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      多面體納米銀粉的制備及表征

      2015-12-11 05:08:20敖玉銀
      材料研究與應用 2015年1期
      關鍵詞:硼氫化多面體納米銀

      敖玉銀

      內(nèi)蒙古科技大學化學與化工學院,內(nèi)蒙古 包頭 014000

      納米銀粉因具有特異的量子尺寸效應和表面效應使得其在催化、微電子、光電子和電導材料等領域應用廣泛[1-8].不同的應用領域對納米銀粉的粒徑有不同的要求.球形、粒徑小和粒度分布窄的納米銀粉導電性好,是一種優(yōu)良的電極材料.因此,制備規(guī)則球形納米銀粉,對提高電池性能很關鍵.液相還原法制備納米銀粉具有工藝簡單、操作方便等優(yōu)點,目前得到廣泛應用.Ullah等人[9]以丙三醇為還原劑,在間苯二胺的保護下還原高濃度硝酸銀,得到各向異性的納米銀粒子;Park等人[10]在強酸性條件下制備了粒徑為10~30nm的納米銀粉;Rae等人[11]在強酸性條件下用萘磺酸鈉和甲醛共聚物作保護劑,以抗壞血酸還原硝酸銀,得到各種形貌的納米銀粒子.但是,在酸性條件下要得到規(guī)則球形且粒徑分布均勻的納米銀粉操作較復雜.而在堿性條件下制備形狀規(guī)則、粒徑小和粒度分布窄的納米銀粉還沒有見文獻報道.為此,本文作者在堿性條件下,采用液相化學還原法制備了形狀規(guī)則、分散性好的多面體(立方體)納米銀粉,并用掃描電鏡觀察銀粉的形貌,用X射線衍射儀分析銀粉的晶體結構.

      1 實 驗

      1.1 試劑與儀器

      試劑:硝酸銀 w(AgNO3)≥99.8%(分析純),氨水w(NH3·H2O)=25%(分析純),硼氫化鉀w(KBH4)≥99.0%(分析純),購于廣州金華大試劑有限公司;十六甲基溴化銨(CTAB,分析純),購于上海阿拉丁化學試劑公司,聚乙烯吡咯烷酮(PVP);濃鹽酸w(HCl)≥99.0%(分析純),無水乙醇(分析純),購于廣州金華大試劑有限公司;實驗用水為凈化的二次去離子水,電阻率≥18.2MΩ/cm,25℃.

      儀器:JEOL-2010型掃描電子顯微鏡(SEM);Zetasizer-3000HS型粒度分析儀(Malvern Instruments UK);TG16-WS型臺式高速離心機(湘儀離心機廠);KQ3200E型超聲波儀器(昆山超聲儀器有限公司);T09-1S型恒溫磁力攪拌器(上海司樂儀器廠);BS124S型電子天平(北京賽多利斯儀器系統(tǒng)有限公司).

      1.2 納米銀的制備

      將1.5g AgNO3溶于少量的蒸餾水中,分別加入適量的表面活性劑PVP和CTAB,使其充分溶解.然后加熱到80℃,逐滴加入氨水直至產(chǎn)生的沉淀完全溶解,磁力攪拌,最后加入30mL,0.1mol/L的硼氫化鉀,常溫下反應4h,最后自然冷卻到室溫.將所得到的反應物以10000r/min的轉速離心分離10min,分別用無水乙醇和蒸餾水洗滌3次離心分離的產(chǎn)物,最后將離心分離后的產(chǎn)物置于60℃干燥箱干燥5h,所得產(chǎn)物為納米銀粉.

      1.3 表 征

      取少量干燥后的納米銀粉末于全自動X射線粉末衍射儀進行表征(XRD,MSAL-XD2,Cu靶,λ=15.406nm,工作電壓36kV,工作電流20mA,掃描速度5°/min,掃描角度2θ范圍10°~90°).將離心分離的納米銀用無水乙醇稀釋,經(jīng)超聲波振蕩30min后,將納米銀溶液滴在銅網(wǎng)上,晾干,用JEOL-2010型透射電子顯微鏡(TEM,加速電壓為200kV)觀察納米銀粒子的形貌.將所得納米銀取少量分散在蒸餾水中,使其分散成納米銀懸濁液,經(jīng)超聲波分散數(shù)十分鐘,用Zetasizer-3000HS粒度分析儀進行粒徑分布分析.

      2 結果與討論

      2.1 銀納米粒子掃描電子顯微鏡表征

      圖1為制備的納米銀的掃描電子顯微鏡(SEM)照片,從圖1(a)可見,以PVP為分散劑制備的納米銀粒徑大小均一,而且呈現(xiàn)出好的單分散性,粒徑為150nm左右.通過加入具有表面包裹劑的聚乙烯吡咯烷酮,得到的納米銀粒子具有好的分散性和均一性,這是因為聚乙烯吡咯烷酮的長鏈分子伸向四周,將納米銀表面包圍,降低納米銀的表面活性,利用空間位阻效應限制納米銀粒子的聚集,阻止納米銀粒子間的相互吸附作用.以CTAB為分散劑得到的納米銀的形貌如圖1(b)所示,從圖1(b)可見,納米銀的粒徑大小均一,且呈現(xiàn)出好的單分散性,粉體顆粒的形狀為多面體.

      圖1 納米銀粉的微觀形貌(a)以PVP為表面活性劑;(b)以CTAB為表面活性劑Fig.1 Micro-morphology of nano silver powder(a)PVP surfactant;(b)CTAB surfactant

      2.2 多面體納米銀XRD表征分析

      圖2 所示為以CTAB為分散劑所制備的納米銀粉的X射線衍射譜.從圖2可見,采用硼氫化鉀還原制備的納米銀粉在衍射角(2θ)為38°,44°,64°,77°和81°處顯示出衍射強峰,這些衍射峰分別歸屬 于 金 屬 銀 的 (fcc)的 (111),(200),(220),(311)和(222)的晶面衍射,均為為銀的衍射峰,沒有其他氧化物的衍射峰出現(xiàn),因此,可以確定所得產(chǎn)物為銀.

      圖2 X射線衍射(XRD)檢測Fig.2 X-ray spectrum for nano-silver powder

      2.3 多面體納米銀粒徑分布與純度分析

      圖3 為納米銀粒子的粒徑分布及能譜分析,從圖3(a)可以看出,以硼氫化鉀做還原劑,以CTAB為分散劑,制備的納米銀粒徑呈正態(tài)分布,粒度分布較窄,大部分粒子的粒徑在150~250nm,平均粒徑200nm.從圖3(b)可見,樣品中除Ag元素外,無其他雜質元素.

      圖3 (a)多面體納米銀粉的粒徑分布;(b)能譜分析Fig.3 (a)Particle size distribution of nano-silver;(b)EDS of nano-silver

      3 結 論

      (1)采用液相化學還原法,以硼氫化鉀為還原劑,以CTAB為形貌誘導劑,經(jīng)加熱攪拌、高速離心分離和真空干燥后制備出粒度分布窄、形狀規(guī)則的多面體納米銀粉.

      (2)所制備的多面體納米銀粉的XRD譜表明,多面體納米銀粉均為銀的衍射峰,沒有其他氧化物衍射峰出現(xiàn),因此,可以確定所得產(chǎn)物為銀.

      (3)多面體納米銀粉粒度分布為150~250nm,平均粒徑為200nm,分散性好,屬面心立方晶系純相納米銀,呈規(guī)則多面體.

      [1]林金堵.噴墨打印技術在PCB中的應用前景[J].印制電路信息,2008(4):8-13.

      [2]楊振國.一種面向PCB的全印制電子技術[J].印制電路信息,2008(9):9-12.

      [3]吳松山.薄膜開關導電油墨及其應用(一)[J].絲網(wǎng)印刷,1996(1):30-36.

      [4]PARK B K,KIM D,JEONG S,et al.A direct writing of copper conductive patterns by ink-jet printing[J].Thin Solid Films,2007,515(19):7706-7711.

      [5]RAE A,F(xiàn)RITZINGER D H.Creating metal and nonmetal nanosystems using conductive jet table inks[J].Solid State Techn,2006,49(4):53-55.

      [6]SCHAFFER J P,SAXENA A,ANTOLOVICH S D,et al.The science and design of engineering materials[M].2nd ed.NewYork:McGraw Hill,1999:347,456.

      [7]LEWIS H J,RYAN A.Using electrically conductive inks and adhesivesas a means to satisfy european PCB manufacturing directives[J].J Adhes Sci Technol,2008,22(8/9):893-913.

      [8]林金堵.噴墨打印技術在PCB中的應用(上)[J].印制電路信息,2008(7):9-13.

      [9]甘衛(wèi)平,張海旺,黃波,等.低溫固化型銀基漿料電性能的研究[J].電子元件與材料,2009,28(4):54-56.

      [10]PARK B K,KIM D,JEONG S,et al.A direct writing of copper conductive patterns by ink-jet printing[J].Thin Solid Films,2007,515(19):7706-7711.

      [11]RAE A,F(xiàn)RITZINGER D H.Creating metal and nonmetal nanosystems using conductive jet table inks[J].Solid State Techn,2006,49(4):53-55.

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