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      一種高溫壓力傳感器及其加工方法

      2016-03-27 02:44:01
      傳感器世界 2016年10期
      關(guān)鍵詞:鍵合基片耐高溫

      申請(qǐng)?zhí)? 201510023320.3

      【公開號(hào)】CN104535253A

      【公開日】2015.04.22

      【分類號(hào)】G01L9/06

      【申請(qǐng)日】2015.01.19

      【申請(qǐng)人】北京大學(xué)

      【發(fā)明人】劉冠東;崔萬鵬;高成臣;郝一龍

      【摘 要】公開了一種高溫壓力傳感器及其加工方法,包括硅由敏感膜片、底座、TO管殼。其中敏感膜片采用SOI單晶硅圓片作為基片,在器件層加工電阻及引線互連組成惠斯登電橋,在襯底層進(jìn)行各向異性腐蝕形成對(duì)壓力敏感的膜片結(jié)構(gòu);底座以玻璃片或單晶硅圓片為基片,與敏感膜片進(jìn)行陽極鍵合或硅硅直接鍵合或硅硅介質(zhì)鍵合;以TO型金屬管殼為外殼實(shí)現(xiàn)芯片級(jí)封裝。本發(fā)明用SOI圓片的埋氧層和淀積的二氧化硅/氮化硅鈍化層將硅電阻包裹隔離,消除了高溫時(shí)的漏電流;濺射生長(zhǎng)二硅化鈦/鈦/氮化鈦/鉑/金多層耐高溫歐姆接觸電極結(jié)構(gòu);采用耐高溫鍵合及TO封裝工藝,提高傳感器高溫工作穩(wěn)定性。解決傳統(tǒng)硅基傳感器難以在高溫環(huán)境中長(zhǎng)期工作的問題。

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