劉雪飛 ,馬鐵華 ,王俊峰 ,尤文斌 ,崔 敏
(1.中北大學(xué) 電子測(cè)試技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,太原030051;2.中北大學(xué) 儀器科學(xué)與動(dòng)態(tài)測(cè)試教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,太原030051)
隨著航天科技的發(fā)展及未來戰(zhàn)爭(zhēng)精確打擊的需求,能夠準(zhǔn)確測(cè)試動(dòng)爆沖擊波的各項(xiàng)性能參數(shù)是衡量評(píng)估導(dǎo)彈戰(zhàn)斗部毀傷效應(yīng)的重要依據(jù)[1-2]。傳統(tǒng)動(dòng)爆沖擊波記錄儀多以微處理器 (單片機(jī)、ARM或DSP)為主控制器,或以微處理器與FPGA/CPLD相結(jié)合的方式[3-5]。上述硬CPU+FPGA的設(shè)計(jì)方案,設(shè)計(jì)者不僅要在微處理器的選型及與FPGA/CPLD相互匹配的過程中花費(fèi)時(shí)間,且當(dāng)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案改變時(shí),需再選器件及重新設(shè)計(jì)PCB板。
針對(duì)上述問題,提出了一種基于Nios II的動(dòng)爆沖擊波記錄儀設(shè)計(jì)方案。該方案以SOPC技術(shù)為基礎(chǔ),將整個(gè)控制系統(tǒng)構(gòu)建在單片F(xiàn)PGA(field programmable gate array)上,具有體積小、開發(fā)周期短、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)。
動(dòng)爆沖擊波記錄儀結(jié)構(gòu)組成如圖1所示,包括中心邏輯控制電路、數(shù)據(jù)采集接口電路、Flash存儲(chǔ)模塊、時(shí)鐘、配置電路、讀數(shù)接口、電源管理模塊。Nios II軟核處理器為記錄儀核心控制器,控制與協(xié)調(diào)整個(gè)測(cè)試系統(tǒng)中各部分的協(xié)作與運(yùn)行。
圖1 記錄儀系統(tǒng)框圖Fig.1 Block diagram of recorder system
在FPGA內(nèi)用硬件描述語(yǔ)言VHDL設(shè)計(jì)AD邏輯控制、數(shù)據(jù)編碼等功能。使用Quartus II工具的Megawizard Plug_In Manager設(shè)置相應(yīng)的參數(shù),構(gòu)建4 KB的內(nèi)部 FIFO來緩存數(shù)字量,并采取半滿即讀的方式,即FIFO中存儲(chǔ)2 KB數(shù)據(jù)時(shí),給出半滿標(biāo)志 HF。使用嵌入在Quartus II工具中的 SOPC Builder系統(tǒng)集成工具,從IP組件中定義和建立Nios II嵌入式系統(tǒng)。
為了前置單元能可靠記錄被測(cè)信號(hào),不對(duì)其它設(shè)備產(chǎn)生干擾,在模擬信號(hào)輸入電路中加有過電壓保護(hù)網(wǎng)絡(luò),保證在有效地記錄被測(cè)信號(hào)的前提下不對(duì)被測(cè)信號(hào)造成任何干擾。調(diào)理電路如圖2所示。
圖2 信號(hào)調(diào)理電路Fig.2 Circuit of signal conditioning
測(cè)量系統(tǒng)控制記錄儀的啟動(dòng)存儲(chǔ)信號(hào)為一高電平有效28 V電平信號(hào),存儲(chǔ)器收到信號(hào)后,順序執(zhí)行“擦除”和“開始記錄”2個(gè)動(dòng)作,接口電路如圖3所示。
圖3 啟動(dòng)存儲(chǔ)接口電路Fig.3 Interface circuit of launch memory
存儲(chǔ)介質(zhì)選用三星公司的K9WAG08UlA存儲(chǔ)芯片。每片閃存有16384塊,每塊有64頁(yè),每頁(yè)有2048 B寫入?yún)^(qū)和64 B備用區(qū),其典型編程周期為200 μs,典型擦除周期為1.5 ms。有效期內(nèi)無效塊≤320個(gè)。頁(yè)是K9WAG08UlA存儲(chǔ)芯片讀寫操作的基本單位[6]。
SOPC是一種靈活、高效的嵌入式系統(tǒng)硬件解決方案,是以 Nios II軟核處理器為核心[7]。將Nios II軟核處理器和功能模塊集成到同一個(gè)現(xiàn)場(chǎng)可編程邏輯陣列FPGA上,構(gòu)成一個(gè)可編程的片上系統(tǒng),減少芯片使用數(shù)量,減小了電路板尺寸,提高了系統(tǒng)穩(wěn)定性。
加入Nios II處理器時(shí),設(shè)置進(jìn)入Nios系統(tǒng)模塊的時(shí)鐘頻率為50 MHz,Nios II處理器核的設(shè)置頁(yè)面如圖4所示。
Nios II嵌入式系統(tǒng)包含Nios II微處理器內(nèi)核、JTAG 調(diào)試模塊 jtag-uart、RAM IP 核、EPCS 控制器epcs_flash_controller、存儲(chǔ)Flash接口、串行通信接口組件UART、并行輸入/輸出口(PIO)等。
圖4 Nios II處理器核的設(shè)置頁(yè)面Fig.4 Setting page of the II Nios processor core
軟件系統(tǒng)主要完成數(shù)據(jù)采集和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)命令的發(fā)送和控制。Nios II嵌入式系統(tǒng)的所有軟件開發(fā)任務(wù)都是在Nios II集成開發(fā)環(huán)境(IDE)下完成的,并通過JTAG下載線下載到FPGA中運(yùn)行。系統(tǒng)流程如圖5所示。
圖5 軟核主程序流程Fig.5 Soft flow chart of main program
當(dāng)系統(tǒng)上電或復(fù)位時(shí),系統(tǒng)從串行配置器件EPCS16中讀出用戶數(shù)據(jù),快速配置FPGA,將應(yīng)用軟件調(diào)到Nios II處理器上運(yùn)行。Nios II軟核處理器開始檢測(cè)觸發(fā)信號(hào)QD并判斷,判斷無誤后對(duì)FLASH進(jìn)行擦除操作,擦除結(jié)束后FPGA內(nèi)部A/D控制模塊提供A/D工作的時(shí)鐘,同時(shí)Nios II軟核處理器配置FLASH寫數(shù)據(jù)的地址。配置完地址后發(fā)送寫命令給FLASH芯片,向存儲(chǔ)器FLASH寫入數(shù)據(jù)。當(dāng)數(shù)據(jù)記錄完畢或閃存存滿后,整個(gè)記錄系統(tǒng)就退出數(shù)據(jù)采集,進(jìn)入休眠狀態(tài)。
采用C語(yǔ)言在Nios II IDE開發(fā)工具中實(shí)現(xiàn)控制數(shù)據(jù)讀寫和發(fā)送控制指令功能。
通過在Nios II系統(tǒng)中集成通用的UART內(nèi)核,以RS-232協(xié)議的形式與外界進(jìn)行命令傳輸。通過USB讀取FLASH存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)到上位機(jī),并通過VB編寫的上位機(jī)軟件顯示給用戶。
為了確保系統(tǒng)具備高精度、高可靠性的功能,在實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用激波管進(jìn)行系統(tǒng)校準(zhǔn)。以激波管產(chǎn)生馬赫數(shù)為1.2~1.3之間的激波作為激勵(lì)源,共進(jìn)行了3次試驗(yàn),試驗(yàn)所得校準(zhǔn)參數(shù)如表1所示,表中T為低壓室氣體溫度,單位為K;P1為低壓室氣體初始?jí)毫χ?,單位為MPa;P2為激波管高壓室的壓力值,為被校準(zhǔn)系統(tǒng)實(shí)測(cè)壓力值,單位為MPa。
表1 校準(zhǔn)參數(shù)表Tab.1 Calibration parameter list
激波速度v:
式中:s為兩傳感器之間的中心距離,這里為460 mm;Δt為兩傳感器上升沿時(shí)間差,單位為ms。
馬赫數(shù)Ma:
激波反射超壓值Δp:
高壓室氣體壓力值P2:
典型測(cè)試曲線如圖6所示。
圖6 典型測(cè)試曲線Fig.6 Typical test curve
由表1和圖6可以看出系統(tǒng)校準(zhǔn)試驗(yàn)中系統(tǒng)誤差均小于5%,證明了該測(cè)試系統(tǒng)具有一定可靠性,可以應(yīng)用于實(shí)際沖擊波超壓測(cè)試試驗(yàn)。
本文提出了基于Nios II的動(dòng)爆沖擊波記錄儀,為相關(guān)器件工作狀態(tài)的特性測(cè)試與理論校驗(yàn)提供了詳細(xì)、精確、高可靠性的原始數(shù)據(jù)。比較于傳統(tǒng)動(dòng)爆沖擊波記錄儀設(shè)計(jì)的方案,基于Nios II來設(shè)計(jì)更加適合,不僅能解決記錄儀小型化的問題,大大降低了設(shè)計(jì)復(fù)雜度,減少了開發(fā)周期,而且系統(tǒng)的升級(jí)十分方便。該設(shè)計(jì)為動(dòng)爆沖擊波數(shù)據(jù)的采集存儲(chǔ)提供了一種全新的實(shí)現(xiàn)手段,且具有很高的實(shí)用價(jià)值。
[1]田壯,杜紅棉,祖靜,等.戰(zhàn)斗部動(dòng)爆沖擊波存儲(chǔ)測(cè)試方法研究[J].彈箭與制導(dǎo)學(xué)報(bào),2013,33(3):66-69.
[2]劉建偉,裴東興,尤文斌,等.回收式固態(tài)彈載記錄儀抗高沖擊設(shè)計(jì)[J].傳感技術(shù)學(xué)報(bào),2012,25(8):1045-1048.
[3]丁永紅,尤文斌,馬鐵華.艦用動(dòng)爆沖擊波記錄系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與應(yīng)用[J].爆炸與沖擊,2013,33(2):194-199.
[4]張嬌婷,張穎龍,朱怡,等.基于ARM+FPGA的通用導(dǎo)彈彈載記錄儀的設(shè)計(jì)[J].彈箭與制導(dǎo)學(xué)報(bào),2014,34(2):38-41.
[5]劉書文,駱英.基于NiosⅡ的超聲相控陣數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)[J].儀表技術(shù)與傳感器,2014(6):72-75.
[6]盛江坤,邱孟通,姚志斌,等.NAND型Flash存儲(chǔ)器總劑量效應(yīng)實(shí)驗(yàn)研究[J].原子能科學(xué)技術(shù),2014(8):1502-1507.
[7]黃海波,蔣偉榮,劉勇,等.基于SOPC的智能車輛道路識(shí)別與跟蹤[J].儀器儀表學(xué)報(bào),2012,33(2):321-326.