楊子航, 徐衛(wèi)林, 韋雪明
(桂林電子科技大學(xué) 廣西精密導(dǎo)航技術(shù)與應(yīng)用重點實驗室,廣西 桂林 541004)
隨著人類社會的進步,電能作為社會發(fā)展的動力,人類工作生活的源泉,其重要性越發(fā)明顯。而電源是電子產(chǎn)品的一個重要組成部分,其性能的優(yōu)劣會直接影響到整個芯片的性能指標[1]。開關(guān)電源由于具有重量輕、功耗低、效率高等優(yōu)點,在大多數(shù)領(lǐng)域迅速地取代了線性穩(wěn)壓電源的地位,成為了現(xiàn)代電源管理技術(shù)的發(fā)展主流,在國防、交通、通信等方面都影響著人們的生活[2]。為了進一步減少便攜式設(shè)備的體積和重量,通常需要提高DC-DC變換器的開關(guān)頻率,從而減小片外功率器件的體積,這就要求及時檢測電感電流和輸出電壓的狀態(tài),也就是提高電流采樣電路的采樣精度[3]。
和電壓控制模式相比,電流控制模式多了一個反饋電路。這說明電流控制模式不僅有電壓反饋而且還增加了一個電流內(nèi)環(huán)反饋網(wǎng)[4]。電流控制模式結(jié)構(gòu)圖如圖1所示,其中振蕩器用來產(chǎn)生邏輯控制時鐘,電感電流采樣電路用于產(chǎn)生一個合適的斜坡信號,并與誤差放大器(EA)的輸出送入PWM比較器中進行比較,比較器的輸出結(jié)果再作為邏輯控制單元的輸入。采用電感電流采樣的方式,能周期性的檢測到電感瞬態(tài)電流,因此電流控制模式對電壓的改變有著更快的響應(yīng)速度,并且可以限制電路的最大電流,起到電流保護的作用[5]。所以電感電流采樣電路的設(shè)計成為DC-DC變換器的核心問題之一。
圖1 電流控制模式結(jié)構(gòu)圖
傳統(tǒng)的電流采樣電路一般都會采用運算放大器來提供一定增益,但是運放的電路結(jié)構(gòu)通常比較復(fù)雜,內(nèi)部帶寬受到負載限制,雖然精度可以設(shè)計的很高,但是這是以采樣的速率較慢作為代價的,因此傳統(tǒng)的電流采樣電路只適用于低頻的DC-DC開關(guān)電源設(shè)計。反之,若采用較快的采樣速度,則會影響其精度。吳了等[6]設(shè)計的電流采樣電路如圖2所示,并未考慮到電流IPL所帶來的誤差,因此降低了采樣精度。本研究設(shè)計了一種高精度電流采樣電路,增加一條額外的電流支路,加入了補償電流,提高了采樣精度,并且使其在高負載電流的情況下也能保持良好的精度。
圖2 傳統(tǒng)采樣電路原理圖
DC/DC變換器廣泛應(yīng)用于模擬集成電路中,成為IC中基本單元。作為電流型DC/DC的基本模塊,電流采樣電路的精度高低成為衡量DCDC性能的關(guān)鍵因素。目前來看,電流檢測的方法主要有串聯(lián)電阻檢測法、功率管漏源壓降檢測法、積分器檢測法以及MOS管和待測電阻共同檢測法等[7]。
串聯(lián)電阻檢測法的實現(xiàn)方法是用一個待測電阻,把它和輸出電源串聯(lián)起來,該方法中運放的共模輸入不會受到太大的影響,但是若待測電阻與開關(guān)串聯(lián),那么運放的共模輸出就會產(chǎn)生波動,給電路的設(shè)計增加了難度。除此之外,該方法中的電感電流很高,這會增加電路功耗,大大降低DC-DC變換器的效率。所以電阻檢測的方法適合在小電流的情況下使用,精度較高,簡便快捷。
功率管源漏壓降檢測法是通過檢測功率管在BJT晶體管區(qū)域內(nèi)測量它源漏端的壓降來實現(xiàn)電流檢測的功能。這方法十分簡單,但是功率管在BJT晶體管區(qū)內(nèi)受到了電壓和溫度等的影響,精度不能達到預(yù)期的標準。
積分器檢測法是通過對電感電壓和電感電流的關(guān)系式的計算來檢測電感電流的。VL=L(diL/dt)為電感電壓和電感電流的關(guān)系式,對其兩端積分,最終可得電感電流。這個方法雖然對系統(tǒng)效率影響不高,但是通過計算獲得結(jié)果,使得誤差累積,并且需要知道電感值,因此精度會有所下降,也不適用于片上集成電路。
MOS管和待測電阻共同檢測法采用了電流鏡像技術(shù),檢測了一對有著電流鏡像關(guān)系的MOS管,從而獲得最終的電感電流。這個方法相對于前面幾種方法來說,功耗更小、精度更高、速度更快[8],綜上所述,選用MOS管和待測電阻共同檢測的方法來檢測電感電流。
MOS管電流鏡像采樣示意圖如圖3所示,其中MPS和MP分別為采樣管和主功率管。其溝道長度相等,寬度比值為1∶M(M?1)。假設(shè)VA=VB,那么采樣管電流IPS與主功率管電流IP的比值也是1∶M。這種電流鏡像的方法簡捷方便,而且?guī)缀鯖]有采樣電阻,降低了電路功耗,從而提高了精度。
圖3 MOS管電流鏡像采樣示意圖
設(shè)計的電流采樣電路如圖4所示,在傳統(tǒng)電路的基礎(chǔ)上增加了一個電流釋放管MP6和開關(guān)狀態(tài)管MS3,給電路增加了一條放電支路,使其產(chǎn)生補償電流,大小與Iref相同。其中MP為功率管,MN為同步整流管。MP1為采樣管,寬長比是MP的1/M。MS1、MS2和MS3為開關(guān)狀態(tài)管,導(dǎo)通時的VDS=0。MP2和MP3寬長比相同。MN1、MN2、MN3和MN4寬長比相同,構(gòu)成NMOS電流鏡。MP4、MP5和MP6的寬長比相同,構(gòu)成PMOS電流鏡。Iref是一個基準電流源,它為MN1、MN2和MN3供應(yīng)偏置電流。
當(dāng)Q為低電平,XQ為高電平,MP、MS1導(dǎo)通,MS2、MN截止,那么
IMP=IMS1+IL,
(1)
IMS1+IMS4=IMP3,
(2)
VA=VB=VL,
(3)
MN1、MN2、MN3構(gòu)成電流鏡,所以
IMP2=IMP3=Iref,
(4)
由式(2)、(3)、(4)可得
IMS1+IMS4=Iref,
(5)
因為MP1是MP的1/M倍,所以
(6)
由式(1)、(2)、(5)、(6)得
IL=M×IMP1-Iref+IMS4,
(7)
因為MN1與MN4構(gòu)成電流鏡,MP4、MP5和MP6也構(gòu)成電流鏡,所以
IMS4=Iref,
(8)
那么式(7)就可以寫為
IL=M×IMP1,
(9)
又因為:
IMP5+Iusen=Isen,
(10)
IMP1=Iusen+Iref,
(11)
由式(9)、(10)、(11) 得
圖4 適用于大電流DC-DC高精度電流采樣電路原理圖
(12)
誤差率(error rate, 簡稱ER)和采樣精度(sampling accuracy,簡稱 SA)的表達式分別為
(13)
AS=1-RE=100%,
(14)
從式(13)、(14)可知,電路采樣精度理論上可達100%,但是因為MOS管體效應(yīng)和工藝誤差等問題,實際結(jié)果會有極小的誤差,能實現(xiàn)了高精度采樣。
對所提出的高精度電流采樣電路以及傳統(tǒng)的電流采樣電路進行對比分析。最終采樣電流和電感電流的比率設(shè)為1∶25 000。圖5為負載7 A時,采樣電流和電感電流的瞬態(tài)波形,圖中電感電流縮小25 000倍,與采樣電流波形基本重合,說明誤差很小,在大電流情況下電路能實現(xiàn)高精度采樣。
圖5 負載7 A時,采樣電流和電感電流波形
提出的電流采樣電路與傳統(tǒng)電流采樣電路的采樣精度隨輸入電壓的變化曲線如圖6所示,當(dāng)輸入電壓在3~4 V之間變化時,采樣精度皆大于98 %,最高為99.45 %,最低為98.53 %,波動僅為0.92 %。相比于傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)來說,精度一直較高且穩(wěn)定。
圖7是當(dāng)負載電流為5 A,提出的電流采樣電路與傳統(tǒng)電流采樣電路的采樣精度隨溫度變化的曲線,最高精度可達99.71 %,最低為99.56 %,波動為0.15 %。而傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)在相同的溫度下精度明顯有所差距。由此表明,電路不僅能在大負載電流下精度高,而且在溫度不斷升高的情況下也能保持穩(wěn)定,此電路設(shè)計有著顯著的效果和可行性。
圖8為負載電流從0 .05 A變化到7 A的過程中,提出的電流采樣電路與傳統(tǒng)電流采樣電路的采樣精度變化曲線。從圖8可看出,當(dāng)負載到0.15 A時,精度已經(jīng)能達到99 %,在0.15 A到7 A基本保持穩(wěn)定,雖然提出的結(jié)構(gòu)在負載電流不斷升高的過程中,采樣精度有所降低,但是總體趨勢還算平穩(wěn),采樣精度最高為99.67 %,最低也有98.78 %,波動僅為0.89 %,說明電路能夠在大電流環(huán)境下正常工作。
圖6 采樣精度隨輸入電壓的變化曲線
圖7 采樣精度隨溫度的變化曲線
圖8 采樣精度隨負載電流的變化曲線
而傳統(tǒng)的采樣電路在負載電流不斷增大的情況下,采樣精度下降比較明顯,最低僅為96.55 %,不能達到高精度電流采樣的要求。
提出了一種適用于大電流DC-DC變換器的電流采樣電路,通過增加電流釋放管,從而增加了一條電流放電支路,利用補償電感電流的方法,提升了采樣精度。仿真結(jié)果表明,提出的采樣電路在大負載電流下也有很高的精度,而且?guī)缀醪皇茌斎腚妷汉蜏囟鹊挠绊?,能精確檢測0~7 A的電感電流,相比傳統(tǒng)的電流采樣電路有明顯的優(yōu)勢。