Ge15Ga10Te75薄膜的磁控濺射制備及性能的可控研究*

齊 磊，王國(guó)祥，李 雙，沈 祥，徐培鵬，李 軍，呂業(yè)剛，戴世勛，聶秋華

(寧波大學(xué) 高等技術(shù)研究院紅外材料及器件實(shí)驗(yàn)室， 浙江 寧波 315211)

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Ge15Ga10Te75薄膜的磁控濺射制備及性能的可控研究*

齊 磊，王國(guó)祥，李 雙，沈 祥，徐培鵬，李 軍，呂業(yè)剛，戴世勛，聶秋華

(寧波大學(xué) 高等技術(shù)研究院紅外材料及器件實(shí)驗(yàn)室， 浙江 寧波 315211)

采用磁控濺射法制備了Ge15Ga10Te75薄膜，研究濺射工藝對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)與性能的影響，并分析了在不同熱處理溫度(200～280 ℃)退火后薄膜光學(xué)特性的變化。通過(guò)掃描電子顯微鏡、X射線(xiàn)衍射儀、顯微拉曼光譜儀、分光光度計(jì)等測(cè)試手段對(duì)熱處理前后薄膜樣品的微觀結(jié)構(gòu)和光學(xué)特性進(jìn)行了表征，結(jié)果表明，3次不同工藝下制備的沉積態(tài)薄膜組分與靶材偏差較小，且均是非晶態(tài)。沉積態(tài)薄膜的短波截止波長(zhǎng)均在1 μm左右；當(dāng)退火溫度(Ta)大于薄膜的玻璃轉(zhuǎn)化溫度(Tg)時(shí)，薄膜的光學(xué)帶隙(Egopt)隨著退火溫度的增加而逐漸減小，沉積態(tài)薄膜的光學(xué)帶隙分別為1.05，1.06和1.07 eV，而在280 ℃退火后薄膜光學(xué)帶隙分別降至0.38，0.42和0.45 eV，以上3次實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，不同工藝下制備的Ge15Ga10Te75薄膜組分均勻可控，熱學(xué)和光學(xué)參數(shù)較一致。

Ge15Ga10Te75；磁控濺射；XRD；SEM；透過(guò)光譜；Raman光譜；光學(xué)帶隙

0 引 言

硫系玻璃是以硫族元素(S、Se、Te)為主，引入Si、Ge、As、Sb等元素而形成的非晶態(tài)材料[1]。由于硫系玻璃網(wǎng)絡(luò)是由鍵性較弱的共價(jià)鍵組成，并且含有原子折合質(zhì)量較高的重金屬原子，因此硫系玻璃與硅酸鹽玻璃、氟化物玻璃相比，具有更寬的紅外透過(guò)區(qū)域(長(zhǎng)波截止邊一般大于10 μm)和更高的線(xiàn)性和非線(xiàn)性折射率(線(xiàn)性折射率n0一般大于2，非線(xiàn)性折射率系數(shù)n2=(2～20)×10-18m2/W)[2-3]。由于這些優(yōu)異的材料特性，硫系玻璃在紅外光學(xué)系統(tǒng)、通信波段的非線(xiàn)性光學(xué)器件以及中遠(yuǎn)紅外的超連續(xù)譜等領(lǐng)域具有極大的應(yīng)用前景[4]。

近年來(lái)，硫系玻璃材料在外太空類(lèi)星球上的生命探測(cè)(如歐洲的達(dá)爾文計(jì)劃)和有機(jī)、無(wú)機(jī)化合物分子鑒別的生物傳感領(lǐng)域也獲得了極大的關(guān)注[5-6]。由于生物體的本征振動(dòng)在1 500～400 cm-1光譜范圍內(nèi)(對(duì)應(yīng)著6～25 μm的紅外長(zhǎng)波波段)，該區(qū)域也稱(chēng)之為生物體的指紋區(qū)。指紋區(qū)對(duì)整個(gè)分子結(jié)構(gòu)和濃度十分敏感，分子結(jié)構(gòu)或濃度的微小變化，都會(huì)引起這一區(qū)域吸收峰位置和強(qiáng)度的變化，通過(guò)與紅外光譜的標(biāo)準(zhǔn)圖譜對(duì)比可鑒定生物體類(lèi)型，而通過(guò)吸收強(qiáng)度與濃度的定標(biāo)曲線(xiàn)可獲得待測(cè)樣品所含生物體的濃度。但是應(yīng)用于指紋區(qū)的生物傳感長(zhǎng)期受限于對(duì)該波段透明的傳輸介質(zhì)，無(wú)法有效地利用倏逝波探測(cè)技術(shù)實(shí)現(xiàn)對(duì)整個(gè)指紋區(qū)所有特征譜線(xiàn)的分析和處理。

硫系玻璃中Te基材料與S基、Se基相比具有更寬的紅外透過(guò)窗口(可以達(dá)到25 μm)，完全覆蓋生物傳感應(yīng)用的光譜范圍。但其缺點(diǎn)是玻璃轉(zhuǎn)化點(diǎn)(Tg)低、抗熱穩(wěn)定性差和成纖困難。在已研究的眾多Te基玻璃材料中，Ge15Ga10Te75是公認(rèn)的熱穩(wěn)定性最好的一種玻璃組分[5]，近年來(lái)已有研究機(jī)構(gòu)對(duì)Ge15Ga10Te75成膜和光波導(dǎo)制作進(jìn)行了研究，如Němec等[7]采用脈沖激光沉積(PLD)制備了Ge15Ga10Te75薄膜，研究表明該薄膜具有良好的光穩(wěn)定性。Alber[8]和Caroline等[9]都采用了共熱蒸發(fā)技術(shù)得到了Ge15Ga10Te75薄膜，進(jìn)而用反應(yīng)離子刻蝕制備了單模脊型波導(dǎo)。與文獻(xiàn)報(bào)道不同的是，本文采用了磁控濺射制備Ge15Ga10Te75薄膜，并系統(tǒng)研究了其成膜特性、薄膜材料結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)，而且分析了熱處理對(duì)該薄膜性能影響的研究，研究工作為優(yōu)化Ge15Ga10Te75薄膜的制備技術(shù)、進(jìn)一步設(shè)計(jì)光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)和制作提供了依據(jù)。

1 實(shí) 驗(yàn)

1.1 樣品制備

本文研究的Ge15Ga10Te75薄膜均為采用沈陽(yáng)科儀JGP-450型磁控濺射真空鍍膜系統(tǒng)制備。采用石英片和硅片為襯底，將Ge15Ga10Te75靶材(直徑為50 mm×3 mm)安裝在磁控射頻靶中，鍍膜前先將濺射腔室抽真空至2.0×10-4Pa，然后向腔內(nèi)充入流量為47.6 mL/min的氬氣，調(diào)整腔室內(nèi)氣壓達(dá)到濺射所需起輝氣壓2.0 Pa。當(dāng)靶材起輝后，繼續(xù)調(diào)節(jié)濺射工作氣壓至0.25 Pa。設(shè)定射頻功率至25 W，預(yù)濺射10 min；之后開(kāi)啟襯底轉(zhuǎn)盤(pán)自轉(zhuǎn)，打開(kāi)襯底擋板，濺射時(shí)間為2 h左右。濺射沉積結(jié)束后，向?yàn)R射腔室內(nèi)緩慢地充入純度為5 N氮?dú)馄瞥婵?，?dāng)內(nèi)外氣壓平衡后從濺射腔室內(nèi)取出Ge15Ga10Te75薄膜。濺射工藝參數(shù)與薄膜編號(hào)如表1所示。薄膜樣品制備完成后，分別置于快速熱退火爐(RTA)中以200，240和280 ℃進(jìn)行5 min熱處理，退火爐的溫度控制精度為±5 ℃，退火期間通入高純氮?dú)庖员苊獗∧ぴ诟邷貢r(shí)發(fā)生氧化。

表1 不同條件下制備的Ge15Ga10Te75薄膜材料及相關(guān)參數(shù)

1.2 樣品測(cè)試

采用Tescan VEGA 3SBH型掃描電子顯微鏡(SEM)測(cè)試薄膜退火前后的表面形貌，由SEM配置的電子能譜儀(EDS) 測(cè)試薄膜組分；采用美國(guó)Veeco Dektak 150 探針式表面輪廓儀測(cè)試薄膜厚度，通過(guò)德國(guó) Bruker D2型X射線(xiàn)粉末衍射儀 (XRD) 確定薄膜的晶相結(jié)構(gòu)，其工作電壓為40 kV，工作電流為10 mA，掃描角度2θ為10～80°；采用Perkin-Elemer-Lambda 950UV/VIS/NIR 型分光-光度計(jì)測(cè)試薄膜透過(guò)光譜，測(cè)量范圍為500～2 500 nm，掃描步長(zhǎng)為1 nm；采用德國(guó)W-VASE with AutoRetarderTM 型紅外橢偏儀測(cè)得沉積態(tài)薄膜的折射率；采用英國(guó)雷尼紹公司的inVia顯微拉曼光譜儀(Raman)測(cè)得薄膜拉曼結(jié)構(gòu)，測(cè)試范圍為50～200 cm-1，激光波長(zhǎng)為785 nm，測(cè)試功率為0.1 mW。所有測(cè)試均在常溫下進(jìn)行，其中薄膜表面形貌及其組分測(cè)試是在硅片襯底上進(jìn)行，其它測(cè)試都是在石英片襯底上進(jìn)行。

2 結(jié)果與分析

2.1 組分測(cè)試

Ge15Ga10Te75薄膜的組分測(cè)試結(jié)果如表2所示。結(jié)果表明，磁控濺射法制備的Ge15Ga10Te75薄膜和玻璃靶材的組分基本一致，偏差保持在2%以?xún)?nèi)。表面輪廓儀測(cè)試數(shù)據(jù)表明GGT1、GGT2和GGT3的薄膜厚度分別為816，906和1 050 nm。

表2 Ge15Ga10Te75薄膜的化學(xué)計(jì)量組分比(±2%,原子分?jǐn)?shù))

2.2 薄膜表面形貌測(cè)試

GGT2薄膜表面SEM測(cè)試結(jié)果如圖1所示。

圖1 GGT2薄膜表面SEM圖

從圖1可以看到沉積態(tài)薄膜表面光整且分布均勻，200 ℃退火后薄膜結(jié)構(gòu)中發(fā)生鍵重組引起表面的微小起伏，而在240 ℃退火后的薄膜中出現(xiàn)了不同顆粒大小的晶粒，280 ℃退火后薄膜顆粒進(jìn)一步長(zhǎng)大，析晶現(xiàn)象更為明顯。同樣在GGT1和GGT3薄膜樣品也發(fā)現(xiàn)相似的實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象。

2.3 XRD分析

據(jù)文獻(xiàn)[5，7]報(bào)道，Ge15Ga10Te75玻璃的轉(zhuǎn)變溫度在175 ℃，結(jié)晶溫度約為280 ℃。圖2給出了薄膜樣品在玻璃轉(zhuǎn)變溫度和析晶溫度之間(200～280 ℃)熱處理5 min后的XRD圖譜。由圖2可以看出，在3次實(shí)驗(yàn)中，沉積態(tài)薄膜的XRD圖譜基本一致，均表現(xiàn)出典型非晶態(tài)物質(zhì)特性。當(dāng)退火溫度(Ta)大于薄膜的玻璃轉(zhuǎn)化溫度(Tg)時(shí)，3次不同工藝下制備的薄膜均表現(xiàn)出了析晶現(xiàn)象，且具有相似的結(jié)晶過(guò)程。首先，在200 ℃退火下，在衍射角為23，27，38，40，43，46和50°處均出現(xiàn)了強(qiáng)度較小的析晶峰，并且隨著退火溫度的進(jìn)一步升高，對(duì)應(yīng)的衍射峰強(qiáng)度都有明顯的增加。此外，240 ℃熱處理后新的析晶峰在更大的衍射角(51，56，63，66和68°)開(kāi)始出現(xiàn)。而在280 ℃熱處理后在26和30°也出現(xiàn)了新的析晶峰。這表明當(dāng)熱處理溫度高于薄膜的玻璃轉(zhuǎn)變溫度時(shí)，原子的熱運(yùn)動(dòng)造成了組成和結(jié)構(gòu)上足夠的熱起伏，最終導(dǎo)致晶核的形成和生長(zhǎng)[10]，這一點(diǎn)與SEM分析結(jié)果相符。將析晶峰與標(biāo)準(zhǔn)PDF卡片對(duì)照發(fā)現(xiàn)在200 ℃析出為T(mén)e晶體(JCPDS No.78-2312)，而在240 ℃析出為T(mén)e晶體(JCPDS No.78-2312)和Ga2Te5晶體(JCPDS No.45-954)，最后在280 ℃退火后薄膜已完全晶化為T(mén)e晶體(JCPDS No.78-2312)、Ga2Te5晶體(JCPDS No.45-954)和GeTe晶體(JCPDS No.47-1079)。

圖2 熱處理前后薄膜的XRD圖譜

2.4 薄膜的光學(xué)特性

Ge15Ga10Te75非晶薄膜熱處理前后的透過(guò)光譜如圖3所示。薄膜樣品的透過(guò)率隨著波長(zhǎng)增加呈現(xiàn)典型的波浪振蕩，這是由于光在兩個(gè)界面產(chǎn)生的干涉現(xiàn)象，而在短波截止波長(zhǎng)附近，隨著薄膜的本征吸收逐漸增強(qiáng)，透過(guò)率急劇下降。由圖3可以看出，3次實(shí)驗(yàn)制備的沉積態(tài)薄膜的短波截止波長(zhǎng)均在1 μm左右。隨著退火溫度進(jìn)一步升高至280 ℃，由于薄膜樣品中晶粒逐漸長(zhǎng)大，出現(xiàn)較強(qiáng)的光散射現(xiàn)象，以至于薄膜透過(guò)率接近為零。GGT2和GGT3均表現(xiàn)出與GGT1相似的變化規(guī)律。

圖4為由紅外橢偏儀測(cè)得的沉積態(tài)Ge15Ga10Te75薄膜的折射率與波長(zhǎng)的關(guān)系曲線(xiàn)?？梢钥闯觯?次實(shí)驗(yàn)薄膜樣品的關(guān)系曲線(xiàn)基本一致，并且隨著波長(zhǎng)的增大而逐漸減小。

對(duì)于間接躍遷型非晶半導(dǎo)體材料，在材料的高吸收區(qū)域的吸收系數(shù)和光子能量之間的關(guān)系滿(mǎn)足Tauc[11]公式

式中，K為與躍遷概率有關(guān)的常數(shù)，Egopt為光學(xué)帶隙，hυ為光子能量。通過(guò)(αhυ)1/2對(duì)hυ作圖(如圖5所示)，發(fā)現(xiàn)曲線(xiàn)在高吸收區(qū)域呈現(xiàn)高度的線(xiàn)性趨勢(shì)，因此可以確定間接躍遷是Ge15Ga10Te75非晶薄膜最可能的光學(xué)吸收機(jī)理，這與 P. Petkov等[12]的報(bào)道也十分符合。將曲線(xiàn)的線(xiàn)性部分外推至(αhυ)1/2=0處可獲得樣品的不同溫度退火后薄膜的光學(xué)帶隙。從圖5可以觀察出在3次實(shí)驗(yàn)中，沉積態(tài)和同一退火溫度下的薄膜，其光學(xué)帶隙都很接近，細(xì)微的偏差可能是由薄膜厚度所引起應(yīng)力差異或組分偏差造成的。當(dāng)Ta>Tg時(shí)，薄膜的光學(xué)帶隙隨著退火溫度的增加而逐漸減小。

圖4 沉積態(tài)薄膜的折射率與波長(zhǎng)的關(guān)系曲線(xiàn)

Fig 4 Comparison of refractive index spectral dependencies of Ge15Ga10Te75as-deposited thin films

圖6給出了薄膜樣品的光學(xué)帶隙與退火溫度之間的關(guān)系，隨退火溫度的升高，GGT1薄膜的光學(xué)帶隙從沉積態(tài)的1.05 eV，分別降至0.72，0.64和0.38 eV。同樣GGT2和GGT3均出現(xiàn)了相似的變化。

熱處理前后薄膜光學(xué)帶隙的變化可以用Mott和Davis[13]提出的定域態(tài)密度模型來(lái)解釋。根據(jù)此模型，遷移率邊的定域態(tài)寬度取決于非晶結(jié)構(gòu)中的缺陷和無(wú)序程度。眾所周知，在沉積薄膜中由于原子數(shù)量的不足會(huì)形成配位缺陷，而這些配位缺陷會(huì)形成定域態(tài)。當(dāng)Ta>Tg時(shí)，薄膜光學(xué)帶隙逐漸減小可能是由于析出晶粒周?chē)膽覓戽I引起的。

圖5 由熱處理前后薄膜(αhυ)1/2對(duì)hυ的曲線(xiàn)推出光學(xué)帶隙

圖6 光學(xué)帶隙隨退火溫度變化圖

Fig 6 Changes in the optical band gap of Ge15Ga10Te75films as functions of annealing temperature

Hasegawa和Chaudhuri等[14]研究表明即使是理想的非晶態(tài)固體在熱處理后都會(huì)有析晶現(xiàn)象，并且在析晶過(guò)程中析出的晶粒表面會(huì)形成大量的懸掛鍵。當(dāng)Ta進(jìn)一步升高，晶粒的尺寸進(jìn)一步長(zhǎng)大或核化促進(jìn)更多晶粒生長(zhǎng)，進(jìn)而導(dǎo)致懸掛鍵的數(shù)量進(jìn)一步增加。對(duì)于本文研究的Ge15Ga10Te75薄膜，從圖2可以看到當(dāng)Ta>Tg時(shí)薄膜有明顯的析晶現(xiàn)象，并且隨退火溫度的升高析出的晶體數(shù)量也在逐漸增加。因而可以推斷，薄膜中的缺陷隨Ta的升高不斷增加導(dǎo)致定域態(tài)密度不斷提高，最終導(dǎo)致薄膜的光學(xué)帶隙逐漸減小。

2.5 薄膜樣品Raman結(jié)構(gòu)分析

Ge15Ga10Te75薄膜樣品熱處理前后的拉曼光譜如圖7所示。從該拉曼光譜可以看出，3次不同工藝條件下制備的沉積態(tài)薄膜的拉曼光譜峰型基本一致，說(shuō)明其沉積態(tài)的薄膜具有相似的結(jié)構(gòu)。其中位于125 cm-1處的拉曼峰歸因于GeTe4(GaTe4)四面體的V1對(duì)稱(chēng)伸縮振動(dòng)[15]，位于154 cm-1處的拉曼峰歸因于Te—Te鍵伸縮振動(dòng)[16-17]。

圖7 熱處理前后薄膜樣品的拉曼光譜

熱處理后，薄膜樣品的拉曼光譜主要表現(xiàn)出3個(gè)變化：(1) 120～130 cm-1范圍內(nèi)的拉曼峰隨著退火溫度升高強(qiáng)度有所提高，這表明GeTe4(GaTe4)四面體結(jié)構(gòu)的數(shù)量有所增加；(2) 在150～160 cm-1范圍內(nèi)的拉曼峰隨著退火溫度強(qiáng)度逐漸變?nèi)?，而?40～150 cm-1[7,18]范圍內(nèi)出現(xiàn)了新的拉曼峰，這意味著Te—Te同極鍵數(shù)量的減少和非晶態(tài)Ten鏈的產(chǎn)生；(3) 在80～100 cm-1范圍內(nèi)出現(xiàn)了微弱的拉曼峰，這是由于GeTe4(GaTe4)四面體的V2對(duì)稱(chēng)伸縮振動(dòng)引起的[19-20]。因此，Ge15Ga10Te75非晶薄膜的拉曼光譜特征由富Te的基團(tuán)引起的，這與圖2的XRD結(jié)果一致。

3 結(jié) 論

利用磁控濺射法制備Ge15Ga10Te75薄膜樣品并以不同的溫度(200～280 ℃)對(duì)薄膜進(jìn)行熱處理，研究了退火溫度對(duì)薄膜光學(xué)特性的影響。3次實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明不同工藝下制備的Ge15Ga10Te75薄膜組分均勻可控，熱學(xué)和光學(xué)性能參數(shù)較一致，細(xì)微的偏差可能是由薄膜的組分偏差或薄膜應(yīng)力所造成的。當(dāng)熱處理后薄膜發(fā)生非晶到晶態(tài)轉(zhuǎn)變，薄膜的光學(xué)帶隙隨著退火溫度的增加而逐漸減小。這是由于析晶過(guò)程中產(chǎn)生了大量的懸掛鍵，造成了遷移率邊的定域態(tài)寬度的增加，從而使得光學(xué)帶隙減小。

致謝：感謝寧波大學(xué)王寬誠(chéng)幸?；饘?duì)本項(xiàng)目的大力資助！

[1] Dai Shixun,Chen Feifei,Xu Yinsheng,et al. Mid-infrared optical nonlinearities of chalcogenide glasses in Ge-Sb-Se ternary system [J]. Optics Express, 2015, 23(2):1300-1307.

[2] Gai X,Han T,Prasad A,et al. Progress in optical waveguides fabricated from chalcogenide glasses [J]. Optics Express, 2010, 18(25):26635-26646.

[3] Ren J, Li B, Wagner T, et al. Third-order optical nonlinearities of silver doped and/or silver-halide modified Ge-Ga-S glasses [J]. Optical Materials, 2014, 36(5):911-915.

[4] Wang Junli,He Borong,Dai Shixun,et al. Waveguide in Tm3+-doped chalcogenide glass fabricated by femtosecond laser direct writing [J]. Photonics Technology Letters, IEEE, 2015, 27(3): 237-240.

[5] Xu Huijuan,He Yuju,Wang Xunsi,et al. Preparation of low-loss Ge15Ga10Te75chalcogenide glass for far-IR optics applications [J].Infrared Physics & Technology, 2014, 65(1): 77-82.

[6] He Yuju,Wang Xunsi,Nie Qiuhua,et al. Optical properties of Ge-Ga-Te doping Al and AlCl3far infrared transmitting chalcogenide glasses [J].Infrared Physics & Technology, 2013, 58(1):1-4.

[7] Němec P,Nazabal V,Dussauze M,et al. Ge-Ga-Te amorphous thin films fabricated by pulsed laser deposition [J].Thin Solid Films, 2013, 531(4):454-459.

[8] Kaiser N, Albert S, Barthelemy E, et al. Fabrication of far infrared rib waveguides based on Ge-Ga-Te films deposited by co-thermal evaporation [C]//Optical Systems Design：International Society for Optics and Photonics, 2008：71011N-71011N-8.

[9] Vigreux C, Barthélémy E, Bastard L,et al. Realization of single-mode telluride rib waveguides for mid-IR applications between 10 and 20 μm [J]. Optics Letters, 2011, 36(15):2922-2924.

[10] Zong Shuangfei,Sheng Xiang,Xu Tiefeng,et al. Thermal-induced optical changes in the amorphous Ge20Sb15Se65film [J]. Acta Physica Sinica,2013, 62(9): 0968-0968.

宗雙飛，沈 祥，徐鐵峰，等.Ge20Sb15Se65薄膜的熱致光學(xué)特性變化研究[J]，物理學(xué)報(bào),2013, 62(9): 0968-0968.

[11] Tauc J. Amorphous and liquid semiconductors[M].New York: Plenum Press, 1974.

[12] Petkov P, Wuttig M, Ilchev P, et al. Optical band gap of gallium containing telluride thin films [J]. Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, 2003, 5 (5):1101-1106.

[13] Mott N F. Charged defects in vitreous silica [J]. Journal of Non-Crystalline Solids, 1980, 40(1): 1-6.

[14] Wang G, Nie Q, Shen X, et al. Phase change and optical band gap behavior of Ge-Ga-Te thin films prepared by thermal evaporation[J]. Vacuum, 2012, 86(10):1572-1575.

[15] Voleská I, Akola J, Jóvári P, et al. Structure, electronic, and vibrational properties of glassy Ge11Ga11Te78: experimentally constrained density functional study [J]. Physical Review B, 2012, 86(9):094108.

[16] Andrikopoulos K S, Yannopoulos S N, Kolobov A V,et al. Raman scattering study of GeTe and Ge2Sb2Te5phase-change materials [J]. Journal of Physics and Chemistry of Solids,2007, 68 (5-6):1074-1078.

[17] Sen S, Gjersing E L, Aitken B G. Physical properties of GexAs2xTe100-3xglasses and Raman spectroscopic analysis of their short-range structure [J]. Journal of Non-Crystalline Solids, 2010, 356 (41):2083-2088.

[18] Sun J, Nie Q, Wang X, et al. Structural investigation of Te-based chalcogenide glasses using Raman spectroscopy [J]. Infrared Physics & Technology, 2012, 55(4):316-319.

[19] Vigreux C, Thi M V, Escalier R, et al. Channel waveguides based on thermally co-evaporated Ge-Se-Te films for infrared integrated optics [J]. Journal of Non-Crystalline Solids, 2013, 377:205-208.

[20] Andrikopoulos K S, Yannopoulos S N, Voyiatzis G A, et al. Raman scattering study of the a-GeTe structure and possible mechanism for the amorphous to crystal transition [J]. Journal of Physics: Condensed Matter, 2006, 18 (3):965-979.

The controllable performance of Ge15Ga10Te75thin films deposited by magnetron sputtering

QI Lei，WANG Guoxiang，LI Shuang，SHEN Xiang，XU Peipeng，LI Jun，LV Yegang，DAI Shixun，NIE Qiuhua

(Laboratory of Infrared Materials and Devices,The Research Institute of Advanced Technologies,Ningbo University, Ningbo 315211,China)

The amorphous Ge15Ga10Te75thin film was prepared by magnetron sputtering deposition technique. Effect of heat treatment on the microstructure and optical properties of Ge15Ga10Te75thin films has been investigated. The films annealed in the range of 200-280 ℃ were characterized by X-ray diffraction, Raman spectroscopy and spectrophotometer. The results indicate that the as-deposited films prepared by three different processes were close to the target composition. These as-deposited films were amorphous, possessing the cut-off wavelength about 1 μm. With the annealing temperature increasing, the optical band gap decreased. The optical band gap of the as-deposited thin films were 1.05, 1.06 and 1.07 eV, which finally decreased to 0.38, 0.42 and 0.45 eV after annealing at 280 ℃. Experimental results show that Ge15Ga10Te75thin films, prepared under three different processes, exhibiting a uniformly controllable composition, approximately thermal and optical parameters.

Ge15Ga10Te75film; magnetron sputtering; XRD; SEM; transmission spectroscopy; Raman spectroscopy; optical band gap

1001-9731(2016)04-04017-06

國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61377061，61306147)；浙江省公益技術(shù)研究工業(yè)資助項(xiàng)目(2014C31146)；浙江省中青年學(xué)科帶頭人學(xué)術(shù)攀登資助項(xiàng)目(pd2013092)；浙江省自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(LQ15F040002)

2015-05-08

2015-10-26 通訊作者：沈 祥，E-mail: shenxiang@nbu.edu.cn

齊 磊 (1990-)，男，安徽安慶人，在讀碩士，師承沈祥副研究員，從事硫系玻璃薄膜及光波導(dǎo)材料研究。

TN213

A

10.3969/j.issn.1001-9731.2016.04.004