增減材復(fù)合制造內(nèi)部缺陷的渦流檢測(cè)

王龍群，張璧，彭穎，謝國(guó)印，白倩，王義博

1. 大連理工大學(xué) 精密與特種加工教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，大連 116024 2. 南方科技大學(xué) 機(jī)械與能源工程系，深圳 518055 3. 中國(guó)航發(fā)西安航空發(fā)動(dòng)機(jī)有限公司 技術(shù)中心，西安 710021

增減材復(fù)合制造(Additive and Subtrac-tive Hybrid Manufacturing, ASHM)技術(shù)作為一種新型復(fù)合制造技術(shù)將增材制造與減材加工交替進(jìn)行[1-2]，較好地解決了增材成形工件形狀/尺寸精度低、成形表面質(zhì)量差等缺點(diǎn)。由于同時(shí)具備了增材和減材兩種工藝的優(yōu)勢(shì)，在航空航天、汽車(chē)工業(yè)、醫(yī)療器械等領(lǐng)域的應(yīng)用前景十分廣闊。

傳統(tǒng)增材過(guò)程中產(chǎn)生的內(nèi)部缺陷嚴(yán)重影響零件的拉伸強(qiáng)度、疲勞強(qiáng)度等力學(xué)性能[3]，特別是在要求苛刻的航空航天大型金屬構(gòu)件制造領(lǐng)域[4]。在增減材復(fù)合制造工藝中引入一種在線(xiàn)檢測(cè)技術(shù)，及時(shí)發(fā)現(xiàn)成形過(guò)程中產(chǎn)生的內(nèi)部缺陷并利用減材技術(shù)將其去除，是提高增減材復(fù)合制造零件使用性能的有效手段[5-6]。

目前，國(guó)內(nèi)外學(xué)者對(duì)增材成形缺陷的在線(xiàn)檢測(cè)技術(shù)展開(kāi)了大量研究：Hirsch等[7]利用空間分辨聲光譜法，實(shí)現(xiàn)了對(duì)高溫合金增材件表面裂紋的直接檢測(cè)；Rieder等[8]研發(fā)了廣義B-cans超聲波檢測(cè)系統(tǒng)，利用超聲波回波實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)熔融和缺陷成形過(guò)程；Zanini等[9]將X射線(xiàn)計(jì)算機(jī)斷層掃描技術(shù)應(yīng)用于Ti-6Al-4V鈦合金增材件的檢測(cè)中，實(shí)現(xiàn)了對(duì)增材件孔隙率和微小缺陷的檢測(cè)。然而空間分辨聲光譜法更適用于深度不超過(guò)100 μm的表面缺陷檢測(cè)；超聲波檢測(cè)所需的耦合劑容易污染金屬粉末[10]；X射線(xiàn)檢測(cè)雖然能夠清晰準(zhǔn)確地得到工件內(nèi)部的缺陷信息，但斷層掃描的數(shù)據(jù)處理耗時(shí)較長(zhǎng)，且工業(yè)級(jí)的掃描設(shè)備價(jià)格昂貴，體積龐大難以集成[11]。

渦流檢測(cè)(Eddy Current Testing, ECT)技術(shù)是一種依靠電磁感應(yīng)原理來(lái)進(jìn)行檢測(cè)的非接觸無(wú)損檢測(cè)技術(shù)[12]，在航空航天、石油工業(yè)和核工業(yè)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用[13-14]。然而由于檢測(cè)深度的限制，現(xiàn)有的渦流檢測(cè)技術(shù)主要應(yīng)用于表面、亞表面損傷的檢測(cè)，對(duì)于內(nèi)部缺陷的渦流檢測(cè)方法罕見(jiàn)報(bào)道。增減材復(fù)合制造增材與加工交替進(jìn)行的特點(diǎn)使得采用渦流技術(shù)檢測(cè)內(nèi)部缺陷成為可能。通過(guò)集成渦流檢測(cè)技術(shù)，ASHM工藝可以在增材工序沉積一定厚度之后，利用渦流檢測(cè)技術(shù)進(jìn)行缺陷檢測(cè)，如發(fā)現(xiàn)內(nèi)部缺陷則可利用減材工序?qū)⑵淙コ?。但由于渦流檢測(cè)的有效檢測(cè)深度有限，為確保缺陷檢出率，每次增材工序中新沉積層的厚度應(yīng)小于渦流檢測(cè)的有效檢測(cè)深度[15]。因此有必要研究?jī)?nèi)部缺陷深度與渦流檢測(cè)信號(hào)之間的規(guī)律，從而確定合理的新增材沉積層厚度。此外，與一般工作環(huán)境不同，增減材復(fù)合制造中檢測(cè)表面的余溫較高，為降低高溫對(duì)探頭壽命和檢測(cè)精度的影響，需采用較大的提離量，因此有必要研究提離量對(duì)缺陷渦流檢測(cè)的影響。

本文基于無(wú)缺陷鈦合金增材試樣內(nèi)部渦流分布的理想解析模型，研究了渦流密度沿試樣深度的分布規(guī)律，并使用ASHM技術(shù)制備了內(nèi)部含有人工缺陷的試樣進(jìn)行渦流檢測(cè)實(shí)驗(yàn)，研究檢測(cè)信號(hào)與缺陷深度、激勵(lì)頻率和提離量之間的關(guān)系，為渦流檢測(cè)技術(shù)與增減材復(fù)合制造的集成提供理論依據(jù)。

1 無(wú)缺陷鈦合金增材試樣內(nèi)部渦流分布

在實(shí)際渦流檢測(cè)過(guò)程中，缺陷的幾何特征往往較為復(fù)雜，檢測(cè)探頭通常使用結(jié)構(gòu)復(fù)雜的磁芯，難以采用解析法對(duì)渦流場(chǎng)進(jìn)行信號(hào)求解和參數(shù)分析，所以在電磁場(chǎng)理論分析中常常使用理想化的模型[16]。由場(chǎng)論分析可知，當(dāng)試樣內(nèi)部的缺陷尺寸與形狀確定時(shí)，線(xiàn)圈的阻抗增量只與缺陷處的完好場(chǎng)渦流(即無(wú)缺陷時(shí)，線(xiàn)圈在試樣內(nèi)部激發(fā)的初始渦流場(chǎng))分布有關(guān)[17]。因此，建立無(wú)缺陷情況下的渦流分布解析模型可獲得增材成形件內(nèi)部缺陷檢測(cè)的一般規(guī)律。

建立無(wú)缺陷半無(wú)限大試樣內(nèi)部渦流分布的理想解析模型，如圖1所示。圖中，待檢測(cè)的試樣為增材成形的Ti-6Al-4V鈦合金試樣，由于試樣檢測(cè)表面的面積遠(yuǎn)大于檢測(cè)探頭尺寸，所以可將其視為半無(wú)限大導(dǎo)體；檢測(cè)探頭簡(jiǎn)化為平置于試樣上方的空芯圓柱線(xiàn)圈，內(nèi)通電流密度為Js的交流激勵(lì)；線(xiàn)圈與檢測(cè)表面的距離即提離量為L(zhǎng)；線(xiàn)圈內(nèi)半徑為R1，外半徑為R2，高為H。為進(jìn)一步簡(jiǎn)化計(jì)算，取Js為1 A/m2，R1為0.5 mm，R2為1.5 mm，H為1 mm。模型中，各場(chǎng)域內(nèi)的電磁場(chǎng)均為軸對(duì)稱(chēng)分布，分析所用坐標(biāo)系為圓柱坐標(biāo)系(ρ,θ,z)，ρ、θ、z分別為徑向距離、方位角和深度。

圖1 無(wú)缺陷半無(wú)限大試樣解析模型Fig.1 Analytical model of semi-infinite sample without defects

麥克斯韋方程組是描述電磁場(chǎng)問(wèn)題的基礎(chǔ)理論依據(jù)。在時(shí)諧電磁場(chǎng)中，取旋轉(zhuǎn)因子為ejωt并忽略位移電流，ω為激勵(lì)電流的角頻率，則圖1各場(chǎng)量滿(mǎn)足的復(fù)數(shù)形式麥克斯韋方程組可表示為(本文省略了復(fù)矢量上方的圓點(diǎn)‘·’)：

(1)

(2)

(3)

(4)

式中：E為電場(chǎng)強(qiáng)度；H為磁場(chǎng)強(qiáng)度；B為磁感應(yīng)強(qiáng)度；D為電位移矢量；J為電流密度。由于試樣材料Ti-6Al-4V為非鐵磁性材料，相對(duì)磁導(dǎo)率可取為1[18]。相應(yīng)的，本構(gòu)關(guān)系式變?yōu)?/p>

D=ε0E

(5)

B=μ0H

(6)

J=σE

(7)

式中：ε0為真空介電常數(shù)，取8.854×10-12F/m；μ0為真空磁導(dǎo)率，取4π×10-7H/m；σ為增材成形的Ti-6Al-4V電導(dǎo)率，在常溫條件下測(cè)量為0.423 7×106S/m。

模型中只在上半空間的空氣域和下半空間的導(dǎo)體域之間存在交界面。設(shè)下標(biāo)1和2分別代表為交界面上下兩側(cè)的不同場(chǎng)域，n12表示交界面上的單位法向量，q為自由電荷面密度，則交界面兩側(cè)處的邊界條件可寫(xiě)成[19]

n12×(H2-H1)=0

(8)

n12×(E2-E1)=0

(9)

n12·(D2-D1)=q

(10)

n12·(B2-B1)=0

(11)

一般來(lái)說(shuō)，直接求解上述時(shí)變電磁場(chǎng)邊值問(wèn)題比較困難，需要引入輔助位函數(shù)矢量磁位A與標(biāo)量電位φ。求解輔助位函數(shù)之后，即可得到唯一確定的電場(chǎng)強(qiáng)度[20]:

(12)

文獻(xiàn)[21]通過(guò)對(duì)圓環(huán)線(xiàn)圈的矢量磁位進(jìn)行積分的方法，給出了無(wú)缺陷半無(wú)限大試樣內(nèi)部任一點(diǎn)(ρ,z)處的矢量磁位A(ρ,z)的表達(dá)式為[21]

(13)

最后，由式(7)和式(12)以及洛倫茲規(guī)范可知，均勻試樣內(nèi)部某一點(diǎn)處的渦流密度為

J(ρ,z)=-jωσA(ρ,z)

(14)

當(dāng)提離量L為0.05 mm，ρ為1 mm時(shí)，分別取激勵(lì)頻率f=200，800，1 500 kHz，可得無(wú)缺陷鈦合金增材試樣內(nèi)部一點(diǎn)處完好場(chǎng)渦流幅值A(chǔ)BS(J)與該點(diǎn)深度z之間的關(guān)系，如圖2所示?？梢钥闯?，當(dāng)場(chǎng)點(diǎn)的深度較淺時(shí)，激勵(lì)頻率越高，完好場(chǎng)渦流幅值就越大；不同激勵(lì)頻率下試樣內(nèi)部完好場(chǎng)渦流幅值均隨場(chǎng)點(diǎn)深度z增大而衰減；高頻激勵(lì)下完好場(chǎng)渦流幅值沿深度方向衰減的速度更快，這使得場(chǎng)點(diǎn)深度較深時(shí)，高頻激勵(lì)的完好場(chǎng)渦流幅值會(huì)低于低頻激勵(lì)的完好場(chǎng)渦流幅值。如圖2中所示，當(dāng)場(chǎng)點(diǎn)位于試樣表面z=0 mm時(shí)，3種不同激勵(lì)頻率條件里，高頻激勵(lì)f=1 500 kHz的渦流幅值最大，為0.495 8 A/m2；但當(dāng)場(chǎng)點(diǎn)深度z=2.6 mm時(shí)，高頻激勵(lì)f=1 500 kHz條件下的渦流幅值最小，僅為0.002 2 A/m2。因此，在缺陷尺寸/形狀特征一定的前提下，根據(jù)完好場(chǎng)渦流分布與缺陷引起的線(xiàn)圈阻抗增量關(guān)系可推得：當(dāng)缺陷較淺時(shí)，激勵(lì)頻率越高，缺陷引起的阻抗增量信號(hào)就越強(qiáng)；不同激勵(lì)頻率下，缺陷引起的阻抗增量信號(hào)均隨缺陷深度的增加而減??；且高激勵(lì)頻率下阻抗增量信號(hào)的變化量更大。綜上所述，高頻適用于淺表層缺陷檢測(cè)，低頻則更適用于對(duì)較深的內(nèi)部缺陷進(jìn)行檢測(cè)。

為研究一般規(guī)律，當(dāng)激勵(lì)頻率f=800 kHz、ρ=1 mm時(shí)，分別取提離量L=0.05，1.00，1.50 mm，可得無(wú)缺陷鈦合金增材試樣內(nèi)部一點(diǎn)處渦流幅值A(chǔ)BS(J)與該點(diǎn)深度z之間的關(guān)系，如圖3所示。3種提離量下的完好場(chǎng)渦流幅值均呈現(xiàn)隨深度z的增加而衰減的趨勢(shì)；深度z相同時(shí)，提離量越小，完好場(chǎng)的渦流幅值越大；而隨著深度的增加，不同提離量下完好場(chǎng)的渦流幅值逐漸趨于接近。因此同樣可以推出：提離量越小，缺陷擾動(dòng)場(chǎng)引起的阻抗增量信號(hào)就越強(qiáng)；但當(dāng)缺陷所處位置較深時(shí)，不同提離量下的阻抗增量信號(hào)相差不大。

圖2 激勵(lì)頻率對(duì)無(wú)缺陷半無(wú)限大試樣內(nèi)部渦流 分布的影響Fig.2 Effect of excitation frequencies on internal eddy current distribution in semi-infinite sample without defects

圖3 提離量對(duì)無(wú)缺陷半無(wú)限大試樣內(nèi)部渦流 分布的影響Fig.3 Effect of lift-off distances on internal eddy current distribution in semi-infinite sample without defects

根據(jù)以上分析，激勵(lì)頻率和提離量等檢測(cè)參數(shù)對(duì)無(wú)缺陷試樣內(nèi)部渦流場(chǎng)沿深度方向的分布影響很大，進(jìn)而影響了ECT的有效檢測(cè)深度。因此，制備了內(nèi)含人工缺陷的鈦合金增材試樣，研究激勵(lì)頻率和提離量對(duì)內(nèi)部缺陷檢測(cè)深度的影響。

2 實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證

2.1 實(shí)驗(yàn)設(shè)備

圖4(a)為實(shí)驗(yàn)所用的渦流檢測(cè)系統(tǒng)，該系統(tǒng)由GE Mentor EM渦流檢測(cè)儀、待檢測(cè)試樣、三軸CNC數(shù)控系統(tǒng)和三點(diǎn)調(diào)平臺(tái)組成。圖4(b)為實(shí)驗(yàn)所用的絕對(duì)式檢測(cè)探頭結(jié)構(gòu)示意圖，該探頭線(xiàn)圈為圓柱線(xiàn)圈，線(xiàn)圈匝數(shù)為110匝，尺寸參數(shù)如表1所示。由于渦流檢測(cè)過(guò)程中阻抗信號(hào)對(duì)于提離量的變化較為敏感[22]，因此本文使用由三軸CNC數(shù)控系統(tǒng)改造而成的移動(dòng)平臺(tái)，結(jié)合三點(diǎn)調(diào)平臺(tái)從而保證實(shí)驗(yàn)過(guò)程中固定的提離量。

圖4 ECT實(shí)驗(yàn)設(shè)備Fig.4 ECT experimental setup

表1 ECT探頭尺寸
Table 1 Dimensions of ECT probe

參數(shù)內(nèi)徑/mm外徑/mm高度/mm圓柱線(xiàn)圈1.602.521.10磁芯1.524.32外殼2.803.683.80

2.2 試樣制備及檢測(cè)

現(xiàn)有渦流檢測(cè)研究中大多采用貫通的槽狀表面人工缺陷進(jìn)行檢測(cè)實(shí)驗(yàn)[2, 23]，然而增材制造缺陷通常存在于零件內(nèi)部且常近似為孔形，因此本文制備了帶有亞表面斜孔的人工缺陷試樣，用以研究不同深度孔形缺陷對(duì)檢測(cè)信號(hào)的影響。

由于常溫條件下增材成形的Ti-6Al-4V電導(dǎo)率略低于標(biāo)準(zhǔn)電導(dǎo)率，因此本文采用基于激光直接沉積技術(shù)的ASHM工藝制備人工缺陷試樣，如圖5所示。首先采用圖5(a)中的激光增材策略逐層成形出試樣基體；增材成形后將試樣基體從基板上切下，如圖5(b)所示；然后，利用減材技術(shù)去除圖5(c)中粗糙的增材表面，并加工出孔型人工缺 陷和檢測(cè)表面；制備得到的內(nèi)含孔型人工缺陷的鈦合金ASHM試樣如圖5(d)所示。

圖6為ASHM加工完成后內(nèi)含人工缺陷的試樣示意圖。圖6(a)中試樣檢測(cè)表面下方分別加工有4個(gè)直徑不同但傾斜角度一樣的孔型人工缺陷：孔1(直徑0.4 mm)、孔2(直徑0.8 mm)、孔3(直徑1.2 mm)、孔4(直徑1.6 mm)；試樣尺寸如圖6(c)所示。在試樣的檢測(cè)表面上建立如圖6(a)、圖6(b)中所示的坐標(biāo)系并采用圖4中的渦流檢測(cè)系統(tǒng)對(duì)該檢測(cè)表面進(jìn)行掃描實(shí)驗(yàn)，掃描路徑如圖6(b)中藍(lán)線(xiàn)所示，掃描方向沿x方向，掃描步長(zhǎng)為48 mm，掃描路徑間隔ds為0.5 mm。圖6(d)為孔型人工缺陷的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，各孔與檢測(cè)表面的夾角均為β，當(dāng)ECT探頭在檢測(cè)表面上掃描時(shí)，探頭正下方的孔型人工缺陷的深度d與探頭所在位置的坐標(biāo)值y的關(guān)系為

圖5 人工缺陷試樣的制備Fig.5 Preparation of artificial-defect sample

圖6 人工缺陷試樣示意圖(單位:mm)Fig.6 Schematic of artificial-defect sample (Unit: mm)

d=d0cosβ+[d0sinβ+(16-y)]tanβ

(15)

式中：d0=0.3 mm；β=10.5°。

2.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論

在渦流檢測(cè)過(guò)程中，導(dǎo)體內(nèi)的渦流場(chǎng)主要集中在線(xiàn)圈下方，由于實(shí)驗(yàn)所用探頭尺寸遠(yuǎn)小于試樣寬度，因此忽略孔型缺陷其他部分對(duì)檢測(cè)信號(hào)的影響。在提離量為0.57 mm的條件下，分別選取60、90、120、150 kHz的激勵(lì)頻率進(jìn)行渦流檢測(cè)實(shí)驗(yàn)，得到不同頻率下4個(gè)孔型缺陷產(chǎn)生的電抗增量信號(hào)與深度的關(guān)系如圖7所示。為便于分析，取激勵(lì)頻率為120 kHz，缺陷深度為0.95 mm時(shí)孔4的電抗增量ΔXmax為歸一化因子，對(duì)實(shí)驗(yàn)所得的電抗增量信號(hào)進(jìn)行歸一化處理，即各點(diǎn)電抗增量ΔXi/ΔXmax。由實(shí)驗(yàn)結(jié)果可以看出，孔型缺陷深度較淺時(shí)，高激勵(lì)頻率條件下缺陷產(chǎn)生的電抗增量信號(hào)強(qiáng)度較大；不同激勵(lì)頻率條件下，0.4～1.6 mm直徑的孔型缺陷產(chǎn)生的電抗增量信號(hào)強(qiáng)度均隨其深度的增加而減??；但高激勵(lì)頻率下電抗增量信號(hào)強(qiáng)度的變化量更大，這就使得缺陷較深時(shí)高頻激勵(lì)的電抗增量信號(hào)強(qiáng)度反而低于低頻激勵(lì)的電抗增量信號(hào)強(qiáng)度，該規(guī)律與圖2中激勵(lì)頻率對(duì)試樣內(nèi)部渦流幅值分布的影響相一致。由實(shí)驗(yàn)結(jié)果可知，隨著激勵(lì)頻率的增加，有效檢測(cè)深度逐漸減小。雖然有效檢測(cè)深度與缺陷尺寸、提離量以及儀器靈敏度等因素有關(guān)，但其變化規(guī)律與標(biāo)準(zhǔn)滲透深度隨激勵(lì)頻率的增加而減小的規(guī)律相一致[12]。

圖7 激勵(lì)頻率對(duì)不同深度內(nèi)部缺陷ECT信號(hào)的影響Fig.7 Effect of excitation frequencies on ECT signal of internal defects at different depths

由圖2的理論分析可知，缺陷深度較淺的條件下激勵(lì)頻率越高電抗增量信號(hào)越大；缺陷深度較深的條件下，激勵(lì)頻率越低電抗增量信號(hào)越大。由于孔3和孔4的直徑較大而無(wú)法被視為一點(diǎn)，實(shí)際平均深度較大，導(dǎo)致150 kHz條件下的電抗增量信號(hào)略小于120 kHz。此外，由于頻率較低時(shí)渦流場(chǎng)分散于試件中較大的范圍內(nèi)，同樣功率激發(fā)的渦流密度低得多, 導(dǎo)致缺陷信號(hào)強(qiáng)度較弱[24]，因此60 kHz的曲線(xiàn)在缺陷位置較淺時(shí)與其他3條曲線(xiàn)存在偏離，且采用60 kHz的激勵(lì)頻率檢測(cè)孔1時(shí)，無(wú)法得到有效的缺陷信號(hào)。綜上所述，實(shí)際檢測(cè)中當(dāng)內(nèi)部缺陷位置較淺時(shí)，高頻激勵(lì)的檢測(cè)效果更好，而對(duì)于較深的內(nèi)部缺陷則宜降低激勵(lì)頻率；但為保證分辨率，激勵(lì)頻率取值也不宜過(guò)低；本實(shí)驗(yàn)中各直徑的孔型缺陷的最大檢測(cè)深度均在90 kHz附近取得。所以，ASHM-ECT工藝中每次增材工序新沉積層的層厚應(yīng)與所選擇的檢測(cè)頻率相匹配。

在ASHM的加工過(guò)程中，檢測(cè)表面的溫度較高，ECT探頭越接近工件，其所需承受的溫度越高，因而有必要設(shè)置合理的檢測(cè)提離量。本文在激勵(lì)頻率為90 kHz的條件下，分別選取提離量為0.57、0.77和0.97 mm進(jìn)行渦流檢測(cè)實(shí)驗(yàn)，結(jié)果如圖8所示。該結(jié)果與圖3中的不同提離量條件下試樣內(nèi)部渦流分布規(guī)律相一致：不同提離量條件下，0.4～1.6 mm直徑的孔型缺陷產(chǎn)生的電抗增量信號(hào)強(qiáng)度均隨缺陷深度的增加而減??；而對(duì)于深度和直徑固定的孔型缺陷來(lái)說(shuō)，提離量越小，電抗增量信號(hào)強(qiáng)度越大；當(dāng)缺陷較深時(shí)，不同提離量條件下的電抗增量信號(hào)強(qiáng)度相差不大。以本實(shí)驗(yàn)結(jié)果中孔1(直徑0.4 mm)為例，當(dāng)提離量從0.57 mm增大到0.97 mm時(shí)，最大檢測(cè)深度僅從1.6 mm減少到1.5 mm，只降低了6.25%。因此，在實(shí)際的ASHM-ECT工藝中檢測(cè)較深的內(nèi)部缺陷時(shí)可以適當(dāng)提高提離量，從而降低探頭的高溫?fù)p耗和環(huán)境溫度變化的干擾。

圖8 提離量對(duì)不同深度內(nèi)部缺陷ECT信號(hào)的影響Fig.8 Effect of lift-off distances on ECT signal of internal defects at different depths

3 結(jié) 論

1) 在鈦合金增材試樣內(nèi)部缺陷檢測(cè)中，不同激勵(lì)頻率條件下，缺陷產(chǎn)生的電抗增量信號(hào)強(qiáng)度均隨其深度的增加而減小，且高激勵(lì)頻率下電抗增量信號(hào)強(qiáng)度的變化量更大，這將使缺陷較深時(shí)高頻激勵(lì)的電抗增量信號(hào)強(qiáng)度反而小于低頻激勵(lì)的電抗增量信號(hào)強(qiáng)度。因此，淺表層缺陷檢測(cè)應(yīng)使用高頻激勵(lì)，而深層內(nèi)部缺陷檢測(cè)則應(yīng)在儀器分辨率的基礎(chǔ)上適當(dāng)降低激勵(lì)頻率，增材沉積層厚度的確定需要考慮ECT檢測(cè)深度及頻率。

2) 在鈦合金增材試樣內(nèi)部缺陷檢測(cè)中，當(dāng)內(nèi)部缺陷較深時(shí)，不同提離量下缺陷產(chǎn)生的電抗增量信號(hào)強(qiáng)度相差不大。在本文實(shí)驗(yàn)條件下，當(dāng)提離量從0.57 mm增加到0.97 mm時(shí)，直徑為0.4 mm的孔型缺陷的有效檢測(cè)深度僅減小了6.25%。因此在增減材復(fù)合制造中可以采用較大的提離量從而減小增材余熱對(duì)檢測(cè)探頭的損害。