兩步溶液法制備硫氰化亞銅的創(chuàng)新性研究

劉宗航

（山東 臨沂 276000）

硫氰化亞銅作為一種優(yōu)良的防熱材料，對于三芳胺類材料不耐高溫的性質(zhì)能夠起到補足作用，由于三芳胺材料無法在溫度較高的條件下使用，為了提高三芳胺類空穴傳輸材料的性能，通過高質(zhì)量納米級硫氰化亞銅的引入，增大三芳胺類空穴傳輸材料的穩(wěn)定性，以提升其使用性能。

通過旋涂法，有機荻原反應(yīng)，金屬催化加聚反應(yīng)，高溫退火附著等方法合成高性能光電池，通過使用TEM，SEM，XRD等儀器檢測鑒定納米硫氰化亞銅結(jié)構(gòu)，進而通過物理手段與不同種三芳胺類衍生物進行復(fù)合，在金屬電極制備方面使用納米金膜進行覆蓋，擺脫了普通電極無法較好的吸收光能的缺陷，提高了光電池整體的吸光效率。

硫氰化亞銅作為一種良好的感光材料、半導(dǎo)體材料已經(jīng)深入的應(yīng)用到光電池行列，陳文麗[1]對CuSCN進行制備，采用連二亞硫酸鈉作為兩部溶液法的還原劑，并對CuSCN作為納米結(jié)構(gòu)器件對光的敏感程度進行分析，發(fā)現(xiàn)在390nm紫外光處有較強的光響應(yīng)程度。

亓媛媛[2]通過對近些年合成CuSCN的化學(xué)法以及電化學(xué)法進行研究，同事探討了CuSCN的結(jié)構(gòu)，充分的研討了CuSCN的光學(xué)和電化學(xué)上的性質(zhì)。吳鑫[3]等人對價格更加低廉的C電極/CuSCN進行報道，功能轉(zhuǎn)化效率最高達到了17.58%，保證了穩(wěn)定性和填充因子的數(shù)量程度。Lv[4]等人通過對CuSCN/C進行光電池的替換，提高了太陽能電池的電流密度和填充因子，轉(zhuǎn)化效率提升了29%。Towhid[5]等人報道了一種低溫處理的石墨烯氧化物（R-GO）/CuSCN雙層空穴傳輸材料進行光電池的制備，得到了一種功率轉(zhuǎn)化效率達14.28%的光電池，同時穩(wěn)定性得到了有效的增強。

1 實驗部分

（1）試劑與儀器

表1 試劑種類

表2 儀器分類

（2）實驗過程

第一組：將CuSO4和KSCN按1：1.05（摩爾比）直接投入反應(yīng)器中，生成CuSCN，加入水在離心機內(nèi)洗滌一次，最后用乙醚進行洗滌，得到CuSCN樣品。

第二組：將CuSO4和NaBH4進行1：1的投比反應(yīng)，再加入相同摩爾量的KSCN，生成CuSCN，加入水在離心機內(nèi)洗滌一次，最后用乙醚進行洗滌，得到CuSCN樣品。

圖1 不同放大倍數(shù)下的CuSCN的SEM圖

圖2 不同放大倍數(shù)下的CuSCN的TEM圖

2 結(jié)論

（1）對KSCN/CuSO4所制備的CuSCN的晶格常數(shù)為a=3.857，b=3.857，c=16.449， 晶 格 角 度 α=90 °，β=90 °，γ=120°，屬于六方晶系。KSCN（NaBH4）/CuSO4所制備的CuSCN的晶格常數(shù)為a=3.857，b=3.857，c=16.449，晶格角度α=90°，β=90°，γ=120°。但是對于雜峰來說，傳統(tǒng)方法所制備的CuSCN的更加具有雜峰。

（2）對KSCN/CuSO4所制備的CuSCN的晶粒尺寸進行分析平均直徑為73.16nm；KSCN（NaBH4）/CuSO4所制備的CuSCN的平均直徑為220nm。