周 權(quán)
(國防科技大學(xué)電子對抗學(xué)院 安徽 合肥 230037)
波動光學(xué)是大學(xué)光學(xué)課程的主體內(nèi)容,其理論基礎(chǔ)建立于經(jīng)典電動力學(xué)的麥克斯韋方程;其教學(xué)內(nèi)容涵蓋了波動光學(xué)的基本概念、光波在介質(zhì)中的傳播、光波的干涉和衍射等基本理論和實際應(yīng)用,內(nèi)容體系完整,理論性強[1];其教學(xué)過程一般包括理論講授和實驗驗證.考慮到波動光學(xué)教學(xué)中理論概念較為抽象、物理場景不夠直觀且驗證實驗多數(shù)只能觀察光波的宏觀表現(xiàn)等問題,利用FDTD方法針對典型的波動光學(xué)物理情景進行仿真,以期通過精確動態(tài)的仿真結(jié)果幫助學(xué)生更直觀地了解相關(guān)的物理概念,建立清晰的物理圖像.文中以光波在介質(zhì)中的傳播、光波的典型干涉和光波的典型衍射3類現(xiàn)象為例,介紹了FDTD方法在波動光學(xué)教學(xué)中的應(yīng)用探索.
時域有限差分法 (FDTD,Finite-Difference Time-Domain)由K.S.Yee于1966年提出,也被稱為Yee網(wǎng)格空間離散方法.FDTD算法的核心思想是將麥克斯韋方程在時間和空間上進行離散化,用差分方程替代一階偏微分方程,求解差分方程組并得到各網(wǎng)格單元的場值.利用FDTD方法進行光場仿真時要考慮研究對象的幾何參數(shù)、材料參數(shù)、計算精度、計算復(fù)雜度和計算穩(wěn)定性等多項因素;其優(yōu)點是可以計算得出光場分布,精度較高,并可通過傅里葉變換在一次計算中得到系統(tǒng)的寬帶響應(yīng)[2].
MEEP(MIT Electromagnetic Equation Prop-agation)是由MIT開發(fā)的開源FDTD電磁場模擬軟件,支持一維、二維和三維的場景結(jié)構(gòu)仿真;可設(shè)置多種類型的材料參數(shù)、光源參數(shù)和邊界條件;支持基于MPI的并行計算;可使用C++,Python和Scheme腳本等多個接口進行仿真條件設(shè)置[3].本文中的場景仿真均采用該軟件進行計算.
光波在介質(zhì)中傳輸?shù)膱鼍敖Y(jié)構(gòu)設(shè)置如圖1所示.仿真區(qū)域為二維結(jié)構(gòu),大小為10 μm×10 μm,網(wǎng)格精度設(shè)置為20 nm;Y方向頂部和底部均設(shè)置厚度為1 μm的完全匹配層,用來吸收到達該區(qū)域的光波,避免回波對仿真區(qū)域的影響;X方向依據(jù)入射光波矢設(shè)置周期性邊界條件,以模擬X方向無約束的情況;下半部分深色區(qū)域設(shè)置為介質(zhì)材料,材料折射率n=1.5,上半部分為真空,折射率n=1.0;根據(jù)入射方向不同,線光源位置分別設(shè)置于頂部和底部并用紅色線段標出位置,二維場景中的線光源可等效為三維情況中的平面光源;光源類型為連續(xù)光,波長設(shè)為1 μm;通過設(shè)置光源各處的復(fù)振幅分布可以改變光源的等效入射方向θi.
(1)真空中的平行光波入射介質(zhì)表面
僅在頂部真空區(qū)域放置線光源,其入射方向如圖1中(a)所示,分別設(shè)置光源的等效入射角度θi為30°,45°和60°進行仿真,得到穩(wěn)態(tài)時的電場強度分布情況,如圖2所示.
圖1 光波在介質(zhì)中傳輸?shù)膱鼍敖Y(jié)構(gòu)示意圖
圖2 真空中的平行光波入射介質(zhì)表面的電場強度分布
分析仿真結(jié)果可以發(fā)現(xiàn):
1)圖2中紅色區(qū)域電場強度為正值,藍色區(qū)域為負值;相鄰的紅藍區(qū)域構(gòu)成了一個完整的振動周期;沿著光源等效入射/出射方向測量,兩個區(qū)域的長度約等于波長;光波在進入介質(zhì)后,紅藍區(qū)域距離顯著縮小,對應(yīng)介質(zhì)中的光波長的變化;若觀察動態(tài)仿真結(jié)果,可以發(fā)現(xiàn)光波進入介質(zhì)區(qū)域后擴展速度明顯縮小,對應(yīng)介質(zhì)中光速的變化;
2)光波進入介質(zhì)后,等幅面法線方向發(fā)生改變,對應(yīng)光的折射現(xiàn)象;可以估算其折射角θo,符合折射定律;
3)由于入射光波和反射光波的相干疊加,區(qū)域上半部分的光場等幅面出現(xiàn)彎曲;而區(qū)域下半部分只有折射光,等幅面均勻平整.
(2)介質(zhì)中的平行光波出射介質(zhì)表面
在上述場景中僅改變光源位置,將其放置在介質(zhì)材料內(nèi)部,用來仿真平行光波由光密介質(zhì)出射至光疏介質(zhì)的情況.設(shè)置光源的等效入射角度分別為30°,45°和60°進行仿真,得到電場強度分布如圖3所示.
分析仿真結(jié)果可以發(fā)現(xiàn):
1)等效入射角θi=30°時,光場分布情況符合折射定律;
2)等效入射角θi=45°時,由于入射角大于介質(zhì)的臨界角(θc≈42°),出現(xiàn)全反射現(xiàn)象.透射光場表現(xiàn)為隱失波,沿介質(zhì)表面(X方向)傳播,在縱向(Y方向)振幅呈指數(shù)衰減;
3)等效入射角θi=60°時,隱失波的穿透深度較θi=45°時進一步減??;
4)介質(zhì)內(nèi)光場分布由入射光和反射光相干疊加形成;全反射時光波被完全反射回原介質(zhì),入射光波和反射光波振幅相同,相干現(xiàn)象更為明顯.
圖3 介質(zhì)中的平行光波出射介質(zhì)表面的電場強度分布
(1)兩個點光源(狹縫)的干涉現(xiàn)象
兩個點光源(狹縫)干涉的場景結(jié)構(gòu)設(shè)置如圖4所示.仿真區(qū)域為二維結(jié)構(gòu),大小為20 μm×20 μm,網(wǎng)格精度設(shè)置為20 nm;區(qū)域邊緣處均設(shè)置厚度為1 μm的完全匹配層;區(qū)域中央部分設(shè)置兩個連續(xù)光點光源;點光源位置由紅色圓形標出,點光源間距為d;二維場景下的兩個點光源可等效為三維場景中的兩個線(狹縫)光源.
設(shè)置兩個點光源的波長分別為0.5 μm和1 μm,間距d分別為2 μm,4 μm和6 μm,計算穩(wěn)態(tài)時區(qū)域內(nèi)的電場能量密度,仿真結(jié)果如圖5所示.
圖4 兩個點光源(狹縫)干涉的場景結(jié)構(gòu)示意圖
圖5 兩個點光源(狹縫)干涉的電場能量密度分布
分析仿真結(jié)果可以發(fā)現(xiàn):
1)達到穩(wěn)態(tài)后,區(qū)域內(nèi)電場能量密度呈穩(wěn)定分布,在Y方向不同位置取平行于X軸各點處的能量密度值即可表征空間中不同截面的干涉圖樣;
2)相同波長條件下,隨著點光源距離d的增加,干涉圖樣的亮斑(條紋)個數(shù)增加,間距減?。?/p>
3)兩點光源間距相同時,干涉圖樣的亮斑(條紋)間距隨波長減小而減??;
4)電場能量密度的亮條紋分布在遠離點光源位置后斜率漸趨穩(wěn)定,表明隨著觀察距離逐漸滿足傍軸條件,干涉條紋分布逼近雙孔(雙縫)干涉條紋間距公式
其中Δx為條紋間距,λ為光波長,D為縱向距離,d為兩點光源間距.
(2)兩束平行光的干涉現(xiàn)象
兩束平行光干涉的場景結(jié)構(gòu)設(shè)置如圖6所示.仿真區(qū)域為二維結(jié)構(gòu),大小為10 μm×10 μm,網(wǎng)格精度設(shè)置為20 nm;Y方向頂部和底部均設(shè)置厚度為1 μm的完全匹配層;X方向依據(jù)入射光波矢設(shè)置周期性邊界條件,以模擬X方向無約束的情況;在區(qū)域頂部和底部紅色線段標出的位置設(shè)置兩個線光源,并通過調(diào)整光源各處的復(fù)振幅分布來設(shè)置光源的等效出射方向;光源類型為連續(xù)光;受周期性邊界條件的限制,上下兩個光源的等效出射方向是沿X軸鏡像對稱的,即θ1=θ2;二維線光源可以等效為三維場景中的平面光源.
圖6 兩束平行光干涉的場景結(jié)構(gòu)示意圖
設(shè)置光源波長分別為0.5 μm和1 μm,等效出射方向分別為30°,60°和90°,得到穩(wěn)態(tài)時區(qū)域內(nèi)的電場能量密度,如圖7所示.
分析仿真結(jié)果可知:
1)穩(wěn)態(tài)時區(qū)域內(nèi)電場能量密度穩(wěn)定分布,條紋樣式平行于Z軸(紙面法線方向)分布;
2)相同波長條件下,隨著兩束平行光夾角的增加,條紋間距逐漸變小,θ1=θ2=90°時,條紋間距最小,符合兩束平行光干涉的條紋間距公式
其中Δx為條紋間距,λ為光波長,θ1和θ2分別為兩束平行光的入射角.
3)兩束平行光夾角相同時,條紋間距隨波長減小而減小,符合兩束平行光干涉的條紋間距公式,如2)中所述.
圖7 兩束平行光波干涉的電場能量密度分布
以單縫衍射為例進行介紹,其場景結(jié)構(gòu)設(shè)置如圖8所示.仿真區(qū)域為二維結(jié)構(gòu),大小為50 μm×50 μm,網(wǎng)格精度設(shè)置為20 nm;區(qū)域邊緣處均設(shè)置厚度為1 μm的完全匹配層;區(qū)域下側(cè)放置狹縫結(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)高度1 μm,狹縫寬度為d;連續(xù)光線光源位于區(qū)域底部,由紅色線段標出;光源發(fā)出平面光波正入射狹縫結(jié)構(gòu).
設(shè)置光源波長分別為0.5 μm和1 μm,狹縫寬度d分別為1 μm,2 μm和5 μm,得到穩(wěn)態(tài)時區(qū)域內(nèi)的電場能量密度如圖9所示.
圖8 單縫衍射的場景結(jié)構(gòu)示意圖
圖9 單縫衍射的電場能量密度分布
分析仿真結(jié)果可以發(fā)現(xiàn)場分布具有以下特點:
1)平行光通過狹縫后發(fā)生衍射,衍射光以一定發(fā)散角向前傳播;入射光波長相同時,隨著狹縫寬度的增大,零級衍射光的發(fā)散程度逐漸減小,衍射效應(yīng)變?nèi)?;狹縫寬度相同時,零級衍射光的發(fā)散程度隨波長增加而增加,說明對于一定尺寸的微小結(jié)構(gòu),波長越長衍射效果越明顯.上述關(guān)于零級衍射光發(fā)散程度的比較在趨勢上符合單縫衍射主極強半角寬度反比公式
其中θ為主極強半角寬度,λ為光波長,a為狹縫寬度;
2)隨著入射光波長的增大和狹縫寬度的增加,次級衍射光的級數(shù)隨著波長和狹縫寬度增加而增多,其趨勢符合狹縫衍射的次極大條件,但衍射光的能量分布主要集中在零級衍射中;
3)場景仿真結(jié)果是平行光入射單縫后衍射光的近場分布,而波動光學(xué)教學(xué)中常給出的夫瑯禾費單縫衍射的分析結(jié)果要求遠場條件,因此兩者只宜作定性比較和參照.
以光波在介質(zhì)中的傳播、光波的典型干涉和光波的典型衍射3類物理場景為例,介紹了FDTD方法在波動光學(xué)教學(xué)中的應(yīng)用.
FDTD方法能夠?qū)Σ▌庸鈱W(xué)教學(xué)中大量的物理情景給出直觀、精確和動態(tài)的仿真結(jié)果,可以幫助學(xué)生更深入地理解相關(guān)理論知識,構(gòu)建清晰的物理圖像;FDTD方法也廣泛應(yīng)用于介觀光學(xué)、天線設(shè)計和生物探測等科研領(lǐng)域的數(shù)值仿真,教學(xué)過程中引入前沿科學(xué)的研究工具有助于培養(yǎng)學(xué)生良好的科研素養(yǎng).