基于超聲環(huán)陣相控陣的變孔徑聚焦檢測(cè)技術(shù)

沙正驍 ， 梁 菁 ， 李 彥

（1. 中國(guó)航發(fā)北京航空材料研究院，北京 100095；2. 航空材料檢測(cè)與評(píng)價(jià)北京市重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，北京 100095；3. 材料檢測(cè)與評(píng)價(jià)航空科技重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，北京 100095）

0 引言

在航空發(fā)動(dòng)機(jī)的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)件中，對(duì)缺陷的檢測(cè)靈敏度具有極高的要求，特別是對(duì)于粉末高溫合金渦輪盤[1-3]等關(guān)鍵的熱端部件，任何一個(gè)微小缺陷的漏檢都可能產(chǎn)生災(zāi)難性后果。1980年，美國(guó)F404發(fā)動(dòng)機(jī)的René 95粉末冶金渦輪盤破裂，使TF/A-18飛機(jī)墜毀，發(fā)生空難事故[4]，調(diào)查結(jié)果表明,事故的重要原因之一就是渦輪盤中的夾雜物缺陷引起的疲勞壽命[5-8]降低。

針對(duì)粉末盤的檢測(cè)需求，多年來(lái)粉末材料無(wú)損檢測(cè)技術(shù)研究主要圍繞提高小缺陷檢測(cè)能力[9-10]（即檢測(cè)靈敏度）進(jìn)行。聚焦可以使超聲在局部產(chǎn)生聲能量的聚集，極大地提高信噪比和檢測(cè)靈敏度。目前，為了保證檢測(cè)的高靈敏度，國(guó)內(nèi)外航空發(fā)動(dòng)機(jī)中的粉末渦輪盤等關(guān)鍵盤件全部采用水浸聚焦檢測(cè)技術(shù)進(jìn)行超聲檢測(cè)，同時(shí)采用分區(qū)域聚焦方式，解決被測(cè)試件全深度焦區(qū)覆蓋的問(wèn)題。

在此基礎(chǔ)上，德國(guó)Fraunhofer無(wú)損檢測(cè)研究所、加拿大R/D公司和美國(guó)GEIT陸續(xù)研究開發(fā)了超聲相控陣檢測(cè)技術(shù)[11]。該技術(shù)采用多晶片電子控制聲場(chǎng)原理，用一個(gè)探頭一次掃查，就能替代傳統(tǒng)分區(qū)聚焦多個(gè)探頭多次掃描，具備很高的檢測(cè)精度和檢測(cè)效率[12]。

雖然如此，但由于檢測(cè)時(shí)焦點(diǎn)尺寸過(guò)小，導(dǎo)致焦區(qū)范圍窄，使該技術(shù)在檢測(cè)時(shí)存在靈敏度波動(dòng)劇烈、材料噪聲不易控制、掃查間距小等問(wèn)題[13-14]，制約了其在實(shí)際粉末盤檢測(cè)中的廣泛應(yīng)用。

本研究從聲學(xué)理論出發(fā)，研究影響焦點(diǎn)控制的主要因素，提出變孔徑超聲相控陣聚焦檢測(cè)方法，在傳統(tǒng)的超聲相控陣檢測(cè)技術(shù)基礎(chǔ)上進(jìn)一步改善靈敏度一致性、近表面分辨力和焦點(diǎn)尺寸一致性等特性。通過(guò)在人工缺陷對(duì)比試塊和實(shí)際粉末盤上的檢測(cè)試驗(yàn)，驗(yàn)證該方法的可行性和有效性。

1 理論分析

在利用環(huán)形相控陣探頭進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，主要通過(guò)控制每個(gè)環(huán)形晶片的激勵(lì)時(shí)間，達(dá)到控制焦點(diǎn)數(shù)量和位置的目的。與之相對(duì)的是傳統(tǒng)的聚焦探頭通過(guò)在平探頭前端附加帶曲率的透鏡實(shí)現(xiàn)聚焦。從某種意義上說(shuō)，一個(gè)環(huán)形相控陣探頭的輻射聲場(chǎng)等效于一個(gè)普通平探頭前端附加一個(gè)可以調(diào)節(jié)曲率的透鏡。因此，環(huán)形相控陣探頭仍然遵循常規(guī)超聲聚焦的理論。

根據(jù)超聲聚焦理論，將聲壓降低到最大值–6 dB時(shí)在直徑上的擴(kuò)散寬度作為焦點(diǎn)直徑，其計(jì)算方法見(jiàn)式（1）。

式中：λ為波長(zhǎng)，mm；F為焦距，mm；D為晶片直徑，mm?？梢钥闯觯睆剑纯讖剑?huì)對(duì)聚焦聲場(chǎng)的形狀產(chǎn)生較大的影響。在焦距固定的情況下，孔徑越大焦點(diǎn)尺寸越?。辉诳讖焦潭〞r(shí)，焦距越短，焦點(diǎn)尺寸越小。

采用環(huán)形相控陣探頭時(shí)，無(wú)論聚焦于近表面還是材料深處，往往使用全部晶片，所用孔徑均相同。這使環(huán)形相控陣探頭在檢測(cè)不同深度區(qū)域時(shí)，焦點(diǎn)尺寸發(fā)生很大變化，同一個(gè)聚焦法則內(nèi)，靠近入射面的檢測(cè)分區(qū)和靠近底面的檢測(cè)分區(qū)，焦點(diǎn)尺寸可能會(huì)相差數(shù)倍。這一點(diǎn)對(duì)于實(shí)際的檢測(cè)是不利的。須知檢測(cè)時(shí)掃查間距是根據(jù)所用探頭的焦點(diǎn)尺寸設(shè)置的，如果不同分區(qū)的焦點(diǎn)尺寸不同，則為了保證所有被檢區(qū)域的有效覆蓋，必須以最小焦點(diǎn)尺寸作為控制條件，對(duì)于材料內(nèi)部而言，掃查間距遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于焦點(diǎn)尺寸，相鄰采樣點(diǎn)間有很大重疊，極大影響了檢測(cè)的效率。

為了解決這一問(wèn)題，可以通過(guò)控制聚焦法則，改變相控陣探頭的孔徑實(shí)現(xiàn)。當(dāng)焦點(diǎn)位于近表面時(shí)，使用小的孔徑；當(dāng)焦點(diǎn)位于較深處時(shí)，使用較大的孔徑，使焦點(diǎn)尺寸在整個(gè)檢測(cè)深度范圍內(nèi)相對(duì)一致。

根據(jù)式（1），如果固定焦距和孔徑的比值，則可以得到相似的焦點(diǎn)直徑。

除了焦點(diǎn)直徑外，聚焦的強(qiáng)度也會(huì)對(duì)檢測(cè)有影響，為了表征聚焦的強(qiáng)度，定義歸一化的焦距[11]：

式中，N為近場(chǎng)長(zhǎng)度，mm。

對(duì)于聚焦探頭，焦距應(yīng)小于近場(chǎng)長(zhǎng)度，因此SF的取值為0～1之間，值越小聚焦的效果越強(qiáng)。對(duì)于常規(guī)的聚焦探頭，可以按歸一化焦距將其分為弱聚焦（0.66

式中，IF為聚焦探頭焦點(diǎn)處的聲場(chǎng)強(qiáng)度，IN為平探頭近場(chǎng)點(diǎn)的聲場(chǎng)強(qiáng)度。可以看出，對(duì)于一定的SF，聲場(chǎng)的相對(duì)強(qiáng)度不變。

2 試驗(yàn)?zāi)M

根據(jù)上述理論分析，提出了兩種超聲環(huán)形相控陣的變孔徑聚焦檢測(cè)方法：

1）在設(shè)計(jì)聚焦法則時(shí)，固定焦距與孔徑的比值，以獲得一致的焦點(diǎn)直徑和焦柱長(zhǎng)度。

2）在設(shè)計(jì)聚焦法則時(shí)，固定焦距與孔徑平方（近場(chǎng)長(zhǎng)度）的比值，以獲得一致的聚焦強(qiáng)度。

為了研究變孔徑聚焦檢測(cè)的效果，首先采用模擬軟件（CIVA）對(duì)探頭的聲場(chǎng)進(jìn)行模擬。模擬時(shí)采用相同的環(huán)形相控陣探頭，設(shè)計(jì)不同的聚焦法則，計(jì)算探頭發(fā)射、接收和合成聲場(chǎng)。

設(shè)計(jì)了3組不同的試驗(yàn)：第1組是采用相同的孔徑聚焦到不同的深度；第2組是在變化聚焦深度時(shí)，通過(guò)控制激勵(lì)的晶片數(shù)改變孔徑，在這一過(guò)程中保持焦距和孔徑之比不變；第3組是在變化聚焦深度時(shí)，改變孔徑保持焦距和近場(chǎng)長(zhǎng)度之比不變。3組試驗(yàn)?zāi)M的參數(shù)見(jiàn)表1。

表 1 孔徑與聚焦深度變化模擬參數(shù)表Table 1 Simulation parameters for different aperture and focal depth

2.1 距離幅度特性

第1組模擬試驗(yàn)采用了固定的孔徑，即不同聚焦深度時(shí)采用相同的孔徑?？梢钥吹剑?dāng)聚焦深度較淺時(shí)，聲場(chǎng)的能量高度集中，從軸向看聲場(chǎng)分布在很小的焦區(qū)范圍，而在此范圍外聲束則嚴(yán)重發(fā)散。隨聚焦深度的增加，聲場(chǎng)整體表現(xiàn)出更好的遠(yuǎn)場(chǎng)指向性，同時(shí)聚焦效果逐漸降低，焦區(qū)的軸向尺寸隨聚焦深度的增加而增大。此外，還可以看出當(dāng)聚焦深度變化時(shí)，焦點(diǎn)處聲場(chǎng)的最大幅度有較大的波動(dòng)，約為5 dB（圖1a）。

第2組模擬試驗(yàn)是根據(jù)聚焦深度的變化選擇適當(dāng)?shù)木瑪?shù)量，進(jìn)而在檢測(cè)時(shí)始終保證焦距與探頭孔徑的比值保持不變?？梢钥闯?，此時(shí)聲場(chǎng)不同于固定孔徑時(shí)的聲場(chǎng)。當(dāng)聚焦深度變化時(shí)，除了20 mm聚焦深度外，其他聚焦深度時(shí)焦柱的軸向尺寸幾乎沒(méi)有明顯的變化。比較焦點(diǎn)處的聲場(chǎng)強(qiáng)度可以發(fā)現(xiàn)，最大值與最小值相差約為7 dB（圖 1b）。

第3組模擬試驗(yàn)與第2組類似，根據(jù)聚焦深度的變化選擇適當(dāng)?shù)木瑪?shù)量，在此過(guò)程中保證焦距與近場(chǎng)長(zhǎng)度的比值不變。可以看出，當(dāng)聚焦深度由淺變深時(shí)，聲場(chǎng)的焦區(qū)軸向長(zhǎng)度隨之增大，但變化的幅度比固定孔徑時(shí)小。聲場(chǎng)的幅度在聚焦深度變化時(shí)未發(fā)生顯著的起伏變化，在整個(gè)深度范圍內(nèi)具有比較好的一致性，最大值與最小值相差約為3 dB（圖1c）。

比較來(lái)看，3種聚焦方式中，固定焦距?近場(chǎng)長(zhǎng)度比的方式，其分區(qū)之間聲場(chǎng)幅度的過(guò)渡最為平滑，這表明檢測(cè)時(shí)靈敏度的均勻性和一致性較好，焦區(qū)在軸線方向有一定的尺寸，檢測(cè)時(shí)可以覆蓋一定深度范圍，避免存在靈敏度不足的區(qū)域。固定孔徑方式下，靈敏度波動(dòng)較大，特別是聚焦深度較淺時(shí)，焦區(qū)范圍很窄，且焦區(qū)以外檢測(cè)靈敏度急劇下降，存在漏檢缺陷的隱患。固定焦距?孔徑比的方式，其聚焦深度較大時(shí)聚焦效果好，靈敏度一致性較好，但當(dāng)聚焦于近表面時(shí)，檢測(cè)的靈敏度有較大幅度的降低，經(jīng)過(guò)計(jì)算，此時(shí)焦距F已經(jīng)超過(guò)近場(chǎng)長(zhǎng)度N，此時(shí)的聲場(chǎng)已經(jīng)不具有聚焦效果，難以保證檢測(cè)的靈敏度。

圖 1 超聲聲場(chǎng)軸向分布Fig.1 Axial distribution of ultrasonic field

2.2 橫向聲束特性

根據(jù)模擬結(jié)果，獲得不同聚焦方式下焦點(diǎn)尺寸隨聚焦深度的變化情況，如圖2所示。可以看出，在焦點(diǎn)尺寸的一致性方面，采用固定焦距?孔徑比方式具有最佳效果，最大和最小焦點(diǎn)直徑相差約1.5倍。如果只考慮聚焦深度在40～120 mm時(shí)，焦點(diǎn)直徑幾乎無(wú)變化。其他2種聚焦方式的焦點(diǎn)直徑隨聚焦深度增加大致呈線性增大，其中固定焦距?近場(chǎng)長(zhǎng)度比方法的最大和最小焦點(diǎn)直徑相差約2.2倍，效果比固定焦距?孔徑比方式略差，而固定孔徑方法的該數(shù)值為3.4倍?？梢?jiàn)，2種變孔徑檢測(cè)方法均優(yōu)于固定孔徑方法。

圖 2 不同聚焦方式下焦點(diǎn)尺寸隨聚焦深度變化Fig.2 Diameter of focus vs. focal depth for different focal algorithm

需要說(shuō)明的是，3種聚焦方式下，20 mm聚焦深度下的焦點(diǎn)直徑都很小。主要原因?yàn)椋合嗫仃囂筋^雖然可以通過(guò)控制晶片數(shù)量獲得不同孔徑，但其變化的最小尺度以動(dòng)態(tài)聚焦所需的最小晶片數(shù)為限。當(dāng)聚焦深度很淺時(shí)，焦距F很小，為了獲得適當(dāng)?shù)慕咕?孔徑比或焦距?近場(chǎng)長(zhǎng)度比，也必須選用很小的孔徑，但為了能夠動(dòng)態(tài)控制焦點(diǎn)位置，需要至少4個(gè)晶片，因此實(shí)際選用的孔徑可能大于經(jīng)過(guò)計(jì)算的孔徑。

模擬仿真結(jié)果表明，2種變孔徑檢測(cè)方法在焦點(diǎn)尺寸和焦柱長(zhǎng)度控制方面均顯著優(yōu)于固定孔徑方法，此外，在聲場(chǎng)強(qiáng)度和靈敏度一致性方面，固定焦距?近場(chǎng)長(zhǎng)度比方法優(yōu)于固定孔徑方法，固定焦距?孔徑比檢測(cè)方法則有所不足。實(shí)際檢測(cè)時(shí)，可以優(yōu)先采用固定焦距?近場(chǎng)長(zhǎng)度比的聚焦方式代替?zhèn)鹘y(tǒng)的固定孔徑方式，以改善檢測(cè)效果。

3 試驗(yàn)驗(yàn)證

3.1 檢測(cè)條件

為了評(píng)估變孔徑聚焦檢測(cè)方法的能力，采用M2M公司的Multi 2000超聲相控陣探傷儀，配合自行研制的盤件超聲水浸檢測(cè)操縱裝置，組成盤件超聲相控陣檢測(cè)系統(tǒng)，在含有人工缺陷的一組粉末高溫合金對(duì)比試塊上進(jìn)行試驗(yàn)驗(yàn)證，每個(gè)試塊中含有不同埋深的?0.4 mm平底孔。

采用R/D Tech公司的環(huán)形相控陣探頭，標(biāo)稱頻率為10 MHz，有效晶片直徑32 mm。該探頭中心為可拆卸的常規(guī)單晶片聚焦探頭，相控陣部分為外圍的14個(gè)同心排列的環(huán)形晶片，如圖3所示。

圖 3 環(huán)形相控陣探頭的結(jié)構(gòu)示意圖Fig.3 Illustration of elements inside an annular phased array probe

3.2 聚焦法則設(shè)計(jì)

根據(jù)上述變孔徑聚焦檢測(cè)方法，設(shè)計(jì)分區(qū)聚焦法則。設(shè)計(jì)時(shí)，盡量按固定焦距?近場(chǎng)長(zhǎng)度比的原則確定每個(gè)分區(qū)所采用的晶片數(shù)和聚焦深度。該聚焦法則與固定孔徑超聲相控陣檢測(cè)時(shí)的聚焦法則參數(shù)分別見(jiàn)表2、表3。

表 2 固定孔徑超聲相控陣檢測(cè)的聚焦法則參數(shù)Table 2 Focusing algorithm for fixed aperture ultrasonic annular phased array

表 3 變孔徑聚焦超聲相控陣檢測(cè)的聚焦法則參數(shù)Table 3 Focusing algorithm for vari-aperture focusing ultrasonic annular phased array

從表2、表3中可以看出，傳統(tǒng)超聲相控陣檢測(cè)的聚焦法則在設(shè)計(jì)時(shí)未考慮孔徑和聚焦深度的關(guān)系，因此不同分區(qū)之間聚焦因子（F/N）和理論焦點(diǎn)尺寸變化很大，第1區(qū)和第7區(qū)聚焦因子和焦點(diǎn)尺寸相差達(dá)4倍。采用變孔徑聚焦檢測(cè)方法的聚焦法則，其聚焦因子和理論焦點(diǎn)尺寸的一致性方面都有所改善。這些變化使變孔徑聚焦檢測(cè)方法在實(shí)際檢測(cè)時(shí)具有以下優(yōu)勢(shì)：

1）可以采用較大的掃查間距，提高檢測(cè)效率；

2）不同分區(qū)靈敏度一致性好，噪聲水平不會(huì)過(guò)高；

3）聚焦區(qū)沿軸向的長(zhǎng)度增加，保證了更好的深度覆蓋性；

4）減少了所用晶片數(shù)，近表面分辨力有所提高。

3.3 靈敏度和信噪比

在粉末高溫合金對(duì)比試塊上測(cè)試變孔徑超聲相控陣聚焦檢測(cè)技術(shù)的靈敏度。記錄將埋深在各分區(qū)內(nèi)的平底孔反射信號(hào)幅度調(diào)整到80%所用的增益值，如圖4所示?？梢钥闯觯狙芯糠椒o(wú)論是在單個(gè)分區(qū)內(nèi)還是在整個(gè)檢測(cè)區(qū)域內(nèi)，都表現(xiàn)出較高的靈敏度一致性，同時(shí)由于其聚焦特性能夠使每個(gè)分區(qū)處于聚焦范圍內(nèi)，實(shí)現(xiàn)高靈敏度檢測(cè)的目的。

圖 4 粉末高溫合金對(duì)比試塊測(cè)得的檢測(cè)靈敏度曲線Fig.4 Sensitivity curve measured on PM superalloy reference blocks

由于高靈敏度檢測(cè)時(shí)噪聲信號(hào)往往較突出，有可能影響實(shí)際檢測(cè)效果。因此在測(cè)量靈敏度的同時(shí)，還關(guān)注了檢測(cè)時(shí)的信噪比。試驗(yàn)時(shí)，在?0.4 mm當(dāng)量靈敏度下增加12 dB，觀察噪聲水平，進(jìn)而評(píng)價(jià)檢測(cè)的信噪比。結(jié)果如表4所示，部分波形圖如圖5所示。

試驗(yàn)結(jié)果表明，采用變孔徑聚焦檢測(cè)技術(shù)在各個(gè)分區(qū)均能達(dá)到?0.4 mm+12 dB的檢測(cè)靈敏度，噪聲水平為5%～20%。

表 4 ?0.4 mm+12 dB靈敏度下不同分區(qū)的信噪比評(píng)價(jià)Table 4 Signal-to-noise ratio evaluation under ?0.4 mm+12 dB sensitivity

圖 5 埋深為82.5 mm的平底孔在?0.4 mm+12 dB靈敏度下的噪聲水平Fig.5 Typical waveform of a FBH 82.5 mm in depth showing the noise level under ?0.4 mm+12 dB sensitivity

3.4 近表面分辨力

相控陣檢測(cè)時(shí)，常常受到近表面分辨力差的困擾。主要原因是由于晶片數(shù)量多，發(fā)射和接收不同步，會(huì)使材料上表面反射信號(hào)回到探頭的時(shí)間參差不齊，表現(xiàn)在波形上就是水?材料界面的反射信號(hào)在時(shí)基線上占寬大，造成很大的檢測(cè)盲區(qū)，因而使靠近表面的缺陷難以分辨。本研究實(shí)際測(cè)試了采用變孔徑聚焦檢測(cè)時(shí)的近表面分辨力。利用粉末高溫合金對(duì)比試塊中不同埋深的平底孔作為標(biāo)準(zhǔn)反射體，觀察其在聚焦法則第一分區(qū)中的波形情況，結(jié)果如圖6所示。

從圖6中可以看出，在?0.4 mm當(dāng)量靈敏度下，埋深3.2 mm的平底孔可以與界面反射信號(hào)明顯區(qū)分，埋深更淺（1.6 mm）的平底孔則無(wú)法分辨，因此，該靈敏度下相控陣檢測(cè)的近表面分辨力為1.6～3.2 mm。當(dāng)靈敏度增加到 ?0.4 mm+12 dB時(shí)，埋深3.2 mm平底孔已經(jīng)無(wú)法與界面反射信號(hào)區(qū)分，此時(shí)近表面分辨力為3.2～6.4 mm。

4 粉末盤檢測(cè)驗(yàn)證

采用本研究中變孔徑聚焦超聲相控陣檢測(cè)技術(shù)對(duì)粉末渦輪盤（最大直徑為160 mm，最大厚度為65 mm）進(jìn)行檢測(cè)試驗(yàn)。典型缺陷的變孔徑聚焦檢測(cè)圖像如圖7所示。

對(duì)檢測(cè)中發(fā)現(xiàn)的缺陷進(jìn)行統(tǒng)計(jì)，并與分區(qū)聚焦檢測(cè)的缺陷進(jìn)行比較，結(jié)果見(jiàn)表5?？梢钥闯?，采用變孔徑聚焦技術(shù)可以檢測(cè)出當(dāng)量尺寸在?0.4 mm?20 dB以上的夾雜缺陷，在部分盤件中還能檢測(cè)出分區(qū)聚焦方法未檢測(cè)出的小缺陷。變孔徑聚焦和分區(qū)聚焦兩種方法對(duì)夾雜缺陷的評(píng)定結(jié)果相差不大。

圖 6 超聲相控陣檢測(cè)近表面分辨力波形Fig.6 PAUT waveform showing the near surface resolution

圖 7 典型缺陷的相控陣檢測(cè)結(jié)果Fig.7 Typical defects in PM disks inspected by phased array

表 5 相控陣和分區(qū)聚焦檢出缺陷比較情況Table 5 Comparison of defects inspected by PA and multi-zone ultrasonic technique

統(tǒng)計(jì)檢測(cè)同一盤件花費(fèi)的時(shí)間發(fā)現(xiàn)，與分區(qū)聚焦檢測(cè)技術(shù)相比，相控陣檢測(cè)技術(shù)的儀器雖然調(diào)整時(shí)間更長(zhǎng)，但可以節(jié)省較大的掃查時(shí)間。采用本研究所述的變孔徑聚焦檢測(cè)技術(shù)，可以將檢測(cè)時(shí)間由傳統(tǒng)分區(qū)聚焦檢測(cè)的近8 h縮短為2 h，節(jié)約3/4的檢測(cè)時(shí)間。如只計(jì)算掃查時(shí)間，則可將時(shí)間縮短至近1/5。

需要說(shuō)明的是，上述檢測(cè)時(shí)間的計(jì)算只適用于試驗(yàn)中涉及到的特定型號(hào)的粉末盤，其他型號(hào)的粉末盤可能具有不同的幾何結(jié)構(gòu)和厚度，可節(jié)約的檢測(cè)時(shí)間會(huì)有所出入。

5 結(jié)論

1）在理論分析基礎(chǔ)上，提出的變孔徑聚焦相控陣檢測(cè)方法能夠保證整個(gè)檢測(cè)范圍內(nèi)聚焦程度和焦點(diǎn)尺寸大致相同。

2）模擬了聲場(chǎng)分布曲線并利用平底孔試塊驗(yàn)證了其聲場(chǎng)分布情況，表明該方法在靈敏度一致性、檢測(cè)效率、噪聲水平控制和近表面分辨力等方面優(yōu)于固定孔徑超聲相控陣檢測(cè)方法。

3）采用本研究方法對(duì)粉末渦輪盤進(jìn)行了超聲檢測(cè)，從缺陷檢出情況和檢測(cè)時(shí)間2個(gè)方面比較了該方法與傳統(tǒng)分區(qū)聚焦檢測(cè)的差異。變孔徑聚焦相控陣檢測(cè)與分區(qū)聚焦檢測(cè)的缺陷檢出能力接近，檢測(cè)時(shí)間能縮短約3/4。