半導體集成電路可靠性測試及數(shù)據(jù)處理方法

雷鳳霞（潞安職業(yè)技術(shù)學院，山西長治046204）

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半導體集成電路可靠性測試及數(shù)據(jù)處理方法

雷鳳霞
（潞安職業(yè)技術(shù)學院，山西長治046204）

摘要：可靠性是分析產(chǎn)品使用年限的一門全新學科，可以明確地反映出產(chǎn)品質(zhì)量。隨著全新的材料以及工藝的運用，半導體集成電路的線寬開始降低，集成度也不斷提升，其對于集成電路可靠性也提出了更加嚴格的要求。近些年來，我國的集成電路制造產(chǎn)業(yè)開始得到快速的發(fā)展，這也為國內(nèi)集成電路可靠性的研究創(chuàng)造了較好的條件。文章主要分析了半導體集成電路的晶圓級可靠性測試以及相關(guān)的數(shù)據(jù)處理手段。

關(guān)鍵詞：半導體集成電路；可靠性測試；數(shù)據(jù)處理方法

隨著半導體集成電路制造技術(shù)的快速進步和發(fā)展，以硅基單片數(shù)字為標志的超大規(guī)模集成電路體積不斷縮減，電路結(jié)構(gòu)以及制造工藝愈加繁雜。其可靠性受到工藝誤差以及相關(guān)因素的影響也開始加重。因此為了確保集成電路工藝可靠性，并有效減少產(chǎn)品可靠性評價成本以及相關(guān)費用，愈來愈多的半導體集成電路廠商開始進行晶圓級的可靠性測試。

可靠性工程必須運用當前的現(xiàn)代科學技術(shù)，對產(chǎn)品功能進行系統(tǒng)考量，運用專門性的技術(shù)手段，降低產(chǎn)品故障率，最終確保系統(tǒng)運行良好。在集成電路的晶圓級可靠性測試中，使用非常普遍的測試類別主要是熱載流注入測試、電遷移測試等等其他一些相關(guān)的測試項目。

一、熱載流子注入測試以及數(shù)據(jù)處理方法

熱載流子注入測試是半導體集成電路晶圓級可靠性測試中十分重要的一項目。其實際能量和費米能級相比較，大約超出幾個kT以上的熱載流子。在集成電路器件中，載流子在遺漏的源電壓條件下到達漏電極限，這其中的原因就是漏端周圍存在較高的電場強度區(qū)域，一旦載流子進入這個區(qū)域，便能夠讓這些高革的作用[J].中國新技術(shù)新產(chǎn)品，2011（17）：234.

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編輯鄭晶

圖1　DS18B20初始化及讀寫控制時序

JEDEC國際標準的JESD28以及JESD60依次規(guī)定集成電路器件熱載流子的測試過程以及整個的數(shù)據(jù)處理手段。以NMOS器件為范例如圖1，圖2所示。一般電性參數(shù)會按照時間的變化量同時演變?yōu)閮绾瘮?shù)關(guān)系，也就是：Y（f）＝Ctn，其中Y（t）為電性參數(shù)隨時間的相對變化量：Y（t）=P（t）-P（0），其中P（0）是電性P（0）參數(shù)的原始數(shù)據(jù)，P（t）是電性的參數(shù)值在t時刻的素質(zhì)。另外電性參數(shù)記錄時間間隔常常選取數(shù)字表示，例如10s，30s，還有60s。

圖2　HCI生存周期結(jié)果圖

根據(jù)熱載流子測試得出的數(shù)據(jù)處理結(jié)果和方法，在JESD28-1中重點介紹了NMOS器件所產(chǎn)生的熱載流子測試數(shù)據(jù)的研究手段：1n Y（f）＝1nC+n1nt，根據(jù)數(shù)學公式中的最小二乘法對得出的數(shù)據(jù)進行線性擬合之后，C與n這兩個參數(shù)的數(shù)值就可以很好地算出來。一般的熱載流子實驗結(jié)果中數(shù)據(jù)的后期整理經(jīng)常是根據(jù)原設(shè)定的參數(shù)C以及n的數(shù)值進行進一步的電性參數(shù)相對變化量Ytar的計算，讓其達到某些預(yù)先設(shè)定的數(shù)值Ytar以及它所需的時間ttar。

試驗中，不同的樣品的ttarr往往會不斷地用來預(yù)先判斷熱載流子測試的使用周期和最大壽命。在大多數(shù)情況下使用普遍的熱載流子測試的壽命模型如下："首先是襯底-漏電流比例模型：這當中的H，m可以看作是擬合線性參數(shù)，Isub是襯底電流，Id是漏電流的含義，W則是MOS的柵寬度。漏源性的電壓加速物理模型詳細的公式是中的t0、B可以作為模擬擬合的參數(shù)，Vds是漏源電壓的含義。漏源電壓的加速物理模型是利用不同條件下所要測量樣品的ttar和Vds數(shù)值獲取的擬合性參數(shù)to和B，在次基礎(chǔ)上得到了正常合適物理條件和因素影響下熱載流子的壽命。襯底一漏電流比例物理模型則是利用品的ttar和Isub等得到了擬合參數(shù)H、m，從而也得到了合適環(huán)境和條件下熱載流子測試的壽命；最后的物理模型是襯底電流模型，具體的公式如圖，其中C、b為擬合參數(shù)，Isub為襯底電流，w則為MOS中的柵寬度。襯底電流物理模型是在不同測試環(huán)境和條件下不同樣品的tta，ISub數(shù)值得到的擬合參數(shù)C和b，最后得到了在正常環(huán)境條件下熱載流子測試的壽命[1]。

二、柵氧化層測試以及數(shù)據(jù)處理方法

柵氧化層對于集成電路的制造而言可謂是很關(guān)鍵。柵氧化層的厚度會隨著集成電路規(guī)模而擴大，以及器件體積的減小而不斷減小。由于柵氧化層的作用很重要，所以柵氧化層可靠性問題也是極為矚目的，其中較為引人注意也是較為常見的問題是柵氧化層的缺陷密度以及介質(zhì)穿擊問題。柵氧化層的可靠性測試主要是在同一時間內(nèi)有聯(lián)系介質(zhì)的穿擊測試和斜坡電壓測試。其中，斜坡電壓測試是指在柵極的上面加線性斜坡電壓，一直到該電壓將氧化層擊穿為止。斜坡電流測試和斜坡電壓的測試略有區(qū)別，是把一定指數(shù)的斜坡電流加在柵極之上，直到能夠擊穿氧化層為止。斜坡電業(yè)測試和斜坡電流測試均是為了測量出柵氧化層缺陷密度的。例如，在斜坡電壓測試當中，一般情況下，是將斜坡電壓測試規(guī)定在一定的電壓標準之內(nèi)，如果出現(xiàn)測試樣本被擊穿時的電壓小于事先設(shè)定的電壓標準的情況，就能夠認定這是由于氧化層中有一定的缺陷導致的，并能夠進一步認定該柵氧化層是沒有效果的。如果依照JESD35中的標準而言，缺陷密度用基于Poisson分布的成品率公式來得到：Y=e-DoA，其中，Y表示成品率，這也可以認為是（有效樣品數(shù))/(總測試樣品數(shù))而A則代表受測樣品的面積，Do代表所需計算出來的缺陷密度。在利用斜坡電流和斜坡電壓對成品經(jīng)過大量的測試后，應(yīng)當算出Y的數(shù)值（成品率），并進一步利用A的數(shù)值（測試樣品面積）得出Do(缺陷密度值）。一旦Do的數(shù)值越過了設(shè)置標準，這種情況下的測試就是失敗的。

另外，則是介質(zhì)擊穿的實驗。這個實驗是指時間相關(guān)介質(zhì)擊穿。介質(zhì)擊穿測試如下：首先在柵極加以小于柵氧化層的本征擊穿場強，這并不能造成本征擊穿，可由于施加電應(yīng)力的過程當中氧化層出現(xiàn)了一定的缺陷，這種情況下，經(jīng)過一段時間以后就會出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象了。相同時間下相關(guān)柵氧介質(zhì)的擊穿被看作是限制集成電路可靠性評定的重要因素，一般情況下?lián)舸┈F(xiàn)象是氧化硅當?shù)碾妶龀^限制，電流過高，才造成的電荷累積反應(yīng)?，F(xiàn)階段，把整個氧化層被擊穿的過程分為兩個主要階段，他們分別是構(gòu)建磨損階段和擊穿階段。其中，構(gòu)建磨損階段當中，二氧化硅的界面存在于電應(yīng)力的運作之下，其中的缺陷就會不斷累積。當累積數(shù)值達到一定量時，某些部分的缺陷數(shù)就會到達一定的臨界值，并由量變產(chǎn)生質(zhì)變，一舉進入擊穿階段。當進入擊穿階段之后，電、熱的雙重作用之下，就會迅速的將氧化層擊穿。因此，構(gòu)建磨損階段持續(xù)時間的長短決定了柵氧介質(zhì)擊破測試的年限。

三、電遷移測試以及處理方法

金屬相互連線的電遷移情況通常都是按照集成規(guī)模的擴展速度不斷變化，其集成器件的體積不斷縮減，戶連線電流密度不斷提高，在電遷移的測試逐步開始占據(jù)了非常關(guān)鍵的地位。在物理現(xiàn)象中集成電路中的電遷移現(xiàn)象詳細的表達方式就是，集成電路的不同器件在實際生產(chǎn)和實驗的過程中，金屬之間的互連線中有的電流通過，其中金屬陽離子會根據(jù)導體的質(zhì)量的進行電子的傳輸，這可以使得導體的某些空間出現(xiàn)空洞現(xiàn)象和小丘等不同的物理現(xiàn)象。集成電路中的的電遷移現(xiàn)象在實際中大多數(shù)都是在“強電子風”的影響和作用下進行的，當電子從負極流向電源的正極的時候，會受到一定的能量碰撞，其中的金屬陽離子可以先正極不斷的移動，而負極則產(chǎn)生一些空的穴位，在這個過程中不斷地進行增加和積累，可以讓金屬形成短路，同時由于正極的金屬離子的累積作用而使得出現(xiàn)晶須現(xiàn)象，而且有非常大的概率使得周邊的金屬線發(fā)生短路的現(xiàn)象[3]。

往往在電遷移的實驗和測試中我們常常讓樣品在不同的壓力和溫度條件下進行恒定的加速的物理測試實驗。這往往是加速過程中應(yīng)力測試不應(yīng)當更改器件的失效的機理，正常水平下不同應(yīng)力條件下Lognormal的分布以及對數(shù)標準差是往往是相等的。有了不同的應(yīng)力條件下不同的樣品的使用年限數(shù)據(jù)，再根據(jù)Lognormal分布的估算方法和標準就可以得到同應(yīng)力下的中位壽命，進而利用加速運動的物理模型就可以得到在正常情況下電遷移壽命分布的實際情況，然后得到不同的累積失效率情況下使用壽命的初步判斷[4]。

總而言之，本文主要分析了半導體集成電路的晶圓級可靠性測試以及相關(guān)的數(shù)據(jù)處理手段，以期能夠更加促進半導體集成電路的技術(shù)突破。從我國目前半導體集成電路的發(fā)展來看，要加強其相關(guān)測試技術(shù)的基礎(chǔ)研討，構(gòu)建滿足我國實際的可靠性保證流程，同時還應(yīng)該構(gòu)建和頒布相應(yīng)的標準和要求，這對于提高我國集成電路產(chǎn)業(yè)的未來發(fā)展而言具有決定性的影響。

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編輯朱榮華

作者簡介：雷鳳霞（1982-），女，山西汾陽市人，碩士，潞安職業(yè)技術(shù)學院助理講師，研究方向為電子技術(shù)。

收稿日期：2015-02-09

文章編號：2095-8528（2015）04-100-03

文獻標識碼：A

中圖分類號：TN3