銅銦鎵硒薄膜太陽電池輻照效應(yīng)研究

張 超，鄧朝文，喬在祥

(中國電子科技集團(tuán)公司第十八研究所重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，天津300384)

銅銦鎵硒薄膜太陽電池輻照效應(yīng)研究

張 超，鄧朝文，喬在祥

(中國電子科技集團(tuán)公司第十八研究所重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，天津300384)

高性能、高可靠性、質(zhì)量輕、抗輻照能力強(qiáng)、低成本是未來空間用太陽電池技術(shù)的主要發(fā)展方向。銅銦鎵硒薄膜太陽電池最高轉(zhuǎn)換效率已突破21%，并具有輕質(zhì)、抗輻照能力強(qiáng)等特點(diǎn)，是最具有空間應(yīng)用前景的新一代太陽電池?？偨Y(jié)了國內(nèi)外銅銦鎵硒薄膜太陽電池輻照效應(yīng)的研究狀況，闡述了銅銦鎵硒薄膜太陽電池輻照效應(yīng)研究差異的主要原因，指出了未來銅銦鎵硒薄膜太陽電池輻照效應(yīng)的研究方向。

銅銦鎵硒薄膜；輻照損傷；空間太陽電池

航天技術(shù)是人類科學(xué)技術(shù)的最偉大成就之一，特別是衛(wèi)星，對人類發(fā)展的各個(gè)領(lǐng)域如科學(xué)實(shí)驗(yàn)與探索、民用通信廣播、遙感導(dǎo)航、氣象預(yù)測以及軍事領(lǐng)域，起著巨大的促進(jìn)作用?？茖W(xué)進(jìn)步和社會(huì)發(fā)展需要功能更專一、功效更強(qiáng)大、價(jià)格更便宜、適應(yīng)各種空間環(huán)境的應(yīng)用衛(wèi)星，這對衛(wèi)星的設(shè)計(jì)提出了更高的要求，質(zhì)量、體積、成本下降的小型化、微型化設(shè)計(jì)是其中一個(gè)重要的發(fā)展方向。

作為衛(wèi)星組成的重要分系統(tǒng)之一，電源系統(tǒng)為衛(wèi)星提供持久的電力支持，其可靠性是衛(wèi)星實(shí)現(xiàn)功能的重要保障，在小型衛(wèi)星中，其質(zhì)量占衛(wèi)星總質(zhì)量的38%～42%，研制經(jīng)費(fèi)占總經(jīng)費(fèi)的7%～13%[1]，優(yōu)化電源系統(tǒng)性能是未來小型衛(wèi)星發(fā)展的關(guān)鍵。目前衛(wèi)星電源系統(tǒng)廣泛使用的是太陽電池陣列和蓄電池聯(lián)合供電的方式，其中太陽電池以砷化鎵電池為主，價(jià)格昂貴。尋求效率高、價(jià)格低、性能穩(wěn)定、抗輻照能力強(qiáng)的新型太陽電池是人們研究的焦點(diǎn)。

銅銦鎵硒[Cu(In,Ga)Se2，簡稱CIGS]薄膜太陽電池具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率，已達(dá)到21.7%[2]，雖然未達(dá)到目前空間應(yīng)用的砷化鎵太陽電池的轉(zhuǎn)換效率，但是其成本低廉、質(zhì)量輕、穩(wěn)定性好、抗輻照能力強(qiáng)，可制備在柔性襯底上實(shí)現(xiàn)更多樣的太陽電池翼結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和折疊展開方式設(shè)計(jì)，被認(rèn)為是最具有空間應(yīng)用前景的新一代太陽電池。因此，開展CIGS薄膜太陽電池空間輻照效應(yīng)實(shí)驗(yàn)具有重要意義。

1 輻照效應(yīng)研究中的難點(diǎn)和主要方法

1.1 輻照效應(yīng)研究的難點(diǎn)

空間輻射環(huán)境非常復(fù)雜，主要分為三個(gè)部分：太陽宇宙射線、銀河宇宙射線和地球輻射帶[3]。太陽宇宙射線是指太陽活動(dòng)產(chǎn)生的高能粒子流，主要成分是質(zhì)子、電子還有少量的其他核成分和中子，其通量大小以11年為一個(gè)周期，粒子能量在幾兆電子伏至幾百兆電子伏[4]。銀河宇宙射線是指來自于太陽系以外的銀河系的高能粒子流，主要成分為87%的質(zhì)子和12.5%的α粒子，其特點(diǎn)是帶電粒子能量極高但通量很低，并且受到太陽活動(dòng)周期的影響，當(dāng)太陽活動(dòng)處于高峰期時(shí)，銀河宇宙射線通量會(huì)相對減小，處于平靜期時(shí)，則會(huì)相對穩(wěn)定[5]。地球輻照帶又稱范艾倫輻射帶，是由地球磁場和太陽風(fēng)相互作用的結(jié)果，分為內(nèi)輻射帶和外輻射帶。內(nèi)輻射帶是指地球上空600～10 000 km帶狀區(qū)域，主要成分為質(zhì)子，來源于銀河宇宙射線粒子，外輻射帶是指地球上空10 000～65 000 km帶狀區(qū)域，占優(yōu)勢的粒子為電子。地球輻射帶俘獲的主要是1～100MeV的質(zhì)子和100 keV～20 MeV的電子以及少量的重離子[6]。

在地面模擬實(shí)驗(yàn)中，很難實(shí)現(xiàn)帶電粒子呈連續(xù)分布、輻射通量隨軌道變化的空間輻射環(huán)境，并且很難分析不同種類、不同能量粒子共同輻照的作用，同時(shí)也很難模擬由于其他環(huán)境因素，如溫度、封裝玻璃慢化效應(yīng)等共同引起的輻照效應(yīng)結(jié)果。因此，需要建立切實(shí)可行的等效分析方法。

1.2 輻照效應(yīng)實(shí)驗(yàn)分析方法

太陽電池輻照效應(yīng)實(shí)驗(yàn)的目的，一方面是分析其輻射損傷的微觀機(jī)理，優(yōu)化太陽電池的制備工藝，改進(jìn)電池防護(hù)工藝，從而達(dá)到提高太陽電池抗輻照能力的目的，另一方面預(yù)測空間太陽電池的在軌行為，為空間應(yīng)用提供科學(xué)的理論指導(dǎo)和實(shí)驗(yàn)依據(jù)。

研究太陽電池輻照效應(yīng)的主要方法是，對比輻照前后太陽電池短路電流、開路電壓和最大輸出功率的變化，通過導(dǎo)納譜、暗態(tài)I-V曲線測試、C-V測試和深能級(jí)瞬態(tài)譜分析太陽電池各層材料在輻照后產(chǎn)生的深能級(jí)缺陷。

太陽電池在軌性能預(yù)測方法常用的有兩種，一是等效注量法，另一種是位移損傷劑量法。

等效注量法[7]是將不同能量、不同類型的帶電粒子引起的輻照損傷效應(yīng)通過相對損傷系數(shù)聯(lián)系起來，從而實(shí)現(xiàn)單能粒子輻照與空間帶電粒子能譜等效的方法。具體方法是：通過實(shí)驗(yàn)得到各類型不同能量帶電粒子輻照下，太陽電池電學(xué)性能退化到某一水平時(shí)的臨界注量，再根據(jù)臨界注量計(jì)算不同能量帶電粒子相對于10 MeV質(zhì)子和1 MeV電子的相對損傷系數(shù)，然后結(jié)合軌道空間帶電粒子能譜和相對損傷系數(shù)得到空間帶電粒子等效為1 MeV電子的等效注量，最后根據(jù)等效注量和1 MeV電子輻照下電池的電學(xué)退化曲線給出該電池在軌行為預(yù)測結(jié)果。

位移損傷劑量法[8]是基于非電離能損創(chuàng)建的太陽電池輻射損傷方法，具體方法是通過核物理的理論分析方法，對不同能量粒子在太陽電池材料中的非電離能損失進(jìn)行計(jì)算，獲得各能量粒子的非電離能損傷等效系數(shù)，然后將粒子輻照注量轉(zhuǎn)化為位移損傷劑量，獲得太陽電池電學(xué)性能隨位移損傷劑量退化的特征曲線，最后通過空間帶電粒子能譜和非電離能損計(jì)算太陽電池在軌行為的等效位移損傷劑量，從而實(shí)現(xiàn)太陽電池輻照效應(yīng)的預(yù)測。

2 銅銦鎵硒薄膜太陽電池空間輻照效應(yīng)的研究概況

2.1 國外研究概況

早在1984年，Gay等人在IEEE光伏專家會(huì)議上就報(bào)道了CIS/CdS結(jié)構(gòu)太陽電池，在能量為1 MeV、注量為1016cm-2的電子輻射下表現(xiàn)出良好的抗輻射特性。轉(zhuǎn)年，Mickelsen等人報(bào)道了CIS/(Zn,Cd)S太陽電池分別在1 MeV電子輻射和1 MeV的質(zhì)子輻射下的電學(xué)性能損傷情況，指出CIS太陽電池在注量為2×1016cm-2的電子輻射下無衰退，在1013cm-2注量的質(zhì)子輻射下，電池轉(zhuǎn)換效率衰降到原來的68%。1988年，Burgess等人研究了CIS太陽電池在1、2 MeV電子輻照和0.2、0.4和2 MeV質(zhì)子輻照下的穩(wěn)定性，并通過為期3年的空間實(shí)驗(yàn)證明了未封裝的CIS薄膜太陽電池具有較強(qiáng)的抗輻照能力。此外，日本的Yamaguchi、Matsuda[9]也對CIS太陽電池分別進(jìn)行了電子和質(zhì)子輻照實(shí)驗(yàn)。

2000年，德國斯圖加特大學(xué)的A.Jasenek等人[10-11]研究了面積為0.5 cm2、效率為15%的CIGS薄膜太陽電池在1 MeV電子輻照下的電學(xué)損傷，轉(zhuǎn)年，又對CIGS薄膜太陽電池分別進(jìn)行了0.5、1、3 MeV電子輻照和4 MeV質(zhì)子輻照實(shí)驗(yàn)，電子輻照注量超過1018cm-2、質(zhì)子輻照注量達(dá)到了1014cm-2[12]。在實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)，輻照后CIGS薄膜太陽電池效率下降的主要原因是電池的開路電壓衰降。通過導(dǎo)納譜直接分析了輻射引起的缺陷機(jī)制，并使用低溫C-V測試得到了高能粒子輻照會(huì)降低CIGS吸收層摻雜濃度的結(jié)論。該實(shí)驗(yàn)還指出經(jīng)過小于100℃的退火處理，可以部分恢復(fù)CIGS薄膜的電子輻射損傷。2003年，同組的K.Weinert等人報(bào)道了3 MeV電子輻射下的CIGS薄膜太陽電池的電學(xué)性能損傷情況[13]。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，當(dāng)注量提高到2×1017cm-2時(shí)，電池的短路電流密度開始下降，到2×1018cm-2時(shí)，下降了90%。短路電流下降的原因是由于生成深能級(jí)缺陷的活化能變化了500 meV，經(jīng)過360 K的退火處理，電池的短路電流密度可以得到恢復(fù)，但是開路電壓損失無法完全恢復(fù)。

2002年2月，日本發(fā)射的MDS-1衛(wèi)星上搭載了CIGS薄膜太陽電池，經(jīng)過1年的空間輻照實(shí)驗(yàn)，其短路電流沒有任何衰降，開路電壓僅衰降1%，性能的穩(wěn)定性要優(yōu)于同期搭載的Si和GaAs太陽電池。轉(zhuǎn)年，日本國家空間發(fā)展局的Kawakita[14]報(bào)道了30 cm×30 cm的CIGS電池組件輻照效應(yīng)地面模擬實(shí)驗(yàn)，其結(jié)果與空間搭載實(shí)驗(yàn)一致。另外，還發(fā)現(xiàn)通過熱處理可以恢復(fù)CIGS薄膜太陽電池的質(zhì)子輻射損傷。不僅如此，他們將實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)分析結(jié)果用來預(yù)測CIGS薄膜太陽電池在近地軌道和地球同步軌道的輻照效應(yīng)，形成了從空間實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)采集到地面模擬實(shí)驗(yàn)分析，再到空間預(yù)期的完整的空間輻照效應(yīng)評估體系。

2009年，日本宇宙航空研究開發(fā)局[15]在發(fā)射的低地球軌道衛(wèi)星SDS-1上搭載了薄膜太陽電池測試板，對比了In-GaP/GaAs(TF2J)和CIGS太陽電池的短路電流損傷，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明CIGS薄膜太陽電池抗輻照能力明顯優(yōu)于TF2J太陽電池。

2011年，日本Y.Hirose等人[16]在研究CIGS太陽電池電子輻照效應(yīng)時(shí)，重點(diǎn)研究其多種窗口層如ITO、ZnO∶Al、ZnO∶Ga和CdS緩沖層的輻照效應(yīng)，電子能量為2 MeV，注量范圍是1×1013～1.5×1018cm-2。實(shí)驗(yàn)表明：電子輻照后，窗口層和緩沖層的透過率沒有發(fā)生改變，但是ZnO∶Al和ZnO∶Ga的電阻率顯著提高。通過輻照前后J-V特性曲線分析，ZnO∶Al和ZnO∶Ga窗口層主要引起CIGS薄膜太陽電池串聯(lián)電阻的升高和短路電流的降低，pn異質(zhì)結(jié)界面主要引起開路電壓的降低和并聯(lián)電阻的提高。

2013年，日本kawakita等人[17]報(bào)道了在250 eV電子輻射下，CIGS薄膜太陽電池中Cu點(diǎn)缺陷的電學(xué)性能影響。報(bào)道指出，CIGS太陽電池在250 keV的電子輻射下和1 MeV電子輻照下的結(jié)果顯著不同。在250 keV的電子輻射下，CIGS太陽電池輸出性能無衰降，但是載流子濃度提高，其現(xiàn)象類似于Na對CIGS太陽電池的影響。

2.2 國內(nèi)研究概況

國內(nèi)由于CIGS薄膜太陽電池制備技術(shù)發(fā)展較晚，工藝成熟度不高，因此，開展CIGS薄膜太陽電池輻照效應(yīng)的研究也遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于國外各大研究機(jī)構(gòu)。

2012年，南開大學(xué)陳秀娟[18]研究了CIGS薄膜太陽電池在γ射線輻照下的特性，粒子能量為1.17和1.33 MeV，注量為2×1010、1.2×1011、5×1011、9.8×1011、5.2×1012、1.36×1013、4.672×1013和1.1×1014cm-2。在實(shí)驗(yàn)中，系統(tǒng)分析了γ射線對CIGS太陽電池中各層薄膜的結(jié)構(gòu)和電學(xué)特性影響，并對比了聚酰亞胺襯底、不銹鋼襯底和玻璃襯底CIGS薄膜太陽電池在γ射線輻照的性能。同年，南開大學(xué)王昆燁[19]研究了不同襯底CIGS薄膜太陽電池在能量為7 MeV、注量為1014～1018cm-2的電子輻照下的電學(xué)性能的損傷。

哈爾濱工業(yè)大學(xué)的鄧朝文[20]在2012年報(bào)道了低能質(zhì)子輻照下的CIGS薄膜太陽電池性能的研究，通過50、100和150 keV質(zhì)子輻照對比實(shí)驗(yàn)和SRIM2008軟件模擬，分析了低能質(zhì)子輻照對CIGS太陽電池的損傷效應(yīng)，揭示了低能質(zhì)子輻照下CIGS太陽電池性能變化規(guī)律和損傷機(jī)理。轉(zhuǎn)年，哈爾濱工業(yè)大學(xué)的常熠[21]研究了質(zhì)子和電子綜合輻照下CIGS太陽電池的行為。在研究中，質(zhì)子能量為50 keV，電子能量為50 keV和1 MeV，質(zhì)子和電子注量分別為1011、1012、1013p/cm2和1014、1015、1016e/cm2。通過改變輻照方式，得到了不同類型的輻照方式引起電池性能衰降的比例不同的結(jié)論，其中共同輻照＞先電子后質(zhì)子輻照＞單獨(dú)質(zhì)子輻照＞先質(zhì)子后電子輻照＞＞單獨(dú)電子輻照。

2.3 存在的差距與問題

國內(nèi)對CIGS薄膜太陽電池輻照效應(yīng)的研究只是定性的和機(jī)理上的研究，無法作為定量數(shù)據(jù)來預(yù)測CIGS薄膜太陽電池在軌行為。這主要是因?yàn)椋?/p>

(1)國內(nèi)CIGS薄膜太陽電池制備水平較低，電池性能普遍偏低，無法與國外測試結(jié)果相比較。

(2)國內(nèi)輻照效應(yīng)實(shí)驗(yàn)條件簡陋、分析軟件單一、測試手段不足，限制了CIGS薄膜太陽電池輻照效應(yīng)研究的發(fā)展。

(3)國內(nèi)CIGS薄膜太陽電池的制備單位和輻照效應(yīng)實(shí)驗(yàn)單位的聯(lián)系不足，難以展開系統(tǒng)的分析實(shí)驗(yàn)。

目前，CIGS薄膜太陽電池輻照效應(yīng)理論尚不完善，需要進(jìn)行大量的地面模擬研究和空間實(shí)驗(yàn)研究，主要存在的問題有：

(1)CIGS薄膜太陽電池的效率突破較快，從1984年的不足10%提高至如今的超過21%。不同效率的電池性能和穩(wěn)定性存在很大差異，需要實(shí)驗(yàn)再次驗(yàn)證。

(2)CIGS薄膜是復(fù)雜的四元化合物，相同性能的CIGS薄膜太陽電池可能在微觀上存在差異，如Cu含量、Ga含量以及元素的縱向分布，這會(huì)導(dǎo)致其輻照效應(yīng)實(shí)驗(yàn)結(jié)果存在偏差。

(3)CIGS薄膜太陽電池結(jié)構(gòu)不同，例如可選用的緩沖層為CdS、ZnS和In2S3，可選用的窗口層為ZnO∶Al、ZnO∶B和ITO，pn異質(zhì)結(jié)的差異對輻照效應(yīng)結(jié)果影響很大。

(4)CIGS薄膜太陽電池應(yīng)用時(shí)多以內(nèi)級(jí)聯(lián)電池組件的形式，而報(bào)道的輻照效應(yīng)實(shí)驗(yàn)多以單體電池為主，內(nèi)級(jí)聯(lián)電池組件的輻照效應(yīng)有待研究。

3 結(jié)論與展望

CIGS薄膜太陽電池性能優(yōu)異，有卓越的抗輻照能力，是最有空間應(yīng)用前景的新型太陽電池，但其空間輻照效應(yīng)缺乏系統(tǒng)的研究。針對上述問題，今后CIGS薄膜太陽電池輻照效應(yīng)的研究方向應(yīng)為：

(1)在輻照效應(yīng)實(shí)驗(yàn)前，應(yīng)先對CIGS薄膜太陽電池進(jìn)行有目的的篩選，再進(jìn)行地面模擬輻照和空間輻照實(shí)驗(yàn)研究，積累大量的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，分析成分差異對空間輻照效應(yīng)的影響。

(2)對于不同結(jié)構(gòu)的CIGS薄膜太陽電池進(jìn)行對比實(shí)驗(yàn)和理論分析，確定最適合空間應(yīng)用的結(jié)構(gòu)。

(3)實(shí)驗(yàn)研究應(yīng)基于CIGS薄膜太陽電池組件模塊進(jìn)行研究，并結(jié)合其他空間用太陽電池的研究成果，分析其封裝技術(shù)。

[1]王永東，崔容強(qiáng)，徐秀琴.空間太陽電池發(fā)展現(xiàn)狀及展望[J].電源技術(shù)，2001，25：182-185.

[2]JACKSON P,HARISKOS D,WUERZ R,et al.Properties of Cu(In, Ga)Se2solar cells with new record efficiencies up to 21.7%[J].Phys Status Solidi RRL,2014(1)：1-4.

[3]黃本誠，馬有禮.航天器空間環(huán)境試驗(yàn)技術(shù)[M].北京：國防工業(yè)出版社，2002：39.

[4]諾維科夫.空間模型第二卷:空間環(huán)境對航天器材料和設(shè)備的作用[M].莫斯科：莫斯科國立大學(xué)出版社，2007：119.

[5]都亨,葉宗海.低軌道航天器空間環(huán)境手冊[M].北京：國防工業(yè)出版社，1996：9-10.

[6]SIMPSON J A.The cosmic relation:reviewing the present and future[C]//Proceedings of 25th ICRC.Durban,South Africa：ICRC, 1997：4-23.

[7]TADA H Y,CARTER J R,ANSPAUGH B E,et al.Solar Cell Radiation Handbook[M].California：Jet Propulsion Laboratory, 1982：21-24.

[8]JUN J I，XAPSOS M A，MESSENGER S R，et al.Proton nonionizing energy loss(NIEL)for device applications[J].IEEE Transactions on Nuclear Science，2003，50(6)：1924-1928.

[9]YAMAGUCHI M.Radiation resistance of compound semiconductor solar cells[J].J Appl Phys，1995，78：1476.

[10]JASENEK A,RAU U,HAHN T,et al.Defect generation in polycrystalline Cu(In,Ga)Se2by high-energy electron irradiation[J].Appl Phys A,2000,70:677-680.

[11]JASENEK A,RAU U,WEINERT K,et al.Radiation resistance of Cu(In,Ga)Se2solar cells under 1-MeV electron irradiation[J].Thin Solid Films，2001，387：228-230.

[12]JASENEK A,RAU U.Defect generation in Cu(In,Ga)Se2heterojunction solar cells by high-energy electron and proton irradiation [J].Journal of Applied Physics，2001，90：650.

[13]WEINERT K,JASENEK A,RAU U.Consequence of 3-MeV electron irradiation on the photovoltaic output parameters of Cu(In,Ga)Se2solar cells[J].Thin Solid Films,2003,431/432: 453-456.

[14]KAWAKITA S,IMAIZUMI M,SUMITA T,et al.Super radiation tolerance of CIGS solar cells demonstrated inspace by MDS-1 satellite[C]//Proceedings of the 3rd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion.Osaka,Japan：IEEE,2003：693-696.

[15]MORIOKA C,SHIMAZAKI K.First flight demonstration of film-laminated InGaP/GaAs and CIGS thin-film solar cells by JAXA’s small satellite in LEO[J].Prog Photovolt:Res Appl，2011，19：825-833.

[16]HIROSE Y,WARASAWA M.Optical and electrical properties of electron irradiated Cu(In,Ga)Se2solar cells[J].Thin Solid Films，2011，519：7321-7323.

[17]KAWAKITA S,IMAIZUMI M,ISHIZUK S,et al.Influence of electrical performance on Cu-related defects generated by 250 keV electron irradiation in Cu(In,Ga)Se2thin-film solar cells[J].Thin Solid Films，2013，535：353-356.

[18]陳秀娟.CIGS薄膜太陽電池的γ射線輻照特性測試與分析[D].天津：南開大學(xué)，2012.

[19]王昆燁.CIGS薄膜太陽電池電子輻照特征測試與分析[D].天津：南開大學(xué)，2012.

[20]鄧朝文.質(zhì)子輻照下銅銦鎵硒(CIGS)太陽電池性能研究[D].哈爾濱：哈爾濱工業(yè)大學(xué)，2012.

[21]常熠.質(zhì)子和電子綜合輻照下銅銦鎵硒太陽電池行為研究[D].哈爾濱：哈爾濱工業(yè)大學(xué)，2013.

Research status of irradiation effect of Cu(In,Ga)Se2thin film solar cell

The main development direction of space solar cell in the future is high performance,high reliability,light weight,better radiation resistance and low cost.Cu(In,Ga)Se2thin film solar cell has the characteristics of light weight and better radiation resistance,and its highest efficiency has broken through 21%.It is the most promising new generation solar cell for space application.The research status of the irradiation effect of CIGS thin film solar cell was summarized.The main reason of the difference between the irradiation effects of CIGS thin film solar cell was expounded, and the research direction of the irradiation effects of CIGS thin film solar cell in the future was put forward.

Cu(In,Ga)Se2thin film;irradiation damage;space solar cell

TM 914

A

1002-087 X(2016)06-1324-03

2016-01-08

張超(1985—)，男，天津市人，博士，工程師，主要研究方向?yàn)楸∧ぬ栯姵丶夹g(shù)。