氧化鋅納米梭酒精敏感性能的研究

張春宇等

氧化鋅（znO）是一種重要的直接帶隙寬禁帶半導體材料，室溫下禁帶寬度為3.37eV，遠大于其它金屬氧化物，已經(jīng)被證實是一種很有前景的氣體敏感材料，可以對多種氧化或還原性氣體具有百萬分之一及以上等級的檢測能力，特別是當Zno材料納米化后，使其具有更高的比表面積，并且由于納米尺寸效應(yīng)引起的高密度表面活性位點的存在，使得納米材料的靈敏度、選擇性、重復(fù)性及可靠性都得到一定程度的提高。endprint

氧化鋅（znO）是一種重要的直接帶隙寬禁帶半導體材料，室溫下禁帶寬度為3.37eV，遠大于其它金屬氧化物，已經(jīng)被證實是一種很有前景的氣體敏感材料，可以對多種氧化或還原性氣體具有百萬分之一及以上等級的檢測能力，特別是當Zno材料納米化后，使其具有更高的比表面積，并且由于納米尺寸效應(yīng)引起的高密度表面活性位點的存在，使得納米材料的靈敏度、選擇性、重復(fù)性及可靠性都得到一定程度的提高。endprint

氧化鋅（znO）是一種重要的直接帶隙寬禁帶半導體材料，室溫下禁帶寬度為3.37eV，遠大于其它金屬氧化物，已經(jīng)被證實是一種很有前景的氣體敏感材料，可以對多種氧化或還原性氣體具有百萬分之一及以上等級的檢測能力，特別是當Zno材料納米化后，使其具有更高的比表面積，并且由于納米尺寸效應(yīng)引起的高密度表面活性位點的存在，使得納米材料的靈敏度、選擇性、重復(fù)性及可靠性都得到一定程度的提高。endprint