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    襯底溫度對TiOPc光敏有機場效應(yīng)管的影響

    2016-09-10 01:32:09鄭亞開彭應(yīng)全
    發(fā)光學報 2016年6期
    關(guān)鍵詞:酞菁場效應(yīng)管遷移率

    鄭亞開,韋 一,孫 磊,陳 真,彭應(yīng)全,,唐 瑩*

    (1.中國計量學院光學與電子科技學院,浙江杭州 310018; 2.蘭州大學物理科學與技術(shù)學院,甘肅蘭州 730000)

    襯底溫度對TiOPc光敏有機場效應(yīng)管的影響

    鄭亞開1,韋一1,孫磊2,陳真1,彭應(yīng)全1,2,唐瑩1*

    (1.中國計量學院光學與電子科技學院,浙江杭州 310018; 2.蘭州大學物理科學與技術(shù)學院,甘肅蘭州 730000)

    制備了基于酞菁氧鈦(TiOPc)的有機光敏場效應(yīng)管,對氧化銦錫(ITO)襯底器件進行溫度優(yōu)化。實驗結(jié)果表明,隨著襯底溫度(Tsub)的增加,器件載流子遷移率(滋)、光暗電流比(P)和光響應(yīng)度(R)先增加后減小,在Tsub=140℃時達到最大。Tsub=140℃的ITO襯底器件,在波長808 nm、光功率密度190 mW·cm-2的近紅外光照下,最大載流子遷移率達到1.35×10-2cm2·V-1·s-1,最大光暗電流比為250,柵壓為-50 V時的最大光響應(yīng)度為1.51 mA/W。

    有機光敏場效應(yīng)管;酞菁氧鈦;襯底溫度

    1 引 言

    有機場效應(yīng)管(Organic field-effect transistors,OFETs)在柔性電子領(lǐng)域引起了眾多關(guān)注,例如主動矩陣顯示[1]、生物醫(yī)學[2]、無線射頻識別標簽[3]和傳感器[4]等。在各種OFETs中,光敏有機場效應(yīng)管(Photoresponsive organic field-effect transistors,PhOFETs)被認為是光探測器中的關(guān)鍵組成部分[5]。PhOFETs的性能與有源層薄膜的特性有關(guān),如結(jié)晶性、晶粒大小、分子取向以及晶粒間的相互作用等[6]。真空蒸鍍有源層薄膜的特性與制備工藝直接相關(guān),比如蒸發(fā)速率、襯底溫度[7]以及退火處理[8]。用有機單晶作有源層的PhOFETs表現(xiàn)出最佳性能,但是迄今為止,大面積制備有機單晶在工藝上仍然面臨很多困難[9]。

    由于酞菁類化合物無毒且具有優(yōu)異的化學和熱穩(wěn)定性、較好的場效應(yīng)特性[10],所以其在PhOFETs中的應(yīng)用引起了很多研究者的興趣[11]。酞菁氧鈦(TiOPc)是最有效的有機光電導(dǎo)體材料之一[12-16],目前已經(jīng)應(yīng)用在超過90%的激光印刷機中。相比于其他有機材料,TiOPc是一種非平面、極性分子,它的鈦氧基團位于酞菁大環(huán)的垂線上,即TiOPc分子是一個小金字塔結(jié)構(gòu)[14]。TiOPc具有3種晶體結(jié)構(gòu):單斜晶向的β-TiOPc、三斜晶向的α-TiOPc和另外一種三斜晶向的γ-TiOPc。已經(jīng)有研究者通過量子力學計算和結(jié)構(gòu)分析預(yù)測:當共軛分子與鄰近分子有強烈的相互間作用力,即π分子軌道交疊程度最大時,可以獲得高載流子遷移率。因此,理論上來說,π堆疊結(jié)構(gòu)能夠提供更有效的軌道交疊,以有利于載流子傳輸。所以,三斜晶相的TiOPc均具有較好的載流子遷移率,尤其α-TiOPc的載流子遷移率最高?,F(xiàn)階段,襯底加熱仍然是一種有效改善熱蒸發(fā)有機薄膜特性的方法,該方法可以減少薄膜的微觀張力且提高薄膜結(jié)晶度。Tada等[15]首先將TiOPc應(yīng)用到OFETs中,但是所得器件的遷移率很低(10-5cm2·V-1·s-1)。2007年,胡文平等[14]已經(jīng)在Si襯底上制備出空穴遷移率高達3.31 cm2·V-1·s-1的TiOPc OFETs。然而,目前還少有關(guān)于襯底為ITO玻璃的襯底溫度對近紅外TiOPc PhOFETs性能影響的報道。本文研究了ITO玻璃襯底近紅外TiOPc PhOFETs的性能與襯底溫度的關(guān)系,結(jié)果顯示,當Tsub=140℃時,滋dark、滋ill、P和R均達到最大值,分別為1.28× 10-2cm2·V-1·s-1、1.35×10-2cm2·V-1· s-1、250和1.51 mA/W。

    2 實 驗

    2.1材料與方法

    有源層采用TiOPc,購于Sigma-Aldrich公司。柵介質(zhì)層采用聚乙烯醇(poly(vinyl alcohol),PVA),購于Alfa Aesar公司。器件采用底柵頂接觸結(jié)構(gòu),其剖面圖如圖1所示,采用ITO玻璃作為襯底(兼柵極),PVA作柵介質(zhì)。

    首先,在鹽酸中將ITO腐蝕形成條狀,再經(jīng)丙酮、乙醇、去離子水超聲清洗,高純度N2吹干,在烘箱中60℃下烘烤20 min徹底去除表面水汽。之后,將質(zhì)量分數(shù)為20%的PVA溶液旋涂在ITO襯底上,轉(zhuǎn)速為3 000 r/min,PVA薄膜完全覆蓋襯底,厚度為1 100 nm,單位面積電容為4.24 nF· cm-2。為了改善PVA柵介質(zhì)的性能[17-19],將旋涂好PVA薄膜的ITO襯底放在200℃的真空干燥箱中交聯(lián)2 h,并在60℃下退火30 min。然后,在一個高真空裝置中,于PVA上部沉積40 nm厚的TiOPc,該高真空裝置中有一個可加熱的襯底固定裝置。襯底溫度分別為100,120,140,160,180℃,蒸發(fā)時真空度保持在3×10-3Pa,且蒸發(fā)速率為0.25 nm/s,通過一個石英晶體微天平監(jiān)測蒸發(fā)速率。緊接著,通過掩膜版蒸發(fā)金源漏電極,以保證器件的溝道寬度為2 mm、溝道長度為50 μm。

    圖1 TiOPc PhOFETs的剖面結(jié)構(gòu)圖Fig.1 Cross-section drawn of TiOPc PhOEFTs

    2.2表征

    采用TU-1901光譜儀測量TiOPc薄膜的吸收光譜。TiOPc薄膜的結(jié)構(gòu)通過X射線衍射(X-ray diffraction,XRD)測定。TiOPc薄膜的形貌利用原子力顯微鏡(Atomic force microscopy,AFM)測定。室溫條件下,在暗箱中通過有機半導(dǎo)體測量系統(tǒng)測試TiOPc PhOFETs的電學特性。測量時,頂部入射光采用波長為808 nm近紅外激光,用中性密度濾波片調(diào)整入射光強,入射光功率密度為190 mW·cm-2。

    3 結(jié)果與討論

    圖2(a)為TiOPc薄膜的吸收圖譜,圖2(b)為不同襯底溫度下的TiOPc薄膜的XRD圖譜。當Tsub=100℃時,2茲=6.8°處有尖銳的衍射峰,該衍射峰代表TiOPc薄膜為無定型相。在溫度逐漸升高到140℃的過程中,2茲=6.8°處的衍射峰消失,而2茲=7.5°處的衍射峰逐漸增強,該衍射峰代表TiOPc薄膜為α相。當溫度升高到160℃時,2茲=6.8°和7.5°處的衍射峰消失,表明此時TiOPc薄膜為非晶相。2茲=21.5°處的衍射峰對應(yīng)的是ITO的(211)晶面,因為ITO的成分包括9.42%的SnO2和89.75%的In2O3[20]。

    通過XRD圖譜分析可知:當100℃≤Tsub≤140℃時,隨著Tsub的逐漸升高,TiOPc薄膜中無定型相TiOPc的比例逐漸減少,α-TiOPc的比例逐漸增多;當Tsub≥160℃時,TiOPc薄膜轉(zhuǎn)變?yōu)榉蔷B(tài)。

    圖2 (a)40 nm TiOPc薄膜的吸收圖譜,襯底為ITO玻璃;(b)襯底溫度為100,120,140,160℃時,40 nm TiOPc的XRD圖譜。Fig.2 (a)Absorption spectrum of 40 nm TiOPc on ITO glass.(b)XRD patterns of 40 nm TiOPc with Tsub= 100,120,140,160℃.

    AFM圖更清楚地表明了表面粗糙度與Tsub之間的關(guān)系(圖3)。Tsub=100℃時,顆粒均方根(Root mean square,RMS)較大(10.537 nm),顆粒分散在薄膜表面,導(dǎo)致薄膜均勻性不好,進而導(dǎo)致載流子傳輸能力較差,即載流子遷移率較低。當Tsub≤140℃時,隨著Tsub的逐漸升高,RMS逐漸減小(Tsub=120℃時,RMS為6.684 nm;Tsub= 140℃時,RMS為6.045 nm),導(dǎo)致薄膜均勻性變好,載流子傳輸能力增強。當Tsub=160℃時,薄膜RMS又增大(7.888 nm),導(dǎo)致其載流子傳輸能力變差。

    圖3 不同襯底溫度下制備的40 nm TiOPc薄膜的AFM圖像。(a)Tsub=100℃;(b)Tsub=120℃;(c)Tsub=140℃;(b)Tsub=160℃。Fig.3 AFM images of 40 nm TiOPc films fabricated at different substrates temperature.(a)Tsub=100℃.(b)Tsub=120℃.(c)Tsub=140℃.(b)Tsub=160℃.

    根據(jù)飽和區(qū)域的電流公式:

    可以得出飽和區(qū)的載流子遷移率:

    式中,W為溝道寬度,L為溝道長度,Cox為介電層單位面積上電容,VG為柵電壓,VT為閾值電壓。

    PhOFETs中有一個很重要的參數(shù):光暗電流比(P),定義為:

    式中,Iph為光生漏電流,Id,dark為黑暗情況下漏電流,Id,ill為光照下漏電流。

    PhOFETs中另外一個重要的參數(shù)是光響應(yīng)度,定義為:

    式中,Pinc為器件溝道上的入射能量,Popt為入射光的能量密度,A為器件的溝道面積。

    Dev.1~4分別為不同襯底溫度下制備所得器件,如表1所示。器件在負漏壓(Vd)、負柵壓(Vg)條件下表現(xiàn)出典型的p型場效應(yīng)特性,其在黑暗和光照條件下的輸出特性和轉(zhuǎn)移特性曲線如圖4所示。從輸出特性曲線可以發(fā)現(xiàn),Dev.3的|Id,dark|和Iph比其他器件大。Dev.1~4的性能參數(shù)在表1列出,其中包括黑暗/光照下的閾值電壓(VT,dark、VT,ill)、飽和區(qū)載流子遷移率(滋dark、滋ill)、光暗電流比(P)和光響應(yīng)度(R)。從圖5中可以發(fā)現(xiàn):當Tsub≤140℃時,隨著Tsub的逐漸增大,滋、Pmax和R逐漸變大,在Tsub=140℃時達到最大。這是因為:當Tsub≤140℃時,TiOPc薄膜中無定型相逐漸減少,α-TiOPc逐漸增多;同時RMS逐漸減小,導(dǎo)致薄膜均勻性變好,載流子傳輸能力增強。正是這兩個因素導(dǎo)致R隨Tsub的升高而增大。當Tsub=140℃時,滋dark、滋ill、P和R達到最大值,分別為1.28×10-2cm2·V-1·s-1、1.35× 10-2cm2·V-1·s-1、250和1.51 mA/W。當Tsub>140℃時,觀察到滋、P和R隨Tsub的升高變小。這是因為此時TiOPc薄膜轉(zhuǎn)變?yōu)榉蔷B(tài),且其RMS變大,導(dǎo)致其載流子傳輸能力變差。

    表1 器件性能參數(shù)Tab.1 Dvice performance details

    圖4 黑暗(填充)和光照(未填充)情況下,Dev.1(a,b)、Dev.2(c,d)、Dev.3(e,f)以及Dev.4(g,h)的輸出和轉(zhuǎn)移特性曲線。Fig.4 Output and transfer characteristics of Dev.1(a,b),Dev.2(c,d),Dev.3(e,f),and Dev.4(g,h)in dark(filled symbol)and under illumination(empty symbol),respectively.

    圖5 (a)不同襯底溫度下制備的器件的Pmax與R值;(b)不同襯底溫度下制備的器件在黑暗與光照條件下的滋值,Vg=-40 V,Vd=-50 V。Fig.5 (a)Plots of Tsubvs.Pmaxand R.(b)滋of the devices obtained under Vg=-40 V and Vd=-50 V.

    4 結(jié) 論

    制備了不同襯底溫度的TiOPc PhOFETs。結(jié)果顯示,隨著襯底溫度的升高,載流子遷移率(滋)、光暗電流比(P)和光響應(yīng)度(R)先增大再減小。滋是OFETs中很重要的參數(shù),同時P和R是PhOFETs中很重要的兩個參數(shù),它們均在Tsub=140℃時達到最大,分別為1.35×10-2cm2·V-1·s-1、250和1.51 mA/W。這是因為隨著襯底溫度的升高,TiOPc薄膜中α-TiOPc逐漸增多,同時TiOPc薄膜均勻性逐漸變好,從而增加了TiOPc PhOFETs的近紅外吸收和載流子遷移率。但是在更高的襯底溫度時,TiOPc薄膜轉(zhuǎn)變?yōu)榉蔷B(tài),且其RMS變大,導(dǎo)致其近紅外吸收和載流子傳輸能力變差。

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    鄭亞開(1991-),男,河北辛集人,碩士研究生,2014年于中國計量學院獲得學士學位,主要從事有機半導(dǎo)體器件的研究。

    E-mail:18580047521@163.com

    唐瑩(1981-),女,浙江杭州人,博士,副教授,2007年于蘭州大學獲得博士學位,主要從事有機半導(dǎo)體器件的研究。

    E-mail:tangy@cjlu.edu.cn

    Substrate Temperature Dependent Performance of Photoresponsive Organic Field Effect Transistors Based on Titanyl-phthalocyanine

    ZHENG Ya-kai1,WEI Yi1,SUN Lei2,CHEN Zhen1,PENG Ying-quan1,2,TANG Ying1*
    (1.Institute of Optical and Electronic Science and Technology,China Jiliang University,Hangzhou 310018,China 2.School of Physics Science and Technology,Lanzhou University,Lanzhou 730000,China)
    *Corresponding Author,E-mail:tangy@cjlu.edu.cn

    Organic field-effect transistors(OFETs)based on titanyl-phthalocyanine(TiOPc)were fabricated,and the temperature of ITO substrate(Tsub)was optimized.The results show that the carrier mobility(滋),photosensitivity(P),and photoresponsivity(R)increase firstly,and then decrease with the increasing of Tsub.When Tsub=140℃,OFETs exhibit a maximum carrier mobility of 1.35×10-2cm2·V-1·s-1,a maximum photosensitivity of 250,and a maximum photoresponsivity of 1.51 mA/W under the illumination by a laser diode with a wavelength of 808 nm and power density of 190 mW·cm-2.

    photoresponsive organic field-effect transistors;titanyl-phthalocyanine;temperature of substrate

    TN386

    A

    10.3788/fgxb20163706.0725

    1000-7032(2016)06-0725-06

    2016-01-07;

    2016-03-21

    教育部博士點基金(20110211110005);浙江省大學生科研創(chuàng)新團隊(2015R409042)資助項目

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