封裝形式對(duì)電子元器件長(zhǎng)期儲(chǔ)存可靠性研究

張 倩

?

封裝形式對(duì)電子元器件長(zhǎng)期儲(chǔ)存可靠性研究

張 倩

（工業(yè)和信息化部電子科學(xué)技術(shù)情報(bào)研究所，北京 100040）

長(zhǎng)期儲(chǔ)存是解決軍用電子元器件停產(chǎn)斷檔問(wèn)題的常用和重要方法之一。本文首先分析了長(zhǎng)期儲(chǔ)存中電子元器件的失效原因，包括靜電、潮濕、溫度、污染和震動(dòng)，然后研究了對(duì)封裝材料和環(huán)境的通用要求以及各封裝形式對(duì)長(zhǎng)期儲(chǔ)存的特殊要求，最后比較了每種儲(chǔ)存形式的實(shí)際壽命和優(yōu)缺點(diǎn)。證實(shí)只要方法得當(dāng)，每種儲(chǔ)存形式均可實(shí)現(xiàn)大于15年以上的長(zhǎng)期有效儲(chǔ)存。

氣密封裝；塑料封裝；裸芯片；長(zhǎng)期儲(chǔ)存；電子元器件；可靠性

隨著冷戰(zhàn)后軍費(fèi)開(kāi)支大幅壓縮，軍用電子元器件所占市場(chǎng)份額從1970年代的17%迅速縮小至1990年代的不足1%。美國(guó)國(guó)防部從20世紀(jì)90年代起開(kāi)始實(shí)施“商用現(xiàn)貨”（COTS）政策，即通過(guò)商業(yè)采購(gòu)渠道購(gòu)買市場(chǎng)上已有產(chǎn)品來(lái)滿足軍方需求。目前，美軍武器裝備所用電子元器件的96%以上為商用現(xiàn)貨[1]。然而，商用現(xiàn)貨的快速更新?lián)Q代與軍用裝備長(zhǎng)達(dá)數(shù)十年服役周期之間的供需矛盾，常導(dǎo)致大量使用商用現(xiàn)貨的軍用裝備在試樣或服役初期就面臨無(wú)電子元器件備用的難題。例如，F(xiàn)-35戰(zhàn)機(jī)的研發(fā)從2001年開(kāi)始至今已超過(guò)16年的時(shí)間，仍未投入使用，而微電子器件的特征尺寸早已從2001年的0.13 μm發(fā)展到現(xiàn)階段的10 nm，歷經(jīng)8代變遷。由于裝備一旦定型后所用元器件非極端特殊條件不可隨意改動(dòng)，裝備生產(chǎn)商為保證裝備研制和服役后維修維護(hù)的順利進(jìn)行常采取的一種做法是，在所需器件最后一次購(gòu)買（Last Time Buy，LTB）時(shí)大量買進(jìn)并進(jìn)行數(shù)年至數(shù)十年的長(zhǎng)期儲(chǔ)存[2]。然而，隨著新政策的出臺(tái)和技術(shù)的發(fā)展，長(zhǎng)期儲(chǔ)存的難度不斷加大。例如，2006年生效的《危險(xiǎn)品限制指令》（RoHS)因要求商用產(chǎn)品無(wú)鉛化而帶來(lái)了長(zhǎng)期儲(chǔ)存中的錫須問(wèn)題；特征尺寸的微縮和整體封裝體積的減小，降低了器件的可靠性和對(duì)環(huán)境的耐受能力[3]。我國(guó)在某種程度上也存在相似的問(wèn)題。因此，為保證長(zhǎng)期儲(chǔ)存的有效性，本文對(duì)影響電子元器件長(zhǎng)期儲(chǔ)存可靠性的因素包括靜電、潮濕、溫度、污染和震動(dòng)等以及應(yīng)對(duì)措施進(jìn)行了研究。

1 長(zhǎng)期儲(chǔ)存可靠性的影響因素

電子元器件的長(zhǎng)期儲(chǔ)存（Long Term Storage，LTS）是指以非加電狀態(tài)持續(xù)保存一段相當(dāng)長(zhǎng)的時(shí)間。具體保存時(shí)長(zhǎng)依據(jù)使用環(huán)境而不同，在商用領(lǐng)域一般要求超過(guò)12個(gè)月，而在軍事和航空航天領(lǐng)域一般要求超過(guò)5年，但在實(shí)際使用中，軍事領(lǐng)域用電子元器件的長(zhǎng)期儲(chǔ)存常需達(dá)到20年甚至更長(zhǎng)[4]。

軍用電子元器件的封裝形式主要有氣密封裝（Hermetic Packages）、塑料封裝（Plastic Encapsulated Microcircuits，PEM）和不封裝的裸芯片三種，如圖1所示。氣密封裝包括陶瓷封裝和金屬封裝，是傳統(tǒng)軍用電子元器件的標(biāo)準(zhǔn)封裝形式。塑料封裝是絕大多數(shù)商用現(xiàn)貨采用的標(biāo)準(zhǔn)封形式。裸芯片包括晶圓（wafer）和晶粒（die）。裸芯片原是電子元器件的組成部分和制造環(huán)節(jié)之一，但隨著模塊電路的發(fā)展也變成電子元器件的一種供貨形式。

圖1 軍事領(lǐng)域用電子元器件封裝形式劃分

電子元器件在長(zhǎng)期儲(chǔ)存期間發(fā)生的性能退化主要由不適宜的儲(chǔ)存環(huán)境和不當(dāng)?shù)娜藶椴僮鞯仍蛟斐伞－h(huán)境因素包括靜電、溫度、濕度、污染物、氧氣、太陽(yáng)光或紫外光源等；人為操作包括擺放、震動(dòng)、沖擊等；其他因素包括封裝和包裝的壽命和特性等。主要影響因素分析如下。

（1）靜電：可導(dǎo)致器件PN結(jié)損壞、氧化、擊穿和其他敏感參數(shù)效應(yīng)，特別是容易對(duì)CMOS電路造成損傷。

（2）濕度：如果濕度過(guò)高，濕氣將加速芯片表面金屬通路、焊盤、引線和管腿的腐蝕，導(dǎo)致開(kāi)路、焊盤鼓起或變色、鍵合損傷等問(wèn)題。由于塑料的親水性，濕氣還將導(dǎo)致塑封件表面在加熱過(guò)程中出現(xiàn)鼓包或“爆米花”現(xiàn)象。如果濕度過(guò)低，空氣過(guò)于干燥，則容易產(chǎn)生靜電。

（3）溫度：如果溫度過(guò)高，芯片易出現(xiàn)腐蝕、材料分解、卷邊、金屬層應(yīng)力孔洞等現(xiàn)象，非易失性儲(chǔ)存器件還可能丟失所存數(shù)據(jù)[5]。如果溫度變化過(guò)快，容易引起濕氣在芯片表面的凝結(jié)。

（4）污染物：吸附到芯片表面后可能引起鍵合不牢（Non-Stick-on-Pad，NSOP）、斷路和與相鄰金屬區(qū)短路等問(wèn)題。另外，污染物中常含有氟和溴，吸收空氣中的水分后液化加劇腐蝕。

氣密封裝、塑料封裝和裸芯片對(duì)上述性能影響因素的抵抗力依次減弱。氣密封裝的密封性好、機(jī)械硬度大，可有效阻止?jié)駳馊肭趾妥矒魝?。塑料封裝除親水性和錫須問(wèn)題外，還因材料種類眾多，為長(zhǎng)期儲(chǔ)存埋下隱患。日本Sumitomo公司曾為適應(yīng)環(huán)保要求而在焊料成分中加入了紅磷，結(jié)果卻導(dǎo)致元器件在長(zhǎng)期儲(chǔ)存的過(guò)程中失效率大幅上升，造成巨大損失[6]。裸芯片直接暴露于外部環(huán)境，最易受影響。

對(duì)于各種不同的電子元器件，包括金屬氧化物半導(dǎo)體和雙極性器件、電容和壓膜陶瓷、振蕩器和晶振、微電路和混合電路、單片集成器件等，在長(zhǎng)期儲(chǔ)存過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)不同的問(wèn)題，具體表現(xiàn)、原因、檢驗(yàn)方法和應(yīng)對(duì)建議如表1所示[7]。

2 通用儲(chǔ)存步驟和要求

在決定對(duì)某個(gè)元器件進(jìn)行長(zhǎng)期儲(chǔ)存后，從該元器件的采購(gòu)起就應(yīng)給予特別注意，包括制定儲(chǔ)存計(jì)劃、評(píng)估供應(yīng)源、入場(chǎng)檢驗(yàn)、建立儲(chǔ)存日志、檢查包裝材料和控制儲(chǔ)存環(huán)境六步驟，每一個(gè)步驟都有明確的要求。

（1）根據(jù)稀缺程度對(duì)電子元器件器件歸類并制定相應(yīng)儲(chǔ)存計(jì)劃。對(duì)于功能簡(jiǎn)單、環(huán)境適應(yīng)力強(qiáng)、供應(yīng)渠道豐富、容易替換的電子元器件，不需要采取特殊的措施；對(duì)于價(jià)值高、不可替換、即將或已經(jīng)停產(chǎn)的器件，應(yīng)制定謹(jǐn)慎、周密的儲(chǔ)存計(jì)劃。具體需要關(guān)注的點(diǎn)包括：產(chǎn)品等級(jí)（商業(yè)、工業(yè)、各種軍用、航空）、封裝類型和管腳材料、停產(chǎn)斷檔信息以及其他器件采購(gòu)經(jīng)驗(yàn)。

（2）要求供應(yīng)商誠(chéng)實(shí)可信并提供與產(chǎn)品相關(guān)的詳細(xì)信息。在購(gòu)買前應(yīng)要求供應(yīng)商提供元器件生產(chǎn)批號(hào)、生產(chǎn)日期、生產(chǎn)廠商出具的出廠證明等信息；說(shuō)明能追溯回生產(chǎn)廠商的產(chǎn)品流轉(zhuǎn)路徑、發(fā)貨前產(chǎn)品的包裝方式、儲(chǔ)存環(huán)境和時(shí)間；以原廠包裝方式發(fā)貨，不得混裝不同生產(chǎn)日期或批號(hào)的產(chǎn)品、翻新或改變封裝，更改或涂抹產(chǎn)品標(biāo)簽等。

（3）在儲(chǔ)存前的入場(chǎng)檢驗(yàn)中鑒別真?zhèn)魏蜋z驗(yàn)質(zhì)量。對(duì)貴重且稀缺的元器件，必須鑒別真?zhèn)危粚?duì)管腳數(shù)多且易受損傷的封裝類型，如塑封球柵陣列（PBGA），要檢查是否出現(xiàn)劃傷、撞擊等機(jī)械損傷[8]。帶有機(jī)械損傷的器件雖不直接影響性能，但不適于長(zhǎng)期儲(chǔ)存。

表1 長(zhǎng)期儲(chǔ)存對(duì)各類電子元器件造成的影響和應(yīng)對(duì)措施

Tab.1 LTS’s impact to various kinds of components and solutions

（4）建立全過(guò)程儲(chǔ)存數(shù)據(jù)日志。元器件到貨時(shí)即建立數(shù)據(jù)日志，包括產(chǎn)品基本信息、到貨前的流轉(zhuǎn)路徑和儲(chǔ)存狀態(tài)、到貨檢驗(yàn)情況等；長(zhǎng)期儲(chǔ)存過(guò)程中，應(yīng)以生產(chǎn)批號(hào)、生產(chǎn)日期和最小包裝為單位對(duì)每天的儲(chǔ)存環(huán)境、定期檢查結(jié)果等常規(guī)內(nèi)容，以及如停電停氣、位置改變等非常規(guī)事件進(jìn)行記錄等。數(shù)據(jù)日志是器件狀態(tài)確認(rèn)、失效分析的重要依據(jù)。

（5）確保包裝用品符合標(biāo)準(zhǔn)。電子元器件在儲(chǔ)存過(guò)程中常用到的包裝用品有防靜電紙、晶圓盒、晶粒盒（Waffle Pack），包裝卷（Reel）、防潮袋（Moisture Barrier Bag，MBB）、干燥劑、濕度指示卡（Humidity Indicator Card，HIC）、干燥箱以及干燥柜等。包裝用材料不應(yīng)隨時(shí)間老化而釋放多余物質(zhì)，要能滿足靜電防護(hù)要求。具體要求見(jiàn)表2所列的多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)。

防潮袋和干燥柜是最重要的兩道保護(hù)屏障，使用中需注意以下事項(xiàng)。使用防潮袋時(shí)，首先檢查防潮袋的密封性，然后放入元器件并充入干燥的氮?dú)饣蚱渌栊詺怏w，最后再抽真空；必要時(shí)可進(jìn)行兩次充放氣以完全隔絕外界空氣；根據(jù)防潮袋的有效期定期檢查防潮效果。使用干燥柜時(shí)，為保證干燥柜能在普通開(kāi)關(guān)門后的1 h內(nèi)恢復(fù)至預(yù)定指標(biāo)，干燥柜累計(jì)開(kāi)門時(shí)間在8 h內(nèi)不超過(guò)10 min、24 h內(nèi)不超過(guò)30 min。

表2 包裝用品相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)

Tab.2 Related standards for packing materials

（6）儲(chǔ)存環(huán)境要做到適宜可控，具體指標(biāo)要求如下：

典型溫度：20℃±10℃。溫度變化大于10℃的持續(xù)時(shí)間一般不應(yīng)超過(guò)24 h。由于高溫可能導(dǎo)致或加速包裝材料分解，應(yīng)根據(jù)材料特性對(duì)器件可承受的最高溫度和最長(zhǎng)持續(xù)時(shí)間做出修正。

典型濕度：40%~60%相對(duì)濕度（RH）。對(duì)于部分親水性元器件，濕度控制應(yīng)更嚴(yán)格，如光電器件中的光纖在長(zhǎng)時(shí)間暴露于潮濕環(huán)境后可能在表面出現(xiàn)裂痕[9]。

靜電防護(hù)：搬運(yùn)和安放電子元器件時(shí)，人員的穿戴、操作應(yīng)符合防靜電要求，如從包裝卷取元器件時(shí)，卷盤的速度應(yīng)小于10 mm/s，取出角度應(yīng)處于165°~180°[10]。

電子元器件在儲(chǔ)存過(guò)程中還應(yīng)避免紫外光或太陽(yáng)光直射和化學(xué)污染，儲(chǔ)存位置應(yīng)合理規(guī)劃以減少挪動(dòng)和搬運(yùn)的次數(shù)，避免對(duì)元器件造成額外損害及減少不必要的質(zhì)檢和操作步驟。更多具體要求參考表3所列的多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)。

表3 長(zhǎng)期儲(chǔ)存相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)

Tab.3 Related standards for LST

3 塑封器件和裸芯片的特殊儲(chǔ)存要求

除通用儲(chǔ)存要求外，塑封器件和裸芯片還需額外保護(hù)措施。

（1）裸芯片

裸芯片應(yīng)真空密封在防潮袋中，并將防潮袋置于溫度為18~24°C、相對(duì)濕度小于30%、干燥的惰性氣體環(huán)境中。如非真空密封包裝，則需放在以(2~6)×0.028 m3/h速率吹氮?dú)獾牡獨(dú)夤裰?。包裝和檢查裸芯片的環(huán)境應(yīng)遵照ISO14644-1中6或以下等級(jí)所列要求[12]。

（2）塑封器件

濕氣是塑封器件最需要防范的影響因素。標(biāo)準(zhǔn)J-STD-40中根據(jù)塑封器件待裝壽命（Floor Life）的長(zhǎng)短將塑封器件對(duì)濕氣的敏感程度分為8個(gè)等級(jí)，如表4所示。待裝壽命指元器件在使用前離開(kāi)儲(chǔ)存環(huán)境、暴露于溫度不超過(guò)30℃、相對(duì)濕度不超過(guò)60%的環(huán)境中所允許的最長(zhǎng)時(shí)間。為保證元器件的有效，元器件從出廠之日起在測(cè)試、分裝、流通等環(huán)節(jié)的累計(jì)待裝時(shí)間應(yīng)小于元器件待裝壽命。為此，元器件生產(chǎn)廠商必須說(shuō)明元器件的待裝壽命；用戶必須以最小包裝對(duì)元器件的待裝時(shí)間進(jìn)行跟蹤和累計(jì)。如果元器件待裝時(shí)間超出待裝壽命，常用干燥方法有干燥箱或烘烤兩種。若器件待裝時(shí)間小于8h，則需將元器件置于25℃±5℃、相對(duì)濕度小于10%的干燥箱中[13]；如果待裝時(shí)間不可考，則通常將元器件以125 ℃的溫度烘烤24 h，以控制管殼吸收的水汽占總重的比例小于0.05%。在烘烤過(guò)程中，每30 min需要在不超過(guò)30 ℃和60%相對(duì)濕度的環(huán)境中進(jìn)行目檢和重新包裝。

Solution of nonlinear operator equation by inexact iterative under the ordered compressed conditions

表4 塑封器件濕度敏感等級(jí)

Tab.4 Moisture sensitive levels and corresponding floor life

注：*如果再流焊溫度為235 ℃則為必需。

4 三種封裝方式長(zhǎng)期儲(chǔ)存效果驗(yàn)證及比較

據(jù)美國(guó)國(guó)家航空航天局（NASA）、美國(guó)QP半導(dǎo)體公司、Spansion公司、德州儀器公司、Micross公司和英國(guó)Alter公司等機(jī)構(gòu)的調(diào)查和實(shí)驗(yàn)結(jié)果，如果遵照要求妥善儲(chǔ)存，氣密封裝、塑料封裝和裸芯片均可實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期儲(chǔ)存：氣密封裝的常規(guī)儲(chǔ)存年限是10至20年；塑封器件儲(chǔ)存期超過(guò)15年；裸芯片儲(chǔ)存期超過(guò)20年[6-15]；該實(shí)驗(yàn)結(jié)論普遍適用，即對(duì)于抗輻射等特殊元器件并不需要額外采取更多的特殊保護(hù)步驟。

以NASA為例，NASA下設(shè)的10個(gè)主要研究中心，如噴氣推進(jìn)實(shí)驗(yàn)室（JPL）和蘭利研究中心，以及眾多其他研究機(jī)構(gòu)，都需用到大量的電子元器件。以JPL為例，在其自有的飛行電子器件儲(chǔ)存庫(kù)中就儲(chǔ)存了超過(guò)200萬(wàn)只專為航天應(yīng)用而設(shè)計(jì)、測(cè)試和認(rèn)證的電子元器件。NASA表示，每一個(gè)研究中心都如此，電子元器件的長(zhǎng)期可靠?jī)?chǔ)存對(duì)于美國(guó)航空航天設(shè)備的研制和正常工作至關(guān)重要。根據(jù)NASA在2014年發(fā)布的有關(guān)長(zhǎng)期儲(chǔ)存的報(bào)告[7]，NASA搜集研讀了125篇報(bào)道文章，進(jìn)行了17人的電話和當(dāng)面訪談，實(shí)地走訪了4家工廠，與高校和科研機(jī)構(gòu)的專家進(jìn)行大量電子郵件交流，覆蓋從航空到汽車，從計(jì)算機(jī)到無(wú)線電的多個(gè)領(lǐng)域。調(diào)查結(jié)果是，除了個(gè)別例外，只要保證采取合理的儲(chǔ)存方式，沒(méi)有確鑿且充分的證據(jù)顯示經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期儲(chǔ)存器的器件不可信，使用被妥善儲(chǔ)存的長(zhǎng)期儲(chǔ)存器件對(duì)板級(jí)和系統(tǒng)級(jí)幾乎不存在風(fēng)險(xiǎn)；現(xiàn)有報(bào)道長(zhǎng)期儲(chǔ)存失效的文章，普遍存在調(diào)查數(shù)量只是個(gè)位量級(jí)、缺少對(duì)儲(chǔ)存情況和產(chǎn)品特征標(biāo)定等情況的說(shuō)明等問(wèn)題，不足以論證長(zhǎng)期儲(chǔ)存是失效的原因。例外的情況是，避免使用批次號(hào)指向1999到2003年封裝和組裝的任何塑料封裝器件，因?yàn)橹圃焐淘谠摱螘r(shí)間為降低可燃性而在焊料中引入了溴，后者容易引發(fā)腐蝕進(jìn)而導(dǎo)致引線框架和鍵合線的失效。

又以英國(guó)Alter公司為例，Alter長(zhǎng)期存儲(chǔ)開(kāi)始于1982年的“空間實(shí)驗(yàn)室維護(hù)”項(xiàng)目[16]，1993年獲得歐空局（ESA）支持評(píng)估高可靠器件的長(zhǎng)期存儲(chǔ)[14]。Alter在此期間形成一套完整的長(zhǎng)期儲(chǔ)存操作流程和規(guī)范，覆蓋采購(gòu)控制、備件準(zhǔn)備、文檔控制、可追蹤性、篩選、測(cè)試、能力保留、存儲(chǔ)準(zhǔn)備、封裝、存儲(chǔ)條件、監(jiān)控、統(tǒng)計(jì)和看門狗測(cè)試各方面，已為包括歐空局在內(nèi)的全球多個(gè)機(jī)構(gòu)和企業(yè)提供了長(zhǎng)期儲(chǔ)存服務(wù)，服務(wù)范圍包括挑選、訂貨、收貨、測(cè)試、包裝和存儲(chǔ)、周期性驗(yàn)證、根據(jù)預(yù)定時(shí)間發(fā)貨等，所提供器件的最長(zhǎng)存儲(chǔ)期已超過(guò)15年。

再進(jìn)一步具體到不同封裝方式上，氣密封裝對(duì)儲(chǔ)存環(huán)境和基礎(chǔ)設(shè)施要求最低，且有著長(zhǎng)儲(chǔ)存壽命，一直是長(zhǎng)期儲(chǔ)存的首選，但并非所需的電子元器件都有氣密封裝；且隨著氣密封裝越來(lái)越少，它們作為長(zhǎng)期儲(chǔ)存的首選已沒(méi)有從前吸引人。塑封器件最容易獲得，但儲(chǔ)存環(huán)境較氣密封裝苛刻。裸芯片可提供最大的靈活性，避免了現(xiàn)階段氣密和塑料封裝形式無(wú)法滿足未來(lái)需要的問(wèn)題；裸芯片所需儲(chǔ)存空間也較小，7000只晶粒只需一片6 cm×2.54 cm(6英寸)晶圓面積大小，而7000只14管腳塑料雙列直插封裝則需要一個(gè)抽屜的空間，而且，塑封器件不像裸芯片和密封器件，無(wú)法檢查內(nèi)部缺陷。但裸芯片的儲(chǔ)存環(huán)境最苛刻、包裝步驟最繁瑣，要求最嚴(yán)格，并非每一個(gè)電子元器件用戶都能具備。為此，市場(chǎng)上出現(xiàn)了專門提供裸芯片儲(chǔ)存服務(wù)的公司，如QP半導(dǎo)體（已被e2V收購(gòu)）、Micross等。雷聲、仙童（已被安森美收購(gòu)）、國(guó)家半導(dǎo)體（已被德州儀器收購(gòu)）、TRW、Vishay、Signetics和飛利浦等[6]。三種封裝形式更詳細(xì)的儲(chǔ)存優(yōu)劣比較如表5所示。

表5 三種封裝長(zhǎng)期儲(chǔ)存優(yōu)劣比較

Tab.5 Storage effect comparison of 3 kinds of packing

5 結(jié)束語(yǔ)

長(zhǎng)期儲(chǔ)存是停產(chǎn)斷檔問(wèn)題的解決方案之一，是特殊器件“最后一次購(gòu)買”的唯一解決方案，也是滿足“升級(jí)篩選”或“提高額定值”需求的實(shí)用解決方案。在建立了完備操作標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范的基礎(chǔ)上，通過(guò)選擇適宜存儲(chǔ)的電子元器件、制定正確全面的儲(chǔ)存計(jì)劃、設(shè)定適宜的儲(chǔ)存環(huán)境、選擇合適的包裝材料、定期進(jìn)行檢查等措施，氣密封裝、塑料封裝和裸芯片這三種封裝方式均可實(shí)現(xiàn)儲(chǔ)存期超過(guò)15年的長(zhǎng)期儲(chǔ)存，但裸芯片封裝在使用靈活性和存儲(chǔ)空間上更具優(yōu)勢(shì)。需指出的是，長(zhǎng)期存儲(chǔ)的研究并不是一勞永逸的事情，需隨著新器件材料和結(jié)構(gòu)的不斷發(fā)展持續(xù)開(kāi)展研究，以保證新器件也能在長(zhǎng)期儲(chǔ)存后滿足使用需求。

[1] GARAMONE JIM. Winnefeld: DoD must strengthen public, private ties [EB/OL]. (2015-05-14) [2016-09-20]. http://www. defense.gov/News-Article-View/Article/604637.

[2] Department of Defense of United of American. System engineering for mission success, DoD guide for achieving reliability [R/OL]. (2005-08-03) [2016-10-05]. http://www. acqnotes.com/Attachments/DoD%20Reliability%20Availability%20and%20Maintainability%20(RAM)%20Guide.pdf.

[3] CHANNEL ONE INC. Do you know who is storing your EOL parts? Electronic systems obsolescence management (ESOM SF-2.0) Part 3[R/OL]. (2011-06-11) [2016-05-09]. http://www.militaryaerospace.com.

[4] BOYLE J.Proper IC storage,QP semicoductor. NASA goddard conference [R/OL]. (2006-01-11) [2007-11-14]. http://documentslide.com/documents/-proper-ic-storage-counterfeiting-no-lead-fuels-the-fire-november.html.

[5] Jedec Solid State Technology Association. JEP122G Failure mechanisms and models for semiconductor devices [S/OL]. [2011-10-15]. http://www.jedec.org/sites/default/ files/ docs/JEP122G.pdf.

[6] SLIPHER E. Proper long-term IC storage: better plan carefully [J]. Military Embedded Syst Mag, 2007, 3(3): 5-6.

[7] STRAUSS F KARL. Development of guidelines for use of electron devices subjected to long term storage [R/OL]. (2012-03-20) [2014-09-20]. http://www.aerospace.org/ wp-content/uploads/conferences/MRQW2015/1D_Strauss.pdf.

[8] Channel One Inc. Standards and guidelines for the long term storage of high value electronic components [R/OL]. (2011-05-01) [2016-05-11]. http://static1.1.sqspcdn.com.

[9] Lineage Power Inc. Storage requirements (shelf life) for components [R/OL]. (2010-04-01) [2012-11-01]. https://www. yumpu.com.

[10] Spansion Inc. Long term storage of wafer and die semiconductor IC products [R/OL]. (2008-11-10) [2009-06-18]. http://textlab.io/doc/896869/storage-of- wafer-and-die-semiconductor-ic-products.

[11] Jedec Solid State Technology Association. JEP160 Long-term storage for electronic solid-state wafers, dice, and devices [EB/OL]. (2011-01-20) [2011-11-01]. http://www.jedec.org/sites/ default/files/docs/JEP160.pdf.

[12] MADSEN R. Component reliability after long term storage [R/OL]. (2008-01-11) [2008-05-01]. http://www.ti.com/lit/ wp/slva304/slva304.pdf.

[13] SHOOK R L, GOODELLE J P. Handling of highly-moisture sensitive components-an analysis of low-humidity containment [J/OL]. (1998-11-20) [1999-04-09]. http://www.itmconsulting.com/files/5/e/ 5eb5e77d7c98.pdf.

[14]ROMERO F G.EEE components long term storage [R/OL]. (2016-01-15) [2016-06-07]. http://wpo-altertechnology.com /wp-content/uploads/2016/06/ATN_LTS_WORKSHOP_04_06_2016.pdf.

[15] JONES A. The long-term storage can o’ worms-a guide to ensuring your equipment can still be built and maintained in years to come [R/OL]. (2015-11-05) [2016-05]. http://www.micross. com/pdf/Micross_Technical_Booklet- Long-Term_Storage_Can_o_Worms.pdf.

[16] Alter Technology Group. Outline of the risks associated with the long term storage of EEE parts intended for the future production of satellite equipment [R/OL]. (2016-02-11) [2016-09-11]. http://eeepitnl.tksc.jaxa.jp/ mews/ JP/21st/data/2-11.pdf.

（編輯：陳渝生）

Reliability study of long-term storage for electronic component packaging

ZHANG Qian

(Electronic Technology Information Research Institute, Ministry of Industry and Information, Beijing 100040, China)

Long-term storage is an important solution to address the off production and short stocking issues with military electronic components. In this thesis, failure mechanisms of long-term stored ICs, including ESD (electronic static discharge), humidity, temperature, contamination and vibration, were analyzed. Then the general requirements on packaging materials and environment as well as the special demands on long-term storage were analyzed. Finally, the actual lifetime, merits and demerits of each storage form were compared. It demonstrates that if stored properly, the components could work properly after 15 years’ storage.

hermetic package; plastic package; wafer; long-term storage; electronic component; reliability

10.14106/j.cnki.1001-2028.2017.06.020

TN61

A

1001-2028（2017）06-0099-06

2017-03-31

張倩（1984－），女，陜西寶雞人，工程師，主要從事軍用電子元器件相關(guān)研究，E-mail: 18801002065@163.com。

網(wǎng)絡(luò)出版時(shí)間：2017-06-07 13:45

http://kns.cnki.net/kcms/detail/51.1241.TN.20170607.1345.020.html