電子材料

構(gòu)建金剛石金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管的全新概念

近期，由法國(guó)、英國(guó)、日本研究人員組成的國(guó)際研究團(tuán)隊(duì)開發(fā)出在硼摻雜金剛石MOSFET中引入深層耗盡區(qū)的新方法。這一全新概念的提出，使金剛石MOSFET的結(jié)構(gòu)更為簡(jiǎn)單，降低了制造難度。驗(yàn)證表明，新方法可將寬禁帶半導(dǎo)體的載流子遷移率提高一個(gè)數(shù)量級(jí)。

在構(gòu)建MOSFET時(shí)，研究人員首先在380℃溫度下在氧-終止金剛石外延層的上方沉積一層氧化鋁（Al2O3）；然后對(duì)金剛石層實(shí)施硼摻雜，形成穩(wěn)定的耗盡區(qū)域，由于硼原子較碳原子少一個(gè)電子，因此會(huì)在金剛石層中產(chǎn)生空穴載流子。塊體金剛石外延層在功能上相當(dāng)于一個(gè)厚的空穴載流子溝道，通過在柵極施加電壓，可對(duì)深層耗盡區(qū)域內(nèi)的空穴載流子產(chǎn)生排斥和耗盡作用，從而控制晶體管的開啟和關(guān)閉。在硅基晶體管中施加電壓通常會(huì)導(dǎo)致反型層的產(chǎn)生，造成晶體管無法關(guān)閉。研究人員發(fā)現(xiàn)，正是金剛石獨(dú)特的物理特性，尤其是巨大的禁帶寬度，抑制了反型層的產(chǎn)生，使深層耗盡區(qū)域得以穩(wěn)定正常地運(yùn)行。

此項(xiàng)研究工作的原理還有望應(yīng)用于其他寬禁帶半導(dǎo)體材料。（工業(yè)和信息化部電子第一研究所）

美、中等國(guó)聯(lián)合開發(fā)出制備可彎曲、可拉伸光子器件新方法

美國(guó)、中國(guó)和法國(guó)聯(lián)合開發(fā)出制備可彎曲、可伸縮光子器件的新方法——與電子器件相似，該器件是基于光的而非電。該器件可在光纜中用于連接計(jì)算器件，或者與皮膚接觸或植入體內(nèi)，用于診斷、監(jiān)視系統(tǒng)，能隨著天然組織而彎曲。

研究人員說：“許多人對(duì)實(shí)現(xiàn)可伸縮、可彎曲的光學(xué)技術(shù)可能性感興趣，尤其用于皮膚上的監(jiān)測(cè)器件，直接感知光信號(hào)。這樣的器件可能同時(shí)監(jiān)測(cè)心率、血氧水平，甚至血壓?！?/p>

在不采用柔性材料的情況下，研究人員開發(fā)出一種新的方法：將剛性材料（硫?qū)倩锉樱┲瞥蓮椈蔂罹€圈。正如鋼制成彈簧時(shí)可以拉伸和彎曲一樣，這種玻璃線圈的結(jié)構(gòu)也能夠自由拉伸和彎曲，同時(shí)保持理想的光學(xué)性能，如高折射率和良好的透明性。

測(cè)試表明，基于聚合物襯底的硫族化物彈簧狀線圈可以經(jīng)歷數(shù)千個(gè)拉伸循環(huán)，而檢測(cè)性能不會(huì)降低。該團(tuán)隊(duì)制造了各種各樣的光子器件，這些光子器件通過柔性、類似彈簧的波導(dǎo)相互連接，波導(dǎo)采用環(huán)氧樹脂基體制成，在光學(xué)部件附近基體變得更硬，波導(dǎo)周圍基體更加靈活。

該研究仍處于初期階段；目前，研究團(tuán)隊(duì)只展示過單個(gè)器件；為了使該研究進(jìn)入實(shí)用化階段，研究人員需要驗(yàn)證將所有部分集成在單個(gè)器件上。（工業(yè)和信息化部電子第一研究所）

荷蘭特溫特大開發(fā)出與CMOS技術(shù)兼容的純硅光源

對(duì)于硅光子而言，硅基全光集成電路需要光源。目前，混合光源可選用III-V半導(dǎo)體作為光源，但是將III-V半導(dǎo)體光源與硅基電路集成需要復(fù)雜的鍵合工藝、或生長(zhǎng)工藝。當(dāng)前研究人員還開展硅-鍺片上光源的研究，通過對(duì)鍺進(jìn)行應(yīng)力-應(yīng)變工程調(diào)控，使其輻射出激光。

在沒有采用特殊材料、工藝的情況下，荷蘭特溫特大學(xué)開發(fā)出與標(biāo)準(zhǔn)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）技術(shù)兼容的硅光源。當(dāng)電壓較低時(shí)，發(fā)光二極管中沒有電流或光；當(dāng)電壓較高時(shí)，發(fā)光二極管中產(chǎn)生微小電流，并放大電流。在這種“雪崩模式”中，發(fā)光二極管產(chǎn)生可見光。另外，采用相同的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)還可制備光電探測(cè)器、波導(dǎo)和無源器件。（工業(yè)和信息化部電子第一研究所）

“離子臺(tái)球”法催生新型材料制備技術(shù)

日本北海道大學(xué)研究人員開發(fā)了一種新型材料合成方法，稱為“質(zhì)子驅(qū)動(dòng)離子導(dǎo)入（PDII）法”，利用了類似于“離子臺(tái)球”的現(xiàn)象。這種新方法可以為創(chuàng)造大量新材料鋪平道路，從而大幅推進(jìn)材料科學(xué)發(fā)展。

該合成方法基于無液體工藝，允許嵌入——將客體離子插入到主體材料中，以及通過用質(zhì)子驅(qū)動(dòng)離子來取代主體材料中的離子。這項(xiàng)研究由日本大學(xué)電子科學(xué)研究所助理教授Masaya Fujioka和Junji Nishii教授領(lǐng)導(dǎo)。

在PDII方法中，將數(shù)千伏的高電壓施加到針形陽極，該陽極放置在大氣氫氣中，通過氫的電解質(zhì)解離產(chǎn)生質(zhì)子。質(zhì)子沿著電場(chǎng)遷移并類似于臺(tái)球一樣被射入所需離子的供給源，離子被驅(qū)出電源以保持其電中性。離開電源的離子被引入或插入到主體材料中的納米級(jí)間隙中。

在這項(xiàng)研究中，通過使用不同的材料作為離子源，團(tuán)隊(duì)成功地將鋰離子（Li+），鈉離子（Na+），鉀離子（K+），銅離子（Cu2+）和銀離子（Ag+）引入到層狀材料硫化鉭（TaS2）中，并保持其結(jié)晶性。此外，研究小組還成功地用K+取代了Na3V2（PO4）3的Na+，生成了一種熱力學(xué)亞穩(wěn)態(tài)物質(zhì)，這是用傳統(tǒng)的固態(tài)反應(yīng)方法無法獲得的。（工業(yè)和信息化部電子科學(xué)技術(shù)情報(bào)研究所）

韓國(guó)利用傳統(tǒng)紙張開發(fā)出超級(jí)電容器元件

韓國(guó)高麗大學(xué)研究組利用傳統(tǒng)紙張開發(fā)出了快速提高輸出性能的超級(jí)電容器原件。研究組開發(fā)出新的單分子配體層狀自組方法，在織物材質(zhì)表面非常均勻、稠密地涂上納米大小的金屬及金屬氧化物粒子，成功制作出金屬紙電極和柔軟性較好的紙質(zhì)超級(jí)電容器。

新研制出的紙質(zhì)電極不會(huì)改變織物固有的機(jī)械性結(jié)構(gòu)特性，可以出現(xiàn)金屬電氣傳導(dǎo)現(xiàn)象。這種用紙電極制作的超級(jí)電容器元件具有表面積大和多孔性結(jié)構(gòu)等特征，從而大幅提高儲(chǔ)電容量和輸出值。

紙張或棉布等材質(zhì)表面較寬、輕便，而且柔軟易于加工，可應(yīng)用于電器、電子元件，可以制作曲面或穿戴設(shè)備的元件，具有很好的應(yīng)用前景。（科技部）

劍橋大學(xué)3D打印納米級(jí)磁電路可改進(jìn)未來電子器件

英國(guó)劍橋大學(xué)的研究小組使用3D納米打印技術(shù)，開發(fā)出一種納米級(jí)磁路。該技術(shù)能夠以三維方式傳輸比特信息。根據(jù)研究小組說法，這項(xiàng)創(chuàng)新有可能改善和提高下一代電子器件的處理和存儲(chǔ)能力。

劍橋大學(xué)研究人員與荷蘭埃因霍芬理工大學(xué)研究小組緊密合作，實(shí)現(xiàn)這項(xiàng)技術(shù)。最近，2個(gè)小組使用先進(jìn)的3D納米打印工藝與傳統(tǒng)的電路構(gòu)建技術(shù)結(jié)合，取得了成功。為制造納米磁路，研究人員采用一種使用電子顯微鏡和氣體注射器在平面（2D）硅基底上3D打印“懸浮支架”的方法。一旦納米支架被打印，然后將磁性材料施加到納米支架上，形成能夠傳輸信息的三維納米結(jié)構(gòu)。（工業(yè)和信息化部電子第一研究所）

德國(guó)瑞士聯(lián)手打造原子尺度新型集成電路器件

在德國(guó)西門子基金會(huì)的支持下，德國(guó)卡爾斯魯爾理工大學(xué)（KIT）和瑞士蘇黎世聯(lián)邦理工大學(xué)（ETHZ）將聯(lián)合開展原子尺度新型集成電路器件的研發(fā)，德國(guó)西門子基金會(huì)為此提供了1 200萬歐元的資助。

2004年，德國(guó)卡爾斯魯爾理工大學(xué)即提出“單原子晶體管”的概念，瑞士蘇黎世聯(lián)邦理工大學(xué)和德國(guó)卡爾斯魯爾理工大學(xué)在此基礎(chǔ)上將聯(lián)手進(jìn)行深入研究，第一步將在現(xiàn)有驗(yàn)證性設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)上完善其邏輯設(shè)計(jì)和存儲(chǔ)單元構(gòu)架，第二步將開發(fā)出具有簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)的原子尺度的半導(dǎo)體芯片，并盡快推出具有實(shí)際應(yīng)用價(jià)值的產(chǎn)品，如集成電路、調(diào)制器和檢測(cè)器等。相比目前的金屬氧化物半導(dǎo)體器件，預(yù)計(jì)新型器件的體積和能耗將減少至目前水平的1/100至1/1 000。同時(shí)將爭(zhēng)取新的技術(shù)能夠與目前的金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)相兼容，有利于迅速轉(zhuǎn)化為實(shí)際應(yīng)用。

為此，瑞士蘇黎世聯(lián)邦理工大學(xué)和德國(guó)卡爾斯魯爾理工大學(xué)專門設(shè)立了單原子電子學(xué)與光學(xué)聯(lián)合研究中心，并將于2018年1月正式開始運(yùn)行。（科技部）

韓國(guó)研究團(tuán)隊(duì)成功研發(fā)超高速運(yùn)轉(zhuǎn)磁性存儲(chǔ)器核心技術(shù)

韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院和高麗大學(xué)聯(lián)合研發(fā)團(tuán)隊(duì)成功研發(fā)出下一代超高速磁疇壁存儲(chǔ)器核心技術(shù)。

此前開展磁疇壁存儲(chǔ)器研究多采用“強(qiáng)磁體”物質(zhì)，“強(qiáng)磁體”物質(zhì)內(nèi)部產(chǎn)生的磁化朝同一方向排列，不可避免Walker breakdown現(xiàn)象（磁性物質(zhì)本身帶有的角運(yùn)動(dòng)），這是造成運(yùn)轉(zhuǎn)速度低的重要原因。

此次研究團(tuán)隊(duì)使用鐵磁體“GdFeCo”（包含釓、鐵、鈷的金屬合金）進(jìn)行測(cè)試，發(fā)現(xiàn)GdFeCo中的釓和FeCo的磁化以反平行狀態(tài)排列，2個(gè)角運(yùn)動(dòng)在零點(diǎn)處重合時(shí)，Walker breakdown現(xiàn)象消失，磁疇壁的移動(dòng)速度在常溫下上升至2km/s。如在磁疇壁存儲(chǔ)器里加入該研究成果，則有望生產(chǎn)出大規(guī)模、低電量、不易揮發(fā)的下一代高超速儲(chǔ)存器。（科技部）

美國(guó)一大學(xué)首次在云母基片上實(shí)現(xiàn)無應(yīng)力鍺薄膜外延

美國(guó)倫斯勒理工學(xué)院的研究人員開發(fā)出一種全新的范德華外延法，首次實(shí)現(xiàn)了在云母基片上的鍺外延，有望應(yīng)用于先進(jìn)集成電路和高效太陽電池的制造。倫斯勒理工學(xué)院研究團(tuán)隊(duì)是全球首個(gè)在云母基片上實(shí)現(xiàn)元素半導(dǎo)體材料無應(yīng)力范德華外延的研究團(tuán)隊(duì)。

外延是一種常見的半導(dǎo)體制造工藝，用來實(shí)現(xiàn)在晶體襯底上生長(zhǎng)結(jié)晶薄膜層。如果所要生長(zhǎng)的薄膜材料與襯底材料相同，生長(zhǎng)出的薄膜層與襯底晶格完全匹配，可形成較強(qiáng)的化學(xué)鍵，實(shí)現(xiàn)最優(yōu)的電荷載流子遷移率。如果所要生長(zhǎng)的薄膜材料與襯底材料不同，想要實(shí)現(xiàn)有效的外延生長(zhǎng)就會(huì)變得十分困難，因?yàn)橐r底和外延層的晶格不匹配。為了避免這一問題，研究人員采用范德華外延法。該方法基于由電子的概率論性質(zhì)所決定的范德華現(xiàn)象。電子的概率論性質(zhì)是指原子核周圍的電子的分布是不固定的，電子不均勻地分布在原子核周圍空間的任何位置。當(dāng)范德華力產(chǎn)生后，會(huì)誘導(dǎo)產(chǎn)生一端帶正電荷、另一端帶負(fù)電荷的偶極子，而在原子核之間形成微弱的相互吸引作用。

研究人員選擇云母作為鍺外延薄膜生長(zhǎng)的襯底，原因是云母具有原子級(jí)的光滑表面，不會(huì)產(chǎn)生懸掛鍵（未成對(duì)的價(jià)電子）。這就保證了在進(jìn)行范德華外延的過程中不會(huì)生成化學(xué)鍵。鍺外延層與云母襯底在二者界面處只通過微弱的范德華力相連接。這樣，盡管鍺與云母具有截然不同的晶體結(jié)構(gòu)（原子間距差異高達(dá)23%），也可以形成馳豫的穩(wěn)定的外延薄膜。

下一步，他們還將繼續(xù)研究，以達(dá)到用范德華外延法在云母基片上實(shí)現(xiàn)除鍺以外的其他元素半導(dǎo)體材料或合金材料外延生長(zhǎng)的目的。（國(guó)防科技生產(chǎn)力促進(jìn)中心）

有機(jī)激光二極管距離現(xiàn)實(shí)應(yīng)用更近一步

美國(guó)賓夕法尼亞州立大學(xué)和普林斯頓大學(xué)已向混合有機(jī)-無機(jī)材料制備激光二極管邁出了一大步。混合有機(jī)-無機(jī)材料可以在實(shí)驗(yàn)室利用溶液沉積法獲得。

研究團(tuán)隊(duì)正在研究的材料是由無機(jī)鈣鈦礦子晶格組成，子晶格中間含有較大有機(jī)分子。研究團(tuán)隊(duì)的最終目標(biāo)是制備一個(gè)電驅(qū)動(dòng)的鈣鈦礦激光二極管。通過光學(xué)泵浦制備鈣鈦礦材料是很容易的。然而，由于激射死亡現(xiàn)象，只適用于非常短的脈沖。通過稍微降低材料的溫度，引起材料部分相變，可完全避免激射死亡現(xiàn)象。

在部分無機(jī)激光器中，存在稱為量子阱的狹窄區(qū)域，載流子落入阱中時(shí)，可捕獲載流子。激光強(qiáng)度取決于可以捕獲載流子的數(shù)量。在鈣鈦礦材料中，低溫塊體內(nèi)部的高溫相的排列可模仿量子阱，并且具有連續(xù)激射的作用。（工業(yè)和信息化部電子第一研究所）

國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料專項(xiàng)啟動(dòng)

由中國(guó)科學(xué)院工程熱物理研究所牽頭承擔(dān)的國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料專項(xiàng)“高效高可靠LED燈具關(guān)鍵技術(shù)研究”項(xiàng)目啟動(dòng)會(huì)暨實(shí)施方案審議會(huì)在北京召開。

據(jù)悉，該項(xiàng)目實(shí)施方案是推動(dòng)國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目全鏈條設(shè)計(jì)、一體化實(shí)施的重要環(huán)節(jié)，為項(xiàng)目的順利實(shí)施、保障項(xiàng)目目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)奠定良好的基礎(chǔ)。

該項(xiàng)目針對(duì)大功率LED燈具的高光效和高可靠性問題，系統(tǒng)開展新型光學(xué)材料、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、封裝技術(shù)和高溫長(zhǎng)壽命驅(qū)動(dòng)電源技術(shù)研究，大幅提高大功率燈具的光效和可靠性，光品質(zhì)滿足國(guó)家照明設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)，項(xiàng)目目標(biāo)產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)對(duì)傳統(tǒng)大功率照明產(chǎn)品替換，廣泛應(yīng)用于廣場(chǎng)照明、大型廠礦照明、軍事航空照明、遠(yuǎn)距離照明等領(lǐng)域，顯著提升我國(guó)大功率LED燈具的產(chǎn)業(yè)化水平，滿足國(guó)家重大項(xiàng)目建設(shè)的需求，對(duì)國(guó)家的節(jié)能減排和綠色環(huán)保工作將提供強(qiáng)有力支撐。（科技部）

我國(guó)首次提出全液態(tài)量子器件與計(jì)算技術(shù)概念

不久前，我國(guó)一個(gè)研究小組發(fā)表了一項(xiàng)成果，在國(guó)際上首次提出了基于液態(tài)金屬的全液態(tài)量子器件技術(shù)的概念，并明確指出這一超越傳統(tǒng)的可變形柔性器件，有望助推新一代量子計(jì)算機(jī)和人工智能系統(tǒng)的發(fā)展。

研究項(xiàng)目負(fù)責(zé)人、中科院理化所與清華大學(xué)雙聘教授劉靜說，目前幾乎所有實(shí)現(xiàn)量子隧穿效應(yīng)的器件均由一個(gè)三明治剛體結(jié)構(gòu)組成，中間層為絕緣的納米尺度薄層，兩側(cè)為導(dǎo)電介質(zhì)電極。而具體實(shí)現(xiàn)的材料，中間層通常為絕緣材料，兩側(cè)區(qū)域?yàn)榻饘賹?dǎo)體或超導(dǎo)體。液態(tài)金屬既具有金屬的高導(dǎo)電特征，又兼具流體的柔性和可變形性，表面易于達(dá)到原子級(jí)別的完美光滑度。

劉靜小組此前發(fā)現(xiàn)，液態(tài)金屬置于液體中會(huì)自然形成一個(gè)“液態(tài)金屬電極—液膜—液態(tài)金屬電極”的三明治結(jié)構(gòu)，在外界因素作用下可靈活變形。取決于不同的外加電場(chǎng)作用，液膜間隙可達(dá)極小尺度甚至完全消失，其兩側(cè)電阻會(huì)隨此尺寸和結(jié)構(gòu)的變化作對(duì)應(yīng)響應(yīng)。因此，如果將兩個(gè)液態(tài)金屬之間的液膜厚度控制在一定范圍內(nèi)，則有望實(shí)現(xiàn)全液態(tài)量子隧穿效應(yīng)。

業(yè)界專家表示，目前雖已能制造出尺寸在1nm左右的納米晶體管，但大量如此精細(xì)尺度的晶體管在實(shí)現(xiàn)電學(xué)互聯(lián)上存在巨大困難?？勺冃我簯B(tài)金屬量子材料與器件技術(shù)思想的提出，可能助推新一代量子計(jì)算與智能系統(tǒng)的制造和集成技術(shù)的突破。

基于液態(tài)金屬器件，該研究組還在早前于國(guó)際上首次提出了液態(tài)金屬計(jì)算機(jī)的基本概念和技術(shù)方案，相應(yīng)發(fā)明專利的基本架構(gòu)和核心器件已獲得受理，系國(guó)際上該領(lǐng)域的全新嘗試。（人民日?qǐng)?bào)）

新材料可大幅提高電子存儲(chǔ)速度

中國(guó)科學(xué)家在最新一期美國(guó)《科學(xué)》雜志上發(fā)表報(bào)告說，已開發(fā)出一種新型相變材料，有望將電子產(chǎn)品的存儲(chǔ)速度提高約70倍左右。

相關(guān)成果由中科院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所宋志棠團(tuán)隊(duì)取得。宋志棠等人利用含鈧、銻、碲的合金材料制造出相變存儲(chǔ)器單元（PCRAM），這一新材料的寫入速度可達(dá)700皮秒（一皮秒相當(dāng)于一萬億分之一秒）。

相變存儲(chǔ)器是一種非易失存儲(chǔ)器，可通過脈沖電流讓存儲(chǔ)材料在晶體和非晶體間轉(zhuǎn)換，以實(shí)現(xiàn)讀、寫、擦操作。由于改變的是材料的物理狀態(tài)，斷電后信息不會(huì)消失，有效解決了市場(chǎng)常用的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）因斷電導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失的缺點(diǎn)。宋志棠表示，團(tuán)隊(duì)下一步準(zhǔn)備將這種材料用于自主開發(fā)的64M、128M存儲(chǔ)芯片上，驗(yàn)證其大容量、高速應(yīng)用的可行性，這有望大幅提高緩存速度。（新華網(wǎng)）

中科院半導(dǎo)體所開發(fā)出可穿戴氣體傳感器與實(shí)時(shí)顯示系統(tǒng)

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所超晶格國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室沈國(guó)震課題組近日開發(fā)了一種新型的由微電容陣列驅(qū)動(dòng)的可穿戴氣體傳感器與實(shí)時(shí)顯示系統(tǒng)。

平面微型電容器是柔性可穿戴電子設(shè)備的最佳的供能器件。但是單個(gè)的電容器電壓窗口較小，能量密度較低，很難連續(xù)不間斷地為可穿戴器件供能。解決這個(gè)問題最便捷的方式是將多個(gè)微型電容器串聯(lián)形成陣列為可穿戴集成系統(tǒng)的功能單元供電。

該集成系統(tǒng)由基于電沉積聚吡咯電極材料的圓形電容器陣列、基于碳納米管/聚苯胺材料的常溫乙醇?xì)怏w傳感器和原位氣體分析與顯示系統(tǒng)組成。所組裝的電容器的面積比電容為47.42mF/cm2，氣體傳感器在常溫下對(duì)乙醇?xì)怏w的響應(yīng)回復(fù)時(shí)間分別為13s和4.5s。當(dāng)有氣體進(jìn)入傳感器中時(shí)，氣體傳感器兩邊的電流會(huì)發(fā)生變化，電路板中元件會(huì)采集這個(gè)變化并進(jìn)行計(jì)算，與預(yù)先存儲(chǔ)的標(biāo)準(zhǔn)曲線進(jìn)行比較從而得出氣體的濃度值，再經(jīng)藍(lán)牙把信號(hào)傳輸?shù)绞謾C(jī)，隨即手機(jī)APP上會(huì)顯示出對(duì)應(yīng)的氣體濃度并繪制出實(shí)時(shí)的I-t曲線，在個(gè)性化酒駕測(cè)試等領(lǐng)域都具有廣泛的應(yīng)用前景。（中國(guó)科學(xué)院）

中國(guó)首條8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線投產(chǎn)

11月9日，英諾賽科（珠海）科技有限公司自主研發(fā)的中國(guó)首條8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線在珠海正式通線投產(chǎn)。英諾賽科（珠海）科技有限公司擁有世界領(lǐng)先的8英寸硅基氮化鎵外延技術(shù)，突破了低翹曲度、低缺陷及位錯(cuò)密度、低漏電晶圓制造的全球性挑戰(zhàn)，將碎片率大幅降至1%以下領(lǐng)先水平。經(jīng)過2年的努力，該公司已建成中國(guó)首條完整8英寸硅基氮化鎵外延與芯片量產(chǎn)生產(chǎn)線，主要產(chǎn)品包括100～650V氮化鎵功率器件，設(shè)計(jì)及性能均達(dá)到國(guó)際最先進(jìn)水平，將廣泛應(yīng)用于電力電子、新能源、電動(dòng)汽車、信息與通信和智能工業(yè)等領(lǐng)域。（中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)）

第3代半導(dǎo)體材料檢測(cè)平臺(tái)落地河北保定

11月3日，第3代半導(dǎo)體材料檢測(cè)平臺(tái)落地暨簽約活動(dòng)在保定市舉行。

第3代半導(dǎo)體檢測(cè)平臺(tái)由中科院半導(dǎo)體所、北京大學(xué)、清華大學(xué)、河北大學(xué)、河北同光晶體有限公司共同組建，填補(bǔ)了河北省新材料專業(yè)檢測(cè)平臺(tái)的空白。平臺(tái)以產(chǎn)學(xué)研創(chuàng)新模式搭建，跨越京津冀，將主動(dòng)對(duì)接雄安、支持雄安、服務(wù)雄安，為第3代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的穩(wěn)定有序發(fā)展提供技術(shù)支撐和服務(wù)。（河北省政府網(wǎng)站）