張世斌
摘 要: 隨著社會經(jīng)濟(jì)和科學(xué)技術(shù)不斷發(fā)展,我國光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速,帶動我國社會經(jīng)濟(jì)進(jìn)一步快速發(fā)展的同時,對于多晶硅原料提出了更大的需求。就現(xiàn)代光伏產(chǎn)業(yè)而言,多晶硅是其重要的基礎(chǔ)材料,而三氯氫硅提純是多晶硅生產(chǎn)的關(guān)鍵環(huán)節(jié),并且這一環(huán)節(jié)的提純效果直接影響著多晶硅產(chǎn)品最終的產(chǎn)品質(zhì)量。同時,由于多方面因素的干擾和影響,目前三氯氫硅精餾生產(chǎn)流程仍存在著能耗偏高、三氯氫硅損失量較高等問題,制約著光伏產(chǎn)業(yè)的進(jìn)一步健康發(fā)展。筆者即從三氯氫硅精餾入手,通過化工流程模擬軟件,針對目前主流的三氯氫硅精餾雙塔工藝流程進(jìn)行了模擬計(jì)算,并相應(yīng)提出了幾點(diǎn)優(yōu)化建議,以供相關(guān)人員參考。
關(guān)鍵詞: 三氯氫硅;精餾;過程模擬;優(yōu)化
近幾年,我國社會經(jīng)濟(jì)發(fā)展迅速,帶動我國光伏產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的同時,相應(yīng)提高了對于多晶硅原料的供應(yīng)需求和質(zhì)量要求。從多晶硅原料生產(chǎn)的角度分析,三氯氫硅提純是目前主流多晶硅生產(chǎn)工藝改良西門子法的關(guān)鍵環(huán)節(jié),如三氯氫硅的純度不足或在提純過程中存在其他工藝問題,就會直接降低多晶硅產(chǎn)品的產(chǎn)品質(zhì)量,進(jìn)而影響光伏產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展。目前,工業(yè)三氯氫硅的提純主要依靠精餾工藝實(shí)現(xiàn),其中雙塔精餾工藝是當(dāng)前工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用最為廣泛的工藝技術(shù)。但由于多方面因素影響,目前雙塔精餾工藝在應(yīng)用過程中,仍存在著能耗偏高、三氯氫硅損失量高等問題,不利于工藝成本和產(chǎn)品質(zhì)量的控制。本文通過專業(yè)化工流程模擬軟件,對工業(yè)三氯氫硅雙塔精餾流程進(jìn)行了模擬和計(jì)算,并以此為基礎(chǔ),就雙塔精餾工藝流程相關(guān)參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化,具體內(nèi)容如下:
一、三氯氫硅精餾工藝流程概述
目前,工業(yè)上多采用雙塔精餾工藝進(jìn)行三氯氫硅的提純,一般工藝流程如圖一所示。由圖一可知,三氯氫硅精餾提純過程中,合成反應(yīng)液率先進(jìn)入預(yù)塔,即預(yù)分離塔,并在與分離塔完成初步的輕組分、重組分脫出。此時,二氯二氫硅、三氯化硼等輕組分雜質(zhì)由塔頂直接脫出,重組分也就是釜液經(jīng)由進(jìn)料泵輸送至三塔,即三氯氫硅塔。經(jīng)過三氯氫硅塔的進(jìn)一步提純處理,在塔頂就可以得到純度相對較高的三氯氫硅產(chǎn)品。
一般來說,三氯氫硅雙塔精餾工藝要求三塔塔頂最終的三氯氫硅產(chǎn)品的質(zhì)量分?jǐn)?shù)必要超過99.9%,同時三氯化硼的質(zhì)量分?jǐn)?shù)不得超過2.0×10-8,三氯化磷的質(zhì)量分?jǐn)?shù)不得超過5.0×10-9。此外,塔釜三氯氫硅的質(zhì)量分?jǐn)?shù)不得超過5.0×10-4。
二、雙塔精餾工藝過程的初步設(shè)計(jì)與計(jì)算分析
從三氯氫硅精餾過程模擬的角度分析,模擬計(jì)算結(jié)構(gòu)的準(zhǔn)確度與物性方法的選擇間有著直接且緊密的聯(lián)系,考慮到整個工藝過程中的物系中同時含有極性物質(zhì)和非極性物質(zhì),故而選用NRTL物性方法進(jìn)行相應(yīng)的模擬計(jì)算,以確保實(shí)現(xiàn)對非理想溶液VLE性質(zhì)的準(zhǔn)確描述。
同時,為進(jìn)一步減少三氯氫硅雙塔精餾過程中,塔頂制冷系統(tǒng)的能量損耗,將深冷水改為常溫循環(huán)冷卻水,同時進(jìn)行了相應(yīng)的加壓精餾調(diào)整。鑒于預(yù)分離塔和三氯氫硅塔塔頂輕組分的三氯氫硅的含量都很高,并且塔頂?shù)臏囟扰c三氯氫硅的飽和蒸汽壓下的溫度相接近,故而雙塔的操作壓力均設(shè)計(jì)為0.15MPa。另外,在0.15MPa塔頂壓力條件下,塔頂溫度設(shè)置在55.0~60.0℃區(qū)間內(nèi)。
預(yù)分離塔與三氯氫硅塔對應(yīng)的NT(理論塔板數(shù))和R(回流比)間的關(guān)系,由DSTWU簡潔法計(jì)算得到。根據(jù)計(jì)算結(jié)果,隨著塔板數(shù)的持續(xù)增加,回流比開始逐漸降低,并且初始的降低幅度明顯,達(dá)到一定標(biāo)準(zhǔn)逐漸變慢、減小。塔板數(shù)和回流比間的關(guān)系,客觀地反映出精餾過程中的能耗及設(shè)備費(fèi)用等信息,從整體角度考慮,應(yīng)在合理控制設(shè)備成本的基礎(chǔ)上,加強(qiáng)對能耗的科學(xué)控制,故而最優(yōu)化的塔板數(shù)和回流比選擇為,預(yù)分離塔分別是92和15;三氯氫硅塔分別是80和14.
在簡潔法計(jì)算結(jié)果基礎(chǔ)上,將理論塔板數(shù)、回流比、進(jìn)料位置等基礎(chǔ)信息帶入RadFrac模型,進(jìn)行相應(yīng)的嚴(yán)格法計(jì)算,并使用Aspen Plus相關(guān)靈敏度分析工具,在產(chǎn)品質(zhì)量合格基礎(chǔ)上進(jìn)行科學(xué)的靈敏度分析,即可對設(shè)計(jì)變量對于關(guān)鍵操作變量的具體影響進(jìn)行確定,從而實(shí)現(xiàn)對整個工藝流程的優(yōu)化設(shè)計(jì)。
三、雙塔精餾工藝中各塔參數(shù)的優(yōu)化分析
(一)預(yù)分離塔參數(shù)優(yōu)化分析
就三氯氫硅雙塔精餾工藝而言,三氯化硼是合成反應(yīng)液中最不容易脫除的輕組分,同時如若使用硼含量超標(biāo)或較高的三氯氫硅參與后續(xù)的還原反應(yīng),還將造成多晶硅產(chǎn)品的光電轉(zhuǎn)化能力急劇下降等問題。因此,在實(shí)際精餾工藝處理過程中,就需要最大限度地對三氯化硼進(jìn)行清除,從而保障三氯氫硅塔塔頂產(chǎn)品的三氯化硼含量達(dá)到質(zhì)量分?jǐn)?shù)不超過2.0×10-8的標(biāo)準(zhǔn)要求。
通過進(jìn)料板位置的靈敏度測試可以發(fā)現(xiàn),控制進(jìn)料板位置不斷下移,預(yù)分離塔塔釜的三氯化硼含量出現(xiàn)先減少后增加的變化趨勢,并且進(jìn)料位置處于第72塊塔板位置時,塔釜的三氯化硼質(zhì)量分?jǐn)?shù)最小。另外,保持塔板數(shù)和進(jìn)料位置固定,控制增大回流比,也可以達(dá)到一定的增強(qiáng)預(yù)分離塔分離效果的目的,但控制增大回流比,也必然會造成塔釜再沸器和塔頂冷凝器熱負(fù)荷的增加,故而需謹(jǐn)慎進(jìn)行調(diào)節(jié)和應(yīng)用。
(二)三氯氫硅塔參數(shù)優(yōu)化分析
就三氯氫硅塔而言,其參數(shù)優(yōu)化應(yīng)以塔釜及塔頂?shù)娜葰涔栀|(zhì)量分?jǐn)?shù)作為基本的衡量標(biāo)準(zhǔn),同時對比進(jìn)料位置設(shè)置、回流比設(shè)置等參數(shù)調(diào)節(jié),對于塔釜和塔頂三氯氫硅質(zhì)量分?jǐn)?shù)變化的干擾和影響。
首先,就進(jìn)料板位置設(shè)置與塔頂三氯氫硅質(zhì)量分?jǐn)?shù)變化間的關(guān)系來看,隨著進(jìn)料板位置的持續(xù)下移,塔頂三氯氫硅的質(zhì)量分?jǐn)?shù)逐漸增大,同時進(jìn)料板位置處于26~34塊塔板時,塔頂三氯氫硅的質(zhì)量分?jǐn)?shù)變化不明顯,隨后快速降低。因此,三氯氫硅塔的進(jìn)料板應(yīng)設(shè)置在30塊板處為宜;其次,從回流比變化控制的角度分析,隨著回流比的持續(xù)增大,塔頂三氯氫硅的質(zhì)量分?jǐn)?shù)先出現(xiàn)大幅度的增加,隨后進(jìn)入平穩(wěn)狀態(tài)。綜合對比各項(xiàng)指標(biāo)要求后,三氯氫硅塔的回流比應(yīng)控制在9左右。
結(jié)語:
綜上所述,隨著我國光伏產(chǎn)業(yè)不斷發(fā)展,相關(guān)企業(yè)和人員需全面提高對三氯氫硅精餾的重視和關(guān)注,從三氯氫硅精餾基本工藝流程入手,結(jié)合科學(xué)的模擬計(jì)算分析,合理進(jìn)行相應(yīng)的工藝調(diào)整,綜合降低能耗,提高產(chǎn)品質(zhì)量,從而促進(jìn)我國光伏產(chǎn)業(yè)的進(jìn)一步發(fā)展。
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