn)化等效磁路Fig.6 Simplified magnetic circuit of HESSRM
電機(jī)永磁體的放置位置和尺寸參數(shù)將對(duì)電機(jī)轉(zhuǎn)矩性能產(chǎn)生影響??紤]到加工工藝以及實(shí)際工作情況,在定子齒距離氣隙0.8 mm的位置放置永磁體,并分析電機(jī)在不同永磁體尺寸下靜態(tài)平均轉(zhuǎn)矩。
圖7所示為不同永磁體厚度下的轉(zhuǎn)矩??梢钥闯鲭S著永磁體厚度的增加,電機(jī)平均轉(zhuǎn)矩隨之增加,但是永磁體厚度在超過(guò)2.5 mm之后這種增加趨勢(shì)變緩,此外電機(jī)在槽口加永磁體影響電機(jī)槽滿率。選取合適的永磁體厚度大小,是電機(jī)轉(zhuǎn)矩性能和槽滿率之間的平衡。為此這里選取厚度為2.5 mm的永磁體加入HESSRM的定子槽口。
圖7 不同永磁體厚度下的轉(zhuǎn)矩Fig.7 Torque at different thicknesses of permanent magnet
HESSRM總轉(zhuǎn)矩Tx是勵(lì)磁轉(zhuǎn)矩Trx與永磁體轉(zhuǎn)矩Tpmx兩者之和,兩者高度耦合,而且在大電流和小電流情況下轉(zhuǎn)矩耦合的形式也不相同。圖8顯示在一個(gè)周期位置下不同電流激勵(lì)時(shí)產(chǎn)生的轉(zhuǎn)矩以及占比情況。圖8(a)~圖8(c)依次分別是HESSRM產(chǎn)生的總轉(zhuǎn)矩Tx、勵(lì)磁轉(zhuǎn)矩Trx和永磁體轉(zhuǎn)矩Tpmx。圖8(d)是在單相通以0~24 A電流時(shí),Tx、Trx和Tpmx的平均靜態(tài)轉(zhuǎn)矩。在i=4 A時(shí)Tpmx占比7.3%,i=12 A時(shí)占比為11%,在i=20 A時(shí)占比為14.2%,i=24 A占比為15.3%。
圖8 3種靜態(tài)轉(zhuǎn)矩的比較Fig.8 Comparison of static average torque profiles for three types of torque
齒槽轉(zhuǎn)矩指的是在沒(méi)有通電的情況下永磁體與不同角度位置的轉(zhuǎn)子之間相互作用產(chǎn)生的電磁吸引力。當(dāng)電機(jī)旋轉(zhuǎn)時(shí),由于定轉(zhuǎn)子齒槽的存在,磁場(chǎng)能量不均勻分布[18]產(chǎn)生轉(zhuǎn)矩Tcog。具體可表示為
(12)
式(12)中:W為磁場(chǎng)能量,J;θ為定于和轉(zhuǎn)子之間的相對(duì)機(jī)械角度。
沒(méi)有永磁體的開關(guān)磁阻電機(jī)不存在齒槽轉(zhuǎn)矩。加入永磁體后開關(guān)磁阻電機(jī)應(yīng)有較低的齒槽轉(zhuǎn)矩,這樣轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)更小,電機(jī)性能更好。齒槽轉(zhuǎn)矩是評(píng)價(jià)具有永磁的電機(jī)性能的一個(gè)重要指標(biāo)。圖9中齒槽轉(zhuǎn)矩為-0.000 75~0.000 75 N·m,幾乎可以忽略不計(jì)。說(shuō)明在沒(méi)有電勵(lì)磁的情況下沒(méi)有磁力線穿過(guò)氣隙,而在定子齒或者定子軛加入永磁體在沒(méi)有電勵(lì)磁的情況下,磁力線經(jīng)過(guò)氣隙,在定轉(zhuǎn)子極之間閉合。齒槽轉(zhuǎn)矩遠(yuǎn)比在定子槽口加入永磁體產(chǎn)生的齒槽轉(zhuǎn)矩大。就齒槽轉(zhuǎn)矩來(lái)看,HESSRM優(yōu)于其他的在定子齒或者定子軛加永磁體的SRM。
圖9 HESSRM齒槽轉(zhuǎn)矩Fig.9 Cogging torque of HESSRM
HESSRM樣機(jī)參數(shù)如表1所示。
表1 樣機(jī)的主要參數(shù)Table 1 Parameters of the HESSRM prototype motor
加入永磁體后,HESSRM與SSRM磁鏈的飽和程度并不相同。而且因?yàn)殚_關(guān)磁阻電機(jī)原有的雙凸極結(jié)構(gòu),電機(jī)內(nèi)部各個(gè)位置點(diǎn)的飽和程度也不相同,在不同電流激勵(lì)下,這里在HESSRM和SSRM氣隙中心,定子齒尖、定子齒和定子軛,分別取圖10所示的1、2、3、4這4個(gè)位置點(diǎn)分析其飽和程度。
圖10 4個(gè)位置點(diǎn)Fig.10 Four location points
選取對(duì)準(zhǔn)位置分別比較4個(gè)點(diǎn)磁通密度,各點(diǎn)氣隙磁密如圖11所示,在位置點(diǎn)1,小電流下,HESSRM永磁鐵產(chǎn)生的磁鏈在兩定子齒和定子軛之間閉合[圖4(c)],不經(jīng)過(guò)氣隙,由于永磁體磁鏈方向與勵(lì)磁磁鏈方向相反,此時(shí)相對(duì)于SSRM,合成磁鏈略?。辉诖箅娏飨?,永磁體磁鏈經(jīng)過(guò)氣隙和扇形轉(zhuǎn)子,與勵(lì)磁磁鏈方向相同[圖4(d)],合成磁鏈增加,磁密變大,相同電流下產(chǎn)生更大的磁場(chǎng)能量。
在位置點(diǎn)2,電流為零時(shí),HESSRM僅有永磁體產(chǎn)生磁鏈,磁密為0.742 6 T,如圖11(b)所示。小電流下,由于電勵(lì)磁的磁鏈方向與永磁體相反,磁鏈相互抵消,經(jīng)過(guò)位置點(diǎn)2的磁密變小,但是位置點(diǎn)2靠近永磁體,始終受永磁體較大的磁場(chǎng)影響,故該點(diǎn)磁密不能減小到0;在大電流下,永磁體和電勵(lì)磁產(chǎn)生的磁鏈方向相同,在A點(diǎn)時(shí)磁密曲線出現(xiàn)拐點(diǎn),此時(shí)A點(diǎn)電流為1 A,磁密為0.5 T。1~20 A時(shí),由于永磁體的偏置作用,飽和程度延遲,此時(shí)HESSRM飽和程度低于SSRM磁鏈。隨電流的繼續(xù)增大,由于位置點(diǎn)2處于極靴位置,是電機(jī)飽和最嚴(yán)重的位置,通電電流大于20 A以后兩電機(jī)的磁密大小接近,電機(jī)飽和程度相當(dāng)。
在位置點(diǎn)3、4時(shí),當(dāng)電流為零時(shí),HESSRM僅有永磁體產(chǎn)生磁鏈,磁密分別為0.402 1 T、0.228 7T,如圖11(c)和圖11(d)所示;小電流下,由于電勵(lì)磁的磁鏈方向與永磁體相反,且勵(lì)磁鏈磁鏈產(chǎn)生的磁鏈逐漸增大,直至相互抵消,經(jīng)過(guò)位置點(diǎn)2的磁密變小,直至為零。由于永磁體磁場(chǎng)偏置,飽和延遲,HESSRM磁密低于SSRM。
圖11 4個(gè)位置點(diǎn)飽和程度Fig.11 Comparisons of saturation degrees at four location points
事實(shí)上磁密的數(shù)值只有大小沒(méi)有方向。在圖11(c)和圖11(d)中,小電流下,即磁密B等于零的左邊,其磁鏈方向與大電流下相反。此時(shí)如果定義在大電流下磁密數(shù)值為正值,則相比大電流下電流下的磁密可定義為負(fù)值。傳統(tǒng)的SRM的操作范圍通常限于B-H平面的第一象限。通過(guò)添加少量磁性材料,HESSRM的工作范圍擴(kuò)展到第三象限,如圖12所示。整體上看HESSRM的飽和程度低于SSRM,電機(jī)操作范圍變大,從而增加給定轉(zhuǎn)矩的能力。
圖12 HESSRM與SSRM操作范圍對(duì)比Fig.12 Comparisons of operation ranges between HESSRM and SSRM
由式(7)可以看出,電機(jī)電磁轉(zhuǎn)矩的大小取決于磁共能的大小,磁共能大小則對(duì)應(yīng)ψ-i運(yùn)動(dòng)軌跡圍成的面積。圖13所示為在0~24 A電流激勵(lì)下,兩種電機(jī)對(duì)齊位置和不對(duì)齊位置的ψ-i曲線。
圖13 HESSRM與SSRM的ψmax、ψmin隨電流變化曲線Fig.13 ψ-i curves of ψmax and ψmin of HESSRM and SSRM
在相同相電流下,在不對(duì)齊位置上HESSRM磁鏈低于具有的傳統(tǒng)SSRM磁鏈,且電流小于5.3 A時(shí)HESSRM的相位磁鏈為負(fù)值,這是由于磁體的反向偏置效應(yīng)引起的飽和延遲。在對(duì)齊位置上HESSRM磁鏈?zhǔn)冀K低于SSRM的磁鏈值。HESSRM的ψ-i曲線所圍成的面積大于普通SSRM。這意味著HESSRM產(chǎn)生的轉(zhuǎn)矩大于普通SSRM。平均轉(zhuǎn)矩和轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)[19]可直觀反映電機(jī)性能的指標(biāo)。其中轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)可定義為
(13)
式(13)中:Tmax和Tmin分別為該周期內(nèi)的最大和最小轉(zhuǎn)矩;Tav為平均轉(zhuǎn)矩。
在相同的尺寸和控制方式下的傳統(tǒng)SSRM和HESSRM動(dòng)態(tài)轉(zhuǎn)矩特性如圖14所示。HESSRM相比SSRM其平均轉(zhuǎn)矩提高10.7%,轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)減少11.1%。這表明在定子槽口加入永磁體后極大提高了電機(jī)轉(zhuǎn)矩性能。
圖14 兩種電機(jī)轉(zhuǎn)矩波形對(duì)比Fig.14 Comparison of two motors torque waveforms
為了表征電機(jī)單位體積內(nèi)產(chǎn)生的電磁轉(zhuǎn)矩與通電電壓大小之間的關(guān)系,定義電機(jī)利用系數(shù)為
(14)
式(14)中:Ds為電機(jī)的外徑;la為電機(jī)鐵芯長(zhǎng)度。HESSRM與SSRM有相同的外徑Ds和電機(jī)鐵芯長(zhǎng)度la,當(dāng)繞組通有相同的電壓時(shí),Kv(i)正比于Tav,從而能夠直觀地比較兩者功率密度的大小。圖15所示為兩種電機(jī)的利用系數(shù)對(duì)比,可以看出,隨著電壓的增大,HESSRM的利用系數(shù)逐漸大于傳統(tǒng)SSRM,在大電壓區(qū)域優(yōu)勢(shì)更加明顯。
圖15 HESSRM與SSRM的電機(jī)利用系數(shù)對(duì)比Fig.15 Comparison of the utilization factor of two motors
為了提高SSRM的轉(zhuǎn)矩性能,在帶有分段轉(zhuǎn)子的12/8極開關(guān)磁阻電機(jī)的定子槽口沿圓周方向依次增設(shè)12塊永磁體,構(gòu)成一種新型的HESSRM。與傳統(tǒng)SSRM相比較,相同尺寸的HESSRM有以下優(yōu)勢(shì):
(1)平均轉(zhuǎn)矩提高10.7%,轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)減少11.1%。
(2)產(chǎn)生相同轉(zhuǎn)矩時(shí),HESSRM的定子極和定子軛飽和程度更低,操作范圍更寬。
(3)HESSRM的定子槽口加永磁體,幾乎沒(méi)有齒槽轉(zhuǎn)矩。
(4)電壓等級(jí)越高,HESSRM的利用系數(shù)越高。