電子材料

美科學(xué)家用煤炭研發(fā)電子元件

麻省理工學(xué)院材料科學(xué)與工程系研究人員杰弗里·格羅斯曼與其他同事成功地用煤炭研制出一種電加熱裝置。這種裝置可用于汽車玻璃和飛機(jī)機(jī)翼的除霜，或者作為生物醫(yī)學(xué)植入物的一部分。

天然煤炭的種類眾多，而且它們之間的導(dǎo)電性能最多相差1 000萬倍。這意味著，如果提供足夠多種類的煤炭，科研人員可以利用它們的電子特性制造出獨(dú)特的電子元件。

但這項(xiàng)工作的挑戰(zhàn)之一在于如何對煤炭進(jìn)行加工。經(jīng)過探索，研究人員設(shè)計(jì)出一種方法：先把煤炭研制成粉末，然后將其放到溶液中溶解，最后使其沉淀在基片上并形成薄膜。利用這種方法，他們深入地對煤炭薄膜進(jìn)行了測試并用來制造電子原件。研究人員發(fā)現(xiàn)，通過調(diào)整對煤炭進(jìn)行加工時(shí)的溫度，可以改變煤炭薄膜的光學(xué)和電子特性并達(dá)到他們想要的效果。

科研人員表示，從煤炭的天然化學(xué)特性這一角度對其進(jìn)行應(yīng)用具有廣闊的前景。一是它們在自然界含量豐富，比較廉價(jià)；二是加工過程簡單，成本較低。與之相比，電子芯片的重要材料——硅雖然在自然界中含量也很豐富，但它需要提純到99.99%以上才能用于電子產(chǎn)品。（科技日報(bào)）

美國科學(xué)家用DNA分子造出全球最小二極管

美國佐治亞大學(xué)和以色列內(nèi)蓋夫本-古里安大學(xué)的研究人員利用DNA分子制造出了新型二極管。

這被認(rèn)為是全球尺寸最小的二極管。研究人員表示，這將促進(jìn)DNA元件的開發(fā)，推動(dòng)分子電子學(xué)的發(fā)展。

在這項(xiàng)研究中，科學(xué)家利用DNA分子去制造二極管?；蚩茖W(xué)的突破使精確設(shè)計(jì)DNA成為了可能，并使DNA成為了分子電子學(xué)研究中的最佳原材料。

DNA的雙螺旋結(jié)構(gòu)由被稱作堿基對的分子構(gòu)成。這一新型二極管的長度只有11個(gè)堿基對。DNA本身并不能發(fā)揮二極管的功能。不過，當(dāng)研究人員向DNA內(nèi)部某個(gè)位置插入2h的Coralyne分子，并向其施加1.1V電壓時(shí)，可以發(fā)現(xiàn)通過該DNA二極管的電流在某一方向上要比另一方向強(qiáng)15倍。

科學(xué)家表示，這一DNA二極管可以進(jìn)一步優(yōu)化，從而開發(fā)出可提供實(shí)際功能的分子器件。這一研究成果發(fā)表在最近的《自然化學(xué)》期刊上。（南京日報(bào)）

日本啟動(dòng)GaN開發(fā)項(xiàng)目

日本文部科學(xué)?。ê喎Q“文科省”）將于2016年度內(nèi)啟動(dòng)名為“有助于實(shí)現(xiàn)節(jié)能社會(huì)的新一代半導(dǎo)體研究開發(fā)”的氮化鎵（GaN）功率元件開發(fā)項(xiàng)目。據(jù)了解，該項(xiàng)目的核心力量是2014年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)得主——名古屋大學(xué)的天野浩教授領(lǐng)導(dǎo)的研發(fā)小組。項(xiàng)目為期5年，第1年（2016年度）的預(yù)算為10億日元。

該項(xiàng)目設(shè)置了3大研究領(lǐng)域，第一是開發(fā)適合功率元件的高品質(zhì)GaN晶體。這是該項(xiàng)目的核心。將以名古屋大學(xué)為中心，還有大阪大學(xué)及豐田中央研究所（豐田中研）等參加，項(xiàng)目負(fù)責(zé)人是天野教授。

在這個(gè)核心點(diǎn)上，為了制作缺陷少的高品質(zhì)GaN晶體，將考慮確立在晶體生長過程中實(shí)時(shí)觀測情況，以解明缺陷機(jī)制和加以控制的技術(shù)。并且，還將通過新的晶體生長模擬來解明晶體生長過程及控制方法。目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)“第一性原理計(jì)算”、“熱力學(xué)分析”、“數(shù)值流體力學(xué)”3者無縫連接進(jìn)行分析的“多物理場晶體生長模擬”。

第二是制作功率元件的“功率器件與系統(tǒng)領(lǐng)域”。這部分由曾在豐田中央研究所進(jìn)行GaN類半導(dǎo)體元件研究、目前就職于名古屋大學(xué)的加地徹?fù)?dān)任負(fù)責(zé)人。有日本北海道大學(xué)、日本法政大學(xué)及豐田中研等參加。

第三是評價(jià)前2個(gè)領(lǐng)域制成的晶體和功率元件的“評價(jià)基礎(chǔ)領(lǐng)域”。由日本物質(zhì)材料研究機(jī)構(gòu)的小出康夫擔(dān)任負(fù)責(zé)人。有東北大學(xué)、豐田合成及富士電機(jī)等參加。2030年實(shí)現(xiàn)開關(guān)頻率1MHz以上、輸出功率100kVA以上。（中國電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)）

美超級電腦將采用IBM仿人腦運(yùn)算芯片

IBM宣布美國“勞倫斯利渥摩國家實(shí)驗(yàn)室”（Lawrence Livermore National Laboratory，LLNL）的超級電腦采購IBM Research開發(fā)“腦啟發(fā)運(yùn)算”晶片TrueNorth為基礎(chǔ)的超級運(yùn)算平臺(tái)，作為深度學(xué)習(xí)之應(yīng)用。

IBM研究院于2014年正式發(fā)表TrueNorth，為第2代神經(jīng)突觸晶片，它是模擬人腦而發(fā)展出的晶片架構(gòu)，具備100萬個(gè)可程式化的神經(jīng)元以及2.56億個(gè)可程式化的突觸，每秒每瓦特可進(jìn)行460億次的突觸操作。

LLNL采購的平臺(tái)包含16顆TrueNorth晶片，因而可相當(dāng)執(zhí)行1600萬個(gè)神經(jīng)元及40億個(gè)神經(jīng)突觸的處理，然而卻只消耗2.5W電力，相當(dāng)一臺(tái)平板。IBM表示，這個(gè)神經(jīng)型態(tài)系統(tǒng)的神經(jīng)網(wǎng)路設(shè)計(jì)可執(zhí)行復(fù)雜的認(rèn)知推論工作，像是模式辨識(shí)及整合式感官處理，處理效率遠(yuǎn)超過傳統(tǒng)晶片。

LLNL計(jì)劃打造的下世代超級電腦預(yù)計(jì)可具備exascale級運(yùn)算速度，比現(xiàn)今最快進(jìn)階浮點(diǎn)運(yùn)算系統(tǒng)要快50倍，新系統(tǒng)將用于美國國家核能安全管理局（National Nuclear Security Administration， NNSA）底下的進(jìn)階模擬運(yùn)算（ASC）計(jì)劃，該計(jì)劃旨在評估機(jī)器學(xué)習(xí)應(yīng)用、深度學(xué)習(xí)演算法及架構(gòu)，并執(zhí)行一般的運(yùn)算可行性研究，以作為確保網(wǎng)路安全、核武遏制及防止核武擴(kuò)散等任務(wù)。

此外，IBM還將提供包含模擬器、程式語言、整合程式環(huán)境、演算法函式庫及應(yīng)用程式、韌體、建立神經(jīng)網(wǎng)路的工具，以及云端相關(guān)服務(wù)及訓(xùn)練，以協(xié)助客戶建立模仿大腦感知、行為及認(rèn)識(shí)的能力。LLNL科學(xué)家也將和IBM研究院、能源部及學(xué)界合作以拓展神經(jīng)突觸架構(gòu)、系統(tǒng)設(shè)計(jì)、演算法及軟體生態(tài)圈。（中國電子報(bào)）

田中貴金屬等開發(fā)出使用金顆粒接合的高輸出功率LED模塊

日本田中貴金屬工業(yè)公司和S.E.I公司2016年4月4日宣布，使用含有金顆粒（0.1μm級）的低溫接合材料“AuRoFUSE”，開發(fā)出了可滿足高輸出功率要求的LED模塊。LED照明在亮燈時(shí)產(chǎn)生的熱量的影響下，輸出功率會(huì)下降，因此，LED模塊存在如何提高散熱性的問題。而此次的新產(chǎn)品解決了這一問題。

具體方法是，使用AuRoFUSE作為接合材料進(jìn)行倒裝芯片鍵合，而不是目前的主流方式——引線鍵合。倒裝芯片鍵合是利用突起的端子（凸塊）以電氣方式將芯片連接到引線框架及基板上的方法，直接將LED芯片接合到基板上，作為熱源的發(fā)光面靠近基板，因此容易使熱量散發(fā)。另外，通過去掉引線，不僅可省去引線占用的空間，實(shí)現(xiàn)小型化，而且還可提高電氣特性。

不過，以往在進(jìn)行倒裝芯片鍵合時(shí)，必須在基板上使用昂貴的氮化鋁。這是因?yàn)閮r(jià)格低廉的金屬基板與LED芯片的熱膨脹系數(shù)存在很大差異，接合處容易破損。而在此次的技術(shù)中，作為接合材料的AuRoFUSE含有金顆粒，這些金顆?？删徍蜔崤蛎洉r(shí)的變形，因此可使用價(jià)格低廉的金屬基板。憑借這一技術(shù)，便可實(shí)現(xiàn)LED模塊的高輸出功率化和小型化。（中國電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)）

我國研發(fā)的世界首款神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理器“寒武紀(jì)”有望明年面世

北京中科寒武紀(jì)科技有限公司首席執(zhí)行官陳天石與中科曙光副總裁聶華于4月26日簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將在人工智能領(lǐng)域展開深入合作。

中科院計(jì)算所所長孫凝暉表示，計(jì)劃今年先以“寒武紀(jì)”IP盒的形式嵌入客戶端、手機(jī)端。天使投資的資金到位后開發(fā)一個(gè)云端的芯片。這個(gè)云端的芯片希望能在明年推出。曙光與“寒武紀(jì)”合作，能讓深度學(xué)習(xí)技術(shù)為更多行業(yè)領(lǐng)域所用，并促進(jìn)大規(guī)模生產(chǎn)和供應(yīng)。

中國科學(xué)院計(jì)算技術(shù)研究所陳云霽、陳天石課題組把他們研制的深度學(xué)習(xí)處理器命名為“寒武紀(jì)”，是希望這世界上第一款模擬人類神經(jīng)元和突觸進(jìn)行深度學(xué)習(xí)的處理器，能開啟人工智能的新紀(jì)元。

陳云霽、陳天石課題組的深度學(xué)習(xí)處理器指令集——DianNaoYu直接面對大規(guī)模神經(jīng)元和突觸的處理，一條指令即可完成一組神經(jīng)元的處理。陳天石說：“與谷歌采用的通用處理器不同，我們設(shè)計(jì)的處理器芯片專門面向深度學(xué)習(xí)技術(shù)?！?/p>

今年3月，AlphaGo以4∶1的成績完勝世界圍棋冠軍李世石。AlphaGo使用了約170個(gè)圖形處理器GPU和1200個(gè)中央處理器CPU。這些設(shè)備需要占用一個(gè)機(jī)房，配備大功率空調(diào)?！癆lphaGo用的芯片將來如果換成‘寒武紀(jì)架構(gòu)的芯片，一個(gè)小盒子就全裝下了。

陳天石強(qiáng)調(diào)，寒武紀(jì)不是代替中央處理器的顛覆式革命。從目前來看，它更像是一款針對智能認(rèn)知等應(yīng)用的專用芯片?！拔覀兊膬?yōu)勢集中在人臉識(shí)別、聲音識(shí)別等人工智能方面。比如，傳統(tǒng)手機(jī)或個(gè)人電腦主板上嵌入‘寒武紀(jì)IP盒子或芯片后，將極大提高處理速度”。（新華社）

微電子所銦鎵砷MOSFET射頻開關(guān)芯片研究獲進(jìn)展

近日，中國科學(xué)院微電子研究所科研成果——銦鎵砷（InGaAs）MOSFET射頻開關(guān)芯片被國際半導(dǎo)體雜志Semiconductor Today進(jìn)行了專題報(bào)道。

高遷移率InGaAs MOSFET是在InGaAs HEMT器件的基礎(chǔ)上引入高K介質(zhì)金屬柵技術(shù)發(fā)展起來的新一代半導(dǎo)體器件，被國際學(xué)術(shù)界和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界認(rèn)為是延展摩爾定律的主要技術(shù)選擇。微電子所高頻高壓器件與集成研發(fā)中心研究員劉洪剛課題組長期致力于InGaAs MOSFET器件及其應(yīng)用研究，在國家科技重大專項(xiàng)、“973”計(jì)劃、國家自然科學(xué)基金等多項(xiàng)國家級課題的支持下，先后在量子阱溝道設(shè)計(jì)、高K介質(zhì)與界面態(tài)控制、關(guān)鍵工藝與硅基異質(zhì)集成、器件模型與電路模擬等方面取得重要進(jìn)展，相關(guān)成果已成功應(yīng)用于面向4G/5G移動(dòng)通信的射頻開關(guān)芯片的研究。課題組研制的InGaAs MOSFET射頻開關(guān)芯片，在移動(dòng)通信頻段表現(xiàn)出優(yōu)越的射頻開關(guān)特性，在0.1～3GHz無線通信頻段內(nèi)插入損耗為0.27～0.49dB，隔離度達(dá)到35～68dB，比傳統(tǒng)InGaAs HEMT射頻開關(guān)具有更高的射頻輸出功率和功率附加效率。該特性使InGaAs MOSFET技術(shù)在5G智能手機(jī)與高速WiFi中具有廣闊的應(yīng)用前景。（中國科學(xué)院微電子研究所）

國產(chǎn)AMOLED手機(jī)面板首次亮相

4月20日，中興召開新品發(fā)布會(huì)，正式發(fā)布ZTE V7 MAX和ZTE A910兩款主打年輕用戶的新機(jī)。其中Z910采用5.5英寸720pAMOLED屏幕，此款A(yù)MOLED面板供應(yīng)商除了三星之外，還有國內(nèi)AMOLED廠商領(lǐng)軍企業(yè)天馬、維信諾。這也是國內(nèi)AMOLED面板廠商首次打入前10大手機(jī)品牌。

由于2015年三星顯示器對外積極釋放AMOLED面板，在國內(nèi)品牌OPPO、vivo、金立Gionee、魅族MEIZU等大品牌的鼎力支持下，使得AMOLED面板在高階機(jī)種的比重大幅增加。

2015年OPPO的AMOLED面板使用比重達(dá)38%，為國內(nèi)品牌之最，而vivo AMOLED面板使用比例也高達(dá)24%，同時(shí)銷量爆沖350%的魅族AMOLED面板的使用比重也達(dá)到16%。預(yù)估至2018年，國內(nèi)智能市場中AMOLED屏幕手機(jī)滲透率將達(dá)23%。（中國電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)）

京東方全球首條10.5代線開建

4月15日，京東方10.5代線開工建設(shè)，這是全球首條TFT-LCD10.5代線，將使京東方躍升全球顯示行業(yè)三甲之列，引領(lǐng)大尺寸超高清顯示新時(shí)代，同時(shí)也助推合肥市向打造世界級顯示產(chǎn)業(yè)集群邁出堅(jiān)實(shí)一步。2012年，合肥新站區(qū)被工信部正式授予電子信息（新型平板顯示）類國家新型工業(yè)化示范基地稱號(hào)；2015年，新站區(qū)新型顯示產(chǎn)業(yè)集聚發(fā)展基地又被定為安徽省首批戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)集聚發(fā)展基地。目前，合肥新站已經(jīng)形成了以京東方、樂凱、彩虹、康寧等龍頭企業(yè)為核心，匯聚上下游產(chǎn)業(yè)鏈從業(yè)企業(yè)40余家，已投資項(xiàng)目超50個(gè)、累計(jì)完成投資超820億元的基地。

京東方將在安徽合肥新站區(qū)建設(shè)一條全球最高世代線——第10.5代薄膜晶體管液晶顯示器件（TFTLCD）生產(chǎn)線，項(xiàng)目總投資400億元，2015年12月開工，預(yù)計(jì)2018年第2季度量產(chǎn)，設(shè)計(jì)產(chǎn)能為月投入玻璃基板（2 940mm×3 370mm）9萬片，主要生產(chǎn)65英寸以上大尺寸超高清液晶顯示屏，滿產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年均產(chǎn)值220億元。

2015年，京東方專利申請量突破了6 000件，生產(chǎn)規(guī)模在世界排名第5、出貨量排名第4。按照市場占有率來說，世界上每3臺(tái)平板電腦（蘋果除外），就有1臺(tái)用的是京東方的顯示屏，每5臺(tái)手機(jī)（蘋果除外）就有1臺(tái)是用京東方的顯示屏。2015年，京東方實(shí)現(xiàn)了全球業(yè)內(nèi)專利申請量、產(chǎn)品首發(fā)覆蓋率、智能手機(jī)和平板電腦市場占有率、高性能超大尺寸產(chǎn)品市場占有率、毛利率等5個(gè)“世界第1”。（新華網(wǎng)）

迅鼎半導(dǎo)體材料項(xiàng)目落戶湖州

2016年4月19日，浙江省發(fā)改委稱，浙江迅鼎半導(dǎo)體新材料項(xiàng)目于近日在湖州南太湖產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)核心區(qū)開工建設(shè)。項(xiàng)目總投資52億元，建成后預(yù)計(jì)年銷售額可達(dá)65至78億元。

浙江迅鼎半導(dǎo)體材料項(xiàng)目已被列入浙江省特別重大產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目，致力于半導(dǎo)體材料的生產(chǎn)、研發(fā)與供應(yīng)。該項(xiàng)目生產(chǎn)的半導(dǎo)體新材料是新一代信息技術(shù)核心集成電路產(chǎn)業(yè)重要原材料，主要應(yīng)用于IC晶圓半導(dǎo)體、高階集成電路、內(nèi)存（DRAM）、閃存（Nand Flash）、新一代柔性面板、高階光伏電池、綠能節(jié)能玻璃等領(lǐng)域。該項(xiàng)目同時(shí)可以填補(bǔ)國內(nèi)目前依賴進(jìn)口的技術(shù)空白，對我國實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體跨越式發(fā)展有著十分重要的意義。

據(jù)悉，該項(xiàng)目建成后，預(yù)計(jì)年銷售額達(dá)65至78億元，利稅超40億元。該項(xiàng)目成為湖州開發(fā)區(qū)今年引進(jìn)的首個(gè)50億元以上的項(xiàng)目。9月底前分裝車間投入使用，2017年4月底前實(shí)現(xiàn)首期30t產(chǎn)能投產(chǎn)。（中國電力）

廈門聯(lián)芯半導(dǎo)體項(xiàng)目進(jìn)展順利 年底可投產(chǎn)

目前廈門聯(lián)芯項(xiàng)目的土建工程已完成總工程量的80%，并如期4月1日開始安裝進(jìn)口設(shè)備。該項(xiàng)目于2015年3月動(dòng)工，投資總額為62億美元，預(yù)計(jì)將于今年12月投產(chǎn)，屆時(shí)每月可生產(chǎn)12寸晶圓6 000片；至2021年12月達(dá)產(chǎn)時(shí)，可達(dá)月產(chǎn)5萬片規(guī)模。

廈門聯(lián)芯項(xiàng)目的產(chǎn)品，主要面對的是大陸當(dāng)?shù)刂械碗A手機(jī)芯片、面板驅(qū)動(dòng)IC，以及物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用相關(guān)的嵌入式快閃記憶體、嵌入非揮發(fā)性記憶體等。

而另一臺(tái)灣半龍頭臺(tái)積電在2015年12月初即正式向投審會(huì)遞件，在江蘇南京設(shè)立12寸晶圓廠，該項(xiàng)目上月已經(jīng)正式與南京政府簽約，項(xiàng)目投資額達(dá)30億美元。（福建日報(bào)）

河北遷安進(jìn)駐半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目 總投資32億元

近日，遷安市半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園入園項(xiàng)目舉行簽約儀式，遷安市政府與天水華芯電子技術(shù)有限公司簽訂投資合作協(xié)議。

遷安華芯半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目選址在遷安高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)內(nèi)，項(xiàng)目總投資32億元，分2期建設(shè)，1期投資15億元，建設(shè)1條年產(chǎn)18萬片6英寸砷化鎵芯片生產(chǎn)線，建設(shè)期限15個(gè)月；2期投資17億元，建設(shè)第2條年產(chǎn)18萬片6英寸砷化鎵芯片生產(chǎn)線，配套建設(shè)1條年產(chǎn)6萬片砷化鎵外延片生產(chǎn)線。

簽約儀式上，天水華芯電子技術(shù)有限公司負(fù)責(zé)人與清華大學(xué)電子工程系、中國電子科技集團(tuán)公司、蔡司公司、克特萊斯特、丹頓公司等7家公司簽訂了研發(fā)、電子設(shè)備生產(chǎn)、光學(xué)產(chǎn)品生產(chǎn)和技術(shù)合作協(xié)議。（唐山勞動(dòng)日報(bào)）

銀川開工建設(shè)西部最大的半導(dǎo)體大硅片項(xiàng)目

近日，寧夏銀和半導(dǎo)體科技有限公司投資30億元、年產(chǎn)360萬片8英寸半導(dǎo)體級單晶硅片及年產(chǎn)120萬片12英寸半導(dǎo)體級單晶硅片項(xiàng)目，在銀川經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)開工，這是西部地區(qū)最大的半導(dǎo)體大硅片項(xiàng)目。

此項(xiàng)目在銀川開發(fā)區(qū)落地建設(shè)，不僅可填補(bǔ)國內(nèi)大硅片生產(chǎn)空白，保證國內(nèi)硅片供應(yīng)的安全性及集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的完整和穩(wěn)定，還可降低我國對于高品質(zhì)硅片的進(jìn)口依賴，穩(wěn)定供應(yīng)高品質(zhì)8英寸和12英寸半導(dǎo)體硅片，大幅降低成本并增加產(chǎn)業(yè)競爭力。寧夏銀和半導(dǎo)體科技有限公司還將在銀川開展高品質(zhì)半導(dǎo)體硅片的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，建成國際先進(jìn)水平的8英寸半導(dǎo)體硅片產(chǎn)業(yè)化、創(chuàng)新研究和開發(fā)基地。

近年來，銀川開發(fā)區(qū)推進(jìn)“三調(diào)兩轉(zhuǎn)一示范”戰(zhàn)略，全面布局戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，加快經(jīng)濟(jì)結(jié)構(gòu)調(diào)整和產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級。目前，在已經(jīng)形成的“光、石、智、服”產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢基礎(chǔ)上，銀川開發(fā)區(qū)已占領(lǐng)了國內(nèi)晶體材料制高點(diǎn)，建成世界最大的單晶硅棒生產(chǎn)基地，正在打造全球最大的單晶硅切片基地、中國最大的工業(yè)藍(lán)寶石生產(chǎn)基地。截至目前，銀川開發(fā)區(qū)已擁有光伏材料企業(yè)14家，2015年單晶硅棒生產(chǎn)能力達(dá)1.5萬t，成為世界最大的單晶硅棒生產(chǎn)基地。（寧夏日報(bào)）

東旭光電20億元偏光片項(xiàng)目落地江蘇無錫

東旭光電宣布，由公司牽頭成立的偏光片合資公司與無錫國家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)（簡稱無錫高新區(qū)）正式達(dá)成合作協(xié)議。此舉意味著總投資20億元的東旭光電偏光片項(xiàng)目正式入駐江蘇無錫高新區(qū)。

今年2月17日，東旭光電公告稱，公司與世界500強(qiáng)企業(yè)住友化學(xué)株式會(huì)社、韓國東友精細(xì)化學(xué)株式會(huì)社、拓米國際有限公司達(dá)成協(xié)議，由東旭光電絕對控股，在江蘇省無錫市成立旭友電子材料科技（無錫）有限公司（簡稱“旭友新材”），開展偏光片業(yè)務(wù)。

據(jù)了解，合資公司旨在利用先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù)和科學(xué)管理方式，在我國境內(nèi)銷售所生產(chǎn)、采購、加工的偏光片，滿足市場對偏光片的需求。根據(jù)規(guī)劃，合資公司的經(jīng)營規(guī)模以年產(chǎn)超過2 000萬m2的偏光片為目標(biāo)，有效填補(bǔ)國內(nèi)偏光片生產(chǎn)的市場缺口。（中國網(wǎng)）