張生學 宜城市職業(yè)高級中學
近年來,各種較大功率的半導體器件發(fā)展非常迅速,其應用也越來越廣泛,并具有變流變頻功能,響應速度快,可以方便地實現(xiàn)小電流控制大電流,低電壓控制高電壓。以碳化硅材料為例,用它制造的電力電子器件物理特性和電特性十分突出,所以應用范圍很大,受到業(yè)界普遍性歡迎。
在電力系統(tǒng)中碳化硅電力電子器件在以下幾個方面得到了廣泛的應用:
近年來,發(fā)展較快的是分布式發(fā)電系統(tǒng),還有智能電網(wǎng)技術(shù)。碳化硅因其突出的性能特性廣泛應用于固態(tài)變壓器中。特別是寬禁帶(第三代半導體)材料應用方面,主要是使器件在工作時可以很好的適應其溫度方面要求。如以6H-SiC,它的為3.0eV,其本征溫度超過8000度。以碳化硅為材料,進行電力系統(tǒng)器件,其工作溫度能達到6000℃以上。對電力系統(tǒng)來說,可以采用碳化硅作為材料,來制作“高壓功率開關(guān)控制器”,其優(yōu)點是,器件在通態(tài)狀態(tài)下,可使電阻值明顯出現(xiàn)降低并大幅度提高工作頻率。固態(tài)變壓器 是一個非常重要的關(guān)鍵性裝置,其作用是進行能量轉(zhuǎn)換。固態(tài)變壓器比傳統(tǒng)的變壓器體積更小,供電質(zhì)量更高供電效率更高,工作性能更加穩(wěn)定,可以使傳統(tǒng)變壓器存在的問題能更好的解決有效解決當前傳統(tǒng)變壓器所存在的問題。電力電子器件應用于固態(tài)變壓器中,可使它的結(jié)構(gòu)更加簡化,工作性能變得更好。
柔性交流式輸電系統(tǒng),對當前交流電網(wǎng)來說,是較為先進的一項技術(shù)。電力電子器件應用于柔性交流式輸電系統(tǒng),可以更加科學高效地控制系統(tǒng)電壓,系統(tǒng)功率和系統(tǒng)的輸電品質(zhì),并使輸電損耗得到有效降低。采用碳化硅材料制作的器件,其擊利民場強度遠高于普通硅材料(是其8倍),且其電子飽和的漂移速度是普通硅材料漂移速度的2倍。該特性使其通態(tài)電阻遠低于普通電阻,而且工作效率也在到了普通硅材料的10倍以上,可以長期工作于高溫環(huán)境下且十分穩(wěn)定。
對于電力系統(tǒng)來說,靜止無功率補償器主要是在潮流控制以及無功率補償方面。 以碳化硅為材料制作的電力電子器件,可以使系統(tǒng)的穩(wěn)定性更好,響應速度更快。目前,最基本的半導體器件制備工藝是摻雜。對于擴散系數(shù)這一指標來說,雜質(zhì)在碳化硅器件和SiO2中同樣處于較低水平,所以,當擴散溫度條件與碳化硅的有效雜質(zhì)相適應時, SiO2將不再具有“雜質(zhì)掩蔽”方面的作用,而且碳化硅材料,在處于同樣高溫條件下時,性能未能實現(xiàn)穩(wěn)定,所以不適合采用擴散摻雜的制作技術(shù),而且需要采用“離子注入”或是在材料制備過程中采取伴隨摻雜方式來制備。從其晶片制備技術(shù)方法來說,包括物理法和化學合成法兩種。目前應用較多的是化學合成法中的碳熱還原法。因其開關(guān)頻率得到大幅度提高,它使得電力系統(tǒng)中提供的電能質(zhì)量得到較為有效地提升,并將布于它的使用,使得無變壓器的“STATCOM”型結(jié)構(gòu),將會在未來的的日子里,得到更廣泛的應用,并將大力化推廣。
以碳化硅材料制作的電力電子器件,對于高壓直流輸電技術(shù)來說,可以起到促進其快速發(fā)展的明顯作用。之所以這樣說,是由于該器件具有良好的耐壓性能,其好處可以大大減少電力系統(tǒng)中的各類器件的數(shù)量,使其結(jié)構(gòu)變得更加地簡化,降低其傳輸能耗,因此,具有很好的發(fā)展前景。
從目前看,與其應用日趨廣泛同步的是,它的研究工作也在不斷向前發(fā)展。
目前,該種二極管關(guān)鍵性指標——阻斷電壓已經(jīng)高達10KV以上,其大電流器件的關(guān)鍵性指標通態(tài)電流達130A,其阻斷電壓超過了5000V。這些優(yōu)良的性能,使得其應用的范圍必將越來越大。而且,通過優(yōu)化設計,該種二級管所具有的JBS結(jié)構(gòu),它通態(tài)比電阻,與硅器件的理論值相比,僅為其四百分之一,其降低能耗是相當明顯的。
該器件,從它的開發(fā)優(yōu)勢來說,可以實現(xiàn)阻斷電壓與通態(tài)比電阻這二者的兼顧。近年來,該種器件的耐壓值在不斷提升,且通態(tài)比電阻不斷降低。通過對其進行持續(xù)性改良,攻克了系統(tǒng)生產(chǎn)工藝難產(chǎn),使得該器件的品質(zhì)因子得到很大的提高。
目前,從使用性能來說,以碳化硅為材料的電力電子器件越來越好,碳化硅“雙極型”晶體管已經(jīng)成為研發(fā)和發(fā)展方向。該研發(fā)的關(guān)鍵性問題在于提升其電流的增益。主要方法有:(1)以外延層來作為基區(qū),以離子注入來形成發(fā)射極;(2)使用“達林頓”式結(jié)構(gòu)。
從晶閘管研發(fā)來看,目前,傳統(tǒng)型的普通晶閘管已經(jīng)弱化和淡化,研究已經(jīng)向GTO方向集中和轉(zhuǎn)化。
隨著電力電子器件在眾多領域的不斷應用,隨著各種新型器件被不斷研發(fā)出來,其在性能的優(yōu)勢,在有效降低系統(tǒng)方面的優(yōu)勢將會不斷得到人們的重視和關(guān)注。我們相信,電力電子器件必將會在今后帶來更加重要的技術(shù)革新,并使電力電領域得到更好更快的發(fā)展前景。