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    堿性鋅酸鹽電鍍鋅-碳化硅復(fù)合鍍層工藝優(yōu)化

    2016-11-09 01:46:24鄧型深盧釔成姜吉瓊
    電鍍與涂飾 2016年12期

    鄧型深*,盧釔成,姜吉瓊

    (廣西礦冶與環(huán)境科學(xué)實(shí)驗(yàn)中心,桂林理工大學(xué)化學(xué)與生物工程學(xué)院,廣西 桂林 541004)

    堿性鋅酸鹽電鍍鋅-碳化硅復(fù)合鍍層工藝優(yōu)化

    鄧型深*,盧釔成,姜吉瓊

    (廣西礦冶與環(huán)境科學(xué)實(shí)驗(yàn)中心,桂林理工大學(xué)化學(xué)與生物工程學(xué)院,廣西 桂林541004)

    以Q235鋼板為基體,在由70.0 g/L氧化鋅、180.0 g/L氫氧化鈉、2.8 g/L香草醛、1 m L/L甲醛、1.0 g/L硫脲和1.0 g/L三乙烯四胺組成的普通堿性鍍鋅液中加入SiC微粒電鍍得到Zn-SiC復(fù)合鍍層。研究了電流密度、溫度、SiC用量和攪拌速率對(duì)Zn-SiC復(fù)合鍍層耐蝕性的影響,得到較佳工藝條件為:SiC用量8 g/L,電流密度2.5 ~ 4.0 A/dm2,溫度20 ~ 25 °C,攪拌速率120 r/m in。SiC的存在有利于生成晶粒細(xì)小、致密且顯微硬度較高的鍍層。在較佳工藝下,Zn-SiC復(fù)合鍍層中SiC的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1.51%,其耐蝕性優(yōu)于純鋅鍍層。

    堿性鍍鋅;碳化硅;復(fù)合鍍層;耐蝕性;顯微硬度

    First-author's address: Guangxi Scientific Experiment Center of M ining, Metallurgy and Environment, College of Chemistry and Bioengineering, Guilin University of Technology, Guilin 541004, China

    鋅基復(fù)合鍍層由金屬鋅或其合金與分散粒子(無機(jī)顆粒、有機(jī)顆粒等)組成,它兼有單一電鍍鋅或鋅合金及微粒的良好性能,在機(jī)械制造、航空航天、汽車等工業(yè)部門具有重要的實(shí)用價(jià)值。另外,鋅基復(fù)合電鍍具有溫度低、工藝簡單、易操作、環(huán)保等優(yōu)點(diǎn),受到人們的普遍關(guān)注,在鋅合金的基礎(chǔ)上開發(fā)出來的二元鋅合金基復(fù)合鍍層在耐蝕性上很有可能超過鍍鎘層[1-3]。目前報(bào)道的鋅基復(fù)合鍍主要有3類:Zn-SiO2、Zn-A l2O3、Zn-TiO2、Zn-CeO2、Zn-ZrO2等鋅-無機(jī)顆粒復(fù)合鍍[4-7];鋅-聚丙烯酰胺、Zn-PTFE等鋅-有機(jī)聚合物復(fù)合鍍[8-9];Zn-Fe-SiO2、Zn-Fe-TiO2、Zn-Ni-SiO2等多元合金復(fù)合鍍[10-12]。

    除筆者的報(bào)道[2]外,國內(nèi)未見Zn-SiC復(fù)合電鍍的相關(guān)報(bào)道,但國外有一些,如:Roventi等[13]以明膠為添加劑,在弱酸性氯化物鍍鋅液中制得硬度較高的Zn-SiC復(fù)合鍍層;Kumar等[14]和Sajjadnejad等[15]分別采用直流電鍍法和脈沖電鍍法,在硫酸鹽鍍鋅液中制得耐蝕性比純Zn鍍層好的Zn-SiC復(fù)合鍍層。這些都采用酸性體系,目前還未見在堿性電鍍液中制備Zn-SiC復(fù)合鍍層的報(bào)道。本文在堿性鍍鋅液中加入粒徑約2 μm的SiC微粉,制備了Zn-SiC復(fù)合鍍層,并表征了其耐蝕性、顯微硬度及表面形貌。

    1 實(shí)驗(yàn)

    1. 1材料及設(shè)備

    以100 mm × 28 mm × 1 mm的Q235鋼板為基材,單面鍍覆,背面用膠膜保護(hù);以純鋅板作陽極;電鍍電源為武漢材料保護(hù)研究所生產(chǎn)的HL-10AH赫爾槽試驗(yàn)儀,用上海世赫機(jī)電設(shè)備有限公司生產(chǎn)的SJB-S實(shí)驗(yàn)室攪拌機(jī)攪拌鍍液。

    1. 2工藝流程

    600# ~ 800#砂紙打磨→水洗→化學(xué)除油→水洗→除銹→水洗→活化→水洗→復(fù)合電鍍 Zn-SiC→水洗→吹干→性能測試。

    1. 3配方與工藝

    1. 3. 1化學(xué)除油

    氫氧化鈉13 g/L,碳酸鈉25 g/L,磷酸三鈉60 g/L,硅酸鈉8 g/L,溫度70 ~ 80 °C,時(shí)間8 ~ 10 m in。

    1. 3. 2除銹

    硝酸150 g/L,硫酸700 g/L,鹽酸5 g/L,室溫,時(shí)間3 ~ 5 m in。

    1. 3. 3活化

    鹽酸50 g/L,室溫,時(shí)間0.5 ~ 1.0 m in。

    1. 3. 4復(fù)合電鍍Zn-SiC

    氧化鋅70.0 g/L,氫氧化鈉180.0 g/L,香草醛2.8 g/L,甲醛1 m L/L,硫脲1.0 g/L,三乙烯四胺1.0 g/L,SiC(粒徑約2 μm) 6.0 ~ 14.0 g/L,電流密度0.5 ~ 5.5 A/dm2,溫度20 ~ 55 °C,機(jī)械攪拌80 ~ 260 r/m in,時(shí)間30 m in。

    1. 4性能測試

    1. 4. 1電化學(xué)測試

    電化學(xué)測試均在CHI600A電化學(xué)工作站(上海辰華儀器公司)上于室溫下進(jìn)行,以3.5% NaCl溶液為介質(zhì),采用三電極體系,以28 mm × 20 mm的鍍層為工作電極,以飽和甘汞電極(SCE)為參比電極,鉑電極為輔助電極。測定塔菲爾曲線的掃描速率為10 mV/s,并用曲線擬合方法求得鍍層的腐蝕電流icorr。電化學(xué)阻抗譜的頻率范圍為0.01 Hz ~ 100 kHz,交流幅值為5 mV,均在開路電位下測定。

    1. 4. 2顯微硬度

    用HXD-1000TMC自動(dòng)轉(zhuǎn)塔顯微硬度計(jì)(上海泰明光學(xué)儀器廠)測定鍍層的顯微硬度,試驗(yàn)力為29.415 N,保持時(shí)間為15 s,每個(gè)試樣測5次,取平均值。

    1. 4. 3形貌及組成

    用日本JEOL公司的JSM-6380型掃描電子顯微鏡(SEM)觀察復(fù)合鍍層的表面形貌,用中西化玻儀器有限公司的M 302653能譜儀(EDS)測定復(fù)合鍍層中各元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù),再按Si含量計(jì)算SiC的質(zhì)量分?jǐn)?shù)。

    2 結(jié)果與討論

    2. 1工藝條件對(duì)復(fù)合鍍層腐蝕電流的影響

    2. 1. 1電流密度

    圖1為SiC含量為10 g/L、溫度為20 °C、攪拌速率為180 r/min時(shí),在不同電流密度下電鍍所得Ni-SiC復(fù)合鍍層在3.5% NaCl溶液中的腐蝕電流。從圖1可知,當(dāng)電流密度從0.5 A/dm2升至2.5 A/dm2時(shí),復(fù)合鍍層的腐蝕電流逐漸減小。電流密度在2.5 ~ 4.0 A/dm2時(shí),隨電流密度增大,復(fù)合鍍層的腐蝕電流變化不大。電流密度從4.0 A/dm2升至5.5 A/dm2時(shí),復(fù)合鍍層的腐蝕電流急劇增大。因此,較佳的電流密度為2.5 ~ 4.0 A/dm2。

    2. 1. 2溫度

    在SiC含量為10 g/L、電流密度為2.5 A/dm2、攪拌速率為180 r/m in的條件下,溫度對(duì)復(fù)合鍍層在3.5% NaCl溶液中腐蝕電流的影響見圖2。從圖2可知,溫度為20 ~ 25 °C時(shí),復(fù)合鍍層的腐蝕電流較小且變化不大;當(dāng)溫度高于25 °C時(shí),復(fù)合鍍層的腐蝕電流隨溫度升高而快速增大。因此,較佳的施鍍溫度為20 ~ 25 °C。

    2. 1. 3SiC質(zhì)量濃度

    圖1 電流密度對(duì)Ni-SiC復(fù)合鍍層在3.5% NaCl溶液中腐蝕電流的影響Figure 1 Effect of p lating current density on corrosion cur rent of Ni-SiC com posite coating in 3.5% NaC l solution

    圖2 溫度對(duì)Ni-SiC復(fù)合鍍層在3.5% NaC l溶液中腐蝕電流的影響Figure 2 Effect of bath temperature on corrosion current of Ni-SiC composite coating in 3.5% NaCl solution

    當(dāng)溫度為20 °C、電流密度為2.5 A/dm2、攪拌速率為180 r/m in時(shí),鍍液中SiC粉體的質(zhì)量濃度對(duì)復(fù)合鍍層在3.5% NaCl溶液中腐蝕電流的影響如圖3所示。從圖3可知,鍍液中SiC質(zhì)量濃度由6 g/L增大至8 g/L時(shí),復(fù)合鍍層的腐蝕電流減小。這可能是因?yàn)殄円褐蠸iC質(zhì)量濃度增大時(shí),鍍層的SiC含量增大,由于SiC的化學(xué)性能穩(wěn)定,耐蝕性好,其在鍍層中的存在可在一定程度上屏蔽或減小鋅基質(zhì)的腐蝕面積,使鍍層的耐蝕性提高。鍍液中SiC含量高于8.0 g/L時(shí),增大鍍液的SiC含量,鍍層的腐蝕電流升高。實(shí)驗(yàn)過程中觀察到,鍍液中SiC顆粒的含量超過8.0 g/L時(shí),部分粉體不能較好地分散而沉于槽底,說明鍍液中粉體的有效濃度已達(dá)到飽和。另外,過多的微粒在鍍液中相互碰撞會(huì)發(fā)生團(tuán)聚而使其表面電荷密度降低,已經(jīng)吸附于陰極而未來得及被嵌入鍍層的微粒也會(huì)因?yàn)槠渌⒘5呐鲎捕摳剑罱K導(dǎo)致顆粒的復(fù)合量下降。因此鍍液中SiC的含量選擇8 g/L為佳。

    2. 1. 4攪拌速率

    當(dāng)SiC含量為8 g/L、溫度為20 °C、電流密度為2.5 A/dm2時(shí),攪拌速率對(duì)復(fù)合鍍層在3.5% NaCl溶液中腐蝕電流的影響如圖4所示。從圖4可知,攪拌速率從80 r/m in增大到120 r/m in時(shí),復(fù)合鍍層的腐蝕電流減?。划?dāng)攪拌速率為120 r/m in時(shí),復(fù)合鍍層的腐蝕電流最?。淮笥?20 r/m in時(shí),隨攪拌速率增大,復(fù)合鍍層的腐蝕電流先急劇增大后基本恒定。這可能是因?yàn)閿嚢杷俾瘦^低時(shí),隨攪速加快,鍍液流動(dòng)加快,SiC顆粒在鍍液中的分散得到改善,向陰極表面的傳輸加快,SiC顆粒吸附并沉積在陰極表面的概率增大,鍍層中SiC含量增大,復(fù)合鍍層的腐蝕電流減小;攪拌速率過快時(shí),吸附于陰極表面的 SiC顆粒還來不及與鋅共沉積就被鍍液沖走,使鍍層中SiC含量降低,腐蝕電流增大。因此攪拌速率保持在120 r/min左右為佳。

    圖3 鍍液中SiC含量對(duì)Ni-SiC復(fù)合鍍層在3.5% NaC l溶液中腐蝕電流的影響Figure 3 E ffect of SiC content in bath on corrosion cur ren t of Ni-SiC com posite coating in 3.5% NaCl solution

    圖4 攪拌速率對(duì)Ni-SiC復(fù)合鍍層在3.5% NaCl溶液中腐蝕電流的影響Figure 4 Effect of stirring rate on corrosion current of Ni-SiC com posite coating in 3.5% NaCl solution

    綜上可知,Zn-SiC復(fù)合電鍍的較佳工藝條件為:電流密度2.5 ~ 4.0 A/dm2(下文取2.5 A/dm2),溫度20 ~25 °C(下文取25 °C),SiC含量8 g/L,攪拌速率120 r/min。

    2. 2最優(yōu)工藝條件下Zn-SiC復(fù)合鍍層的性能

    2. 2. 1Zn-SiC復(fù)合鍍層的耐蝕性

    2. 2. 1. 1塔菲爾曲線測試

    在最優(yōu)條件下制備的Zn-SiC復(fù)合鍍層與純鋅鍍層在3.5% NaCl溶液中的塔菲爾曲線見圖5。由圖5擬合得到Zn-SiC復(fù)合鍍層的腐蝕電位和腐蝕電流分別為-1.06 V和0.002 m A,純鋅鍍層的腐蝕電位和腐蝕電流分別為-1.13 V和0.16 mA。與純鋅鍍層對(duì)比,復(fù)合鍍層的開路電位正移了0.07 V,腐蝕電流降低了98.75%,說明Zn-SiC復(fù)合鍍層的耐蝕性比純鋅鍍層好。

    2. 2. 1. 2電化學(xué)阻抗譜測試

    圖6為在最優(yōu)條件下制備的Zn-SiC復(fù)合鍍層與純鋅鍍層在3.5% NaCl溶液中的電化學(xué)阻抗譜,圖7為其等效電路。其中,Rs為溶液電阻,Cs為鍍層界面的雙電層電容,高頻端容抗弧的直徑反映了電化學(xué)反應(yīng)電阻(腐蝕電阻)Rt。腐蝕電阻越大,說明試樣的耐蝕性越強(qiáng)[16]。從圖6可知,2種鍍層的電化學(xué)阻抗譜均表現(xiàn)為單一的容抗弧,Zn-SiC復(fù)合鍍層的腐蝕電阻遠(yuǎn)大于純鋅鍍層,說明Zn-SiC復(fù)合鍍層的耐蝕性比純鋅鍍層好,與塔菲爾曲線的結(jié)果一致。

    圖6 純鋅鍍層和Zn-SiC復(fù)合鍍層在3.5% NaCl溶液中的電化學(xué)阻抗譜Figure 6 Electrochem ical impendence spectra for pure zinc coating and Zn-SiC com posite coating in 3.5% NaCl solution

    圖7 電化學(xué)阻抗譜的等效電路Figu re 7 Equivalen t circuit d iagram for electrochem ical im pendence spectra

    2. 2. 2Zn-SiC復(fù)合鍍層的組成

    圖8為在最優(yōu)條件下制備的Zn-SiC復(fù)合鍍層的EDS譜。Zn-SiC復(fù)合鍍層中含有Si 1.05%、Zn 98.49%和C 0.46%,即鍍層中SiC微粒的質(zhì)量分?jǐn)?shù)約為1.51%。

    2. 2. 3Zn-SiC復(fù)合鍍層的形貌及顯微硬度

    在最優(yōu)條件下施鍍30 min制備的Zn-SiC復(fù)合鍍層及純鋅鍍層的形貌如圖9所示。從圖9可知,Zn-SiC復(fù)合鍍層的致密性比純鋅鍍層好,且結(jié)晶細(xì)小,分布均勻。用顯微硬度儀測得純鋅層、Zn-SiC復(fù)合鍍層的平均顯微硬度分別為116 HV和128 HV,SiC的顯微硬度為3 000 ~ 3 500 HV,其存在可在一定程度上提高復(fù)合鍍層的顯微硬度。

    圖8 Zn-SiC復(fù)合鍍層的EDS譜圖Figure 8 EDS spectrum of Zn-SiC com posite coating

    圖9 不同鍍層的SEM照片F(xiàn)igure 9 SEM images of different coatings

    3 結(jié)論

    (1) 堿性鋅酸鹽體系電鍍Zn-SiC復(fù)合鍍層的較佳工藝條件是:電流密度2.5 ~ 4.0 A/dm2,鍍液溫度20 ~25 °C,SiC粉體含量8 g/L,攪拌速率120 r/m in。

    (2) 在最優(yōu)條件下制備的Zn-SiC復(fù)合鍍層中SiC的質(zhì)量分?jǐn)?shù)約為1.51%,顯微硬度為128 HV。

    (3) SiC的引入可使鋅鍍層晶粒細(xì)化,顯微硬度升高,耐蝕性增強(qiáng)。

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    [ 編輯:周新莉 ]

    Optimization of plating process for zinc-silicon carbide composite coating in alkaline zincate bath

    DENG Xing-shen*, LU Yi-cheng, JIANG Ji-qiong

    A Zn-SiC composite coating was prepared on Q235 steel sheet by adding m icron SiC particles to a general alkaline zinc plating bath composed of 70.0 g/L zinc oxide, 180.0 g/L sodium hydroxide, 2.8 g/L vanillin, 1 m L/L formaldehyde, 1.0 g/L thiourea and 1.0 g/L triethylenetetramine. The effects of current density, temperature, SiC dosage and stirring rate on the corrosion resistance of Zn-SiC composite coating were studied. The optimal process conditions are as follows: SiC 8 g/L, current density 2.5-4.0 A/dm2, bath temperature 20-25 °C, and stirring rate 120 r/m in. The existence of SiC is good for forming a coating w ith fine crystal grain, compact structure and high microhardness. The Zn-SiC composite coating obtained under the optimal conditions contains 1.51w t% SiC and has better corrosion resistance than a pure zinc coating.

    alkaline zinc plating; silicon carbide; composite coating; corrosion resistance; microhardness

    TQ153.2

    A

    1004 - 227X (2016) 12 - 0605 - 05

    2016-03-03

    2016-04-29

    鄧型深(1964-),男,廣西全州人,高級(jí)實(shí)驗(yàn)師,主要從事電化學(xué)研究。

    作者聯(lián)系方式:(E-mail) DDD-86491@126.com。

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