陽(yáng)極鍵合應(yīng)力的原位拉曼光譜研究

明小祥,　唐佳麗,　于新海

(華東理工大學(xué)承壓系統(tǒng)與安全教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,上海 200237)

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陽(yáng)極鍵合應(yīng)力的原位拉曼光譜研究

明小祥,唐佳麗,于新海

(華東理工大學(xué)承壓系統(tǒng)與安全教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,上海 200237)

介紹了一種基于原位激光拉曼光譜的陽(yáng)極鍵合應(yīng)力研究方法。通過(guò)自制的小型陽(yáng)極鍵合裝置,結(jié)合激光拉曼光譜儀,原位研究了在陽(yáng)極鍵合升溫、通電和降溫過(guò)程中硅界面應(yīng)力的演變過(guò)程。升溫過(guò)程中單晶硅的拉曼峰位會(huì)向低波數(shù)移動(dòng),通電恒溫鍵合過(guò)程中氧化硅的生長(zhǎng)會(huì)在單晶硅界面引入拉應(yīng)力,降溫過(guò)程中單晶硅界面的應(yīng)力狀態(tài)發(fā)生從拉應(yīng)力到壓應(yīng)力的轉(zhuǎn)變。界面的氧化過(guò)程對(duì)陽(yáng)極鍵合結(jié)構(gòu)界面的應(yīng)力狀態(tài)有重要影響。

陽(yáng)極鍵合; 拉曼光譜; 應(yīng)力; 原位

陽(yáng)極鍵合是1969年由Wallis和Pomerantz發(fā)明的一種先進(jìn)連接技術(shù)[1]。幾十年來(lái),該技術(shù)得到了快速的發(fā)展,并且廣泛運(yùn)用于微電子機(jī)械系統(tǒng)中的微流道封裝[2]、壓力傳感器[3]、加速度器[4]及微型能源設(shè)備[5]等。陽(yáng)極鍵合是在一定溫度下,通過(guò)施加一定的電壓,在一定的壓力作用和真空度條件下實(shí)現(xiàn)的異種材料永久連接的技術(shù),是多物理場(chǎng)共同作用的固體電化學(xué)反應(yīng)過(guò)程。然而,陽(yáng)極鍵合一個(gè)關(guān)鍵的技術(shù)難題是鍵合過(guò)程中產(chǎn)生的殘余應(yīng)力。殘余應(yīng)力的產(chǎn)生對(duì)微電子器件的性能會(huì)產(chǎn)生較大的影響。對(duì)于壓阻式壓力傳感器,殘余應(yīng)力的存在會(huì)影響壓力傳感器的零點(diǎn)輸出[6];在高分辨率的平板印刷領(lǐng)域,殘余應(yīng)力引起的晶片翹曲會(huì)嚴(yán)重影響加工精度;殘余應(yīng)力還會(huì)影響共振器的共振頻率[7];陽(yáng)極鍵合還可能給微電子器件后續(xù)的加工過(guò)程帶來(lái)麻煩,如劃片過(guò)程可能會(huì)由于殘余應(yīng)力的存在造成器件的破壞。

國(guó)內(nèi)外已有一些報(bào)道研究陽(yáng)極鍵合的機(jī)理及殘余應(yīng)力的產(chǎn)生[8-11]。但是現(xiàn)有的基于實(shí)驗(yàn)的或者模擬的方法缺乏對(duì)應(yīng)力的直接表征,并且往往側(cè)重的是最終陽(yáng)極鍵合結(jié)構(gòu)的應(yīng)力狀態(tài),中間過(guò)程應(yīng)力狀態(tài)的演變?cè)趯?shí)驗(yàn)方面鮮有報(bào)道。傳統(tǒng)上都認(rèn)為陽(yáng)極鍵合應(yīng)力的來(lái)源是由于硅和玻璃熱膨脹系數(shù)的不匹配,忽略了界面處電化學(xué)反應(yīng)造成的應(yīng)力。為了研究陽(yáng)極鍵合整個(gè)過(guò)程中界面處應(yīng)力的演變規(guī)律,很有必要進(jìn)行原位研究,以探究在不同的階段陽(yáng)極鍵合界面的應(yīng)力狀態(tài)。

本文借助于激光拉曼光譜的方法,結(jié)合自制的小型陽(yáng)極鍵合裝置,對(duì)陽(yáng)極鍵合升溫、通電和降溫等過(guò)程中界面處單晶硅進(jìn)行了拉曼光譜測(cè)量,原位研究了陽(yáng)極鍵合過(guò)程中硅-玻璃界面應(yīng)力的演變,獲得了整個(gè)陽(yáng)極鍵合中硅-玻璃界面應(yīng)力的變化規(guī)律。

1　激光拉曼光譜表征硅-玻璃陽(yáng)極鍵合應(yīng)力

在微電子機(jī)械系統(tǒng)中,拉曼光譜法是一種經(jīng)常使用的表征結(jié)構(gòu)應(yīng)力的方法[12-18]。傳統(tǒng)的應(yīng)力測(cè)量方法與微電子機(jī)械系統(tǒng)中小的特征尺寸是不相容的。共聚焦拉曼光譜法具有高的空間分辨率、非破壞性、測(cè)量精度較高等優(yōu)勢(shì),使其在以硅基材料為基礎(chǔ)的MEMS領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。本文所研究的硅-玻璃陽(yáng)極鍵合應(yīng)力,就是通過(guò)測(cè)量單晶硅在鍵合過(guò)程中的拉曼信號(hào)變化來(lái)表征其應(yīng)力的。

機(jī)械應(yīng)力或應(yīng)變會(huì)對(duì)拉曼光譜的峰位產(chǎn)生影響。Ganesan等[19]的研究系統(tǒng)地說(shuō)明了在應(yīng)變存在的情況下拉曼頻率的改變。其關(guān)系可通過(guò)求解式(1)的特征方程得到。

(1)

其中：p、q、r是材料常數(shù)；εij是應(yīng)變張量。在應(yīng)力存在的情況下樣品的拉曼頻率ωj(j=1,2,3)相對(duì)于無(wú)應(yīng)力狀態(tài)下的拉曼頻率ωj0差異可通過(guò)計(jì)算特征值λj得到。

或

(2)

在應(yīng)力作用下每種拉曼模式的極化方向由特征方程的相應(yīng)特征值表示。例如,沿[100]方向作用單軸應(yīng)力σ時(shí),可通過(guò)胡克定律計(jì)算相應(yīng)的應(yīng)變張量,即ε11=S11·σ,ε22=S12·σ,ε33=S12·σ,此處Sij是硅的柔性張量。求解以上方程可以得到：

(3)

(4)

(5)

(6)

對(duì)于x-y平面中的雙軸應(yīng)力σxx、σyy,得

或

(7)

由以上各式可以看出,在單軸或雙軸應(yīng)力作用下,壓應(yīng)力對(duì)應(yīng)著拉曼頻移的增大(Δω3>0),拉應(yīng)力對(duì)應(yīng)著拉曼頻移的減小(Δω3<0)。

2　實(shí)驗(yàn)過(guò)程

2.1實(shí)驗(yàn)裝置的建立

為了實(shí)驗(yàn)研究的方便,自制了微小型陽(yáng)極鍵合裝置,同時(shí)該裝置可以實(shí)現(xiàn)陽(yáng)極鍵合在拉曼光譜儀下的原位觀察。所搭建的陽(yáng)極鍵合裝置如圖1所示。該裝置為一圓柱形腔體,內(nèi)部有不銹鋼樣品臺(tái)、云母板、加熱片、石棉、熱電偶等。不銹鋼樣品臺(tái)可以給樣品加熱,同時(shí)充當(dāng)陽(yáng)極;陰極為點(diǎn)陰極,附帶可以在平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)的電極支撐結(jié)構(gòu)。腔體側(cè)面有附帶的電氣接口,實(shí)現(xiàn)電、熱信號(hào)的傳輸,同時(shí)可以實(shí)現(xiàn)腔體內(nèi)氣壓的控制。由于拉曼光譜儀鏡頭工作距離有限,完整的平面視窗在幾何尺寸上難以兼容。因此本裝置的視窗設(shè)計(jì)為附帶可以容納鏡頭伸縮的圓柱形凹坑(見圖1)。腔體壁附帶夾套冷卻,同時(shí)內(nèi)部做了隔熱處理,保證在樣品加熱的同時(shí),裝置外部溫度不致過(guò)高。整個(gè)陽(yáng)極鍵合系統(tǒng)附帶有高壓直流電源(HAPS06系列)、溫度控制器(AI-719型,控溫精度±1 ℃)和真空泵及氣壓計(jì),可以實(shí)現(xiàn)最大鍵合電壓2 000 V,最高溫度500 ℃及最小氣壓10-3Pa條件下的陽(yáng)極鍵合。拉曼光譜的監(jiān)測(cè)在本實(shí)驗(yàn)中使用的是HORIBA Jobin Yvon公司的LabRAM HR800雙聚焦激光拉曼光譜儀。

2.2實(shí)驗(yàn)材料及方法

實(shí)驗(yàn)采用單面拋光的P型(100)單晶硅,表面粗糙度Ra<0.5 nm,電阻率11～13 Ω·cm,硼摻雜,直徑為100 mm,厚度為(450±20) μm。玻璃為陽(yáng)極鍵合常用的BF33玻璃,雙面拋光,直徑100 mm,厚度450 μm,表面粗糙度為Ra<1 nm,主要成分(質(zhì)量分?jǐn)?shù)，下同)為:SiO281%,B2O313%,Na2O/K2O 4%,Al2O32%。

樣品放置好后,將裝置置于拉曼光譜儀樣品臺(tái)上,調(diào)整好裝置位置和玻璃視窗的位置,并在拉曼光譜下實(shí)現(xiàn)預(yù)對(duì)焦。原位陽(yáng)極鍵合實(shí)驗(yàn)的條件為:-1 000 V,400 ℃,大氣環(huán)境。循環(huán)冷卻水開啟后,開始給樣品加熱。樣品加熱采用階梯加熱的方法。升溫過(guò)程中,分別選定25(室溫)，50,100,200,300,400 ℃時(shí)的硅片拉曼光譜信號(hào)。溫度達(dá)到400 ℃實(shí)驗(yàn)溫度后,開啟直流電源并迅速調(diào)整到-1 000 V,并開始實(shí)時(shí)記錄電流值。加電壓后,每隔一定時(shí)間測(cè)得硅片的拉曼光譜信號(hào)。在電流衰減到一定程度并且隨時(shí)間變化不明顯時(shí),關(guān)閉電源,開啟冷卻程序,使樣品溫度降到室溫。圖2所示為原位拉曼陽(yáng)極鍵合實(shí)驗(yàn)的照片。圖3所示為陽(yáng)極鍵合條件與時(shí)間關(guān)系圖。整個(gè)陽(yáng)極鍵合過(guò)程的鍵合電流隨時(shí)間的變化曲線如圖4所示。

圖2　原位拉曼測(cè)試圖Fig.2　Images of in situ Raman measurement

圖3　陽(yáng)極鍵合過(guò)程的溫度-時(shí)間及電壓- 時(shí)間關(guān)系曲線Fig.3　Curves of temperature versus time and voltage versus time during anodic bonding process

圖4　鍵合電流-時(shí)間特性曲線(-1 000 V,400 ℃)Fig.4　Current versus time characteristic curve of anodic bonding (-1 000 V,400 ℃)

由圖4的硅-玻璃陽(yáng)極鍵合的電流-時(shí)間特性曲線可以看出,該過(guò)程符合陽(yáng)極鍵合的一般規(guī)律,即鍵合初期電流迅速上升,達(dá)到峰值電流后呈指數(shù)規(guī)律下降。鍵合電流維持較小值且基本恒定可看做鍵合過(guò)程完成的標(biāo)志。

3　拉曼光譜原位測(cè)量結(jié)果及討論

3.1升溫過(guò)程中拉曼光譜測(cè)量

圖5示出了升溫過(guò)程中在不同溫度點(diǎn)測(cè)得的單晶硅(001)面拉曼峰位信號(hào)?？梢园l(fā)現(xiàn),單晶硅的拉曼峰位與溫度具有高度的相關(guān)性,溫度升高,峰位向低波數(shù)移動(dòng)。這一現(xiàn)象在變溫拉曼光譜的研究中并不陌生[21]，溫度升高時(shí),晶體發(fā)生熱膨脹,并且伴隨著光聲子分裂成2個(gè)或3個(gè)具有更低能量的聲子的衰減過(guò)程。單晶硅中原子能量分布滿足麥克斯韋-波爾茲曼統(tǒng)計(jì)規(guī)律,晶格的震動(dòng)會(huì)隨溫度的升高而加劇,即溫度升高,原子會(huì)有更大幾率處于較高能級(jí)狀態(tài),發(fā)生拉曼散射后輻射能量降低,進(jìn)一步影響到硅晶體中聲子和光子的性質(zhì)。拉曼位移與入射光的頻率無(wú)關(guān),只與分子振動(dòng)或轉(zhuǎn)動(dòng)頻率有關(guān)。溫度升高,晶格振動(dòng)加劇,導(dǎo)致原子的相對(duì)運(yùn)動(dòng)加劇,同時(shí)原子間及晶胞間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)減弱,因此拉曼光學(xué)模會(huì)向低波數(shù)移動(dòng)。由觀測(cè)結(jié)果可知,在室溫至400 ℃范圍內(nèi),單晶硅的拉曼峰位與溫度近似呈線性關(guān)系。

圖5　升溫過(guò)程中單晶硅拉曼光譜峰位變化Fig.5　Changes of silicon Raman peak position during heating process

3.2通電過(guò)程中應(yīng)力的表征

陽(yáng)極鍵合的一般原理認(rèn)為,在高溫條件下,玻璃中的堿金屬氧化物(主要為Na2O)分解成Na+和O2-,在外加電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)下,Na+會(huì)向陰極移動(dòng),并在玻璃表面析出Na;O2-會(huì)向陽(yáng)極區(qū)域移動(dòng)。在玻璃靠近硅一側(cè)形成一個(gè)耗盡層[22-25]。但由于單晶硅是阻滯陽(yáng)極,O2-會(huì)在陽(yáng)極表面與硅原子發(fā)生固體電化學(xué)反應(yīng),生成一層薄薄的氧化層。這層氧化層才是硅-玻璃實(shí)現(xiàn)永久連接的關(guān)鍵。陽(yáng)極鍵合氧化層的存在已被實(shí)驗(yàn)觀測(cè)所證實(shí)[23,26]。但在現(xiàn)有的研究中,大都關(guān)注氧化層存在的證明,并未過(guò)多討論其形成機(jī)制及其對(duì)鍵合應(yīng)力的影響。一方面,傳統(tǒng)觀念中都將陽(yáng)極鍵合產(chǎn)生的應(yīng)力歸結(jié)于鍵合材料熱膨脹系數(shù)的不匹配[6,27-29],另一方面,缺乏有效表征氧化層的形成及其應(yīng)力的手段。

硅-玻璃陽(yáng)極鍵合實(shí)現(xiàn)永久連接的關(guān)鍵是在硅-玻璃界面形成氧化層。從陽(yáng)極鍵合的機(jī)理來(lái)看,氧化層的形成是一個(gè)與鍵合條件(溫度、電壓、時(shí)間)相關(guān)的過(guò)程,伴隨著初始氧化膜的形成,氧離子透過(guò)氧化膜的擴(kuò)散等。在氧化膜生長(zhǎng)的過(guò)程中,不可避免會(huì)出現(xiàn)生長(zhǎng)應(yīng)力[30-31]。也有學(xué)者借助拉曼光譜的方法研究過(guò)硅表面結(jié)構(gòu)氧化引入的應(yīng)力問(wèn)題[32],但鮮有借助拉曼光譜的方法研究硅-玻璃陽(yáng)極鍵合界面氧化引入應(yīng)力的研究。在陽(yáng)極鍵合的條件下對(duì)硅-玻璃界面的狀態(tài)進(jìn)行拉曼光譜原位觀察研究,借助單晶硅峰位的變化,可以在一定程度上表征界面上發(fā)生的反應(yīng)過(guò)程,并可以表征該過(guò)程中界面的應(yīng)力演變規(guī)律。

對(duì)不同時(shí)刻測(cè)得的拉曼光譜進(jìn)行Lorentz擬合,得到不同時(shí)刻單晶硅的拉曼峰位，結(jié)果見圖6。

圖6　通電過(guò)程中硅拉曼光譜峰位的擬合結(jié)果Fig.6　Fitting results of silicon Raman peak position changes during charging

由圖6可以明顯看出,陽(yáng)極鍵合通電壓后,單晶硅的拉曼峰位發(fā)生了明顯的變化,且該變化與時(shí)間相關(guān)。由于在未加電壓時(shí),硅-玻璃兩界面并未發(fā)生黏結(jié),因此假設(shè)在不通電的狀態(tài)下界面處是無(wú)應(yīng)力狀態(tài)。整體上來(lái)看,在整個(gè)通電過(guò)程中單晶硅的拉曼峰位向低波數(shù)移動(dòng),即由初始鍵合時(shí)的512.7 cm-1移動(dòng)到512.35 cm-1,發(fā)生了-0.35 cm-1的波數(shù)移動(dòng)。若假設(shè)在400 ℃時(shí),單晶硅的應(yīng)力常數(shù)不變,并假設(shè)σxx=σyy,則對(duì)于(001)面測(cè)得的拉曼頻移與應(yīng)力滿足如下關(guān)系:

(8)

則當(dāng)Δω為-0.35cm-1時(shí),其對(duì)應(yīng)的應(yīng)力為87.5MPa,且為拉應(yīng)力。即在硅-玻璃鍵合界面發(fā)生氧化反應(yīng)時(shí),生成氧化硅薄膜的過(guò)程中在單晶硅表層形成了拉應(yīng)力。

3.3冷卻過(guò)程的拉曼光譜研究

鍵合過(guò)程完成后,硅-玻璃結(jié)構(gòu)要從鍵合溫度冷卻到室溫。值得注意的是,此時(shí)鍵合界面與初始時(shí)的界面是不同的,經(jīng)歷通電和化學(xué)反應(yīng)過(guò)程,在界面處形成氧化層,兩界面間不是自由狀態(tài),而是相互約束狀態(tài)。氧化層的理化性能與單晶硅或玻璃存在較大差距,尤其是熱膨脹系數(shù)。因此,雖然鍵合用的單晶硅-玻璃的熱膨脹系數(shù)(CTE)非常接近,但在鍵合完成后也有可能出現(xiàn)碎片的現(xiàn)象,這可能是由于界面層的理化性能出現(xiàn)較大變化所致。在本研究中,對(duì)硅-玻璃鍵合結(jié)構(gòu)從400 ℃冷卻到室溫的過(guò)程中不同溫度下的拉曼光譜進(jìn)行了研究,并與升溫過(guò)程的拉曼光譜作比較,闡述了冷卻過(guò)程中界面應(yīng)力的演變規(guī)律。

對(duì)冷卻過(guò)程的拉曼峰位進(jìn)行Lorentz擬合,結(jié)果見圖7所示。溫度回復(fù)到室溫后,界面的拉曼峰位為521.24cm-1,相對(duì)于鍵合之前的室溫,發(fā)生了0.41cm-1移動(dòng)。按照單晶硅(001)面拉曼位移與應(yīng)力的關(guān)系可知,其對(duì)應(yīng)的室溫狀態(tài)下的應(yīng)力為102.5MPa,且為壓應(yīng)力。在陽(yáng)極鍵合通電后的原位測(cè)試的過(guò)程中,單晶硅的拉曼峰位有明顯的往低波數(shù)移動(dòng)的趨勢(shì),呈拉應(yīng)力狀態(tài)。冷卻到室溫后,又呈壓應(yīng)力的狀態(tài)。由拉應(yīng)力到壓應(yīng)力的轉(zhuǎn)變是與溫度相關(guān)的。圖8示出了升溫過(guò)程和陽(yáng)極鍵合后降溫過(guò)程單晶硅拉曼峰偏移量與溫度的關(guān)系。

圖7　冷卻過(guò)程中單晶硅拉曼光譜峰位的擬合結(jié)果Fig.7　Fitting results of silicon Raman peak positionduring cooling

圖8　陽(yáng)極鍵合后冷卻過(guò)程中與升溫過(guò)程中對(duì)應(yīng) 溫度的單晶硅拉曼峰位的差異Fig.8　Deviation of Raman peak position of monocrystallinesilicon during cooling and heating

由圖8可知,整個(gè)降溫過(guò)程中,單晶硅拉曼峰位的變化與無(wú)應(yīng)力狀態(tài)對(duì)應(yīng)的拉曼峰位相比不是線性的。400 ℃時(shí)的波數(shù)差異可歸結(jié)為通電過(guò)程中界面氧化層的生成所產(chǎn)生的。隨著溫度的降低,界面固結(jié)在一起,且界面層材料熱膨脹系數(shù),尤其是生成的氧化層的物性參數(shù)與玻璃和單晶硅存在較大差異,導(dǎo)致在溫度達(dá)到300 ℃之前,應(yīng)力隨著溫度的降低而變大,在300 ℃時(shí)達(dá)到最大值,此時(shí)為拉應(yīng)力。繼續(xù)降溫,界面應(yīng)力有減小的趨勢(shì)。在50 ℃附近鍵合界面層測(cè)得硅表面的應(yīng)力近乎為零。但隨著溫度進(jìn)一步降低,波數(shù)變化由負(fù)值變?yōu)檎?意味著界面單晶硅表面的應(yīng)力由拉應(yīng)力變?yōu)閴簯?yīng)力。

出現(xiàn)這種現(xiàn)象可能的解釋是,在通電過(guò)程中,氧離子向單晶硅表面遷移,并在單晶硅表面發(fā)生氧化,改變了單晶硅表面原子的晶格結(jié)構(gòu),并且氧化過(guò)程形成的氧化硅體積相對(duì)于單晶硅會(huì)發(fā)生膨脹,在單晶硅與氧化硅接觸面處,硅原子會(huì)受到拉伸作用,即氧化過(guò)程在單晶硅界面引入了拉應(yīng)力。通電過(guò)程完成時(shí),在玻璃和單晶硅界面生成了一層氧化物。目前還沒有對(duì)該層氧化物力學(xué)性能的直接研究。該氧化物的力學(xué)性質(zhì)可能與鍵合所用的玻璃和單晶硅存在較大差異有關(guān),如熱膨脹系數(shù)相比較單晶硅要大。較大的熱膨脹系數(shù)會(huì)導(dǎo)致在降溫過(guò)程中在單晶硅表面形成壓應(yīng)力,氧化層本身內(nèi)部呈拉應(yīng)力狀態(tài)。關(guān)于拉曼光譜所測(cè)得的結(jié)果的進(jìn)一步解釋,需要更加深入的研究。

4　結(jié)　論

本文通過(guò)原位激光拉曼光譜的方法研究了單晶硅和玻璃在陽(yáng)極鍵合過(guò)程中的應(yīng)力問(wèn)題。通過(guò)原位的觀察研究發(fā)現(xiàn),單晶硅的拉曼峰位會(huì)隨著溫度的升高而向低波數(shù)移動(dòng)。在恒溫通電過(guò)程中,單晶硅的拉曼峰位有減小的趨勢(shì),表明通電過(guò)程硅-玻璃界面發(fā)生氧化過(guò)程,并且在單晶硅表面出現(xiàn)拉應(yīng)力。通過(guò)鍵合后降溫過(guò)程與鍵合前升溫過(guò)程的對(duì)比,發(fā)現(xiàn)陽(yáng)極鍵合的應(yīng)力呈現(xiàn)溫度相關(guān)性。在整個(gè)鍵合過(guò)程中,單晶硅界面的應(yīng)力狀態(tài)由拉應(yīng)力演變?yōu)槭覝叵碌膲簯?yīng)力。

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In situ Raman Spectroscopic Study on Anodic Bonding Stress

MING Xiao-xiang,TANG Jia-li,YU Xin-hai

(Key Laboratory of Pressure Systems and Safety,Ministry of Education,East China University of Science and Technology,Shanghai 200237,China)

A research method based on Raman spectroscopy was introduced to study anodic bonding stress.A self-developed miniaturized anodic bonding device coupled with the Raman spectrometer was used to monitor the stress evolution in the anodic bonding processes,including heating,charge process and cooling.In the heating process,the position of Raman peak of silicon moved towards lower wave number,and the silicon oxidation in the real bonding process brought tensile stress in the silicon near the interface.In the cooling process,the stress state of silicon interface changed from tensile to compressive stress.Therefore,oxidation in the second period of anodic bonding had a significant influence on the stress state of the interface.

anodic bonding; Raman spectroscopy; stress;insitu

A

1006-3080(2016)03-0363-06

10.14135/j.cnki.1006-3080.2016.03.011

2015-11-10

明小祥(1990-),男,安徽宣城人,碩士生，主要研究方向?yàn)槲㈦娮訖C(jī)械系統(tǒng)結(jié)構(gòu)完整性。

通信聯(lián)系人：于新海,E-mail:yxhh@ecust.edu.cn

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