以LM5035為核心的高效勵(lì)磁電源的設(shè)計(jì)

王旭東++隋馨++閆美存++李鑫

摘要：為了改進(jìn)傳統(tǒng)勵(lì)磁電源效率低、穩(wěn)定性差等缺點(diǎn)，以LM5035為核心設(shè)計(jì)了一款高效勵(lì)磁電源.給出了基于LM5035的高效勵(lì)磁電源驅(qū)動(dòng)控制電路、保護(hù)電路及反饋電路的設(shè)計(jì)過程，并用MATLAB軟件對(duì)電源進(jìn)行仿真，最后與采用肖特基半橋整流方式的勵(lì)磁電源進(jìn)行了對(duì)比實(shí)驗(yàn).結(jié)果表明：本設(shè)計(jì)中勵(lì)磁電源的傳輸效率明顯高于其他傳統(tǒng)勵(lì)磁電源，且電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，可靠性高，進(jìn)而證明了該款勵(lì)磁電源具有較高的實(shí)用價(jià)值.

關(guān)鍵詞：勵(lì)磁電源；電源驅(qū)動(dòng)控制；LM5035；高效率

DOI：10.15938/j.jhust.2015.05.002

中圖分類號(hào)：TM331

文獻(xiàn)標(biāo)志碼：A

文章編號(hào)：1007-2683（2015）05-0008-06

0 引言

同步電動(dòng)機(jī)的勵(lì)磁電流是同步電動(dòng)機(jī)穩(wěn)定運(yùn)行、實(shí)現(xiàn)功率因數(shù)可調(diào)的決定性因素.傳統(tǒng)的勵(lì)磁系統(tǒng)操作復(fù)雜、工頻變壓器能耗較高，并且不能準(zhǔn)確地控制勵(lì)磁電流.近年來隨著開關(guān)電源中各種性能優(yōu)異的專用集成電路大量涌現(xiàn)，開關(guān)電源的技術(shù)指標(biāo)、性能及質(zhì)量等有了很大的提高.通過對(duì)一些專用集成電路的分析研究發(fā)現(xiàn)，他們的核心控制部分與同步發(fā)電機(jī)勵(lì)磁控制電路的基本原理非常接近，具有很高的利用價(jià)值.在一塊芯片上，集成了多種基本的模擬及邏輯電路，從而簡(jiǎn)化了外圍電路的設(shè)計(jì)，有利于加強(qiáng)和完善勵(lì)磁電源的功能，提高勵(lì)磁系統(tǒng)的性能和質(zhì)量，本文設(shè)計(jì)的勵(lì)磁電源所采用的LM5035，就是一款高度集成的芯片，它將一次側(cè)半橋PWM驅(qū)動(dòng)電路，二次側(cè)同步整流驅(qū)動(dòng)電路，保護(hù)電路等模塊集成到了一起，且驅(qū)動(dòng)頻率最高可以達(dá)到2MHz.其具有更小的體積，更高的效率和可靠性，更為適用于同步電機(jī)勵(lì)磁系統(tǒng)中.

1 基于LM5035的高效勵(lì)磁電源的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

LM5035是美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司出品的一款應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的控制芯片，與其他常用勵(lì)磁電源PWM控制芯片相比，LM5035最大的優(yōu)點(diǎn)就是集成度很高，具有兩路105V/2A的半橋柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)、兩路可編程延遲的同步整流控制輸出，并且工作頻率高，具有電阻可編程的2MHz振蕩器.

LM5035提供了兩個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)輸出和兩個(gè)同步整流驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出，其中，柵極驅(qū)動(dòng)輸出直接驅(qū)動(dòng)原邊功率MOSFET，同步整流驅(qū)動(dòng)信號(hào)電平則通過隔離接口驅(qū)動(dòng)二次側(cè)同步整流器，二次側(cè)驅(qū)動(dòng)器通常用于提供控制同步MOSFET整流所需的柵極驅(qū)動(dòng)電流.與傳統(tǒng)的PN結(jié)或肖特基整流器技術(shù)相比，采用同步整流技術(shù)的勵(lì)磁電源擁有更高的轉(zhuǎn)換效率和更大的功率密度.傳統(tǒng)勵(lì)磁系統(tǒng)的勵(lì)磁電源都是由工頻變壓器將電網(wǎng)電源變壓隔離后，通過可控硅整流橋?qū)⑷嚯娫崔D(zhuǎn)變?yōu)檗D(zhuǎn)子繞組所需的直流電源.但由于可控硅只能控制導(dǎo)通不能控制關(guān)斷，容易發(fā)生上下橋臂同時(shí)導(dǎo)通，給工業(yè)生產(chǎn)造成損害.而且，這種勵(lì)磁電源由六個(gè)可控硅組成，需要六路觸發(fā)脈沖的產(chǎn)生、同步、換相、放大、輸出等一系列附加環(huán)節(jié)，使整套裝置體積增大，結(jié)構(gòu)更加復(fù)雜，可靠性大大降低，用體積小、重量輕、效率高、動(dòng)態(tài)響應(yīng)快、輸出紋波小、控制精度高的高頻開關(guān)電源取代傳統(tǒng)的相控電源，可使勵(lì)磁電源具有以下的優(yōu)點(diǎn)：首先，采用高頻變壓替代工頻變壓器傳輸能量，可以通過提高電源的T作頻率來減小變壓器的體積和重量，并且提高變壓器的功率密度，其中，LM5035的工作頻率最高可以達(dá)到2MHz，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于其他PWM控制芯片；其次，DC-DC變換器可實(shí)現(xiàn)變流裝置一、二次側(cè)之間的電氣隔離，可減少對(duì)電網(wǎng)的諧波污染，降低了對(duì)電網(wǎng)的擾動(dòng).相比于其他芯片控制的勵(lì)磁電源，本文所設(shè)計(jì)的基于LM5035的高效勵(lì)磁電源結(jié)構(gòu)特點(diǎn)如圖1所示.

本文所設(shè)計(jì)的勵(lì)磁電源是一種新型的非接觸式同步電機(jī)勵(lì)磁電源，結(jié)構(gòu)上可分為兩部分，如圖2所示，一部分由控制器、逆變器和磁罐變壓器初級(jí)組成，安裝在同步電機(jī)定子上；另一部分由磁罐變壓器次級(jí)和整流器組成，安裝在同步電機(jī)轉(zhuǎn)子上，圖2中虛線部分是電機(jī)的轉(zhuǎn)子部分，磁罐變壓器的次級(jí)鐵心和整流器與電機(jī)轉(zhuǎn)子鐵心和勵(lì)磁繞組同軸排列，其中整流器的功能是完成交流變換成直流的過程，為了避免該整流電路固定在轉(zhuǎn)軸一側(cè)引起偏心，需要將電路設(shè)計(jì)成圓形對(duì)稱結(jié)構(gòu)，平均放置整流元件，電路板中心掏空，可以令轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)軸通過.磁罐變壓器初級(jí)鐵心安裝在同步電機(jī)定子上，固定在電機(jī)定子端部，并與磁罐變壓器的次級(jí)鐵心相對(duì).控制器和逆變器放置在定子殼體空腔內(nèi)，共用直流母線排列于定子殼體內(nèi)表面.

2 工作原理與電路設(shè)計(jì)

2.1 基于LM5035的高效勵(lì)磁電源的基本原理

基于LM5035的高效勵(lì)磁電源原理圖如圖3所示.一次側(cè)采用的是半橋式拓?fù)潆娐?，其具有抗不平衡能力?qiáng)，功率相對(duì)較大，功率開關(guān)管在關(guān)斷時(shí)承受的電壓較低等優(yōu)點(diǎn).LM5035的HO、LO引腳輸出兩路互補(bǔ)的PWM脈沖驅(qū)動(dòng)，分別控制半橋中兩個(gè)MOSFET Ql和Q2的柵極，使兩個(gè)開關(guān)管交替導(dǎo)通，通過調(diào)節(jié)開關(guān)管的占空比，就能改變變壓器二次側(cè)整流輸出平均電壓，實(shí)現(xiàn)功率轉(zhuǎn)換.由于電容器C₁、C₂的隔直作用，半橋電路可對(duì)由于兩個(gè)開關(guān)管導(dǎo)通時(shí)間不對(duì)稱而造成的變壓器一次電壓的直流分量具有自動(dòng)平衡作用，因此該電路不容易發(fā)生變壓器偏磁和直流磁飽和問題.

芯片的低功耗、高效率是電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的一個(gè)重要指標(biāo)，尤其是在低電壓、大電流電路中.通常用的整流二極管的正向?qū)▔航递^高，快恢復(fù)二極管（FRD）或超快恢復(fù)二極管（SRD）可高達(dá)1.5V，即使采用低壓降的肖特基二極管（SBD），也會(huì)產(chǎn)生至少0.3V的壓降.由于整流二極管的導(dǎo)通壓降較高，在低電壓、大電流輸出的情況下，輸出端整流管的損耗尤為突出，這將嚴(yán)重影響勵(lì)磁電源的效率，損耗產(chǎn)生的熱能還有可能導(dǎo)致勵(lì)磁電源的溫度上升，嚴(yán)重時(shí)甚至致使勵(lì)磁系統(tǒng)運(yùn)行不穩(wěn)定.與傳統(tǒng)的PN結(jié)或肖特基整流器技術(shù)相比，同步整流技術(shù)擁有更高的轉(zhuǎn)換效率和更大的功率密度.但同步整流技術(shù)的核心問題是同步整流管的驅(qū)動(dòng)問題，若采用外部驅(qū)動(dòng)式同步整流會(huì)使勵(lì)磁電源結(jié)構(gòu)變得復(fù)雜，系統(tǒng)性能不穩(wěn)定，且價(jià)格昂貴，而本文采用的PWM控制芯片LM5035因自身集成了同步整流驅(qū)動(dòng)信號(hào)所以能夠避免以上問題.因此本設(shè)計(jì)中二次側(cè)采用了同步整流裝置，用通態(tài)電阻極低的功率MOSFET來取代整流二極管，以降低整流器的損耗，提高變換器的效率，使其更加適合應(yīng)用于低電壓、大電流輸出的車載系統(tǒng)勵(lì)磁電源中.變壓器T.的副邊、SR₁ MOSFET和SR₂MOSFET構(gòu)成同步整流電路，Lf和Cf起濾波作用，由于開關(guān)頻率很高，容值足夠大的電容Cf可以使輸出的直流電壓保持穩(wěn)定，

相比于傳統(tǒng)控制芯片的勵(lì)磁電源電路而言，本設(shè)計(jì)中的勵(lì)磁電源，一次側(cè)方面，省去了外圍電路中的半橋驅(qū)動(dòng)電路；二次側(cè)方面，采用了可以提高效率的同步整流，可省去同步整流控制電路及驅(qū)動(dòng)電路.因LM5035本身獨(dú)有的優(yōu)點(diǎn)，使勵(lì)磁電源具有更高的集成度和傳輸效率，工作可靠性也隨之提高.

2.2 勵(lì)磁電源的控制電路與保護(hù)電路

LM5035中的軟啟動(dòng)電路允許穩(wěn)壓器逐步達(dá)到穩(wěn)態(tài)工作點(diǎn)，從而降低啟動(dòng)應(yīng)力和浪涌電流.晶振頻率由一個(gè)接在RT腳與AGND間的外部電阻決定，其振蕩器的頻率為輸出引腳（HO、LO、SR₁和SR₂引腳）頻率的2倍.RT腳外接電阻器的值可由式（1）確定：

2.2.1 開關(guān)管柵極驅(qū)動(dòng)輸出設(shè)計(jì)

LM5035提供了兩個(gè)交替互補(bǔ)的柵極驅(qū)動(dòng)輸出，浮動(dòng)高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)HO和參考地低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)LO.每個(gè)驅(qū)動(dòng)可承受的最大拉電流為1.25A，灌電流為2A.柵極驅(qū)動(dòng)LO直接由VCC腳供電，柵極驅(qū)動(dòng)HO則由HB腳和HS腳之間的自舉電容供電.VCC腳與HB腳之間外接一個(gè)二極管（陽(yáng)極接VCC腳，陰極接HB腳），當(dāng)開關(guān)節(jié)點(diǎn)HS為低電平時(shí)，VCC腳通過該二極管為自舉電容充電，當(dāng)高壓側(cè)MOSFET導(dǎo)通時(shí)，HB腳的電壓值為峰值電壓Vcc+VHS.HB腳和HS腳之間的自舉電容至少為0.01μF.

由于LM5035內(nèi)部存在70ns的固定死區(qū)時(shí)間，每一個(gè)輸出引腳的最大占空比都被限制在稍微小于50%的區(qū)間內(nèi).COMP引腳為開路時(shí)，輸出的波形的占空比最大.每一個(gè)輸出的最大占空比都可以由式（2）來確定：

其中，T_s是H0或L0的一個(gè)完整工作周期，T_D是內(nèi)部固定死區(qū)時(shí)間.

2.2.2 同步整流控制輸出設(shè)計(jì)

變壓器二次側(cè)采用同步整流技術(shù)可提供更高的傳輸效率，尤其是對(duì)低輸出電壓的變換器而言.同步整流MOSFET使整流器正向壓降從0.5～1.5V降到10～200mV，從而降低了整流損失.與二極管整流不同，MOS管具有雙向?qū)ǖ奶匦裕虼丝赡艽嬖陂_關(guān)元件的切換反應(yīng)不及時(shí)而造成的短路，所以一定要在同步整流驅(qū)動(dòng)信號(hào)之間設(shè)定死區(qū)時(shí)間，死區(qū)時(shí)間的設(shè)置應(yīng)當(dāng)適中，若死區(qū)時(shí)間設(shè)置太長(zhǎng)，在續(xù)流期間的較長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)電流將流過同步整流管的體二極管，從而引起較大損耗；若死區(qū)時(shí)間設(shè)置太短，可能出現(xiàn)直通，有可能損壞開關(guān)器件，所以在設(shè)置死區(qū)時(shí)間的時(shí)候應(yīng)該采用較為精確的控制，就可以減少損耗，提高電源的效率.LM5035中的SR₁引腳和SR2引腳為同步整流驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出引腳，可控制同步MOSFET（SR MOSFET）的門極輸出，最大能夠提供0.5A的驅(qū)動(dòng)電流.

在設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，最重要的是要考慮同步整流管SR， MOSFET和SR，MOSFET之間的時(shí)序配合問題.HO，LO，SR₁和SR₂的時(shí)序圖如圖4所示.本設(shè)計(jì)中變壓器二次側(cè)繞組的中心抽頭與輸出功率電感串聯(lián)，當(dāng)HO腳輸出為高，即變壓器原邊儲(chǔ)能時(shí)，SR₂ MOSFET為導(dǎo)通狀態(tài)，與此同時(shí)，SR₁MOSFET必須是關(guān)斷的.當(dāng)HO由高降為低后，電感中的電流仍然通過SR₁ MOSFET的體二極管進(jìn)行續(xù)流，但其體內(nèi)二極管的正向?qū)▔航岛头聪蚧謴?fù)時(shí)間都比SBD大得多，一旦電流流過SR的體二極管，整流損耗將明顯增加.因此，為了減少寄生二極管產(chǎn)生的附加損耗，在運(yùn)行過程中，可以通過最小化死區(qū)時(shí)間T₂，即使負(fù)載電流流過SR的體二極管時(shí)間盡量短來提高效率，但同時(shí)也要保證T₂有足夠長(zhǎng)的死區(qū)時(shí)間可用來防止擊穿電流，同理，當(dāng)LO為高時(shí)，SR₁ MOSFET為導(dǎo)通狀態(tài)，SR₂ MOSFET為關(guān)斷狀態(tài).死區(qū)時(shí)間T₁是為了保證SR₂ MOSFET可靠關(guān)斷后，其體二極管再導(dǎo)通.死區(qū)時(shí)間T₂是為了保證體二極管可靠關(guān)斷后，SR₂ MOSFET再導(dǎo)通.SR₁和SR₂輸出由VCC直接供電，每路輸出的允許的灌電流和拉電流均為0.5A.

通常，SR₁和SR₂的信號(hào)需通過一個(gè)脈沖變壓器隔離后控制同步整流MOSFET.柵極的實(shí)際灌電流和拉電流是由副邊偏置電源和柵極驅(qū)動(dòng)器提供的，死區(qū)時(shí)間可由式（3）和（4）得到：

其中，T₁為SR，，SR₂下降沿到HO，LO上升沿的死區(qū)時(shí)間，T₂為HO，LO下降沿到SR₁，SR₂上升沿的死區(qū)時(shí)間，R_DLY為DLY腳與AGND腳間電阻.

2.3 反饋電路設(shè)計(jì)

為了提高勵(lì)磁電源系統(tǒng)工作的穩(wěn)定性，實(shí)現(xiàn)控制電路的安全工作，避免將輸出電路的噪聲引入控制回路，對(duì)勵(lì)磁電源的輸出進(jìn)行采樣反饋和電氣隔離是必須的.本文中的高效勵(lì)磁電源采用TLA31配合光耦PC817A的電路來實(shí)現(xiàn)輸出電壓反饋和電氣隔離.

PC817的發(fā)射極輸出的電流被引入到LM5035的COMP腳所接的內(nèi)部NPN電流鏡像源.PWM波的占空比在零電流輸入的時(shí)候?yàn)樽畲?，?dāng)輸入電流為1mA時(shí)，占空比為0.當(dāng)輸出電壓升高時(shí)，流人COMP腳的電流變大，輸出占空比就會(huì)減小，使輸出電壓降低；當(dāng)輸出電壓低降低時(shí)，流入COMP腳的電流變小，輸出占空比就會(huì)增大，使輸出電壓升高.采用隔離反饋后可使輸出電壓穩(wěn)定在所需值.

3 基于LM5035的高效勵(lì)磁電源功率損耗分析

基于LM5035的高效勵(lì)磁電源的功率損耗主要來源于功率器件MOSFET，而功率開關(guān)管在工作工程中的損耗由導(dǎo)通損耗、開關(guān)損耗、驅(qū)動(dòng)損耗及與時(shí)序有關(guān)的損耗四部分組成.MOSFET的等效模型如圖5所示，其中C_gs為柵極和源極之間的寄生電容，C_gd為柵極和漏極之間的寄生電容，C_ds為漏極和源極之間的寄生電容，R_g為柵極電阻，R_cha為C_gd與并聯(lián)的寄生電阻，R_d為R_cha與漏極之間的寄生電阻，R_d和R_cha之和為溝道導(dǎo)通電阻R_ds（on），它與柵源電壓的大小有關(guān).

3.1 導(dǎo)通損耗

導(dǎo)通損耗是指當(dāng)功率開關(guān)管已經(jīng)開通，同時(shí)開關(guān)和驅(qū)動(dòng)波形穩(wěn)定以后的導(dǎo)通狀態(tài)的損耗，其大小由導(dǎo)通電阻和整流器的輸出電流共同決定，同步整流功率器件的導(dǎo)通損耗如式（5）所示，體二極管的導(dǎo)通損耗如式（6）所示，其中，f_s表示變換器T作的頻率，為通過MOSFET的漏極電流有效值，a為開關(guān)管驅(qū)動(dòng)信號(hào)的占空比.

3.2開關(guān)損耗

MOSFET典型的開通和關(guān)斷過程如圖6所示.其中，u_p為脈沖電壓，UT為MOSFET開啟電壓，u_GS為柵極電壓，u_ds為漏源極之間電壓，i_d為漏極電流.開關(guān)損耗出現(xiàn)在功率管在開通和關(guān)斷的過渡過程中，由于漏極和源極上的電流和電壓同時(shí)變化引起相互交疊，作用到開關(guān)管內(nèi)部的計(jì)生原件上而形成的損耗.開通損耗和關(guān)斷損耗如式（7）和式（8）所示.

3.3 驅(qū)動(dòng)損耗

功率管柵極驅(qū)動(dòng)損耗為功率管柵電容以及源極、漏極寄生電容充放電引起的損耗.當(dāng)開關(guān)頻率低于500 kHz時(shí)，可以忽略柵極驅(qū)動(dòng)損耗.但當(dāng)MOSFET驅(qū)動(dòng)頻率很高時(shí)，則不能忽略柵極驅(qū)動(dòng)損耗.功率管柵極驅(qū)動(dòng)損耗與負(fù)載電流無關(guān)，主要由變換器工作頻率決定.MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)損耗式（9）所示.

3.4 和時(shí)序有關(guān)的損耗

功率管的時(shí)序有關(guān)的損耗分為3種情況，它們均和負(fù)載電流無關(guān)：

1）短路損耗.這種損耗產(chǎn)生在無死區(qū)時(shí)間的情況下.在功率管開關(guān)狀態(tài)轉(zhuǎn)換期間，為了保證兩個(gè)功率管不同時(shí)導(dǎo)通，必須設(shè)置恰當(dāng)?shù)乃绤^(qū)時(shí)間，否則將會(huì)導(dǎo)致電源和地之間的短路，造成很大的短路損耗.

2）體二極管導(dǎo)通損耗.當(dāng)死區(qū)時(shí)間過長(zhǎng)時(shí)，為了維持電感中的電流，體二極管將會(huì)導(dǎo)通續(xù)流.尤其是在低壓系統(tǒng)中，體二極管的正向?qū)▔航邓a(chǎn)生的導(dǎo)通損耗是不可忽視的.

3）電容開關(guān)損耗.當(dāng)死區(qū)時(shí)間過短時(shí)，在每個(gè)周期內(nèi)，開關(guān)管導(dǎo)通都會(huì)將寄生電容的容性開通損.

4 仿真與實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析

本文所設(shè)計(jì)的基于LM5035的高效勵(lì)磁電源各個(gè)參數(shù)指標(biāo)如下所示：輸入電壓12V，輸出電壓12V，輸出勵(lì)磁電流8.3A，工作頻率10 kHz.根據(jù)以上設(shè)計(jì)要求，則所需晶振頻率為20kHz，電阻RT=33kΩ，此頻率下的最大占空比為49.3%.反饋電路中R₁=45k，R₂=12k.過壓、欠壓保護(hù)電阻R₃=50k，R₄=3k，R₅=5k，UVLO_（off）=9V，UVLO_on=10.4，OVP_off=14.5V，OVP_（on）=13.3V.額定電流為8.3A，設(shè)過流臨界值為12A，則采樣電阻為0.02Ω.變壓器變比為6/5.

本文所設(shè)計(jì)的基于LM5035的勵(lì)磁電源中同步整流器件的型號(hào)為AUIRFR3710，與之進(jìn)行對(duì)比試驗(yàn)的基于其他芯片的勵(lì)磁電源中選用的是MBR3060CT肖特基二極管作為整流器件，兩種器件的正向?qū)▔航登€如圖7所示，仿真波形分別如圖8、9所示.

本文對(duì)基于LM5035的勵(lì)磁電源和基于其他芯片的勵(lì)磁電源分別進(jìn)行了仿真，不同控制芯片的勵(lì)磁電源效率隨負(fù)載電流的變化情況如圖10所示.

圖10不同整流方式下勵(lì)磁電源負(fù)載一效率曲線

由仿真數(shù)據(jù)可知，當(dāng)輸出為100W時(shí)，采用同步整流方式的勵(lì)磁電源能量傳輸效率比采用肖特基整流時(shí)提高了8.5%（87.2%-78.7%）.

理論上，由式（12）可得，采用肖特基整流管時(shí)管壓降所導(dǎo)致的損耗PMBR為5.8W；由式（13）可得，采用同步整流時(shí)的管壓降所引起的功率損耗P_MOSFET僅為2.4W.

相同參數(shù)下的實(shí)際試驗(yàn)中，不同整流方式的實(shí)測(cè)對(duì)比數(shù)據(jù)如表所示，

由表1可知，采用同步整流技術(shù)后的勵(lì)磁電源傳輸功率比肖特基整流時(shí)提高8.46%.

經(jīng)實(shí)驗(yàn)檢測(cè)，額定負(fù)載下，基于LM5035的高頻半橋式高效勵(lì)磁電源的輸出紋波為40mV，電壓調(diào)整率為0.1%，負(fù)載調(diào)整率為1%.

5 結(jié) 語(yǔ)

本文設(shè)計(jì)是以高集成度的LM5035為PWM控制芯片的高效勵(lì)磁電源，因其集成了勵(lì)磁電源驅(qū)動(dòng)電路和同步整流驅(qū)動(dòng)電路，且工作頻率高達(dá)2MHz，所以使本文所設(shè)計(jì)的高效勵(lì)磁電源具有體積小，效率高和可靠性高等優(yōu)點(diǎn).本文所設(shè)計(jì)的勵(lì)磁電源為半橋式開關(guān)電源，二次側(cè)為同步整流，且設(shè)有反饋電路，保護(hù)電路.經(jīng)對(duì)比實(shí)驗(yàn)證明，本設(shè)計(jì)中的高頻高效勵(lì)磁電源能量傳輸效率明顯高于其他傳統(tǒng)PWM芯片控制的勵(lì)磁電源，且輸出電壓穩(wěn)定，電壓調(diào)整率及負(fù)載調(diào)整率低，可見LM5035的性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于其他傳統(tǒng)PWM控制芯片，進(jìn)而證明了該勵(lì)磁電源具有較高的實(shí)用價(jià)值.