納米線傳感器件的研究及其應(yīng)用

彭英才，劉利，范志東，周子淳，劉綽

（河北大學(xué) 電子信息工程學(xué)院，河北 保定 071002）

在納米科學(xué)技術(shù)研究中，納米傳感器是一個(gè)非常重要的研究領(lǐng)域［1－2］.隨著現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的迅速發(fā)展，傳感器在物理、化學(xué)、生物、醫(yī)學(xué)以及自動(dòng)化等技術(shù)檢測(cè)領(lǐng)域的作用愈發(fā)重要，同時(shí)也對(duì)傳感器在靈敏度、選擇性、穩(wěn)定性、響應(yīng)時(shí)間以及使用壽命等方面都提出了越來越高的要求.因此，各種新型傳感器材料的開發(fā)與應(yīng)用越來越受到人們的重視，其中，納米線傳感器受到了人們的廣泛關(guān)注.這主要是因?yàn)榧{米材料具有巨大的比表面積和界面，對(duì)外部環(huán)境的變化十分敏感.溫度、光、濕度和氣氛的變化均會(huì)引起表面或界面離子價(jià)態(tài)和電子輸出的迅速改變，而且響應(yīng)快，靈敏度高.因此，利用納米固體的界面效應(yīng)、尺寸效應(yīng)、量子效應(yīng)等，可制成豐富多彩的傳感器［3－5］.本文評(píng)述了各類納米線化學(xué)傳感器與生物傳感器的制作及其響應(yīng)特性，并對(duì)納米線傳感器今后的研究重點(diǎn)以及發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了展望.

1 納米線化學(xué)傳感器

1.1 納米線H2 傳感器

1.1.1 SnO2納米線H2傳感器

SnO2是一種具有優(yōu)異氣敏傳感特性的氧化物半導(dǎo)體.Fields等［6］利用SnO 粉體，在1 000 ℃無催化劑等條件下，熱蒸發(fā)合成了SnO2納米帶，并組裝了單根SnO2納米帶傳感器.結(jié)果指出，當(dāng)H2在N2與H2混合氣體中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2%時(shí)，該傳感器溫度在20～80℃時(shí)的靈敏度大于50%，而且不隨溫度發(fā)生變化，其響應(yīng)時(shí)間短于220s，室溫下的功率低于10nW，圖1a示出了SnO2納米帶傳感器靈敏度隨溫度的變化.其后，Huang等［7］采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）工藝生長(zhǎng)了SnO2納米帶，并構(gòu)建了氣體傳感器.在室溫條件下，該傳感器可以檢測(cè)到100mg／L的H2，表明它具有靈敏的氣體響應(yīng)特性、良好的可重復(fù)性與可逆性.Jeong等［8］利用Pd和Sn的共沉積制備了SnO2納米線，由圖1b可以清楚地看到，在H2氣氛中SnO2傳感器的電導(dǎo)急劇增加，其ΔG／G0＝500%.而在大氣條件下，其ΔG／G0值將急速減小.而且在每一個(gè)變化周期，其電導(dǎo)都得到了近完全恢復(fù)，這意味著Sn／Pd在SnO2納米線表面的共沉積有效增加了室溫下納米線的傳感特性.

圖1 SnO2 納米帶傳感器靈敏度隨溫度的變化（a）和Sn／Pd－SnO2 傳感器電導(dǎo)率隨時(shí)間的變化（b）Fig.1 Sensitivity－temperature of SnO2nanobelt sensor（a）and G－time of Sn／Pd－SnO2sensor（b）

1.1.2 Pd納米線H2傳感器

Pd納米線具有很高的氣敏特性，尤其是對(duì)H2有著一種固有的吸附特性，并且Pd納米線可以采用多種化學(xué)合成方法進(jìn)行制備，具有很大的工藝靈活性.Yang等［9］在H2質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.2%～1.0%時(shí)，研究了尺寸為25×85nm 的Pd納米線H2傳感器在N2和大氣2種情形下的傳感特性，實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)：1）無論是N2還是大氣，隨著其中H2的含量增加，其傳感器靈敏度急劇增加；2）當(dāng)N2和大氣中的H2含量相同時(shí)，N2氣氛中Pd納米線的探測(cè)靈敏度更高.這是由于在大氣中O2的存在導(dǎo)致了Pd納米線表面H2的化學(xué)吸附濃度減小，從而導(dǎo)致電阻響應(yīng)值減小.

Zeng等［10］采用超小Pd／Cr納米線網(wǎng)絡(luò)制作了高性能的H2傳感器，并研究了Cr緩沖層對(duì)傳感器性能的影響，實(shí)驗(yàn)測(cè)試了厚度為4nm Pd納米線網(wǎng)絡(luò)傳感器與厚度為2nm Pd／2nm Cr納米線網(wǎng)絡(luò)傳感器的H2響應(yīng)特性.二者在H2缺乏情形下，前者的基準(zhǔn)電阻可高達(dá)10MΩ，而后者僅有幾kΩ.這是由于Cr的引入而導(dǎo)致Pd納米線網(wǎng)絡(luò)電阻的急劇減小.Lim 等［11］采用納米打印技術(shù)制作了具有快速響應(yīng)和低泄漏檢測(cè)的柔性Pd納米結(jié)構(gòu)傳感器，發(fā)現(xiàn)該傳感器對(duì)于3 500mg／L 的H2質(zhì)量濃度，其響應(yīng)時(shí)間為18s，而對(duì)50mg／L的H2質(zhì)量濃度，其響應(yīng)時(shí)間為57s.該柔性傳感器的制作為具有實(shí)際應(yīng)用的量產(chǎn)化傳感器開發(fā)奠定了重要技術(shù)基礎(chǔ).

1.1.3 其他納米線H2傳感器

除了SnO2納米線與Pd納米線2種H2傳感器之外，人們發(fā)現(xiàn)Pd納米粒子覆蓋GaN，ZnO 以及WO3等納米線呈現(xiàn)出良好的氣敏傳感特性.Sennik等［12］在850 ℃下，利用熱化學(xué)氣相沉積法制備了Pd覆蓋的GaN 納米線，進(jìn)而制成了H2傳感器，在室溫條件下研究了50～5 000mg／L內(nèi)的電阻隨時(shí)間的變化.結(jié)果表明，隨著H2質(zhì)量濃度從50mg／L的不斷增加，傳感器的電阻變化也不斷增加.當(dāng)H2質(zhì)量濃度為5 000mg／L時(shí)，其電阻值從36.0Ω 急增至37.2Ω.Lim 等［13］在室溫下和H2的質(zhì)量濃度為200～1 500mg／L 時(shí)，研究了由Pd覆蓋的GaN 納米線H2傳感器的電阻隨時(shí)間的變化.結(jié)果表明，與沒有Pd覆蓋的GaN 納米線相比，具有Pd覆蓋的GaN 納米線顯著改善了氣敏傳感特性，其響應(yīng)靈敏度達(dá)到了10－6量級(jí).這是因?yàn)镻d的覆蓋將有效催化H2分子的離解，使H 原子擴(kuò)散到Pd／GaN 界面，從而改變納米線的電阻.Ren等［14］同樣在室溫條件下和20～4 000mg／L的H2質(zhì)量濃度，實(shí)驗(yàn)測(cè)定了由Pd納米粒子覆蓋的ZnO納米線H2傳感器的氣敏響應(yīng)特性，發(fā)現(xiàn)當(dāng)H2質(zhì)量濃度從20mg／L增加到4 000mg／L時(shí)，樣品的靈敏度從3.7%增加到10.17%，如此高的敏感度歸因于覆蓋的Pd納米粒子催化了吸附的O－2與解離的H 原子之間的反應(yīng).

1.2 納米線O 傳感器

圖2 β－Ga2O3 納米線傳感器的電流－時(shí)間曲線（a）和ZnSnO3 納米線傳感器的電流－ln（P）曲線（b）Fig.2 I－t curve ofβ－Ga2O3nanowire sensor（a）and J－ln（P）curve of ZnSnO3nanowire sensor（b）

2006年，F(xiàn)eng等［15］利用化學(xué)氣相沉積法在980 ℃，400cm3／min的N2下，汽化蒸發(fā)0.1g的Ga制備了β－Ga2O3納米線.利用單根β－Ga2O3納米線制作了實(shí)現(xiàn)快速響應(yīng)的O 傳感器，圖2a示出了該傳感器的電流－時(shí)間曲線.由圖2a可以看出，當(dāng)沒有254nm 的紫外波長(zhǎng)照射時(shí)，納米線中的響應(yīng)率很低，因此其電流也是很小的.由于O2的化學(xué)勢(shì)壘低于β－Ga2O3的導(dǎo)帶，當(dāng)β－Ga2O3納米線暴露在O2中時(shí)，將被化學(xué)吸附在其表面，并導(dǎo)致電子從納米線向O2分子的轉(zhuǎn)移，從而在β－Ga2O3納米線表面形成O－2離子.由于載流子濃度很低，大部分的自由電子將被吸附的O 所俘獲.其后，Xue等［16］以具有大量晶粒邊界的單根ZnSnO3納米線制作了性能優(yōu)異的O 傳感器.當(dāng)O 的氣壓從3.7×104Pa降低到1.0×10－4Pa時(shí)，流過單根ZnSnO3納米線的電流則從1.20×10－7μA 迅速增加到3.78×10－1μA，即增加了6個(gè)數(shù)量級(jí)，這種獨(dú)特的傳感特性歸因于ZnSnO3納米線中晶粒邊界勢(shì)壘在不同O2氣壓下的調(diào)制效應(yīng)，圖2b示出了ZnSnO3納米線的電流隨O2氣壓P的對(duì)數(shù)變化.其后，Hu等［17］采用肖特基接觸實(shí)現(xiàn)了ZnO 納米線O 傳感器的超靈敏度和快速響應(yīng)探測(cè).結(jié)果證實(shí)，基于肖特基接觸的ZnO 納米線傳感器最高的探測(cè)靈敏度可達(dá)3 235%，探測(cè)響應(yīng)時(shí)間為30s，這一靈敏度值是歐姆接觸情形的1 085倍.這是因?yàn)镺 原子在肖特基勢(shì)壘表面的吸附增加了勢(shì)壘高度，從而導(dǎo)致了電導(dǎo)的改變.最近，Niu等［18］進(jìn)一步研究了肖特基勢(shì)壘結(jié)構(gòu)柔性ZnO 納米線O 傳感器在不同O2氣壓下傳感器的電流隨偏置電壓的變化.結(jié)果顯示，在＋1V 偏置條件下，當(dāng)O2氣壓從2 128Pa增加到93 100Pa時(shí)，其電流將從899nA減至401nA.而在－1V 偏置條件下，在相同變化的O2氣壓范圍內(nèi)，電流從－106nA減小到－7.92nA.這是由于O的吸附作用，將在ZnO 納米線表面形成電子的耗盡區(qū)，從而減小了納米線中的載流子密度.特別是O原子在肖特基接觸表面的吸附增加了肖特基勢(shì)壘高度，故使總電流得以減小.

1.3 納米線CO 傳感器

對(duì)于CO 氣體進(jìn)行檢測(cè)，無論在化學(xué)分析技術(shù)中，還是對(duì)人們的日常生活都具有重要意義.Huang等［19］采用PECVD 工藝和后退火處理方法制備了尺寸為φ7×100nm 的SnO2納米棒，并實(shí)驗(yàn)研究了其CO 傳感特性.圖3a示出了Rair／Rco隨溫度的變化，其中Rair和Rco分別是該納米棒在大氣和大氣中含有1 000mg／L CO 氣體時(shí)的電阻.可以看出，當(dāng)溫度為250 ℃時(shí)，SnO2納米棒的檢測(cè)靈敏度達(dá)到最大值31.7，不同溫度下Rair／Rco比值的這種變化起因于CO 分子在SnO2納米線表面的吸附和解吸.CuO 納米線CO 傳感器的氣敏特性也已經(jīng)由Liao等［20］研究，圖3b示出了100～500mg／L的CuO 納米線對(duì)CO 氣體和乙醇的傳感特性.可以看出，在相同的濃度下CuO 納米線對(duì)CO 具有更好的傳感特性和較短的響應(yīng)時(shí)間（＜10s）.更進(jìn)一步，這是由于CO 分子吸附在CuO 納米線表面時(shí)，將在Cu2＋空位處形成Cu—CO 化學(xué)鍵.該化學(xué)鍵將對(duì)金屬貢獻(xiàn)出1個(gè)電子，同時(shí)從Cu向CO 貢獻(xiàn)1個(gè)電子，因此增強(qiáng)了CO 分子同O 自由基之間的反應(yīng)，最終導(dǎo)致傳感特性的增強(qiáng).

In2O3納米線因其獨(dú)特的氣敏特性被應(yīng)用于CO 氣體傳感器.當(dāng)CO 分子在In2O3納米線表面吸附后，其近表面區(qū)域成為電子的耗盡區(qū)，由于化學(xué)吸附O 原子自由基與CO 氣體分子之間的化學(xué)反應(yīng)導(dǎo)致電子向In2O3納米線中進(jìn)行轉(zhuǎn)換，因此使其電導(dǎo)發(fā)生改變.當(dāng)CO 的質(zhì)量濃度為5mg／L時(shí)，其響應(yīng)敏感度為104，響應(yīng)時(shí)間為130s和恢復(fù)時(shí)間為50s.此后，Zou等［21］研究了摻Mg的In2O3納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管的CO 傳感特性，發(fā)現(xiàn)該傳感器具有超好的氣敏響應(yīng)特性，其響應(yīng)時(shí)間可低達(dá)4s，探測(cè)質(zhì)量濃度極限為0.5mg／L.

1.4 納米線NO2 傳感器

除了各種類型的H2，O2與CO 納米線傳感器之外，NO2納米線傳感器也已被人們廣為研究.β－Bi2O3是一種重要p型半導(dǎo)體，由于它具有獨(dú)特的光學(xué)與電子特性，所以被廣泛應(yīng)用于氣體傳感器、光伏太陽能電池以及光催化反應(yīng)等.Gou等［22］采用溶液合成方法制備了Bi2O3納米線氣體傳感器，發(fā)現(xiàn)它對(duì)NO2氣體具有很高的探測(cè)靈敏度.結(jié)果發(fā)現(xiàn)，Bi2O3納米線傳感的NO2響應(yīng)特性遠(yuǎn)優(yōu)于Bi2O3納米帶與納米棒，其氣體響應(yīng)時(shí)間短于10s，此值遠(yuǎn)小于普通的商業(yè)NO2傳感器.Offermans等［23］采用氣－液－固（VLS）生長(zhǎng)方法制備了垂直InAs納米線陣列，并研究了其NO2的氣體傳感特性，結(jié)果顯示，當(dāng)NO2在N2中的質(zhì)量濃度為0.009～1.700mg／L，10min內(nèi)可以很容易地探測(cè)到質(zhì)量濃度低達(dá)0.115mg／L 的NO2氣體，其信噪比大于10.在氣體探測(cè)過程中器件電流的減小，是因?yàn)镹O2作為電子受主的作用，因?yàn)殡姾赊D(zhuǎn)移使得表面電子積累層中電子密度減小的緣故.

2011年，Paul等［24］研究了InSb納米線的NO2探測(cè)特性，結(jié)果顯示，隨著NO2濃度的增加，傳感器的電阻隨之增加，這是由于從InSb納米線表面向吸附的NO2氣體分子發(fā)生了電荷轉(zhuǎn)移，使得InSb納米線表面電子密度將進(jìn)一步減小.Cuscuna等［25］采用Au催化的PECVD 生長(zhǎng)沉積了高密度的Si納米線，并制作了具有芯片規(guī)模的超高靈敏度NO2傳感器.該傳感器可以探測(cè)到低達(dá)0.01 mg／L 質(zhì)量濃度的NO2氣體.Sun等［26］采用V 型槽蝕刻方法制備了芯片級(jí)SnO2納米線傳感器，并實(shí)現(xiàn)了0.05～0.5mg／L 的NO2氣體探測(cè).實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，當(dāng)SnO2納米線由Pt納米粒子覆蓋后，其氣敏檢測(cè)得到了明顯改善.

1.5 納米線其他化學(xué)傳感器

1.5.1 納米線H2S傳感器

大家知道，H2S是一種劇毒氣體，當(dāng)環(huán)境中的質(zhì)量濃度超過250mg／L時(shí)可以導(dǎo)致人的死亡，因此發(fā)展具有高靈敏度和高可靠性的H2S傳感器是十分必要的.迄今，人們已采用CuO 納米線、WO3納米薄膜、ZnO 納米棒和CuO－SnO2納米帶等制作了H2S氣體傳感器.而在各類納米結(jié)構(gòu)H2S傳感器中，由V2O5和Ag2O 合成的β－AgVO3納米線傳感器顯示出優(yōu)異的H2S傳感特性，質(zhì)量濃度在50～400mg／L，其檢測(cè)靈敏度隨H2S濃度的增加而單調(diào)增強(qiáng)，其傳感響應(yīng)時(shí)間僅為20s.Xue等［27］在350 ℃下制備了ZnO種子層，然后利用化學(xué)腐蝕的方法制備了ZnO納米線陣列，并制作了H2S質(zhì)量傳感器.結(jié)果表明，隨著H2S質(zhì)量濃度的增加，其靈敏度線性增加，最低探測(cè)質(zhì)量濃度為100mg／L，這是由于隨著H2S濃度的增加，可以引起更多的O分子從ZnO納米線表面被解吸，這樣將導(dǎo)致電荷耗盡層厚度的減小，同時(shí)使納米線的電導(dǎo)增加.而當(dāng)H2S質(zhì)量濃度超過1 700mg／L后，由于表面吸附空位與H2S質(zhì)量濃度的相互競(jìng)爭(zhēng)過程，敏感度隨H2S質(zhì)量濃度的增加呈現(xiàn)出飽和趨勢(shì).

1.5.2 納米線乙醇傳感器

在氣體傳感研究中，乙醇?xì)怏w的傳感特性研究不容忽視，這是因?yàn)樗谏?、化學(xué)和食品工業(yè)，特別是在釀酒業(yè)和交通安全領(lǐng)域，人們對(duì)其有著重要需求.Song等［28］制備了直徑為100～150nm 的介觀（m）ZnOSnO2混合結(jié)構(gòu)的納米帶，并研究了其乙醇傳感特性，其結(jié)果表明該納米帶在5～4 000mg／L 時(shí)均呈現(xiàn)出了超好的敏感特性和重復(fù)性.當(dāng)乙醇質(zhì)量濃度為5，50，100，500，1 000，2 000和4 000mg／L 時(shí)，其敏感度分別為4，12，8，21，88，155，268和423，其響應(yīng)時(shí)間僅為3s和恢復(fù)時(shí)間為8s.此外，ZnO－SnO2和ZnO－SnO22種樣品在室溫300K 下隨著乙醇質(zhì)量濃度的增加，其靈敏度隨之增加.當(dāng)乙醇質(zhì)量濃度達(dá)到10 000mg／L 時(shí)，靈敏度出現(xiàn)飽和現(xiàn)象.

1.5.3 納米線pH 傳感器

pH 傳感器廣泛應(yīng)用于各類研究中，如環(huán)境監(jiān)測(cè)、食品加工以及化學(xué)分析等.由于各種納米線結(jié)構(gòu)具有大的比表面積與表面活性，所以納米線pH 傳感器的研究日漸引起人們的重視.2009年，Avdic等［29］采用Sb納米線制作了pH 傳感器，證實(shí)該傳感器的靈敏度可達(dá)55.9mV／pH，此值接近于理論極限59.15mV／pH，其響應(yīng)時(shí)間僅有10s.最近的2項(xiàng)工作值得注意，一是Ahh等［30］制作了雙柵Si納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管，二是Upadhyay等［31］采用InAs納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管，二者均成功用于pH 的檢測(cè).就前者而言，對(duì)于雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其檢測(cè)靈敏度達(dá)到了68mV／pH.對(duì)于后者來說，其探測(cè)靈敏度達(dá)到了48mV／pH.

2 納米線生物傳感器

2.1 Si納米線DNA 傳感器

納米線生物傳感器主要用于醫(yī)學(xué)領(lǐng)域的DNA 與各種病毒的檢測(cè)等，尤其是DNA的定量測(cè)定，對(duì)于肝炎B病毒或其他疾病的預(yù)防具有重要意義.Gao等［32］利用Si納米線制作了常規(guī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管生物傳感器，實(shí)現(xiàn)了對(duì)DNA 的實(shí)時(shí)和無標(biāo)記探測(cè).結(jié)果指出，隨著DNA 濃度的增加，電流的變化隨之增加，該傳感器能夠探測(cè)到的極限濃度可低達(dá)0.1fmol／L（10－14mol／L）.接著，該小組又研究了具有循環(huán)放大作用的Si納米線傳感器的信噪比（SNR）增強(qiáng)特性.當(dāng)DNA 濃度為1fmol／L時(shí)，其SNR值大于20，這是由于其探測(cè)信號(hào)得到有效增強(qiáng)的緣故.而未加調(diào)整的Si納米線在相同DNA 濃度下，其電流變化是很小的.這意味著，這種Si納米線生物傳感器可用于DNA的快速和無標(biāo)記探測(cè).除此之外，Chinesa等［33］采用Si納米線生物傳感器完成了復(fù)合DNA修復(fù)的早期檢測(cè)，他們證實(shí)該納米傳感器能夠探測(cè)發(fā)生在納米線－液體表面的多線DNA 鏈的健合.

2.2 納米線病毒傳感器

各類病毒是導(dǎo)致人類患病的最主要誘因之一.在醫(yī)學(xué)領(lǐng)域中，對(duì)各種生物毒素的實(shí)時(shí)快速檢測(cè)是預(yù)防各種疾病發(fā)生的有效措施.2009年，Ishikawa等［34］采用In2O3納米線生物傳感器實(shí)現(xiàn)了對(duì)SARS病毒的檢測(cè)，其靈敏度可與常規(guī)的免疫生物學(xué)探測(cè)方法相比擬.其后，Gao等［35］采用Si納米線場(chǎng)效應(yīng)傳感器件，對(duì)初態(tài)病原（PSA）進(jìn)行了成功的高靈敏度探測(cè).當(dāng)電壓為0.45V 時(shí)傳感器具有最好的信噪比.當(dāng)納米線的跨導(dǎo)gm＝2 800nS／V 時(shí)，所探測(cè)到的極限為0.75pmol／L.Huang等［36］采用多晶Si納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管生物傳感器完成了對(duì)PSA 的實(shí)時(shí)和無標(biāo)記探測(cè)，并研究了該傳感器電流隨PSA 濃度的變化.結(jié)果表明，隨著PSA 濃度的增加，其漏電流呈線性增加趨勢(shì)，最低的探測(cè)濃度為5fg／mL.

3 結(jié)語

納米材料具有巨大的比表面積和界面，對(duì)外部環(huán)境的變化十分敏感，利用納米固體的界面效應(yīng)、尺寸效應(yīng)、量子效應(yīng)等，制成各種傳感器.而納米線傳感器尺寸小、精度高，豐富了傳感器的理論，推動(dòng)了傳感器的制作水平，拓寬了傳感器的應(yīng)用領(lǐng)域，如醫(yī)療、生物、微電子、信息技術(shù)以及國(guó)防科技等.作為納米結(jié)構(gòu)傳感器領(lǐng)域的重要組成部分，納米線傳感器受到了人們?cè)絹碓蕉嗟年P(guān)注，在提高傳感器靈敏度和響應(yīng)時(shí)間的同時(shí)，還應(yīng)注意以下幾方面的工作：1）新材料和新的異質(zhì)節(jié)接觸的研發(fā)，制作出選擇性好，對(duì)單一氣體靈敏度高的傳感器；2）對(duì)現(xiàn)有納米線傳感器的工作原理進(jìn)一步研究，找到影響傳感器靈敏度的關(guān)鍵因素并加以改進(jìn)，以提高傳感器的性能；3）加大對(duì)有機(jī)／無機(jī)混合材料的研究，研制出成本低，響應(yīng)時(shí)間短，穩(wěn)定性好，功耗低的混合結(jié)構(gòu)傳感器；4）研究納米線傳感器在其他領(lǐng)域的應(yīng)用.隨著納米工藝的不斷發(fā)展，相信納米線傳感器將會(huì)在更廣闊的領(lǐng)域得到更深入的研究和應(yīng)用.

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