基于三軸加速度傳感器的彈載存儲(chǔ)測(cè)試裝置

張　亮,張振海,李科杰,李治清

(北京理工大學(xué)機(jī)電學(xué)院，北京 100081)

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基于三軸加速度傳感器的彈載存儲(chǔ)測(cè)試裝置

張亮,張振海,李科杰,李治清

(北京理工大學(xué)機(jī)電學(xué)院，北京 100081)

摘要:針對(duì)目前國(guó)內(nèi)彈載存儲(chǔ)測(cè)試裝置以單通道為主，且現(xiàn)有的三軸測(cè)試裝置也是基于單軸測(cè)試裝置通過多路復(fù)用開關(guān)實(shí)現(xiàn)，采樣同步性差、精度和速率低、存儲(chǔ)容量小等缺點(diǎn)，提出了基于三軸加速度傳感器的彈載存儲(chǔ)測(cè)試裝置。該裝置采用AD8421芯片實(shí)現(xiàn)了三軸微弱信號(hào)的放大，以F28335作為主控器，控制模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片ADS8556進(jìn)行數(shù)據(jù)采集和轉(zhuǎn)換，并將轉(zhuǎn)換的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)至FLASH中，采樣精度為16 bit，三通道同步采樣速率為800 ksps，存儲(chǔ)容量為2 M×16 bit。對(duì)三軸彈載存儲(chǔ)測(cè)試裝置進(jìn)行了地面模擬測(cè)試，測(cè)試結(jié)果表明：該存儲(chǔ)測(cè)試裝置三軸同步采樣速率和采樣精度高、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量大，可滿足高沖擊三軸加速度信號(hào)彈載存儲(chǔ)測(cè)試要求。這為各類鉆地彈和超聲速巡航彈藥的精確炸點(diǎn)控制奠定技術(shù)基礎(chǔ)，具有重要實(shí)際工程使用價(jià)值。

關(guān)鍵詞:存儲(chǔ)測(cè)試；裝置；高沖擊；三軸加速度信號(hào)

0引言

高沖擊三軸加速度傳感器可以感受硬目標(biāo)侵徹過程中彈丸所受的三軸向高沖擊過載信號(hào)，是各類鉆地彈和超聲速巡航彈藥實(shí)施精確炸點(diǎn)控制的前提和基礎(chǔ)。彈載存儲(chǔ)測(cè)試裝置是高速采集和存儲(chǔ)侵徹過程中三軸加速度信號(hào)的重要方法[1-3]。為了準(zhǔn)確全面地記錄整個(gè)侵徹歷程的三軸加速度傳感器的過載信息，對(duì)彈載存儲(chǔ)測(cè)試裝置的采集精度、采集速率和存儲(chǔ)容量提出更高的要求。國(guó)內(nèi)成熟的彈載存儲(chǔ)測(cè)試裝置主要針對(duì)單軸高沖擊加速度信號(hào)研發(fā)，以單通道測(cè)試為主，基于三軸加速度傳感器的三通道存儲(chǔ)測(cè)試裝置極少，這主要受限于高沖擊三軸加速度傳感器的研發(fā)?，F(xiàn)有的三軸測(cè)試裝置也是基于單軸測(cè)試裝置通過多路復(fù)用開關(guān)實(shí)現(xiàn)，三通道采樣無法保持同步性，此外其采樣精度低，采樣速率低、存儲(chǔ)容量小也是其缺點(diǎn)，例如中北大學(xué)研制的三通道同步采樣彈載存儲(chǔ)測(cè)試裝置采樣頻率為200 kHz，采樣精度為16 bit，存儲(chǔ)容量為200 KB，這種存儲(chǔ)測(cè)試裝置很難完整有效地記錄頻響較高傳感器的高沖擊信號(hào)。本文針對(duì)上述問題，提出了基于三軸加速度傳感器的彈載存儲(chǔ)測(cè)試裝置。

1彈載存儲(chǔ)測(cè)試技術(shù)

存儲(chǔ)測(cè)試技術(shù)是指通過微處理器的控制，將某過程所產(chǎn)生的信號(hào)按照一定的要求實(shí)時(shí)采集并存儲(chǔ)至存儲(chǔ)器中，待采集完畢后，再將存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)回讀至計(jì)算機(jī)中進(jìn)行再現(xiàn)的一種動(dòng)態(tài)測(cè)試技術(shù)。彈載存儲(chǔ)測(cè)試技術(shù)特指實(shí)時(shí)獲取存儲(chǔ)置于彈體上高沖擊加速度傳感器信號(hào)的技術(shù)。傳統(tǒng)上的彈載存儲(chǔ)測(cè)試裝置由三部分組成：加速度傳感器、存儲(chǔ)測(cè)試電路模塊、供電模塊。其中存儲(chǔ)測(cè)試電路模塊又由信號(hào)調(diào)理模塊、AD轉(zhuǎn)換模塊、主控器模塊、存儲(chǔ)器模塊等組成。依據(jù)其實(shí)際使用環(huán)境，會(huì)增加其他相關(guān)模塊。圖1所示為某型壓電式單軸加速度傳感器彈載存儲(chǔ)測(cè)試裝置原理框圖[4]。

圖1　彈載存儲(chǔ)測(cè)試裝置原理框圖Fig.1　The onboard storage testing device schematic diagram

1.1觸發(fā)存儲(chǔ)方式

彈載存儲(chǔ)測(cè)試裝置的能源和存儲(chǔ)容量是有限的，而在侵徹過程中不僅僅需要記錄觸發(fā)之后的侵徹信號(hào)，還需要記錄觸發(fā)前的部分信號(hào)，因此觸發(fā)點(diǎn)的選擇和彈載存儲(chǔ)測(cè)試裝置存儲(chǔ)方式的選擇是獲取有效侵徹過載信號(hào)的關(guān)鍵，觸發(fā)方式有單次觸發(fā)、多次觸發(fā)等方式，存儲(chǔ)方式有正延遲存儲(chǔ)和負(fù)延遲存儲(chǔ)[5]。

1.2可變采樣率和增益

對(duì)于彈丸侵徹硬目標(biāo)，彈丸在出膛階段、飛行階段、侵徹階段這三個(gè)過程的持續(xù)時(shí)間相差上千倍，承受的過載的幅值相差上萬倍[5-6]，因此針對(duì)這一信號(hào)特性，彈載存儲(chǔ)測(cè)試裝置需要能根據(jù)信號(hào)的特征自動(dòng)的改變采樣率和信號(hào)增益使得采得信號(hào)更具有特征[7]。

1.3存儲(chǔ)測(cè)試裝置設(shè)計(jì)依據(jù)

存儲(chǔ)測(cè)試裝置硬件電路的主要設(shè)計(jì)指標(biāo)有：采樣精度、放大倍數(shù)、采樣頻率、存儲(chǔ)容量[8]，這些指標(biāo)的確定均與所選用的傳感器有關(guān)。如表1所示為選用的高沖擊三軸加速度傳感器的部分性能參數(shù)。

表1　傳感器部分參數(shù)

1.3.1采樣精度

存儲(chǔ)測(cè)試裝置的精度由 AD 器件的字長(zhǎng)、基準(zhǔn)電源的精度和傳感器的精度共同決定。對(duì)于引信的高沖擊過載信號(hào)測(cè)試，8 bit字長(zhǎng)的 AD 器件能夠滿足要求。本實(shí)驗(yàn)室研制的三軸高沖擊傳感器抗過載能力強(qiáng)、量程程大，導(dǎo)致傳感器靈敏度較低，為了提高對(duì)信號(hào)的分辨率，選用字長(zhǎng)為16 bit的AD芯片。對(duì)于基準(zhǔn)電源為5 V，字長(zhǎng)為16 bit的AD芯片，其分辨率為76.29 μV/bit。

1.3.2放大倍數(shù)

當(dāng)選用的AD芯片分辨率為76.29 μV/bit時(shí)，傳感器分辨率為0.03 μV/g時(shí)，為了使系統(tǒng)分辨率達(dá)到最高，放大倍數(shù)至少為2 550倍?；谛⌒盘?hào)在放大倍數(shù)過大時(shí)信號(hào)帶寬的減小和實(shí)際侵徹環(huán)境下的大多數(shù)場(chǎng)合只需記錄整個(gè)曲線的變化趨勢(shì)，整個(gè)系統(tǒng)需滿足：放大倍數(shù)達(dá)到1 000倍時(shí)，仍滿足1 MHz帶寬。

1.3.3采樣頻率

依據(jù)采樣定律，為了能夠不失真的復(fù)現(xiàn)原信號(hào)，測(cè)試系統(tǒng)的采樣頻率fs應(yīng)高于原信號(hào)的最高頻率fm的兩倍，即fs≥2fm，一般取fs≥(8～10)fm，因此針對(duì)選用的傳感器系統(tǒng)采樣頻率應(yīng)該不小于160kHz。但考慮到實(shí)際侵徹環(huán)境和后期傳感器性能的提升，在存儲(chǔ)容量滿足的前提下采樣頻率越高越好[8-9]。

1.3.4存儲(chǔ)容量

為了全面記錄過載信號(hào)的特性，對(duì)不同過載信號(hào)進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，應(yīng)根據(jù)信號(hào)的特點(diǎn)確定需要記錄的時(shí)間Ts。由于所設(shè)計(jì)的系統(tǒng)主要針對(duì)高低過載、瞬態(tài)沖擊信號(hào)，一般此類信號(hào)全部持續(xù)在幾百毫秒內(nèi)。假設(shè)Ts=500 ms，三通道16 bitAD以采樣800 ksps采樣時(shí)，則存儲(chǔ)容量至少應(yīng)為1.2 M×16 bit。

綜上所述，所設(shè)計(jì)的三通道彈載存儲(chǔ)測(cè)試裝置性能指標(biāo)如表2所示。

表2　性能指標(biāo)

2三通道彈載存儲(chǔ)測(cè)試裝置

2.1功能概述

1)上電后能夠自動(dòng)將三軸加速度傳感器電橋電路的失調(diào)電壓調(diào)節(jié)至設(shè)定范圍。

2)在滿足帶寬、精度、噪聲等的要求下，能夠根據(jù)信號(hào)特征進(jìn)行放大和采樣。

3)采集精度為16 bit，三通道同步采集速率最高可達(dá)800 ksps，存儲(chǔ)容量為2 M×16 bit。

2.2硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì)

三通道彈載存儲(chǔ)測(cè)試裝置硬件電路由六部分組成：電源模塊、自動(dòng)調(diào)零模塊、放大模塊、A/D轉(zhuǎn)換模塊、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊和串口通信模塊，如圖2所示。系統(tǒng)功能如下：彈載存儲(chǔ)測(cè)試電路在接收到外部觸發(fā)信號(hào)后，整個(gè)系統(tǒng)上電運(yùn)行，首先對(duì)三軸加速度傳感器失調(diào)電壓自動(dòng)檢測(cè)并自動(dòng)調(diào)零，然后加速度傳感器三路輸出信號(hào)經(jīng)過兩級(jí)放大電路后傳送至A/D芯片，在微處理器的控制下按照負(fù)延遲存儲(chǔ)原理高速采集并存儲(chǔ)至SRAM中，待采集完畢后將數(shù)據(jù)慢速轉(zhuǎn)存至非易失性存儲(chǔ)器FLASH中。試驗(yàn)彈回收后，將FLASH中的數(shù)據(jù)傳送至計(jì)算機(jī)中進(jìn)行顯示、處理和分析。整個(gè)系統(tǒng)如何實(shí)現(xiàn)傳感器失調(diào)電壓調(diào)節(jié)、微弱信號(hào)檢測(cè)放大、高速采集、大容量存儲(chǔ)是關(guān)鍵，因此著重于對(duì)以上模塊的設(shè)計(jì)。

圖2　系統(tǒng)框圖Fig.2　System diagram

2.2.1自動(dòng)調(diào)零模塊設(shè)計(jì)

采用的傳感器是北京理工大學(xué)研制的三軸高沖擊壓阻式加速度傳感器。六寸晶圓加工一致性、MEMS壓阻器件的溫度效應(yīng)和封裝后殘余應(yīng)力的影響，導(dǎo)致傳感器存在一定失調(diào)電壓。通過并聯(lián)數(shù)字電位器調(diào)理三軸加速度傳感器失調(diào)電壓在一定的范圍內(nèi)。Z軸的自動(dòng)調(diào)零原理如圖3所示，X軸和Y軸與Z軸原理圖相同。壓阻力敏電阻R1、R2、R3、R4構(gòu)成Z軸向加速度信號(hào)測(cè)試電橋電路，根據(jù)加速度傳感器的初始失調(diào)電壓和橋臂阻值，通過Matlab仿真確定并聯(lián)到惠斯特電橋電路中數(shù)字電位器RW1的阻值為10 kΩ，RW2的阻值為100 kΩ，型號(hào)為Xicor公司的X9C102(10 kΩ)和X9C104(100 kΩ)。

圖3　自動(dòng)調(diào)零原理圖Fig. 3　Automatic zero setting schematic diagram

2.2.2信號(hào)放大模塊

高沖擊三軸加速度傳感器量程高、沖擊靈敏度小，輸出信號(hào)為微伏級(jí)。為了準(zhǔn)確獲取被測(cè)加速度信號(hào)的特征，需要進(jìn)行信號(hào)的放大。信號(hào)放大電路由儀表放大器和數(shù)字電位器組成。選用AD8421儀表放大器實(shí)現(xiàn)信號(hào)的放大。該放大器是一款低成本、低功耗、極低噪聲、超低偏置電流的高速儀表放大器，非常適合微弱信號(hào)的放大，只需一個(gè)電阻即可實(shí)現(xiàn)所需的放大倍數(shù)調(diào)節(jié)。為了滿足高帶寬的要求，采用兩級(jí)放大電路實(shí)現(xiàn)信號(hào)的放大。第一級(jí)放大倍數(shù)為固定值(20倍)，第二級(jí)放大倍數(shù)根據(jù)實(shí)際使用環(huán)境通過改變并聯(lián)在其上數(shù)字電位器的阻值實(shí)現(xiàn)放大倍數(shù)可調(diào)。該模塊放大倍數(shù)在1～1 000倍時(shí)可調(diào)，當(dāng)放大倍數(shù)為1 000倍時(shí)，帶寬可達(dá)1 MHz。

2.2.3模數(shù)轉(zhuǎn)換模塊

選用TI 公司的ADS8556實(shí)現(xiàn)放大信號(hào)的采集與轉(zhuǎn)換。ADS8556是一款高速、低功耗、六通道同步采樣的16位模數(shù)轉(zhuǎn)換器，支持單端、差分模擬輸入，輸入信號(hào)范圍可達(dá)±4Vref或者±2Vref，其中Vref為內(nèi)部參考電壓，可取2.5 V或3.0 V。ADS8556在軟件模式下，六通道同步采樣速率可以隨時(shí)改變，最高采樣速率可達(dá)800 ksps。放大信號(hào)Vi經(jīng)過OPA2211運(yùn)放跟隨后，驅(qū)動(dòng)能力得以增強(qiáng)。輸出端并聯(lián)RC一階濾波電路，限制了運(yùn)放的噪聲帶寬，減少了噪聲干擾。

2.2.4數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊

SRAM存儲(chǔ)器具有數(shù)據(jù)讀寫速度快的優(yōu)點(diǎn)，但掉電后數(shù)據(jù)無法保存，F(xiàn)LASH存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)讀寫速度慢但掉電后數(shù)據(jù)不丟失。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊既要求彈載存儲(chǔ)測(cè)試系統(tǒng)具備快速數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能又要求采樣數(shù)據(jù)在掉電后依然保存，因此將實(shí)際侵徹過程的傳感器數(shù)據(jù)快速存儲(chǔ)到SRAM中，侵徹過程結(jié)束后再將SRAM中的數(shù)據(jù)慢速存儲(chǔ)到FLASH中。TMS320F28335的外部接口(XINTF)接口區(qū)域6和區(qū)域7存儲(chǔ)空間均為1 M×16 bit。分別擴(kuò)展一塊IS61WV1024BLL的SRAM，從而使得該裝置具備2 M×16 bit的存儲(chǔ)容量。選擇型號(hào)為W25Q32的串行FLASH在采樣完畢后將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)存，然后讀取FLASH數(shù)據(jù)進(jìn)行分析。

2.3軟件系統(tǒng)設(shè)計(jì)

為了有效利用彈載存儲(chǔ)測(cè)試電路的硬件資源，基于UCOSII操作系統(tǒng)進(jìn)行軟件系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。由于UCOSII良好的任務(wù)設(shè)計(jì)性能，將彈載存儲(chǔ)測(cè)試系統(tǒng)的軟件系統(tǒng)劃分為五個(gè)任務(wù)：調(diào)零放大任務(wù)、采樣任務(wù)、存儲(chǔ)任務(wù)和串口通信任務(wù)。

2.3.1調(diào)零放大任務(wù)

調(diào)零放大任務(wù)主要是利用編程方式分別改變儀表放大器AD8421上的數(shù)字電位器和并聯(lián)在惠斯特電橋上的阻值，實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大倍數(shù)可調(diào)，減小或消除三軸加速度傳感器的失調(diào)電壓。依據(jù)設(shè)計(jì)要求確定放大倍數(shù)后，再通過自動(dòng)調(diào)零的方式確定數(shù)字電位器對(duì)應(yīng)的阻值。自動(dòng)調(diào)零的基本思想是運(yùn)用循環(huán)遍歷的方式采集數(shù)字電位器阻值每種組合方式下的電壓值，以對(duì)應(yīng)最小輸出電壓時(shí)電位器的阻值作為調(diào)零的最終結(jié)果。調(diào)零流程圖如圖4所示。

圖4　自動(dòng)調(diào)零流程圖Fig.4　Automatic zero setting flow chart

2.3.2采樣存儲(chǔ)任務(wù)

依據(jù)負(fù)延遲存儲(chǔ)方式存儲(chǔ)時(shí)，為了節(jié)約數(shù)據(jù)采樣和轉(zhuǎn)換的時(shí)間，在CPU不干預(yù)的情況下，采樣數(shù)據(jù)以DMA直接數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的方式快速存儲(chǔ)至SRAM中，待采集完畢后再將數(shù)據(jù)慢速轉(zhuǎn)移至FLASH中。

2.3.3串口通信任務(wù)

串口通信任務(wù)主要是負(fù)責(zé)彈載存儲(chǔ)測(cè)試裝置與上位機(jī)之間的數(shù)據(jù)交換。試驗(yàn)開始前，將所需的代碼通過串口下載至彈載存儲(chǔ)測(cè)試裝置中。試驗(yàn)結(jié)束后，通過串口將彈載存儲(chǔ)測(cè)試裝置存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)回讀至計(jì)算機(jī)上位機(jī)軟件中，以便進(jìn)行數(shù)據(jù)分析和處理。

2.3.4多任務(wù)之間的協(xié)調(diào)

為了使彈載存儲(chǔ)測(cè)試裝置完成其指定功能，在設(shè)計(jì)完各個(gè)任務(wù)后，各個(gè)分任務(wù)通過信號(hào)量、消息隊(duì)列有效的通信，實(shí)現(xiàn)多任務(wù)的有效協(xié)調(diào)工作，完成侵徹過程中高沖擊信號(hào)的記錄。

3系統(tǒng)測(cè)試分析

在對(duì)整個(gè)彈載存儲(chǔ)測(cè)試裝置硬件和軟件設(shè)計(jì)、調(diào)試、軟件仿真完成后，進(jìn)行地面模擬試驗(yàn)，分別驗(yàn)證自動(dòng)調(diào)零的功能和信號(hào)放大采集存儲(chǔ)回讀的功能。

3.1自動(dòng)調(diào)零功能驗(yàn)證

將三軸加速度傳感器與彈載存儲(chǔ)測(cè)試裝置，放大倍數(shù)設(shè)置為500倍，采樣頻率設(shè)置為200 ksps，上電后執(zhí)行自動(dòng)調(diào)零程序，驗(yàn)證其自動(dòng)調(diào)零功能。經(jīng)測(cè)試，該電路能滿足三軸加速度傳感器的電橋的調(diào)零的實(shí)際使用需求。部分測(cè)試結(jié)果如表3所示。

表3　自動(dòng)調(diào)零部分測(cè)試結(jié)果

3.2信號(hào)放大采集存儲(chǔ)回讀功能驗(yàn)證

彈載存儲(chǔ)測(cè)試裝置的放大倍數(shù)分別設(shè)置為500倍、800倍、1 000倍時(shí)，采樣頻率設(shè)置為200 ksps、400 ksps、600 ksps，800 ksps輸入信號(hào)為峰峰值和頻率不同的正弦激勵(lì)信號(hào)，外部中斷觸發(fā)其采樣、存儲(chǔ)，最后將信號(hào)回讀至計(jì)算機(jī)，通過MATLAB軟件編程在上位機(jī)中顯示，測(cè)試結(jié)果表明該系統(tǒng)的微弱信號(hào)放大、采集、存儲(chǔ)傳輸?shù)墓δ軡M足設(shè)計(jì)要求，測(cè)試指標(biāo)與設(shè)計(jì)指標(biāo)相符。最高采樣率下的測(cè)試結(jié)果如表4和圖5所示。

表4　彈載存儲(chǔ)測(cè)試部分測(cè)試結(jié)果

圖5　正弦信號(hào)測(cè)試結(jié)果Fig.5　Test results of sine signal

通過上述試驗(yàn)結(jié)果可知，設(shè)計(jì)的存儲(chǔ)測(cè)試電路實(shí)際測(cè)試指標(biāo)與設(shè)計(jì)指標(biāo)相符，滿足三軸加速度傳感器調(diào)零要求，三軸向數(shù)據(jù)采樣有很好的同步性、采樣速率和精度高，存儲(chǔ)容量大，滿足彈載三軸存儲(chǔ)測(cè)試要求。但在多次試驗(yàn)中，該裝置抗電磁環(huán)境干擾能力不強(qiáng)，因此可靠性和抗干擾性能力亟待進(jìn)一步提高。

4結(jié)論

本文提出了基于高沖擊三軸加速度傳感器的彈載存儲(chǔ)測(cè)試裝置。該裝置采用AD8421芯片實(shí)現(xiàn)了三軸微弱信號(hào)的放大，以F28335作為主控器，控制模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片ADS8556進(jìn)行數(shù)據(jù)采集和轉(zhuǎn)換，并將轉(zhuǎn)換的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)至FLASH中，采樣精度為16 bit，三通道同步采樣速率為800 ksps，存儲(chǔ)容量為2 M×16 bit。地面模擬測(cè)試結(jié)果表明該存儲(chǔ)測(cè)試裝置采樣速率高、存儲(chǔ)容量大、通用性較強(qiáng)，為各類鉆地彈和超聲速巡航彈藥的精確炸點(diǎn)控制奠定技術(shù)基礎(chǔ)，具有重要實(shí)際工程使用價(jià)值。該裝置針對(duì)高頻響加速度傳感器仍有一定局限性，系統(tǒng)抗干擾性有待提高，下一步將提高其采樣率增加抗干擾性，從而提高整個(gè)系統(tǒng)的通用性和實(shí)用性。

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Onboard Storage Testing Device Based on High Impact Tri-axial Accelerometer

ZHANG Liang，ZHANG Zhenhai，LI Kejie，LI Zhiqing

(School of Mechatronical Engineering，Beijing Institute of Technology, Beijing 100081，China)

Abstract:Aiming at the shortcomings of low precision of high-speed acquisition and high-capacity storage onboard storage testing device used to record the tri-axial accelerometer’s high impact output signal in the hard target penetration projectile process, a high impact tri-axial accelerometer onboard storage testing device was designed. The device used AD8421 to implement signal amplification, used digital potentiometers to realize auto-balancing and amplification adjustable of the bridge. As the main controller, F28335 controlled the ADS8556 data acquisition and conversion and save the data to FLASH. The designed onboard storage device’s sample accuracy ups to 16 bit, three-channel simultaneous sample rate ups to 800ksps and storage capacity ups to 2M × 16 bit. Ground simulation tests were conducted for the tri-axial onboard storage device. Test results showed that the onboard storage device has high precision and high simultaneous sampling sample rate and high-capacity storage. The design fully met the onboard storage requirements, which provided a basis for accurate burst point control of the earth penetration bomb and supersonic cruise missile and is of significance in engineer.

Key words:storage testing; device；high impact; tri-axial accelerometer signal

中圖分類號(hào):TJ430.6

文獻(xiàn)標(biāo)志碼:A

文章編號(hào)：1008-1194(2016)02-0013-05

作者簡(jiǎn)介:張亮(1989—)，男，寧夏隆德人，碩士研究生，研究方向：高g值加速度傳感器信號(hào)識(shí)別、獲取。E-mail：bigbird1997@126.com。

基金項(xiàng)目:國(guó)防基礎(chǔ)科研項(xiàng)目資助(CXX2011XX03、AXX2013XX10)；國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目資助(61273346)；基礎(chǔ)研究基金項(xiàng)目資助(2015CX02034)

*收稿日期:2015-11-08