我國(guó)集成電路制造企業(yè)面臨的困難與挑戰(zhàn)

沈家文

全球集成電路產(chǎn)業(yè)正處于技術(shù)變革時(shí)期，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)面臨前所未有的挑戰(zhàn)和機(jī)遇。2019年5月21日，習(xí)近平總書記在南昌主持召開的推動(dòng)中部地區(qū)崛起工作座談會(huì)上，提出了提高關(guān)鍵領(lǐng)域自主創(chuàng)新能力、積極承接新興產(chǎn)業(yè)布局和轉(zhuǎn)移等意見。近期，在湖北省調(diào)研期間，對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技公司的武漢新芯集成電路工廠進(jìn)行了實(shí)地調(diào)研。

一、基本情況

（一）企業(yè)現(xiàn)狀

武漢新芯公司成立于2006年4月，是湖北省、武漢市、東湖區(qū)三級(jí)政府共同投資的12英寸集成電路生產(chǎn)線項(xiàng)目，是國(guó)家認(rèn)定的首批重點(diǎn)集成電路生產(chǎn)企業(yè)。2018年武漢新芯實(shí)現(xiàn)銷售收入26億元，同比增長(zhǎng)17.6%;營(yíng)業(yè)利潤(rùn)0.9億元，同比增長(zhǎng)28.6%;連續(xù)兩年主營(yíng)業(yè)務(wù)盈利。主營(yíng)業(yè)務(wù)為代碼型閃存存儲(chǔ)芯片的設(shè)計(jì)制造和背照式影像傳感器芯片制造，目前代碼型閃存產(chǎn)能達(dá)到1.2萬(wàn)片/月，背照式影像傳感器產(chǎn)能達(dá)到1.5萬(wàn)片/月。代碼型閃存技術(shù)已達(dá)至45納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)，居于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際先進(jìn)水平，市場(chǎng)占有率接近15%;背照式影像傳感器處于世界領(lǐng)先水平，市場(chǎng)占有率約10%。三維晶圓堆疊特種工藝技術(shù)上具有國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際先進(jìn)水平，掌握最先進(jìn)的混合式晶圓鍵合技術(shù)。

（二）市場(chǎng)前景

武漢新芯是我國(guó)以存儲(chǔ)器為主的大型集成電路制造企業(yè)，2018年啟動(dòng)二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目，規(guī)劃建設(shè)自主代碼型閃存（Nor Flash）、微控制器（MCU）和三維特種工藝（3D IC）三大項(xiàng)目。武漢新芯未來的發(fā)展定位是世界領(lǐng)先的代碼型閃存IDM公司和半導(dǎo)體物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)龍頭企業(yè)。全球存儲(chǔ)器銷售總額占集成電路市場(chǎng)總額的1/3（見表1），三星、美光、SK海力士、東芝、閃迪這五家公司占據(jù)95%的市場(chǎng)份額，市場(chǎng)集中度非常高。武漢新芯由于央地政府產(chǎn)業(yè)投資基金支持和研發(fā)制造方面的后發(fā)優(yōu)勢(shì)，很有可能在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中成功，成為全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)的重要供應(yīng)商。

（三）發(fā)展形勢(shì)

習(xí)近平總書記2018年4月26日視察武漢新芯工廠時(shí)指出，要實(shí)現(xiàn)“兩個(gè)一百年”奮斗目標(biāo)，一些重大核心技術(shù)必須靠自己攻堅(jiān)克難。根據(jù)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2018年我國(guó)集成電路進(jìn)口額3120.58億美元，集成電路出口額846.36億美元，逆差達(dá)2274.22億美元。我國(guó)作為全球最大的集成電路應(yīng)用市場(chǎng)，必須盡快轉(zhuǎn)變大量集成電路依靠進(jìn)口的現(xiàn)狀，加快提高關(guān)鍵技術(shù)自給率。武漢新芯2018年已實(shí)現(xiàn)32層三維閃存芯片量產(chǎn);預(yù)計(jì)2023年實(shí)現(xiàn)達(dá)產(chǎn)30萬(wàn)片/月，將大幅提高我國(guó)存儲(chǔ)器市場(chǎng)的國(guó)產(chǎn)化率。

二、主要問題

（一）集成電路專業(yè)技術(shù)人才短缺

目前，我國(guó)集成電路先進(jìn)設(shè)計(jì)水平達(dá)12英寸7nm，12英寸14nm邏輯工藝即將量產(chǎn)，但與世界先進(jìn)技術(shù)水平相比仍有較大差距，關(guān)鍵是人才問題。一是集成電路專業(yè)技術(shù)人才短缺，尤其缺乏行業(yè)領(lǐng)軍人才。目前我國(guó)集成電路技術(shù)人才存量約 40萬(wàn)人，按照2020年70萬(wàn)的人才需求量估算，缺口達(dá)30萬(wàn)人。而國(guó)內(nèi)微電子專業(yè)基礎(chǔ)人才培養(yǎng)規(guī)模不足，高校相關(guān)專業(yè)的畢業(yè)生大部分流向了互聯(lián)網(wǎng)、計(jì)算機(jī)軟件、IT服務(wù)、通信、房地產(chǎn)等行業(yè)。二是集成電路人才競(jìng)爭(zhēng)無序化。集成電路制造企業(yè)自主創(chuàng)新需要整套的高質(zhì)量管理體系，不僅需要領(lǐng)軍人物，還需要素質(zhì)過硬的研發(fā)團(tuán)隊(duì)和管理團(tuán)隊(duì)。國(guó)內(nèi)集成電路人才供給明顯不足，高薪挖人和團(tuán)隊(duì)拆分經(jīng)常出現(xiàn)。比如，西安三星、大連英特爾等外資企業(yè)不斷嘗試從長(zhǎng)江存儲(chǔ)、武漢新芯等國(guó)家戰(zhàn)略承擔(dān)企業(yè)高薪挖人，因此穩(wěn)定核心人才隊(duì)伍存在一定壓力。

（二）集成電路生產(chǎn)設(shè)備和材料仍處于依賴進(jìn)口階段

新形勢(shì)下，亟待加快產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)國(guó)產(chǎn)化產(chǎn)品替代。目前，全球芯片設(shè)計(jì)必備的EDA工具被美歐企業(yè)長(zhǎng)期壟斷，最先進(jìn)的制程工藝被臺(tái)積電、三星壟斷，最先進(jìn)的光刻機(jī)被荷蘭ASML壟斷，而ASML光刻機(jī)的光源、激光發(fā)生器等核心部件則被美國(guó)公司壟斷。近年來，武漢新芯與國(guó)產(chǎn)設(shè)備、原材料廠商密切合作，聯(lián)合研發(fā)，強(qiáng)化國(guó)產(chǎn)設(shè)備、原材料在量產(chǎn)線上應(yīng)用驗(yàn)證。然而國(guó)內(nèi)設(shè)備和材料處于起步階段，需經(jīng)過大規(guī)模生產(chǎn)實(shí)踐驗(yàn)證，芯片制造企業(yè)在使用國(guó)產(chǎn)設(shè)備和材料上存在較大風(fēng)險(xiǎn)。同時(shí)，武漢新芯、長(zhǎng)江存儲(chǔ)的產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)與處于壟斷地位的跨國(guó)企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)，面臨惡意價(jià)格戰(zhàn)的風(fēng)險(xiǎn)。

（三）集成電路設(shè)備企業(yè)長(zhǎng)期研發(fā)，資金壓力大

未來，提高集成電路國(guó)產(chǎn)設(shè)備和材料的創(chuàng)新水平，形成較為完善的自主可控生產(chǎn)體系，是我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)必須解決的重要課題。全球半導(dǎo)體設(shè)備主要由美日歐壟斷，美國(guó)、日本、荷蘭分別占據(jù)了全球市場(chǎng)份額的37%、20.6%、13.55%。2018年世界集成電路設(shè)備研發(fā)水平處于12 英寸7nm，生產(chǎn)水平達(dá)到12 英寸14nm;而我國(guó)集成電路設(shè)備研發(fā)水平處于12 英寸14nm，生產(chǎn)水平為12 英寸65—28nm，其中，65/55/40/28nm 光刻機(jī)、40/28nm 化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)的國(guó)產(chǎn)化率為零。集成電路生產(chǎn)設(shè)備具有高投入、高風(fēng)險(xiǎn)、長(zhǎng)周期的特性，需要從樣機(jī)開始，在量產(chǎn)實(shí)踐中反復(fù)改型，驗(yàn)證周期長(zhǎng)，需要連續(xù)數(shù)年投入大量研發(fā)資金，并且隨著制程技術(shù)的發(fā)展，所需投入的資金規(guī)模越發(fā)巨大，比如，荷蘭ASML在2016年的研發(fā)投入為11.06億歐元。對(duì)于處于起步階段的我國(guó)集成電路制造企業(yè)，固定資產(chǎn)投入巨大，短期內(nèi)很難獲得高效益，難以長(zhǎng)期支撐巨額研發(fā)經(jīng)費(fèi)。目前，武漢新芯遇到了貸款難、融資難等問題，實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)預(yù)期目標(biāo)面臨挑戰(zhàn)，亟待政策扶持。

三、政策建議

（一）實(shí)施集成電路人才專項(xiàng)政策

國(guó)內(nèi)集成電路人才缺口大，領(lǐng)軍人物不足，高質(zhì)量的創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)尤其緊缺，人才團(tuán)隊(duì)和企業(yè)管理的短板問題凸顯，必須大力應(yīng)對(duì)集成電路人才供給不足問題。一是規(guī)范國(guó)內(nèi)集成電路人才流動(dòng)機(jī)制，保障重大項(xiàng)目人才隊(duì)伍穩(wěn)定;二是制定并實(shí)施針對(duì)集成電路從業(yè)人員的個(gè)人所得稅優(yōu)惠減免政策;三是加強(qiáng)微電子學(xué)科建設(shè)，把微電子學(xué)科提升為一級(jí)學(xué)科，鼓勵(lì)龍頭企業(yè)與相關(guān)高校、科研院所共建微電子人才培養(yǎng)學(xué)院;四是加大高校人才培養(yǎng)力度，加快建設(shè)集成電路產(chǎn)學(xué)研融合協(xié)同育人實(shí)踐平臺(tái);五是明確集成電路行業(yè)人才培養(yǎng)培訓(xùn)標(biāo)準(zhǔn)，探索建立統(tǒng)一的職業(yè)能力培訓(xùn)認(rèn)證體系并與國(guó)際接軌，開展大規(guī)模職業(yè)教育培訓(xùn);六是制定并實(shí)施集成電路人才引進(jìn)培育專項(xiàng)計(jì)劃，完善高端人才引進(jìn)機(jī)制，加大海外高層次人才引進(jìn)力度，鼓勵(lì)企業(yè)多渠道、多途徑引進(jìn)海外領(lǐng)軍人才和優(yōu)秀團(tuán)隊(duì);七是大力發(fā)展職業(yè)培訓(xùn)并開展繼續(xù)教育，政府、企業(yè)通力合作，打造相應(yīng)聯(lián)盟或平臺(tái)，共同開展高校培訓(xùn)和在職培訓(xùn)，采取多種形式大力培養(yǎng)和培訓(xùn)集成電路領(lǐng)域高層次、骨干級(jí)專業(yè)技術(shù)人才;八是優(yōu)化人才配置，改善人才供給結(jié)構(gòu)，緩解產(chǎn)業(yè)高速增長(zhǎng)而人才供給嚴(yán)重不足的問題;九是加快高校、研究機(jī)構(gòu)與企業(yè)形成有效的合作路徑，推動(dòng)企業(yè)資源與教育資源深度融合，創(chuàng)造有利于人才發(fā)展的寬松環(huán)境，構(gòu)建產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)促進(jìn)平臺(tái)。

（二）完善集成電路企業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的市場(chǎng)環(huán)境

我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)需要從設(shè)備材料、芯片設(shè)計(jì)、制造及封測(cè)等環(huán)節(jié)重點(diǎn)突破，要建立健全、有利于加快集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的市場(chǎng)環(huán)境。一是建立“供應(yīng)鏈安全評(píng)估機(jī)制”，引導(dǎo)企業(yè)使用國(guó)產(chǎn)芯片，對(duì)進(jìn)口元器件加強(qiáng)審核;二是是實(shí)施“安芯”工程，在黨政應(yīng)用中推進(jìn)芯片與設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化替代;三是加強(qiáng)國(guó)產(chǎn)設(shè)備、材料驗(yàn)證試用風(fēng)險(xiǎn)補(bǔ)償機(jī)制，推廣“首臺(tái)（套）重大技術(shù)裝備保險(xiǎn)補(bǔ)償機(jī)制”，探索建立“新材料應(yīng)用保險(xiǎn)補(bǔ)償機(jī)制”，利用風(fēng)險(xiǎn)基金、科技保險(xiǎn)等手段對(duì)使用新材料的風(fēng)險(xiǎn)進(jìn)行補(bǔ)償，促進(jìn)國(guó)產(chǎn)設(shè)備和原材料等自主創(chuàng)新。

（三）加大集成電路重點(diǎn)企業(yè)、重點(diǎn)技術(shù)、重點(diǎn)項(xiàng)目的投資和政策激勵(lì)

一是我國(guó)集成電路行業(yè)仍處于中低端水平，可靠性和質(zhì)量仍遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于國(guó)外，要實(shí)現(xiàn)集成電路產(chǎn)業(yè)自主可控，必須加大重大產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新和投資。二是聚焦關(guān)鍵技術(shù)、高端環(huán)節(jié)、重點(diǎn)企業(yè)，在加大投資力度的同時(shí)，避免跟風(fēng)搶進(jìn)與重復(fù)投資，集中力量實(shí)現(xiàn)我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新的實(shí)質(zhì)性突破。三是加大重點(diǎn)企業(yè)的設(shè)備進(jìn)口環(huán)節(jié)增值稅減免力度，加快留抵退還和出口退稅進(jìn)度，對(duì)投入大的集成電路重點(diǎn)企業(yè)及時(shí)退還賬面留抵稅額，加快實(shí)現(xiàn)留抵稅額退還常態(tài)化及出口退稅加速化。四是對(duì)技術(shù)密集型、創(chuàng)新密集型的集成電路行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)，加大研發(fā)費(fèi)用加計(jì)扣除比例。

（四）做好長(zhǎng)期持久準(zhǔn)備，著力解決領(lǐng)軍企業(yè)成長(zhǎng)中的關(guān)鍵短板問題

一是必須遵從集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)律，不可急功近利。集成電路研發(fā)周期長(zhǎng)，我國(guó)集成電路制造業(yè)與國(guó)際水平存在較大差距，追趕可能需要十年或更長(zhǎng)時(shí)間;因此要結(jié)合當(dāng)前局面，從資金投入、技術(shù)研發(fā)、人才培養(yǎng)等方面長(zhǎng)遠(yuǎn)布局，長(zhǎng)期持續(xù)投入重點(diǎn)項(xiàng)目，加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)類產(chǎn)品投資。二是大力提高產(chǎn)業(yè)投資質(zhì)量。我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)入新階段，依靠資本收購(gòu)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)擴(kuò)張的模式告一段落，要更加注重集成電路產(chǎn)業(yè)投資精準(zhǔn)度，著力解決領(lǐng)軍企業(yè)成長(zhǎng)中的關(guān)鍵短板問題。三是建議國(guó)家產(chǎn)業(yè)基金持續(xù)投資武漢新芯國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目，各類資本齊心合力，確保項(xiàng)目按期建成達(dá)產(chǎn)，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展。

（五）發(fā)揮開放式協(xié)同創(chuàng)新優(yōu)勢(shì)，加強(qiáng)集成電路產(chǎn)業(yè)集智攻關(guān)創(chuàng)新

我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)既要借鑒國(guó)外先進(jìn)技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)，又要堅(jiān)持自主創(chuàng)新。一是大力加強(qiáng)我國(guó)集成電路工廠與集成電路設(shè)備研制企業(yè)的政策協(xié)調(diào)與配合，齊心合力應(yīng)對(duì)關(guān)鍵設(shè)備依賴進(jìn)口的不利狀況。二是依托集成電路產(chǎn)業(yè)集群優(yōu)勢(shì)，以重大集智攻關(guān)項(xiàng)目為載體，加快形成企業(yè)與項(xiàng)目之間的聯(lián)動(dòng)反應(yīng)，形成政府、企業(yè)、科研單位之間的高效互動(dòng)機(jī)制。三是加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)資本和金融資本的有效合作，推動(dòng)國(guó)家基金、地方基金和國(guó)家開放性、政策性金融機(jī)構(gòu)與社會(huì)資金的合作互動(dòng)。四是將創(chuàng)新能力作為集成電路企業(yè)的主要評(píng)價(jià)指標(biāo)，激發(fā)企業(yè)的核心創(chuàng)新力，打造協(xié)同發(fā)展的創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)鏈。五是促進(jìn)集成電路企業(yè)建立開放式協(xié)同創(chuàng)新理念，建立健全產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)合體，整合技術(shù)、人才、資金和設(shè)備等優(yōu)勢(shì)創(chuàng)新資源，充分發(fā)揮聯(lián)合創(chuàng)新優(yōu)勢(shì)，集中力量攻克難關(guān)。

（作者單位：中國(guó)國(guó)際經(jīng)濟(jì)交流中心）