劉士興,劉宏銀,趙 博,魯迎春,易茂祥
(合肥工業(yè)大學(xué) 電子科學(xué)與應(yīng)用物理學(xué)院,安徽 合肥 230009)
晶體管特性曲線圖示儀能夠測(cè)量半導(dǎo)體晶體管的靜態(tài)參數(shù)[1],顯示晶體管的輸入、輸出特性曲線,在高校電子信息類專業(yè)的教學(xué)中獲得了廣泛的應(yīng)用[2]。目前大多數(shù)的晶體管圖示儀是基于模擬電路和邏輯電路的純硬件電路,沒有數(shù)字化接口,無法連接到計(jì)算機(jī)上做數(shù)據(jù)的進(jìn)一步處理和保存。文獻(xiàn)[3—4]提出了基于單片機(jī)的晶體管特性曲線圖示儀,但顯示需借助于普通示波器[5];文獻(xiàn)[6]提出的方案,實(shí)現(xiàn)了特性曲線的LCD顯示,但無法保存數(shù)據(jù);文獻(xiàn)[7]的數(shù)據(jù)雖然能通過串口傳給計(jì)算機(jī),但數(shù)據(jù)的處理還得借助Matlab之類的大型軟件。
本文提出的基于STM32F103VET6(以下簡(jiǎn)記為STM32)[8-9]的晶體管特性曲線圖示儀能很好解決上述問題,像專用晶體管特性曲線圖示儀一樣實(shí)現(xiàn)晶體管輸入輸出特性曲線的測(cè)量和顯示,LCD觸摸屏的使用不僅實(shí)現(xiàn)了晶體管特性曲線的顯示功能,還取代了傳統(tǒng)的按鍵操作,同時(shí)基于LabVIEW[10]編寫了上位機(jī)軟件,可由PC端接收數(shù)據(jù)進(jìn)行處理、顯示及保存?;谇度胧较到y(tǒng)的硬件電路設(shè)計(jì)使儀器結(jié)構(gòu)更簡(jiǎn)單,數(shù)字化程度更高,能更好地滿足相關(guān)專業(yè)的教學(xué)要求。
以NPN型三極管為例,測(cè)試原理如圖1所示。集電極電流經(jīng)采樣電阻RSC轉(zhuǎn)換成電壓,經(jīng)儀表放大器放大后輸入ADC進(jìn)行采樣,再計(jì)算得到集電極電流IC。而集電極與發(fā)射極的極間電壓VCE因采樣電阻上的壓降為mV量級(jí),分壓作用可忽略,等效為集電極的掃描電壓。
圖1 晶體管輸出特性曲線測(cè)試原理
輸出特性曲線以VCE為橫坐標(biāo),IC和基極電流IB分別為左右縱坐標(biāo)。當(dāng)IB恒定為一個(gè)階梯電流值時(shí),VCE一個(gè)掃描周期內(nèi)若干階梯掃描電壓值所對(duì)應(yīng)IC的變化規(guī)律,即一條曲線。當(dāng)IB完成一個(gè)階梯變化時(shí),即完成了整組輸出特性曲線的測(cè)試。IB與VCE的關(guān)系如圖2所示。其函數(shù)關(guān)系為
圖2 基極階梯電流與集電極掃描電壓的關(guān)系
儀器采用意法半導(dǎo)體(ST)公司推出的STM32處理器。該芯片基于超低功耗的ARM Cortex-M3處理器內(nèi)核,片內(nèi)Flash為512KB,片內(nèi)SRAM為64KB,主頻為72MHz。內(nèi)嵌16通道的12位ADC轉(zhuǎn)換器、16通道的12位DAC轉(zhuǎn)換器以及SPI等豐富的外設(shè)資源,使得本系統(tǒng)的電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單緊湊。
圖3為晶體管測(cè)試儀體系結(jié)構(gòu)框圖。測(cè)試儀由基極電流階梯波發(fā)生電路、集電極電壓階梯波發(fā)生電路、STM32嵌入式處理器構(gòu)成的測(cè)量和LCD顯示電路等組成。
圖3 測(cè)試儀體系結(jié)構(gòu)框圖
本設(shè)計(jì)需要為基極提供階梯狀高精度恒定電流,故選擇LM334作為恒流源芯片。LM334在工作電流內(nèi),恒流源可調(diào)范圍比為10 000∶1,并且具有1~40 V的動(dòng)態(tài)電壓范圍,恒流特性非常好,只需外接一只電阻即可實(shí)現(xiàn)恒流源的建立。采用數(shù)字電位器取代其外接電阻,即可實(shí)現(xiàn)STM32對(duì)電流源的控制。原理如圖4所示。圖4輸出電流為
IBIAS同ISET存在簡(jiǎn)單的百分比關(guān)系,VR近似為214μV/K,工作溫度取25℃,即298K。則上式進(jìn)一步簡(jiǎn)化為
式(2)和式(3)中,RSET為數(shù)字電位器 MAX5402阻值,ISET即為基極電流為IB。輸出電流0~160μA,對(duì)應(yīng)電阻變化范圍為10kΩ~39Ω,電流分辨率達(dá)到0.1μA。
圖4 基極階梯電流產(chǎn)生原理電路
由于NPN晶體管和PNP晶體管的基極電流方向相反,在NPN晶體管電路中-VIN端接到NPN晶體管的基極,+VIN端接+5V電壓得到正向電流;而在PNP晶體管電路中+VIN端接到PNP晶體管的基極,-VIN端接-5V電壓得到反向電流。
集電極階梯波發(fā)生電路(見圖5)由STM32嵌入式處理器內(nèi)嵌12位DAC、運(yùn)算放大器和三端可調(diào)穩(wěn)壓器等構(gòu)成。嵌入式處理器控制12位DAC輸出控制電壓模擬量VDA,該電壓與運(yùn)算放大器的參考電壓VR做運(yùn)算后控制三端可調(diào)穩(wěn)壓器從0V開始輸出階梯電壓,實(shí)現(xiàn)0~30V可調(diào)的可編程電壓輸出。
圖5 集電極階梯波產(chǎn)生電路
本儀器選用linear公司的三端穩(wěn)壓電源LT1086產(chǎn)生三極管集電極端的掃描電壓;電壓調(diào)整率為0.015%,負(fù)載調(diào)整率為0.1%。VCE為電壓源的輸出,VREF為三端可調(diào)穩(wěn)壓器的參考電壓,其值為1.25V。輸出電壓VCE如公式(4)所示,調(diào)節(jié)VO即可實(shí)現(xiàn)對(duì)VCE的控制。
圖5所示電路提供合適的VR,經(jīng)減法電路與控制電壓VDA做運(yùn)算得到VO,使得當(dāng)VDA=0時(shí),VO=-1.25V,得到:
VDA由12位的DAC產(chǎn)生,電壓范圍0~3.3V,分辨率為0.8mV,選擇合適的R1和R2的阻值,實(shí)現(xiàn)集電極掃描電壓范圍0~30V,相鄰階梯電壓間距為7.27mV。
如圖6所示,RSC將待測(cè)電流IC轉(zhuǎn)換成待測(cè)電壓,為保證采樣精度,采用了0.1%精度的0.1Ω的低阻值采樣電阻;為實(shí)現(xiàn)小信號(hào)的幅度變換,使之滿足ADC轉(zhuǎn)換時(shí)對(duì)幅度的要求,需選用儀表放大器。儀表放大器是一種精密差分電壓放大器,采用同相差分輸入方式,同相輸入可以大幅度提高電路的輸入阻抗,減小電路對(duì)微弱輸入信號(hào)的衰減;差分輸入可以使電路只對(duì)差模信號(hào)放大,而對(duì)共模輸入信號(hào)只起跟隨作用,使得共模抑制比得到提高。
本儀器選用了TI公司的INA211,其具有放大倍數(shù)為500倍,具有低漂移、低功耗、高共模抑制比、寬電源供電范圍及小體積等一系列優(yōu)點(diǎn)。有如下關(guān)系:
圖6 測(cè)量電路原理圖
測(cè)量軟件包括初始化、中斷服務(wù)、LCD顯示、網(wǎng)絡(luò)通信擴(kuò)展程序等。測(cè)量軟件總流程見圖7。開機(jī)后系統(tǒng)首先進(jìn)行系統(tǒng)初始化,包括系統(tǒng)定時(shí)器、LCD、觸摸屏、SD卡、FLASH和網(wǎng)口的初始化。初始化后,系統(tǒng)進(jìn)入等待狀態(tài),一邊監(jiān)聽網(wǎng)絡(luò)端口,一邊檢測(cè)來自觸摸屏的中斷,分別對(duì)應(yīng)上位機(jī)顯示和LCD顯示。
以NPN輸出特性的LCD顯示子程序?yàn)槔?,程序流程圖見圖8。NPN的輸出特性曲線為IB恒定的情況下,VCE和IC的變化關(guān)系。VCE每改變一個(gè)值,都需采樣多次做中位值平均濾波。VCE一個(gè)周期結(jié)束,IB的值改變一次,IB預(yù)置了5個(gè)值,畫完5條曲線即完成測(cè)試。其他類型的特性曲線的流程只是稍有不同,這里不再介紹。
圖7 測(cè)量軟件總流程
圖8 NPN晶體管輸出特性測(cè)試程序流程
圖9是本系統(tǒng)測(cè)試的S9014三極管的輸出特性曲線。點(diǎn)擊屏幕右側(cè)的IB的數(shù)值,即可顯示對(duì)應(yīng)IB值時(shí)的輸出特性曲線及hFE的值。圖9中所示hFE的值(359.35)為IB為100.6μA時(shí)的放大倍數(shù)。由于基極電流的輸出是基于數(shù)字電位器MAX5402,受限于分辨率,無法達(dá)到精確的40μA和100μA的測(cè)試條件,故以接近的39.8μA與100.6μA作比較。表1給出了本儀器與YB4810的測(cè)試結(jié)果。
表1 測(cè)試結(jié)果
圖9 LCD顯示的S9014輸出特性曲線
由表1的測(cè)試結(jié)果可以看到,本儀器的測(cè)試精度較高。測(cè)試數(shù)據(jù)也可由網(wǎng)口上傳給上位機(jī)顯示,同時(shí)將測(cè)試數(shù)據(jù)以電子文檔的方式完整的保存下來??捎糜诖蛴?shù)據(jù)和電子存檔。
本儀器以STM32F103VET6嵌入式處理器為核心,基于DAVICOM 公司的百兆網(wǎng)絡(luò)[11]驅(qū)動(dòng)芯片DM9000,實(shí)現(xiàn)了與上位機(jī)的高速傳輸?;陔娮栌|摸屏,實(shí)現(xiàn)了簡(jiǎn)化操作;提供了LCD截屏和上位機(jī)電子存檔兩種數(shù)據(jù)保存的方式。經(jīng)測(cè)試本儀器達(dá)到了工作穩(wěn)定、操作簡(jiǎn)單、測(cè)試準(zhǔn)確的設(shè)計(jì)目標(biāo),相對(duì)誤差在0.5%以內(nèi),非常適合應(yīng)用于高校電子信息類專業(yè)的教學(xué)實(shí)驗(yàn)中。
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[1]Walton,Jack,Hebel,et al.the characteristic curves of tubes and transistors[J].Audio Xpress.2004,35(8):40-45.
[2]童詩白,華成英.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)[M].4版.北京:高等教育出版社,2006.
[3]陳艷燕,楊小鋒.基于單片機(jī)的晶體管特性圖示儀[J].儀器儀表學(xué)報(bào),2005(增刊1):1344-1345.
[4]De Buyl,Pierre.Adigital oscilloscope setup for the measurement of a transistor’s characteristic curves[J].American Journal of Physics,2010,78(12):1425-1429.
[5]吳文全,馬曲立.示波器作為X-Y圖示儀測(cè)量功能擴(kuò)展[J].電子測(cè)量技術(shù)2004(3):16-17.
[6]俞菲,陳慶昉,鄔楊波.基于C8051F020的晶體管V-I特性測(cè)試儀設(shè)計(jì)[J].信息技術(shù)2010(12):11-14.
[7]林益平.基于LCD的晶體管特性曲線圖示儀[J].電子測(cè)量技術(shù),2008,31(2):109-112,126.
[8]劉火良,楊森.STM32庫開發(fā)實(shí)戰(zhàn)指南[M].北京:機(jī)械工業(yè)出版社,2013.
[9]Yiu Joseph,宋巖.ARM Cortex-M3權(quán)威指南[M].北京:北京航空航天大學(xué)出版社,2009.
[10]陳樹學(xué),劉萱.LabVIEW 寶典[M].北京:電子工業(yè)出版社,2011.
[11]Scaglia Sergio,潘琢金.嵌入式Internet TCP IP基礎(chǔ)、實(shí)現(xiàn)及應(yīng)用[M].北京:北京航空航天大學(xué)出版社,2008.