邊 星,李 青,伍繼浩
(1.中國(guó)科學(xué)院理化技術(shù)研究所,北京 100190;2.中國(guó)科學(xué)院大學(xué),北京 100049)
低溫超導(dǎo)位移傳感技術(shù)是重要的弱力測(cè)量技術(shù),在引力場(chǎng)測(cè)量和引力波探測(cè)中具有重要地位。低溫超導(dǎo)位移傳感技術(shù)早期應(yīng)用于共振棒引力波探測(cè)器中微小振動(dòng)信號(hào)的測(cè)量[1],后逐步應(yīng)用于其他需要高分辨率位移測(cè)量的工程技術(shù)和基礎(chǔ)科學(xué)領(lǐng)域[2-3]。以低溫超導(dǎo)位移傳感技術(shù)為核心的超導(dǎo)重力梯度儀是目前分辨率最高的引力場(chǎng)測(cè)量裝置,可以在地球表面1 g的強(qiáng)引力場(chǎng)背景下分辨出4×10-12m·s-2/Hz-1/2引力變化[2]。為探測(cè)火星引力場(chǎng)研制的新型超導(dǎo)重力梯度儀有望將分辨率再提高兩個(gè)量級(jí)[4]。
基于低溫超導(dǎo)位移傳感技術(shù),馬里蘭大學(xué)先后進(jìn)行了1 m和50~100 μm距離上的牛頓引力平方反比定律檢驗(yàn)實(shí)驗(yàn)[5]。利用馬里蘭大學(xué)50~100 μm距離牛頓引力平方反比定律實(shí)驗(yàn)裝置,對(duì)各種磁場(chǎng)引起的干擾進(jìn)行了研究。獲得了磁場(chǎng)干擾的定量結(jié)果,為進(jìn)一步提升超導(dǎo)位移傳感測(cè)量精度打下基礎(chǔ)。
低溫超導(dǎo)位移傳感技術(shù)是上世紀(jì)70年代針對(duì)引力波探測(cè)中極微弱位移的測(cè)量需求而研發(fā)的[1]。低溫超導(dǎo)位移傳感技術(shù)主要包括超導(dǎo)體檢驗(yàn)質(zhì)量、載有電流的超導(dǎo)位移傳感線圈和超導(dǎo)量子干涉儀(SQUID)組成[2]。由于閉合超導(dǎo)回路的磁通量子化效應(yīng),閉合超導(dǎo)回路中磁通量守恒:
Ф=LI=常數(shù) (1)式中:L為系統(tǒng)的電感;I為超導(dǎo)位移傳感線圈中儲(chǔ)存的電流。
考慮圖1所示系統(tǒng),由于超導(dǎo)體的邁斯納效應(yīng),其相對(duì)于載流超導(dǎo)線圈的位移會(huì)改變超導(dǎo)線圈產(chǎn)生磁場(chǎng)的空間分布,從而改變系統(tǒng)的電感。根據(jù)式(1),超導(dǎo)線圈中的電流必發(fā)生相應(yīng)改變以保持回路磁通量守恒。該電流變化通過(guò)圖1中右側(cè)的電感轉(zhuǎn)化為磁場(chǎng)變化,由超導(dǎo)量子干涉儀(SQUID)轉(zhuǎn)化為電壓信號(hào)放大輸出,使檢驗(yàn)質(zhì)量的位移信號(hào)轉(zhuǎn)變成電壓信號(hào)[2]。SQUID是目前測(cè)量磁場(chǎng)變化分辨率最高的儀器,分辨率可達(dá)到10-6個(gè)磁通量子,且動(dòng)態(tài)范圍跨越6個(gè)量級(jí),因此低溫超導(dǎo)位移傳感技術(shù)同時(shí)具有大量程和高分辨率的優(yōu)點(diǎn)[6]。
圖1 超導(dǎo)位移傳感基本原理圖Fig.1 Basic principle of superconducting displacement sensing
將兩超導(dǎo)體檢驗(yàn)質(zhì)量以圖2所示超導(dǎo)電路耦合起來(lái),即為本實(shí)驗(yàn)所使用的超導(dǎo)差分位移傳感系統(tǒng)(差分加速度計(jì))。
圖2 差分超導(dǎo)位移傳感基本原理圖Fig.2 Basic principle of differential superconducting displacement sensing
通過(guò)調(diào)整傳感線圈L1和L2中傳感電流的比例I1/I2,可以使兩檢驗(yàn)質(zhì)量的共同位移(共模)引起的感應(yīng)電流在中間的電感處相互抵消,而兩檢驗(yàn)質(zhì)量的差分位移(差模)引起的感應(yīng)電流在此處疊加,從而使該系統(tǒng)可以在強(qiáng)引力場(chǎng)背景和強(qiáng)噪聲干擾下實(shí)現(xiàn)對(duì)微小位移的測(cè)量[2,4]。共模位移傳感回路與圖2所示電路完全相同,通過(guò)反轉(zhuǎn)其中一個(gè)傳感電流的方向即可用于測(cè)量?jī)蓹z驗(yàn)質(zhì)量的共模位移。
圖3 為實(shí)驗(yàn)裝置的剖面圖。實(shí)驗(yàn)裝置主要由源質(zhì)量、檢驗(yàn)質(zhì)量、位移傳感線圈、磁屏蔽層、電容位移傳感器和外殼組成。其中,源質(zhì)量為直徑165 mm的鉭(Ta)制圓形薄板。源質(zhì)量在低導(dǎo)熱合金線的懸掛下以f=0.57 Hz沿圓盤(pán)法向(x方向)做單擺運(yùn)動(dòng)。
圖3 實(shí)驗(yàn)裝置剖面圖Fig.3 An corss-section view of the experimental apparatus
由于源質(zhì)量有較大的直徑—厚度比,其表面附近的牛頓引力場(chǎng)近似勻強(qiáng)場(chǎng),在本文所考慮的精度上其引力場(chǎng)變化可忽略不計(jì)。四對(duì)弧形電容極板與源質(zhì)量表面平行,形成電容橋位移傳感器,測(cè)量源質(zhì)量振幅、位置和姿態(tài)。檢驗(yàn)質(zhì)量為直徑71 mm,厚0.24 mm,質(zhì)量8.7 g的鈮(Nb)制圓形薄板,固有頻率約14 Hz。兩檢驗(yàn)質(zhì)量分別位于源質(zhì)量平衡位置兩側(cè)約0.14 mm處,用于探測(cè)源質(zhì)量產(chǎn)生的引力信號(hào)。檢驗(yàn)質(zhì)量與源質(zhì)量的距離隨源質(zhì)量的擺動(dòng)發(fā)生周期性變化,最近約50μm。超導(dǎo)位移傳感線圈與檢驗(yàn)質(zhì)量平行,包含共模傳感線圈和差模傳感線圈,分別測(cè)量?jī)蓹z驗(yàn)質(zhì)量的共模位移和差模位移。超導(dǎo)磁屏蔽層為緊繃在圓環(huán)支架上的厚25μm的鈮薄膜,位于源質(zhì)量和檢驗(yàn)質(zhì)量之間,用于屏蔽檢驗(yàn)質(zhì)量和源質(zhì)量之間通過(guò)殘余氣體、靜電、斑塊場(chǎng)效應(yīng)(Patch Effect)和磁場(chǎng)等產(chǎn)生的非引力相互作用。探測(cè)器外殼質(zhì)量約20 kg,由鈮制造,為上述各部件提供穩(wěn)定的安裝平臺(tái),同時(shí)也對(duì)這些設(shè)備進(jìn)行超導(dǎo)電磁屏蔽。整個(gè)實(shí)驗(yàn)裝置安裝在溫度4.2 K,氣壓1.3×10-5Pa的超導(dǎo)磁屏蔽真空實(shí)驗(yàn)艙內(nèi)。
實(shí)驗(yàn)中檢驗(yàn)質(zhì)量和源質(zhì)量同處杜瓦內(nèi)部,且僅由一層25μm厚的超導(dǎo)膜隔開(kāi),因此兩者之間存在著通過(guò)殘余氣體、斑塊場(chǎng)效應(yīng)和各種磁場(chǎng)發(fā)生的非引力相互作用。
實(shí)驗(yàn)中源質(zhì)量頻率出現(xiàn)了明顯的干擾加速度信號(hào),在共模和差模傳感回路中分別達(dá)到10-7m·s2和10-10m·s-2量級(jí)。通過(guò)對(duì)殘余氣體和斑塊場(chǎng)效應(yīng)的分析,這兩種因素不足以引起如此大的干擾。因此上述干擾很可能來(lái)源于磁場(chǎng)。按照頻率劃分,磁場(chǎng)干擾主要有三種:
(1)高頻電磁場(chǎng)。高頻電磁場(chǎng)與信號(hào)頻段不同,不會(huì)在信號(hào)頻段內(nèi)造成干擾,但高頻電磁場(chǎng)會(huì)對(duì)SQUID造成嚴(yán)重干擾,甚至使其無(wú)法正常工作。通過(guò)為SQUID設(shè)置專(zhuān)門(mén)的超導(dǎo)屏蔽腔,將探測(cè)器安裝在封閉的金屬實(shí)驗(yàn)艙內(nèi),以及在進(jìn)入實(shí)驗(yàn)艙的導(dǎo)線上加裝物理低通濾波器等,很好地屏蔽了高頻電磁場(chǎng)對(duì)實(shí)驗(yàn)的干擾。
(2)靜態(tài)磁場(chǎng)。地磁場(chǎng)和材料剩磁等靜態(tài)磁場(chǎng)本身并不會(huì)在信號(hào)頻段內(nèi)造成干擾,但暴露在靜磁場(chǎng)中的各種線路因振動(dòng)切割磁感線會(huì)引起干擾。通過(guò)用高磁導(dǎo)率合金包裹實(shí)驗(yàn)艙,對(duì)實(shí)驗(yàn)艙進(jìn)行超導(dǎo)磁屏蔽,對(duì)導(dǎo)線進(jìn)行超導(dǎo)磁屏蔽等,很好地屏蔽了靜磁場(chǎng)的影響。
(3)與信號(hào)同頻率的磁場(chǎng)干擾。包括源質(zhì)量剩磁、檢驗(yàn)質(zhì)量剩磁、磁屏蔽層剩磁以及共模與差模位移傳感回路之間的互感耦合等。這些磁場(chǎng)干擾與信號(hào)頻率完全相同,是最主要的干擾來(lái)源。
為保持實(shí)驗(yàn)條件與探測(cè)器真實(shí)工作條件一致,在不引入額外設(shè)備的條件下,利用探測(cè)器本身,在其正常工作的高真空和液氦溫度下進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。
基于對(duì)之前實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的分析,認(rèn)為源質(zhì)量剩磁是重要的干擾源。為判斷正確性,進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。
由于超導(dǎo)體的完全抗磁性,被超導(dǎo)屏蔽層和探測(cè)器超導(dǎo)外殼所包圍的空間內(nèi)不受外界磁場(chǎng)影響。為研究源質(zhì)量剩磁,需要使超導(dǎo)屏蔽層暫時(shí)失效,使檢驗(yàn)質(zhì)量和位移傳感線圈暴露在源質(zhì)量的磁場(chǎng)中,并通過(guò)對(duì)源質(zhì)量運(yùn)動(dòng)的響應(yīng)來(lái)分析源質(zhì)量磁場(chǎng)的影響。實(shí)驗(yàn)步驟如下:
(1)在共模位移傳感線圈中注入適當(dāng)電流,通過(guò)磁場(chǎng)力將檢驗(yàn)質(zhì)量的位置和頻率調(diào)整到與真實(shí)引力測(cè)量時(shí)一致的狀態(tài),并徹底清除差模位移傳感線圈中的電流,使其對(duì)真實(shí)的檢驗(yàn)質(zhì)量位移無(wú)響應(yīng),以排除真實(shí)檢驗(yàn)質(zhì)量位移對(duì)磁場(chǎng)測(cè)量的干擾,同時(shí)降低其對(duì)溫度變化的敏感程度,防止溫度變化引起的輸出信號(hào)漂移超過(guò)SQUID量程。
(2)源質(zhì)量剩磁為準(zhǔn)靜態(tài)磁場(chǎng),為與其他磁場(chǎng)區(qū)分,需要驅(qū)動(dòng)源質(zhì)量使其到達(dá)一定振幅,然后關(guān)閉驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)使其自由擺動(dòng),將源質(zhì)量磁場(chǎng)調(diào)制成與其單擺頻率一致的交流磁場(chǎng),同時(shí)避免驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)產(chǎn)生的同頻率磁場(chǎng)干擾。
(3)加熱磁屏蔽層,待其轉(zhuǎn)變?yōu)榉浅瑢?dǎo)狀態(tài)后停止加熱令其自然冷卻,并記錄數(shù)據(jù)。
在磁屏蔽層降溫過(guò)程中,差模位移傳感回路輸出信號(hào)中出現(xiàn)了如圖4所示的現(xiàn)象。在圖像前半部分,可以清楚地觀察到兩個(gè)不同頻率信號(hào)形成的節(jié)拍,從圖中約120 s開(kāi)始,其中一個(gè)頻率快速衰減,并在約20 s后消失。通過(guò)與加熱磁屏蔽層之前的數(shù)據(jù)對(duì)比,發(fā)現(xiàn)此過(guò)程是屏蔽層從非超導(dǎo)到超導(dǎo)的轉(zhuǎn)變過(guò)程。
圖4 差分位移傳感回路輸出圖Fig.4 Output of the differential displacement sensing circuit
圖5 為磁屏蔽層超導(dǎo)前后各1 200 s數(shù)據(jù)的幅值譜對(duì)比。在磁屏蔽層超導(dǎo)前,源質(zhì)量擺動(dòng)頻率的信號(hào)幅值為3.0×10-3V,在磁屏蔽層超導(dǎo)后減小到5.5×10-6V。由于磁屏蔽層是否超導(dǎo)并不影響其對(duì)殘余氣體、斑塊場(chǎng)等的屏蔽效果,因此上述變化由磁場(chǎng)變化引起。超導(dǎo)磁屏蔽層對(duì)源質(zhì)量磁場(chǎng)的屏蔽效率達(dá)到98.2%。同時(shí)這也說(shuō)明源質(zhì)量確實(shí)帶有較強(qiáng)的磁場(chǎng),將在4.3節(jié)中對(duì)其影響進(jìn)行量化分析。
在圖5中,除源質(zhì)量頻率的信號(hào)外還有大量其他頻率的信號(hào)。通過(guò)對(duì)電容位移傳感器數(shù)據(jù)的分析發(fā)現(xiàn),這些信號(hào)是探測(cè)器的真實(shí)運(yùn)動(dòng),如頻率為0.4 Hz的信號(hào),是探測(cè)器沿x方向的單擺運(yùn)動(dòng)。
圖5 差分位移傳感回路輸出幅值譜圖Fig.5 Amplitude specturm of the differential displacement sensing circuit output
由于差模位移傳感線圈中無(wú)傳感電流,所以這些頻率的信號(hào)是由磁場(chǎng)引起的。這些信號(hào)在屏蔽層超導(dǎo)前后幾乎沒(méi)有變化,如頻率為0.4 Hz的信號(hào)在屏蔽層超導(dǎo)前后變化小于0.1%。因此,這些信號(hào)的主要來(lái)源不是源質(zhì)量剩磁或超導(dǎo)屏蔽層與探測(cè)器外殼所封閉的空間以外的其他磁場(chǎng)。這些信號(hào)可能來(lái)源于兩種機(jī)制:(1)檢驗(yàn)質(zhì)量因釘扎效應(yīng)束縛的磁場(chǎng)隨檢驗(yàn)質(zhì)量的運(yùn)動(dòng)在超導(dǎo)傳感線圈中感應(yīng)出電流;(2)共模傳感線圈中的信號(hào)電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)通過(guò)互感進(jìn)入差模傳感回路。由機(jī)制(1)產(chǎn)生的信號(hào)僅與傳感線圈的形狀和檢驗(yàn)質(zhì)量所攜帶的磁場(chǎng)有關(guān),而由機(jī)制(2)產(chǎn)生的信號(hào)則與共模傳感線圈中的電流有關(guān)。改變共模傳感線圈中的電流方向并重復(fù)上述實(shí)驗(yàn),信號(hào)的幅值和相位均未改變,排除了機(jī)制(2)的可能性。因此這些信號(hào)是由檢驗(yàn)質(zhì)量剩磁引起的。
屏蔽層超導(dǎo)對(duì)這些信號(hào)的幅值并無(wú)明顯影響,說(shuō)明超導(dǎo)體檢驗(yàn)質(zhì)量對(duì)差模傳感線圈起到很好遮蔽作用,除檢驗(yàn)質(zhì)量磁場(chǎng)外,其他磁場(chǎng)如磁屏蔽層和源質(zhì)量剩磁,不會(huì)進(jìn)入差模傳感線圈引起感應(yīng)電流。
通過(guò)對(duì)共模傳感回路和電容位移傳感器數(shù)據(jù)的分析,得出頻率為0.4 Hz的信號(hào)對(duì)應(yīng)的檢驗(yàn)質(zhì)量振幅為3.0×10-9m,并以此標(biāo)定了圖5中的信號(hào),標(biāo)定系數(shù)為1.0×10-6m/V。由此得出,在磁屏蔽層超導(dǎo)之前,檢驗(yàn)質(zhì)量在源質(zhì)量的驅(qū)動(dòng)下振幅為3.0×10-9m,檢驗(yàn)質(zhì)量受到的源質(zhì)量的驅(qū)動(dòng)力為5.6×10-7N。磁屏蔽層是否超導(dǎo)并不影響對(duì)其他干擾的屏蔽作用,因此作用在檢驗(yàn)質(zhì)量上的力來(lái)自于源質(zhì)量的磁場(chǎng)。電容位移傳感器數(shù)據(jù)顯示此時(shí)源質(zhì)量振幅為58μm。因此磁場(chǎng)引起的源質(zhì)量與檢驗(yàn)質(zhì)量的耦合剛度為9.7×10-3N/m。
假設(shè)源質(zhì)量與其他物體之間的磁場(chǎng)力與兩者之間的正對(duì)面積成正比。源質(zhì)量與探測(cè)器的正對(duì)面積是其與檢驗(yàn)質(zhì)量正對(duì)面積的5.4倍,所以源質(zhì)量與探測(cè)器的耦合剛度為5.2×10-2N/m。
在磁屏蔽層超導(dǎo)的情況下,對(duì)差分傳感回路進(jìn)行了配平,降低其對(duì)地面振動(dòng)等共模噪聲的響應(yīng),以突出微弱的差分加速度信號(hào);并對(duì)輸出信號(hào)進(jìn)行了標(biāo)定,以便定量分析磁場(chǎng)對(duì)加速度測(cè)量的干擾。
圖6 為電路配平后26 000 s數(shù)據(jù)的幅值譜。共模噪聲被很好地抑制,差模位移傳感回路對(duì)探測(cè)器沿x方向擺動(dòng)的響應(yīng)減小到原來(lái)的1/50 000,即共模抑制比50 000。
圖6 共模和差模傳感回路輸出幅值譜圖Fig.6 Amplitude specturm of the outputs of the common mode and differential mode displacement sensing circuits
上述數(shù)據(jù)中,源質(zhì)量振幅為43μm,乘以4.3節(jié)中得到的源質(zhì)量與探測(cè)器的磁場(chǎng)力耦合剛度,得出源質(zhì)量對(duì)探測(cè)器的磁場(chǎng)力擾動(dòng)為2.2×10-6N,相應(yīng)的探測(cè)器共模加速度為1.1×10-7m·s2。測(cè)量得到源質(zhì)量頻率的共模加速度擾動(dòng)振幅為9.0×10-8m·s-2,如圖6所示。測(cè)量與計(jì)算值具有很好的一致性。因此,驗(yàn)證了磁場(chǎng)力耦合剛度,也證實(shí)了源質(zhì)量頻率的異常共模加速度信號(hào)確實(shí)來(lái)自磁場(chǎng)。
按照50 000的共模抑制比,源質(zhì)量頻率的殘余差模加速度幅值應(yīng)被減小到1.8×10-12m·s-2,但其實(shí)際幅值卻高達(dá)1.6×10-10m·s-2。通過(guò)改變差模傳感回路中的電流方向,發(fā)現(xiàn)殘余差分加速度幅值變?yōu)?1.4×10-10m·s-2,相位變化180°。傳感電流反轉(zhuǎn)會(huì)引起真實(shí)位移的符號(hào)改變,而不改變各類(lèi)與磁場(chǎng)相關(guān)的干擾信號(hào)的符號(hào),因此真實(shí)檢驗(yàn)質(zhì)量差分加速度為1.5×10-10m·s-2,而各種磁場(chǎng)引起的干擾信號(hào)為 1.0×10-11m·s-2。
5.2.1 對(duì)殘余差分加速度來(lái)源的分析
由于差模傳感回路已配平,所以檢驗(yàn)質(zhì)量必然受到了源質(zhì)量不相等的驅(qū)動(dòng)。在屏蔽層超導(dǎo)情況下,源質(zhì)量通過(guò)磁場(chǎng)力使屏蔽層發(fā)生變形,屏蔽層又通過(guò)磁場(chǎng)力驅(qū)動(dòng)檢驗(yàn)質(zhì)量運(yùn)動(dòng)。兩屏蔽層剛度和剩磁的差異以及兩檢驗(yàn)質(zhì)量剩磁的差異等會(huì)使源質(zhì)量對(duì)兩檢驗(yàn)質(zhì)量的驅(qū)動(dòng)不相等,從而產(chǎn)生差分加速度信號(hào)。通過(guò)移動(dòng)源質(zhì)量故意使其平衡位置偏離探測(cè)器對(duì)稱(chēng)面,可將源質(zhì)量頻率的差模加速度信號(hào)減小到約3.0×10-11m·s-2,在一定程度證實(shí)了差分加速度擾動(dòng)來(lái)源于各種不對(duì)稱(chēng)性的猜測(cè)。各種不對(duì)稱(chēng)因素在引起殘余差分加速度中的重要程度在目前的試驗(yàn)中無(wú)法判斷。
當(dāng)差分超導(dǎo)回路中無(wú)傳感電流時(shí),頻率為0.4 Hz的信號(hào)在與探測(cè)器振幅的關(guān)系很穩(wěn)定,在三次重復(fù)實(shí)驗(yàn)中其變化小于0.6%,所以檢驗(yàn)質(zhì)量束縛的磁場(chǎng)具有很好的穩(wěn)定性,這使得其影響可以在電路配平中消除。在差分位移傳感回路注入電流并配平后,源質(zhì)量擺動(dòng)頻率的殘余差分加速度振幅在不同試驗(yàn)中有較大的變化,在三組不同實(shí)驗(yàn)中波動(dòng)了約11%。由于檢驗(yàn)質(zhì)量剩磁和源質(zhì)量剩磁都是穩(wěn)定的,因此殘余差分加速度幅值的變化來(lái)源于超導(dǎo)屏蔽層束縛磁場(chǎng)的變化。超導(dǎo)屏蔽層材料為二類(lèi)超導(dǎo)體,其所束縛的磁場(chǎng)取決于降溫過(guò)程中外界磁場(chǎng)的情況,與降溫過(guò)程中源質(zhì)量位置、姿態(tài)和速度密切相關(guān)。源質(zhì)振幅衰減很慢,很難使其與屏蔽層保持相對(duì)靜止,造成了屏蔽層束縛磁場(chǎng)的不確定性,從而引起了不同實(shí)驗(yàn)中殘余差分加速度振幅的波動(dòng)。
利用馬里蘭大學(xué)50~100 μm距離牛頓引力平方反比定律實(shí)驗(yàn)裝置,研究了基于低溫超導(dǎo)位移傳感技術(shù)的引力測(cè)量實(shí)驗(yàn)中磁場(chǎng)干擾的作用機(jī)制,并對(duì)其影響進(jìn)行了量化分析,得到了與實(shí)驗(yàn)一致結(jié)果。通過(guò)實(shí)驗(yàn),發(fā)現(xiàn)源質(zhì)量具有較強(qiáng)的剩磁,與其周?chē)某瑢?dǎo)體有較強(qiáng)的磁場(chǎng)力相互作用。檢驗(yàn)質(zhì)量剩磁具有很好的穩(wěn)定性,可以在差分傳感回路中通過(guò)配平傳感電流消除其影響。超導(dǎo)體檢驗(yàn)質(zhì)量對(duì)傳感線圈具有很好的遮蔽作用,屏蔽層剩磁不會(huì)進(jìn)入差分傳感線圈。差分加速度干擾來(lái)源于磁屏蔽層剛度、檢驗(yàn)質(zhì)量剩磁以及屏蔽層剩磁的不對(duì)稱(chēng)性。
引起加速度擾動(dòng)的各種因素中,檢驗(yàn)質(zhì)量和磁屏蔽層受限于二類(lèi)超導(dǎo)體的特性,必定束縛環(huán)境磁場(chǎng)而引起剩磁,采取更好的環(huán)境磁場(chǎng)屏蔽措施只能屏蔽外界磁場(chǎng),而對(duì)源質(zhì)量剩磁引起的環(huán)境磁場(chǎng)無(wú)效。檢驗(yàn)質(zhì)量和屏蔽層的剩磁將最終取決于源質(zhì)量的剩磁情況。因此,建議將降低源質(zhì)量剩磁作為重點(diǎn)改進(jìn)方向。
實(shí)驗(yàn)是在Ho Jung Paik教授的全程指導(dǎo)下進(jìn)行的。在理論和分析方面與Vol Moody博士進(jìn)行了大量的討論,在實(shí)驗(yàn)上得到了Ron Norton的大量技術(shù)支持。在此表示感謝。