成曉哲,王大鵬,穆云超,石中金,丁程浩
(中原工學(xué)院 材料與化工學(xué)院, 河南 鄭州 450007)
英國曼徹斯特大學(xué)Novoselov和Geim在2004年采用膠帶剝離法制備出單層的石墨烯,這種材料厚度只有0.335 nm,是世界上最薄的材料,也是一種超輕材料[1-5]。層片狀石墨烯是一種碳sp2雜化的單原子層片結(jié)構(gòu)[6]。石墨烯獨(dú)特的單原子層二維結(jié)構(gòu)使其擁有優(yōu)于其他材料的獨(dú)特性能,如極強(qiáng)的機(jī)械性能、優(yōu)異的熱電傳導(dǎo)性、極大的比表面積和極高的硬度[7-9]。石墨烯在材料、物理和化學(xué)等多個學(xué)科領(lǐng)域均有著廣泛的使用價值。
從2004年至今,石墨烯的制備方法,尤其是制備少層數(shù)、高質(zhì)量石墨烯的方法,在科學(xué)界一直被廣泛研究探索。目前,石墨烯常用的制備方法有:機(jī)械剝離法[1]、氧化還原法[9]、外延生長法[10]、化學(xué)氣相沉積法[11]、電化學(xué)剝離法[12]等。機(jī)械剝離法能夠制備高質(zhì)量且尺寸較大的石墨烯,一般在微米量級,最大可到毫米量級,缺點(diǎn)是產(chǎn)率低、成本高、可控性差,不能進(jìn)行大批量生產(chǎn)[13]。氧化還原法是現(xiàn)在比較廣泛使用的制備方法,這種方法所制備的石墨烯層數(shù)少,產(chǎn)量大,但是石墨烯的缺陷較多,產(chǎn)品質(zhì)量及穩(wěn)定性均比較差,制備過程中需要控制的因素較多,氧化過程需要強(qiáng)氧化劑和高濃度的酸,且還原過程釆用許多有毒的還原劑,而這些藥品在制備完畢后均難以處理,會產(chǎn)生嚴(yán)重的“三廢”問題[14]。外延生長法是一種能夠制備缺陷較少石墨烯的方法,但是由于制備條件需要超高真空和高溫,并且制備的石墨烯不易提取,所以也難以實現(xiàn)大批量的制備及應(yīng)用[15]?;瘜W(xué)氣相沉淀法可以制備面積大、質(zhì)量高的單層石墨烯薄膜,適用于制備石墨烯涂層的場合,然而其生產(chǎn)工藝復(fù)雜,需要高溫及相應(yīng)的氣體環(huán)境,不利于大批量制備游離的少層石墨烯[16]。到目前為止,石墨烯的制備技術(shù)仍是制約其廣泛應(yīng)用的瓶頸之一,低成本、大批量制備高質(zhì)量、高純度、少層石墨烯的技術(shù)仍需不斷探索。
電化學(xué)剝離法制備石墨烯是一種比較新型的高效制備方法,主要特點(diǎn)包括:原材料多為石墨棒或者石墨紙,來源豐富,價格低廉;工藝方法比較簡單,只需要在稀硫酸中通電處理原材料,且能夠通過調(diào)整電壓和電流實現(xiàn)對剝離程度的精準(zhǔn)調(diào)控;所使用的硫酸溶液可重復(fù)利用,相比氧化還原法,此方法不僅對石墨的氧化程度大幅降低,能極大程度地保持石墨原有結(jié)構(gòu)[17],而且對環(huán)境污染較輕。本文以高純度的石墨紙為原料,硫酸為電解液,采用電化學(xué)剝離法快速剝離制備石墨烯。通過調(diào)整硫酸溶液的濃度,研究所制備石墨烯特性與電解液濃度的關(guān)系,并采用XRD、FE-SEM、FT-IR及Raman等測試分析手段,對石墨烯樣品進(jìn)行表征和分析,從而總結(jié)出電化學(xué)剝離法高效制備石墨烯的規(guī)律,為探索石墨烯的制備方法提供一定的研究基礎(chǔ)。
以高純度石墨紙(厚度0.3 mm,純度>99%)為原料,分別采用濃度為0.5 mol/L、1.0 mol/L、1.5 mol/L的硫酸在5 V直流電壓作用下對石墨紙進(jìn)行電化學(xué)剝離。剝離15 min后,過濾出剝離產(chǎn)物,加入去離子水,采用超聲破碎儀對電化學(xué)剝離產(chǎn)物進(jìn)行進(jìn)一步剝離,超聲時間為30 min,得到石墨烯的酸性溶液,經(jīng)反復(fù)離心、水洗后,采用冷凍干燥機(jī)干燥得到石墨烯樣品。
采用Ultima IV型X-射線衍射儀對樣品進(jìn)行物相分析和結(jié)構(gòu)分析,Cu靶,Kα輻射,波長λ=0.154 06 nm;采用Merlin Compact型場發(fā)射掃描電鏡觀察石墨烯的微觀形貌,場電壓為20 kV;采用Nicolet iS50型傅立葉變換紅外光譜儀,對石墨烯表面官能團(tuán)進(jìn)行表征;采用Lab RAM HR Evolution型高分辨拉曼光譜儀,對石墨烯的缺陷和層數(shù)進(jìn)行表征。
圖1為電化學(xué)剝離法制備的石墨烯樣品與原材料石墨紙的XRD圖譜。如圖所示,石墨紙的XRD峰型特別尖銳,特征峰出現(xiàn)在26.68°和54.74°處,分別對應(yīng)石墨紙的(002)和(004)晶面,說明石墨紙晶型結(jié)構(gòu)非常規(guī)整。
使用濃度為0.5 mol/L、1.0 mol/L、1.5 mol/L的硫酸所制備的石墨烯樣品衍射峰形狀類似,(002)面特征峰分別出現(xiàn)在26.26°、26.36°和26.44°處,相比石墨紙的衍射峰,均出現(xiàn)左移,衍射峰變寬,強(qiáng)度明顯減弱,這是由于石墨片層尺寸縮小,晶型結(jié)構(gòu)完整度下降,無序度增加造成的。這說明采用硫酸電化學(xué)剝離制備石墨烯工藝是可行的。由布拉格公式2dsinθ=nλ可知,較小的2θ對應(yīng)于較大的d值,d在本實驗中為石墨烯層片的層間距,顯然2θ較小的樣品剝離效果更好,即濃度為0.5 mol/L的硫酸對石墨烯剝離的效果最好。
圖2為不同濃度硫酸制備石墨烯樣品的拉曼光譜。如圖所示,硫酸濃度為0.5 mol/L、1.0 mol/L、1.5 mol/L時,所制備的石墨烯樣品均在1 350 cm-1處出現(xiàn)明顯的D峰,在1 577 cm-1附近出現(xiàn)明顯的G峰。一般用D峰和G峰的強(qiáng)度比(ID/IG)來對石墨烯的缺陷密度進(jìn)行表征,且缺陷密度和ID/IG成正比。硫酸濃度為0.5 mol/L、1.0 mol/L、1.5 mol/L時,制備的石墨烯樣品的ID/IG分別為0.39、1.02、1.06,說明硫酸濃度為0.5 mol/L時制備的石墨烯缺陷較少,硫酸濃度為1.0 mol/L和1.5 mol/L時石墨烯缺陷較多。這是因為硫酸濃度較高時,增強(qiáng)了陽極氧化效應(yīng),提高了石墨烯的氧化程度,使缺陷密度提高。另外,在石墨烯中,2D峰和G峰的強(qiáng)度比(I2D/IG)可以反映出石墨烯層數(shù)的信息,且隨著石墨烯層數(shù)的增加,I2D/IG比降低,即I2D/IG比值越小,代表著石墨烯的層數(shù)越多。硫酸濃度為0.5 mol/L、1.0 mol/L、 1.5 mol/L時,石墨烯樣品的I2D/IG分別為0.60、0.50和0.36,由此可知,硫酸濃度為0.5 mol/L時,石墨烯樣品層數(shù)較少,根據(jù)文獻(xiàn)分析,此方法制備的石墨烯層數(shù)約4~5層[18]。
圖2 不同濃度硫酸制備石墨烯樣品的Ramam圖
圖3所示為電化學(xué)剝離法制備石墨烯的FT-IR結(jié)果。圖3中,3組樣品均在1 000-1 200 cm-1處有明顯的吸收峰,該峰對應(yīng)為C-O的伸縮振動;1 395 cm-1附近是-OH的吸收峰,3 400 cm-1附近的寬吸收峰主要?dú)w因于樣品中含有的水;在1 720 cm-1處的吸收峰屬于羧基上的C=O的伸縮振動峰;在1 620 cm-1附近有sp2結(jié)構(gòu)中的C=C伸縮振動峰。紅外分析結(jié)果表明,以硫酸作為電解液,采用電化學(xué)剝離法制備的石墨烯樣品中,含有羥基、羰基、羧基等官能團(tuán)。
圖3 電化學(xué)剝離法制備的石墨烯的FT-IR圖片
圖4為石墨紙和不同濃度硫酸制備石墨烯樣品的FE-SEM圖片。從圖中可以看出,通過電化學(xué)剝離法制備的石墨烯,已經(jīng)和石墨紙的形貌完全不一樣,所制備的樣品中明顯能看到大量游離的大片層狀石墨烯薄膜。通過電化學(xué)剝離法制備的石墨烯層片較薄,表面均有翹起的片狀結(jié)構(gòu),這表明在電解過程中,電極上因氧化還原反應(yīng)產(chǎn)生的氣體對增大石墨層片間距及順利剝離石墨層片有很好的作用。電鏡掃描結(jié)果表明,0.5 mol/L、1.0 mol/L、1.5 mol/L的硫酸電解液均能制備形貌較好的石墨烯,但結(jié)合拉曼和紅外光譜分析的結(jié)果可知,0.5 mol/L的硫酸電解液所制備的石墨烯擁有更少的缺陷,因此,采用0.5 mol/L的硫酸溶液更適合用于電化學(xué)剝離法制備石墨烯。
除此之外,在制備石墨烯時,隨著硫酸濃度的增大,石墨紙會以大塊剝落的形式從電極上脫落,宏觀效果體現(xiàn)為剝離速度變快,但石墨烯產(chǎn)率因石墨紙的大塊剝離而下降,即石墨烯的剝離效率降低。因此,較稀的硫酸濃度有助于保持較高的石墨烯剝離程度。從原料利用率角度來看,較稀的硫酸更適用于剝離石墨烯。
(a)石墨紙 (b)0.5 mol/L
(c)1.0 mol/L (d)1.5 mol/L圖4 石墨紙和不同濃度硫酸制備石墨烯樣品的SEM圖譜
(1)使用電化學(xué)剝離法在0.5~1.5 mol/L的硫酸電解液中電解石墨紙,可以快速制備石墨烯。
(2)當(dāng)硫酸濃度為0.5 mol/L時,石墨烯的缺陷密度較低,層數(shù)較少,約4~5層。當(dāng)硫酸濃度為1.0 mol/L和1.5 mol/L時,石墨烯的剝離程度有所降低,剝離產(chǎn)物中大塊石墨片增多,且石墨烯的缺陷密度增大。
(3)所制備的石墨烯表面含有羥基、羰基、羧基等官能團(tuán),這些表面官能團(tuán)的存在,為接下來對石墨烯進(jìn)行表面修飾研究提供了基礎(chǔ)。
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