無(wú)抽搐電休克治療對(duì)精神分裂癥患者短時(shí)記憶損傷及恢復(fù)周期的影響研究*

張 紅，于 濱，張國(guó)玲，趙 潔，柏 林

北京市昌平區(qū)中西醫(yī)結(jié)合醫(yī)院(北京102208)

精神分裂癥是一種常見(jiàn)的精神障礙，主要表現(xiàn)為基本個(gè)性改變以及情感、思維、意志活動(dòng)的分裂，精神活動(dòng)與環(huán)境不協(xié)調(diào)[1-2]。精神分裂癥患者存在一定程度的認(rèn)知功能損害，并可引起妄想以及慢性情緒、認(rèn)知、行為障礙，對(duì)患者的日常生活造成嚴(yán)重影響[3-4]。精神分裂癥常采取藥物治療方式，但是藥物治療不良反應(yīng)較多，且對(duì)于一些難治性精神分裂癥效果不明顯，目前主張采用多手段的綜合治療方式[5-6]。無(wú)抽搐電休克治療(MECT)是一種物理治療方法，通過(guò)給予患者短暫適量的電流刺激使患者喪失意識(shí)，從而控制精神分裂癥狀。目前關(guān)于MECT治療精神分裂癥的療效已經(jīng)得到公認(rèn)，但其安全性一直存在較大的爭(zhēng)議[7-8]。本研究旨在探討MECT對(duì)精神分裂癥患者短時(shí)記憶及恢復(fù)周期的影響。

資料與方法

1 一般資料 選取精神分裂癥患者40例為研究對(duì)象，所有患者均符合以下入選條件：①符合精神分裂癥的診斷標(biāo)準(zhǔn)并確診；②無(wú)MECT治療禁忌證，均接受并順利完成MECT治療；③臨床資料和隨訪資料完整；④均知情同意并簽署知情同意書；⑤排除嚴(yán)重心、肝、肺、腎臟器功能不全；⑥排除顱外傷致昏迷史、精神發(fā)育遲滯、物質(zhì)濫用或依賴。共納入40例，其中男24例，女16例；年齡20～59歲，平均年齡(31.65±9.83)歲；病程24～198個(gè)月，中位病程84個(gè)月；首次發(fā)病年齡16～34歲，平均(23.38±6.88)歲；10例患者有家族史，MECT治療次數(shù)為8～12次，平均(10.55±1.48)次。

2 治療方法 均采用美國(guó)思培通多功能電休克系統(tǒng)(SPECTROM 5000Q)進(jìn)行常規(guī)MECT治療，治療前禁食8 h，取平臥位，依次注射阿托品、丙泊酚、氯化琥珀酰膽堿。待患者自主呼吸停止，四肢肌束震顫結(jié)束后插入牙托，通電治療，電量按年齡設(shè)定，電阻小于1000歐，每次治療時(shí)間不少于7.5 s，開(kāi)始每日一次，一周后隔日一次。所有患者均聯(lián)合抗精神病藥物(奧氮平、氯氮平、喹硫平、利培酮、阿立哌唑等)治療。

3 評(píng)價(jià)指標(biāo) ①精神癥狀：采用陽(yáng)性與陰性癥狀量表(PANSS)評(píng)估患者的精神癥狀，得分越高，精神癥狀越明顯，分別在MECT治療前、治療后、治療后4周進(jìn)行檢查。②記憶能力：采用修訂韋氏記憶量表(WMS)對(duì)記憶能力進(jìn)行評(píng)價(jià)，量表包括累加、再認(rèn)、定向、記圖、聯(lián)想等維度，測(cè)定記憶商數(shù)(MQ)表示記憶水平，得分越高，記憶能力越好。分別在MECT治療前、治療后、治療后1周、治療后2周、治療后4周進(jìn)行檢查。

結(jié) 果

1 MECT治療前后PANSS評(píng)分變化比較 MECT治療前PANSS評(píng)分為(59.10±12.85)分，治療后PANSS評(píng)分為(44.65±7.58)分，治療后4周PANSS評(píng)分為(40.80±6.43)分，治療后和治療后4周PANSS評(píng)分均低于治療前(t=11.48、11.69，P<0.05)，且治療后4周低于治療后(t=2.28，P<0.05)。

2 MECT治療前后MQ值比較 見(jiàn)表1。MECT治療后MQ總分低于治療前(t=2.92，P<0.05)，治療后1周、2周、4周均高于治療后(t=2.68、2.99、3.21，P<0.05)，治療后1周、2周、4周MQ總分高于治療前，但差異無(wú)統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(t=0.25、0.60、1.08，P>0.05)。各維度中，記圖治療后評(píng)分顯著低于治療前(t=2.89，P<0.05)，治療后1周累加、再認(rèn)評(píng)分顯著高于治療前(t=3.27、2.13，P<0.05)，治療后2周累加、再認(rèn)、聯(lián)想、理解顯著高于治療前(t=3.35、2.26、2.33、2.40，P<0.05)，治療后4周定向、累加、再認(rèn)、聯(lián)想、理解評(píng)分顯著高于治療前(t=2.79、3.39、2.35、2.38、2.44，P<0.05)。

表1 MECT治療前后MQ值比較(分)

注：與治療前比較，*P<0.05；與治療后比較，#P<0.05

討 論

一般而言，早期通過(guò)誘發(fā)抽搐可以達(dá)到控制和治療包括精神分裂癥在內(nèi)的多種精神疾病，傳統(tǒng)藥物誘發(fā)抽搐因副作用大臨床應(yīng)用受限制。MECT是通過(guò)電流刺激中樞神經(jīng)系統(tǒng)誘發(fā)抽搐，電流刺激強(qiáng)度適中，并造成大腦皮層和中樞神經(jīng)系統(tǒng)電活動(dòng)同步化，讓患者的意識(shí)出現(xiàn)短暫的喪失，從而達(dá)到控制精神癥狀的作用[9-10]。諸多研究均表明[10-11]，MECT在精神分裂癥的治療中效果顯著。本研究也發(fā)現(xiàn)，治療后、治療后4周患者的PANSS評(píng)分均低于治療前，且治療后4周低于治療后(P<0.05)。結(jié)果表明，MECT能夠較快、持續(xù)的改善患者精神癥狀，特別適合難治性精神分裂癥患者，與許素娥等[12]的研究結(jié)果一致。

目前普遍觀點(diǎn)認(rèn)為MECT是一種安全有效的物理治療方法[10-11]；但也有研究發(fā)現(xiàn)[7-8]MECT會(huì)引起認(rèn)知功能特別是記憶能力損傷。本研究采用修訂韋氏記憶量表(WMS)的記憶商數(shù)(MQ)對(duì)記憶能力進(jìn)行評(píng)價(jià)，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，MECT治療后MQ總分低于治療前的，記圖治療后評(píng)分顯著低于治療前，說(shuō)明MECT治療后會(huì)引起記憶損傷，且主要損傷短時(shí)記憶；治療后1周、2周、4周均高于治療后且與治療前比較差異無(wú)統(tǒng)計(jì)學(xué)意義，說(shuō)明MECT治療引起的記憶損傷是暫時(shí)性的，治療后1周左右記憶水平基本可恢復(fù)至治療前水平。研究認(rèn)為[8]，MECT治療過(guò)程中引起的記憶功能損害與前額葉功能紊亂相關(guān)，而治療強(qiáng)度也會(huì)影響難治性精神分裂癥MECT治療后的記憶功能損害。MECT治療引起記憶損傷的可能原因是由于MECT治療過(guò)程中出現(xiàn)的類癲癇發(fā)作，造成大腦神經(jīng)元缺氧和內(nèi)皮細(xì)胞損傷[13-15]。而這種損害是短暫和可逆的，約1周左右即可恢復(fù)至治療前水平。

各維度中，治療后4周定向、累加、再認(rèn)、聯(lián)想、理解評(píng)分顯著高于治療前。說(shuō)明MECT治療后記憶恢復(fù)過(guò)程中記憶能力部分維度改善較快且超越了治療前水平，這可能與MECT治療能夠改善思維障礙癥狀，控制和治療精神癥狀有關(guān)[7]；而MECT本身并不會(huì)加重患者認(rèn)知功能障礙。

綜上所述，本研究結(jié)果發(fā)現(xiàn)MECT治療可顯著改善精神分裂癥患者精神癥狀，但會(huì)引起短時(shí)記憶損傷，治療后1周可恢復(fù)到治療前水平，MECT治療后1周患者部分維度的記憶能力較治療前改善。

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