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    Qorvo全新碳化硅基氮化鎵放大器進(jìn)一步降低電信基礎(chǔ)設(shè)施成本

    2017-04-13 21:32:40
    關(guān)鍵詞:基站設(shè)備氮化碳化硅

    Qorvo全新碳化硅基氮化鎵放大器進(jìn)一步降低電信基礎(chǔ)設(shè)施成本

    Qorvo推出一款全新的非對(duì)稱型 Doherty 放大器QPD2731,有助于客戶在設(shè)計(jì)無線基站設(shè)備的過程中實(shí)現(xiàn)超高功效。該新一代碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)解決方案在單個(gè)封裝中采用兩個(gè)晶體管,可最大限度提高線性度、效率和增益,并最終降低運(yùn)營(yíng)成本。

    因?yàn)長(zhǎng)DMOS和GaN-on-Si與之相比,熱性能較差,客戶正越來越多地轉(zhuǎn)向使用GaN-SiC,以大幅改善無線基站的性能、線性度和效率。QPD2731通過預(yù)匹配分立式GaN-on-SiC高電子遷移率晶體管(HEMT)實(shí)現(xiàn)這一轉(zhuǎn)變。

    (責(zé)任編輯:蘆瀟靜)

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