SPR傳感器檢測痕量炸藥的研究進 展

譚俊鵬，郝紅霞，楊瑞琴

（1. 中國人民公安大學，北京 100038；2. 2011計劃司法文明協(xié) 同創(chuàng)新中心；

3

. 證據(jù)科學教育部重點實驗室（中國政法大學），北京 100088）

SPR傳感器檢測痕量炸藥的研究進 展

譚俊鵬1,2，郝紅霞2,3,*，楊瑞琴1,*

（1. 中國人民公安大學，北京 100038；2. 2011計劃司法文明協(xié) 同創(chuàng)新中心；

3

. 證據(jù)科學教育部重點實驗室（中國政法大學），北京 100088）

痕量炸藥成分的檢測對于預(yù)防和打擊涉爆犯罪具有重要意義，傳統(tǒng)方法難以滿足現(xiàn)場快速檢測的需要，表面等離子體共振（SPR）傳感器作為一種新興的檢測手段，具有靈敏度高、操作簡單、設(shè)備可小型化、可實時監(jiān)測等特點，現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于各個研究領(lǐng)域。本文介紹了SPR傳感器的工作原理；概括了當前基于SPR傳感器對炸藥成分檢測的方法現(xiàn)狀，描述了間接競爭法和置換法的檢測過程；重點闡述了SPR傳感器檢測痕量炸藥的芯片修飾方法的研究進展與特點，包括使用蛋白物理吸附修飾、聚乙二醇修飾、高分子聚合物修飾的傳感器芯片；總結(jié)了近年來對SPR傳感器檢測痕量炸藥的研究情況。最后對SPR傳感器檢測痕量炸藥的發(fā)展方向進行了展望。

表面等離子體共振（SPR）；傳感器檢測；痕量炸藥

炸藥常被用于有組織犯罪和恐怖襲擊中，恐怖分子采取制造爆炸方式所引發(fā)的大范圍恐慌，會給社會造成巨大的危害，嚴重威脅著人們的生命和財產(chǎn)安全。面對日益嚴峻的公共安全威脅，爆炸物檢測技術(shù)的研究正愈益受到重視和加強，快速、高效、準確地對爆炸物檢測和識別的手段也在不斷出現(xiàn)，其中，對于痕量炸藥的檢驗和實時監(jiān)測尤為重要和突出[1-2]。由于傳統(tǒng)的離子遷移質(zhì)譜、氣相色譜質(zhì)譜聯(lián)用等大型儀器，前處理復(fù)雜、儀器設(shè)備昂貴、專業(yè)要求較高，難以滿足現(xiàn)場快速檢測的迫切需求[3]，故靈敏度高、成本低廉、攜帶方便、可現(xiàn)場實時分析的傳感器快速檢測方法越來越受到關(guān)注和歡迎。

傳感技術(shù)相對于其他技術(shù)雖起步較晚，但因其具有很多優(yōu)勢而發(fā)展迅速。表面等離子共振（surface plasmon resonance，SPR）傳感技術(shù)、熒光檢測技術(shù)、生物傳感技術(shù)、核酸適配體傳感技術(shù)是目前傳感技術(shù)的主流。以這些傳感器技術(shù)構(gòu)建的檢測系統(tǒng)具有成本低、體積小、可靠性高、多功能集成、可批量生產(chǎn)等優(yōu)點。其簡單實用的結(jié)構(gòu)使炸藥檢測設(shè)備能達到低功耗、小型化、高精度的性能。目前，應(yīng)用于檢測炸藥的傳感器包括微機電系統(tǒng)傳感器[4]、表面聲波傳感器[5]、分子熒光傳感器[6]、電化學傳感器[7]、分子印跡傳感器[8]等。SPR傳感器已成為近年來用于檢測炸藥的研究熱點之一。表面等離子體共振現(xiàn)象自1902年Wood[9]發(fā)現(xiàn)至今雖已有一百多年歷史，但其應(yīng)用卻是隨著20世紀80年代初第一個SPR傳感器的產(chǎn)生[10-11]才開展起來，如今國內(nèi)外學者對其研究已非常普遍和深入，商業(yè)化也相當成功，如瑞典Biacore AB公司生產(chǎn)的Biacore系列、美國Affi nity Sensors公司生產(chǎn)的IASys等。SPR傳感器不但具有與其它傳感器共同的優(yōu)點，還具有無需標記樣品、分析時間短、可在渾濁或不透明樣品中檢測、能實時監(jiān)測反應(yīng)動態(tài)過程等優(yōu)勢，在生命科學、醫(yī)學、環(huán)境監(jiān)測、食品安全等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。

1 SPR傳感器基本原理

SPR是一種經(jīng)光學耦合由金屬薄膜所產(chǎn)生的物理光學現(xiàn)象，通過測量金屬膜表面物質(zhì)的折射率變化而進行測定的一種高靈敏的實時光譜分析技術(shù)。SPR傳感器采用的基本原理為，當入射光以一定角度從光密介質(zhì)入射到光疏介質(zhì)而發(fā)生全反射現(xiàn)象時，會產(chǎn)生消逝波。同時，入射光會與SPR傳感器上金屬薄膜表面的自由電子相互作用產(chǎn)生表面等離子振蕩，當消逝波與表面等離子振蕩的頻率與波數(shù)相同，即產(chǎn)生表面等離子體共振。由于共振使電子吸收了光能量，因此反射光在一定范圍內(nèi)就大大地減弱，呈現(xiàn)在反射光譜上便為光強度的一個最低值，對應(yīng)此時的入射角稱為共振角。SPR傳感器對附著在金屬膜的電介質(zhì)的折射率非常敏感，由于折射率是任何材料的固有特性，故金屬膜的電介質(zhì)折射率不同，則共振角就會不同，據(jù)此可對待測物進行檢測[12]?；谶@種原理，SPR傳感器在檢測目標物時，通常是將反應(yīng)物（配體）固定于傳感芯片的金屬膜表面，通過監(jiān)測溶液中分析物（受體）和配體的結(jié)合過程，根據(jù)兩者的結(jié)合或者解離使金屬膜表面折射率所發(fā)生的變化，而由系統(tǒng)檢測發(fā)現(xiàn)。在此過程中，當溶液中分析物的濃度發(fā)生改變時，金屬膜表面的附著物量也會發(fā)生變化，從而使折射率和共振角發(fā)生轉(zhuǎn)變，最終引起SPR響應(yīng)信號改變，達到對分析物定量的目的。SPR傳感器原理如圖1所示。

圖1 SPR傳感器原理示意圖[13]Fig.1 Schematic view for the principle of SPR sensor[13]

2 SPR傳感器檢測炸藥的方法

SPR傳感器常用的檢測方法有直接檢測法、夾心檢測法、間接競爭檢測法和表面置換檢測法。由于炸藥成份為小分子物質(zhì)，在檢測過程中往往需要綁定大分子，因此檢測炸藥主要采用基于酶聯(lián)免疫吸附檢測（ELISA）的間接競爭法和置換法[14]。間接競爭法和置換法均依據(jù)配體與受體、待測物間親和力的不同而進行選擇性的吸附，通過不同的檢測過程對待測物進行定量分析。間接競爭法是指在檢測前將小分子待測物或與待測物結(jié)構(gòu)相近的物質(zhì)作為受體固定在芯片表面，在檢測時，將可與待測物結(jié)合的大分子配體（如抗體）加入到含有待測物的樣品中，使其與待測物間的結(jié)合反應(yīng)達到平衡后，引入檢測系統(tǒng)中，誘使游離大分子配體結(jié)合到芯片表面，從而引起信號變化，在此過程中SPR響應(yīng)信號與樣品中的待測物含量成反比。Nagatomo等[15]使用該檢測方法對痕量2,4-二硝基甲苯（2,4-DNT）進行了檢測，檢出限為20 pg/ mL，檢測原理如圖2所示。置換法是指將與待測小分子結(jié)構(gòu)相近的物質(zhì)作為受體固定到SPR芯片表面，且該物質(zhì)與大分子配體（如抗體）有一定的親和力，檢測時先將大分子配體引入系統(tǒng)內(nèi)，使其結(jié)合到芯片上，待穩(wěn)定后再引入待測小分子物質(zhì)，由于大分子配體與待測物有更強的特異性識別和結(jié)合能力，使得配體脫離芯片表面流出系統(tǒng)外，從而檢測出小分子待測物的濃度。Larsson等[16]使用該方法，利用單克隆抗體作為配體，對2,4,6-三硝基甲苯（TNT）進行了定量檢測，檢出限為900 pg/mL，檢測原理如圖3所示。

圖2 間接競爭法檢測2,4-DNT的原理[15](a)未加入2,4-DNT (b)加入2,4-DNTFig.2 The principle of indirect competitive SPR measurement for detection of 2,4-DNT[15], illustrated by sensor response to a measurement sample without (a) and with 2,4-DNT (b)

圖3 置換法檢測TNT的原理[16]Fig.3 The principle of displacement with SPR measurement for detection of TNT[16]

3 SPR傳感器檢測痕量炸藥芯片修飾方法的研究進展

SPR傳感器對目標物的檢測效果主要依賴于芯片表面材料的數(shù)量和質(zhì)量，芯片的修飾決定了傳感器的特異性、靈敏度、重復(fù)性、穩(wěn)定性以及對非特異性吸附的抑制等性能指標。針對當前SPR傳感器檢測痕量炸藥的研究，可將芯片表面的修飾方法分為蛋白物理吸附修飾、聚乙二醇修飾、高分子聚合物修飾三種。

3.1 蛋白物理吸附修飾傳感器芯片

金屬表面的蛋白吸附可以通過范德華力、靜電吸引、氫鍵等方式，其中范德華力通常是蛋白與金屬表面相互作用的主要因素[17]。蛋白質(zhì)通過物理吸附修飾SPR傳感器芯片，具有吸附量大、吸附速度快、操作簡單等特點，但溶液中pH值以及離子強度等會對其產(chǎn)生影響。

Shankaran等[18]將三硝基苯酚-牛血清白蛋白（TNP-BSA）結(jié)合物作為與2,4,6-三硝基苯酚（TNP）結(jié)構(gòu)相近的物質(zhì)，通過BSA與金(Au)元素表面的物理吸附作用將其修飾在SPR傳感器芯片表面，采用間接競爭法對TNP進行檢測。檢測中分別使用了鼠源抗-TNP抗體（TNP-Ab(L)）和羊源抗-TNP抗體（TNP-Ab(C)）作為配體，結(jié)果顯示使用TNP-Ab(L)的芯片相對標準偏差小于5 %，使用TNP-Ab(C)的芯片相對標準偏差小于6 %，且使用胃蛋白酶作為洗脫液可對芯片再生至少20次，表明此種方法修飾的芯片具有良好的穩(wěn)定性和重現(xiàn)性，檢出限為1 pg/ mL，檢測范圍在10 pg/mL～100 ng/mL之間。

由于抗-TNP抗體對TNT同樣具有較強的親和力，Shankaran等又進行了一系列使用TNP-蛋白結(jié)合物修飾SPR傳感器檢測TNT的研究[19-20]。在實驗中，研究人員分別使用2,4,6-三硝基苯酚-牛血清白蛋白（TNP-BSA）結(jié)合物[19]和2,4,6-三硝基苯酚-卵白蛋白（TNP-OVA）結(jié)合物[20]通過物理吸附方法修飾傳感器芯片。檢測使用間接競爭法，抗體均為鼠源多克隆抗-TNP抗體，對TNT的檢測范圍分別為60 p g/mL～1000 ng/mL和90 pg/mL～1000 ng/mL。使用該種修飾方法檢測TNT，對于硝基芳香類化合物2,4-二硝基甲苯、1,3-二硝基苯、2-氨基-4,6-二硝基甲苯、4-氨基-2,6-二硝基甲苯的交叉反應(yīng)率均小于1.1 %，但與TNP不能區(qū)分，交叉反應(yīng)率為125 %。之后，課題組在使用該芯片修飾方法的基礎(chǔ)上對抗體的選擇進行了優(yōu)化[21-22]，得到了更低的檢出限和交叉反應(yīng)性。

3.2 聚乙二醇修飾傳感器芯片

聚乙二醇（Poly(ethylene glycol)，PEG） 作為最佳的防止蛋白質(zhì)非特異性吸附的表面修飾材料之一，具有水溶性好、毒性小、無免疫原性等優(yōu)點，其重復(fù)單元為氧乙烯基，端基為兩個羥基，呈線性或枝化鏈狀結(jié)構(gòu)[23]。在修飾SPR傳感器芯片過程中，采用一端巰基另一端具有不同基團的PEG通過金硫(Au-S)鍵組裝在芯片表面，而使傳感器具有豐富的可反應(yīng)性和選擇性。

Nagatomo等[15]研究了SPR傳感器檢測DNT的方法。該方法通過使用包含寡聚乙二醇（oligo(ethylene glycol)，OEG）的自組裝單分子膜（self-assembled monolayer，SAM）對SPR芯片進行修飾。芯片的修飾過程如圖4所示，首先將金芯片浸泡在HS-C11-EG6-COOH溶液中，由于金硫鍵的穩(wěn)定結(jié)合，使該成分固定在芯片表面；使用1-(3-二甲氨基丙基)-3-乙基碳二亞胺鹽酸鹽（EDC）/N-羥基琥珀酰亞胺（NHS）溶液將羧基活化后，加入摩爾比為1∶9的H2N-EG12-COOH和2-氨基乙醇混合溶液進一步對芯片作修飾；然后通入氨基乙醇-鹽酸溶液，對芯片上已活化但未反應(yīng)的位點進行封閉；之后的反應(yīng)在SPR檢測系統(tǒng)中進行，先通入EDC/NHS溶液活化羧基，再通入乙二胺溶液，用于將氨基引入到H2NEG12-COOH的一端，最后通入已活化的2,4-二硝基苯甲酸（DNBA）溶液，完成對芯片的修飾。檢測采用間接競爭法，將兔源抗-二硝基苯肼-鑰孔血藍蛋白（anti-DNPh-KLH）多克隆抗體[24]作為配體，由于其對硝基芳香類化合物有較好的親和能力，可通過DNBA與待測DNT的競爭作用，對DNT進行定量檢測，檢出限為20 pg/m L，線性范圍為1～100 ng/ mL。

在SPR傳感器檢測TNT方面，研究發(fā)現(xiàn)通過SAM技術(shù)將連有TNT相似物的寡聚乙二醇-硫醇（TNTanalogue-OEG-thiol）采用一定比例與羥基終止的寡聚乙二醇-硫醇（OEG-thiol）共同修飾在芯片表面，由于羥基終止的OEG-thiol具有抑制非特異性蛋白吸附的作用，可進一步增強芯片的防污性能[25]。Larsson等[16]運用此芯片，采用置換法檢測，對TNT檢出限為900 pg/mL，Kawaguchi等[26]使用了類似的芯片，采用間接競爭法對TNT進行了檢測，得到更低的檢出限，檢測范圍在8 pg/mL～30 ng/mL之間。在此基礎(chǔ)上，研究人員為了提高小型便攜式SPR系統(tǒng)的響應(yīng)信號，使用納米金顆粒修飾免疫芯片表面，從而放大了局域SPR信號[27]。這是由于芯片金表面與納米金顆粒相互作用，使電子密度發(fā)生起伏而形成往復(fù)振蕩，增強了表面等離子波[28]。芯片修飾納米金后，SPR共振角的變化值提高了四倍，使小型便攜式SPR系統(tǒng)與普通SPR系統(tǒng)具有同量級的檢測范圍，達到10 pg/mL～100 ng/mL。

圖4 SPR傳感器芯片修飾過程[15]Fig.4 Fabrication procedure of the SPR sensor chip[15]

還有研究表明[29]，長鏈硫醇具有更強的吸附能力，但隨著芯片的使用時間增長，長鏈硫醇比短鏈硫醇更容易發(fā)生表面位移。Mizuta等[30]研究運用自組裝多分子膜（self-assembled monolayers，SAMs）方法，將芳香雙硫酚與OEG結(jié)合物修飾在芯片表面，芯片修飾結(jié)構(gòu)如圖5所示。通過該修飾方法，芯片的耐久性和重復(fù)性得到了改善，循環(huán)使用次數(shù)可超過100次。Tanaka等[31]通過相似方法修飾芯片對黑索金（RDX）進行檢測，使用鼠源抗-RDX單克隆抗體作為配體，檢出限為40 pg/mL。

3.3 高分子聚合物修飾傳感器芯片

近年來，高分子聚合物合成快速發(fā)展，將其應(yīng)用于SPR傳感器芯片修飾成為研究熱點之一。多種類型的高聚物用于修飾SPR芯片，為芯片表面提供了不同的結(jié)構(gòu)，從而提高了傳感器的性能。Crooks和Ricco[32]研究發(fā)現(xiàn)，樹狀分子具有高密度表面官能團，可通過核心分子實現(xiàn)反復(fù)分支，重復(fù)分支的周期數(shù)稱為一代[33]，修飾在金屬芯片表面能夠結(jié)合更多數(shù)量的配體，且在重復(fù)再生的過程中有較好的穩(wěn)定性。Singh等[34]通過使用高度分支化的聚酰胺（PAMAM）樹狀大分子，以1,2-二氨基十二烷為核心得到第四代（G4）分子對SPR傳感器芯片進行修飾，提高了表面的負載能力和檢測效率，使用間接競爭法對TNT進行檢測，結(jié)果顯示使用樹狀分子修飾的芯片對抗TNT抗體有更好的結(jié)合能力，結(jié)合量是未修飾樹狀分子芯片的1.6倍。Mizuta等[35]通過利用樹狀分子的立體結(jié)構(gòu)和高密度的結(jié)合位點，與包含OEG的SAM有效結(jié)合用于修飾SPR傳感器芯片，增強了對目標生物分子的親和性[36]。在修飾過程中，通過使以胱胺為核心的第六代（G6）PAMAM樹狀大分子裂解為兩個硫醇功能化的樹狀結(jié)構(gòu)分子而結(jié)合到OEG修飾的芯片表面，芯片結(jié)構(gòu)如圖6所示。檢測使用間接競爭法，在引入非常少量的抗TNT抗體（約為90 RU）后，仍保持很低的相對標準偏差（2.5 %），最終的檢出限為15 pg/mL。

圖5 SPR傳感器SAMs芯片的修飾結(jié)構(gòu)示意圖[30]Fig.5 Schematic illustration for fabricating the SAMs-kind SPR sensor chip[30]

圖6 PAMAM G6樹狀分子修飾的芯片表面結(jié)構(gòu)示意圖[35]Fig.6 Schematic illustration of the PAMAM G6-dendron-based fabrication in sensor surface[35]

Yatabe等[37]通過將聚乙烯胺-co-N-乙烯基甲酰胺（poly-(VAm-co-NVF)）結(jié)合SAM修飾SPR傳感器芯片對TNT進行檢測。此方法的優(yōu)點在于，一方面，通過構(gòu)建三維立體結(jié)構(gòu)增加了芯片的結(jié)合位點；另一方面，通過控制poly-NVF的水解率，有效地減弱了由于過多數(shù)量的氨基而引起的靜電吸附作用，從而降低了聚合物對抗體的非特異性吸附，芯片修飾結(jié)構(gòu)如圖7所示。研究表明，將poly-NVF的水解率控制在23 %，可有效地為TNT相似物提供結(jié)合位點且聚合物對抗體的非特異性吸附最弱，其檢出限為28 pg/ mL。同時，Yatabe課題組還研究運用表面引發(fā)原子轉(zhuǎn)移自由基聚合（SI-ATRP）的方法將兩種聚合物修飾到傳感器芯片表面檢測TNT[38]，該方法的特點為聚合物可直接連接在芯片表面并且長度可控。兩種聚合物分別為琥珀酸單[2-[(2-甲基-丙烯?；?氧]乙基]酯（MES）和二乙基氨基甲基丙烯酸乙酯（DEAEM）。MES通過鏈端的羧基綁定TNT相似物，其三維結(jié)構(gòu)增加了抗TNT抗體的結(jié)合位點。DEAEM的鏈端為帶正電的叔氨基，可平衡MES的電負性，從而降低芯片的非特異性吸附，SI-ATRP法修飾芯片結(jié)構(gòu)如圖8所示。通過間接競爭法進行檢測，檢出限為5.7 pg/mL。

圖7 poly-(VAm-co-NVF)修飾的芯片表面結(jié)構(gòu)示意圖[37]Fig.7 Schematic illustration of the poly-(VAm-co-NVF)-based fabrication in sensor surface[37]

圖8 SI-ATRP法修飾聚合物的芯片表面結(jié)構(gòu)示意圖[38]Fig.8 Schematic illustration of polymer-based sensor surface by SI-ATRP fabrication[38]

4 SPR傳感器檢測痕量炸藥的研究總結(jié)

SPR傳感器檢測痕量炸藥的相關(guān)研究主要集中在近十年，目標物多為硝基芳香類炸藥，其中檢測TNT的論文數(shù)量相對較多；檢測方法以間接競爭法為主，均使用抗體作為配體；傳感器檢出限普遍較低，為每毫升皮克到納克級，且使用間接競爭法檢測相較于置換法具有更低的檢出限。相關(guān)研究總結(jié)于表1。

表1 SPR傳感器檢測痕量炸藥的研究總結(jié)Table 1 Summary of SPR Sensor in determining trace explosive

續(xù)表1

5 結(jié)論與展望

SPR傳感器技術(shù)作為一種新興的現(xiàn)代分析手段，運用在痕量炸藥檢測上具有許多獨特的優(yōu)勢。本文介紹了SPR傳感器的檢測原理、對痕量炸藥的檢測方法以及相關(guān)芯片的修飾方法，并對SPR傳感器檢測炸藥的研究現(xiàn)狀進行了總結(jié)。根據(jù)現(xiàn)有檢測炸藥的分析方法以及SPR技術(shù)的發(fā)展趨勢，該研究將會在以下方向有更多創(chuàng)新[40-41]：（1）通過運用多種類的SPR傳感器，如光纖光柵SPR、光子晶體光纖SPR等，設(shè)計相應(yīng)的方法對炸藥進行檢測；（2）擴大檢測炸藥的種類，目前SPR傳感器對炸藥檢測主要集中在硝基芳香類炸藥和RDX硝胺炸藥，而硝酸酯類炸藥和大部分硝銨類炸藥研究較少；（3）現(xiàn)有的研究中均使用ELISA作為目標物識別方法，在今后的發(fā)展中應(yīng)嘗試新的炸藥特異性識別物，如運用特異性更強、結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定的適配體；（4）結(jié)合更加靈活多樣的納米修飾技術(shù)以增強SPR傳感器的響應(yīng)信號；（5）在保持芯片表面物質(zhì)的穩(wěn)定性和生物活性的基礎(chǔ)上，建立高效快速的芯片活化方法。隨著進一步的發(fā)展，SPR傳感器技術(shù)將會在痕量炸藥的檢測中發(fā)揮越來越重要的作用。

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Advances in the Application of SPR Sensor for Determining Trace Explosive

TAN Junpeng1,2, HAO Hongxia2,3,*, YANG Ruiqin1,*
(1. People’s Public Security University of China, Beijing 100038, China; 2. 2011 Collaborative Innovation Center of Judicial Civilization, China; 3. MOE (Ministry of Education) Key Laboratory of Evidence Science, Affi liated under China University of Political Science and Law, Beijing 100088, China)

Trace explosive detection is vital for the prevention and combatting against the explosion-related crimes. Traditional methods are insuffi cient to the in situ detection because the relevant equipment is expensive and bulky, usually suited to be used in lab, easily affected by environment, and needs professional operation and other requirements. As an emerging analysis technology, surface plasmon resonance (SPR) sensor has been extensively investigated in various fi elds for its advantages of high sensitivity, easy operation, portable devices, non-necessity of labeling and real-time monitoring. In this review, we summarize the recent studies about the detection of trace explosive, such as the ones from TNT and DNT, based on SPR sensor, and outlook the development tendency in this area. To begin with, a preliminary overview was given of the SPR theory and SPR sensor's working principle. The methods to detect explosive based on SPR sensor were summed up, with the description of the indirect competitive and displacement approaches. Most importantly, the methods of modifying SPR sensor chips were discussed, mainly focusing on the modifi cations through physical immobilization of protein, polyethylene glycol and polymer, together with the analysis of the characteristics of such various modification measurements. Herein,several on-going and applicable implementations were predicted of SPR sensor to detect trace explosive. Firstly, SPR sensor will be integrating with other technologies such as fi ber Bragg grating, photonic crystal fi ber; secondly, the scope of detecting explosives will be expanded into those of containing nitro aro matic groups, RDX nitramine, nitrate type and most of the ammonium nitrate kind; thirdly, surface modification would be further enhancing the response of SPR sensor when more fl exible nanometer choices are combined. Promisingly, the SPR sensor will be highly developed along with coupling such a sensitive transducer that can make the prior labeling of analytes unnecessary. Moreover, SPR detector will be made into portable instruments for the on-site determination so that the routine explosive analysis could be signifi cantly improved at its effi ciency and availabilit y.

surface plasmon resonance (SPR); sensor detection; trace explosive

DF794.3

A

1008-3650(2016)05-0345-07

2016-04-20

格式：譚俊鵬, 郝紅霞, 楊瑞琴. SPR傳感器檢測痕量炸藥的研究進展[J]. 刑事技術(shù)，2016,41(5):345-351.

10.16467/j.1008-3650.2016.05.00 1

國家自然科學基金(No. 81001348)；中國政法大學省部級合作項目（2011-23214203、23215243）；中央高校基本科研業(yè)務(wù)費專項資金項目（2016JKF01210）

譚俊鵬（1989—），男，河北張家口人，碩士，研究方向為刑事科學技術(shù)。 E-mail: tjp2014@163.com

* 通訊作者：郝紅霞（1976—），女，內(nèi)蒙古包頭人，博士，副教授，研究方向為藥物毒物分析。 E-mail: haohx@126.com

楊瑞琴（1971—），女，內(nèi)蒙古包頭人，博士，教授，研究方向為刑事科學技術(shù)。 E-mail: 2604419477@qq.com