DRAM 10納米競(jìng)爭(zhēng)2016年即將開(kāi)打

DRAM 10納米競(jìng)爭(zhēng)2016年即將開(kāi)打

三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)等DRAM主要制造公司，皆將在2016年開(kāi)始量產(chǎn)18納米(1x)DRAM，18納米制程也是目前已知DRAM生產(chǎn)制程的最高階技術(shù)。

據(jù)Digital Times報(bào)導(dǎo)，日前業(yè)界消息指出，如果預(yù)定進(jìn)度不變的話，三星和SK海力士預(yù)計(jì)將在2016年下半開(kāi)始正式量產(chǎn)18納米DRAM。眾所周知目前DRAM微縮制程的極限是18納米，在達(dá)成18納米DRAM量產(chǎn)之后，三星和SK海力士將使用ASML正在研發(fā)的極紫外光(EUV)設(shè)備，到2020年再進(jìn)一步將制程推進(jìn)至10納米以內(nèi)等級(jí)。

DRAM市場(chǎng)的第三名美光為了對(duì)抗三星電子和SK海力士，也提出了大規(guī)模的投資計(jì)劃。美光為了要量產(chǎn)超高速DRAM，表示將在日本廣島工廠一年內(nèi)投資約8.36億美元，計(jì)劃中廣島工廠將進(jìn)行比目前20納米生產(chǎn)力更高出20-30%的16納米制程DRAM的量產(chǎn)，使得三星和SK海力士進(jìn)入緊張狀態(tài)。

但是業(yè)界卻對(duì)于美光16納米制程抱持著懷疑的看法，首先為了突破目前20納米制程的界限，需要改變DRAM生產(chǎn)過(guò)程中介電層(dielectric film)設(shè)計(jì)，也得改成使用比原本分子結(jié)構(gòu)更細(xì)密的原子結(jié)構(gòu)的物質(zhì)，所以需要改變?cè)O(shè)計(jì)，但目前美光還沒(méi)有這方面技術(shù)。

另外為了進(jìn)入16納米制程，也需要每臺(tái)喊價(jià)到8,700萬(wàn)美元的極紫外光(EUV)設(shè)備，以美光目前的8.36億美元投資規(guī)模，恐怕是不太容易做到，而且ASML一年也只能制造出7-8臺(tái)極紫外光設(shè)備而已。

三星電子目前計(jì)劃將在2016年下半開(kāi)始進(jìn)入18納米DRAM，從2016~2020年為止，順序?qū)⒁?8納米、15納米、10納米等為目標(biāo)，逐漸微縮DRAM的線距。

原本18納米制程技術(shù)改良之后，利用全新方式的技術(shù)會(huì)更有利，可是如果極紫外光設(shè)備的商用化延遲，也可能會(huì)進(jìn)入跟過(guò)去25納米以后難突破進(jìn)一步微縮，出現(xiàn)如同2012年類(lèi)似的停滯期。

SK海力士最近也在加速轉(zhuǎn)換DRAM的微縮制程，從25納米后將近2年沒(méi)有進(jìn)展的SK海力士，也在第3季成功地進(jìn)入了20納米制程，計(jì)劃將在2016年上半開(kāi)發(fā)出18納米DRAM，快的話將從下半年開(kāi)始進(jìn)入量產(chǎn)。

業(yè)界相關(guān)人士表示，三星電子在20納米級(jí)的DRAM部分，雖然與競(jìng)爭(zhēng)業(yè)者維持了最少一年以上的差距，但是10納米級(jí)開(kāi)始，預(yù)料又會(huì)是全新的競(jìng)爭(zhēng)局面。

根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IC Insights的最新報(bào)告預(yù)測(cè)，2015年全球純晶圓代工市場(chǎng)可望成長(zhǎng)6.1%，達(dá)到449億美元的銷(xiāo)售額;整體純晶圓代工市場(chǎng)銷(xiāo)售額的成長(zhǎng)動(dòng)力，預(yù)期將主要來(lái)自于采用40納米以下先進(jìn)工藝的半導(dǎo)體組件。

IC Insights估計(jì)，40納米以下工藝節(jié)點(diǎn)純晶圓代工市場(chǎng)將在2015年成長(zhǎng)24%，達(dá)到161億美元的規(guī)模；該數(shù)字在2014年為130億美元。至于40納米及以上工藝節(jié)點(diǎn)市場(chǎng)，估計(jì)2015年將衰退2%，來(lái)到288億美元。

市場(chǎng)對(duì)40納米以下先進(jìn)工藝需求推動(dòng)純晶圓代工市場(chǎng)成長(zhǎng)

全球四大純晶圓代工業(yè)者的45納米及以下工藝節(jié)點(diǎn)在2014年與2015年各季的銷(xiāo)售業(yè)績(jī)；IC Insights預(yù)期，臺(tái)積電(TSMC)的2015年整體銷(xiāo)售額中，有63%是來(lái)自于45納米及以下工藝技術(shù)。此外臺(tái)積電在2015年估計(jì)有57億美元銷(xiāo)售額來(lái)自于20納米及以下工藝(其中20納米工藝營(yíng)收估計(jì)51億美元，16納米工藝營(yíng)收估計(jì)6億美元)。

在2014年，臺(tái)積電20納米及以下工藝營(yíng)收僅21億美元，2015年數(shù)字將是2.7倍。而臺(tái)積電已自2015年第三季開(kāi)始量產(chǎn)16納米工藝，該公司表示：“16納米工藝的成長(zhǎng)將會(huì)非?？焖?，甚至超越20納米工藝的成長(zhǎng)速度?！?/p>

四大純晶圓代工業(yè)者的45納米及以下工藝營(yíng)收

根據(jù)IC Insights的估計(jì)，GlobalFoundries的45納米及以下工藝所占比例，在2015年第三季將比上一季減少5%；衰退原因是由于該公司在第三季納入了所收購(gòu)之IBM芯片業(yè)務(wù)部門(mén)(收購(gòu)交易在7月完成)的銷(xiāo)售額，后者有大多數(shù)來(lái)自采用較舊工藝節(jié)點(diǎn)的RF組件。

聯(lián)電(UMC)在2015年的總銷(xiāo)售額中，估計(jì)有三分之一是來(lái)自于45納米及以下工藝;而中芯國(guó)際(SMIC)的2015年45納米及以下工藝節(jié)點(diǎn)銷(xiāo)售額估計(jì)只有3.63億美元，是臺(tái)積電同年度45納米及以下工藝的2%。