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      用于DVFS片上系統(tǒng)的全數(shù)字SARDLL設(shè)計(jì)

      2015-01-02 02:01:08徐太龍高先和蔡志匡韓少宇胡學(xué)友陳軍寧
      計(jì)算機(jī)工程 2015年4期
      關(guān)鍵詞:工作頻率高電平寄存器

      徐太龍,薛 峰,高先和,蔡志匡,韓少宇,胡學(xué)友,陳軍寧

      (1.合肥學(xué)院電子信息與電氣工程系,合肥230601;2.安徽三聯(lián)學(xué)院電子電氣工程學(xué)院,合肥230601;3.南京郵電大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院,南京210046;4.安徽大學(xué)電子信息工程學(xué)院,合肥230601)

      1 概述

      互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工藝的發(fā)展,極大地提高了系統(tǒng)芯片(System-on-Chip,SoC)的復(fù)雜度和工作頻率[1-4]。功耗成為繼速度、面積后日益關(guān)注的問(wèn)題,各種低功耗技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生,其中,動(dòng)態(tài)電壓/頻率調(diào)整(Dynamic Voltage/Frequency Scaling,DVFS)技術(shù)被認(rèn)為是最有效的低功耗管理方法之一[5]。動(dòng)態(tài)電壓/頻率調(diào)整技術(shù)的工作原理是根據(jù)器件的工作模式動(dòng)態(tài)地調(diào)整處理器的工作電壓和頻率,從而有效地控制芯片的功耗[1,6-8]。由于工作頻率發(fā)生了變化,因此需要一個(gè)消除時(shí)鐘偏差的電路來(lái)快速同步系統(tǒng)芯片中每個(gè)子系統(tǒng)的時(shí)鐘相位[9-10]。鎖相環(huán)(Phase-Locked Loop,PLL)和延時(shí)鎖定環(huán)(Delay-Locked Loop,DLL)是2種常用的時(shí)鐘同步電路,在不需要對(duì)輸入時(shí)鐘信號(hào)倍頻時(shí),延時(shí)鎖定環(huán)由于不累積時(shí)鐘抖動(dòng)而被廣泛地用作系統(tǒng)芯片中的時(shí)鐘同步電路以消除時(shí)鐘偏差[11-13]。

      當(dāng)延時(shí)鎖定環(huán)用于采用了動(dòng)態(tài)電壓/頻率調(diào)整技術(shù)的系統(tǒng)芯片時(shí),必須具備2個(gè)條件:(1)寬的工作頻率范圍;(2)快速鎖定,即鎖定時(shí)間短[1,6-7]。從電路實(shí)現(xiàn)的方式上,可以把延時(shí)鎖定環(huán)分為全模擬、全數(shù)字和混合3類[14]。全數(shù)字延時(shí)鎖定環(huán)(All Digital Delay-Locked Loop,ADDLL)因具有易于集成、抗工藝、電壓、溫度(Process,Voltage,Temperature,PVT)變化能力強(qiáng)的特點(diǎn),而更適合用于系統(tǒng)芯片中以消除偏差、同步時(shí)鐘信號(hào)。全數(shù)字延時(shí)鎖定環(huán)根據(jù)搜索算法可以分為3種:(1)采用線性搜索算法,如寄存器控制的延時(shí)鎖定環(huán)(Register-controlled Delay-Locked Loop,RDLL)和計(jì)數(shù)器控制的延時(shí)鎖定環(huán)(Countercontrolled Delay-Locked Loop,CDLL),鎖定時(shí)間隨著控制字位數(shù)的增加成指數(shù)增長(zhǎng);(2)采用閃存架構(gòu),即時(shí)間數(shù)字轉(zhuǎn)換(Time-to-Digital Conversion,TDC)方案,但會(huì)占用很大的面積和消耗很大的功耗;(3)采用二元搜索算法(Binary Search Algorithm,BSA),即逐次逼近寄存器控制方案(Successive Approximation Register-controlled,SAR)。其中,逐次逼近寄存器方案是在考慮復(fù)雜度和鎖定時(shí)間折中條件下的最佳方案[12,15]。

      在寬工作頻率范圍應(yīng)用時(shí),傳統(tǒng)全數(shù)字逐次逼近寄存器延時(shí)鎖定環(huán)存在諧波鎖定,即假鎖和零延時(shí)陷阱的問(wèn)題[1,12,15]。文獻(xiàn)[1,15]提出采用可復(fù)位數(shù)字控制延時(shí)線(Resettable Digitally Controlled Delay Line,RDCDL)方案來(lái)消除諧波鎖定和零延時(shí)陷阱。文獻(xiàn)[1]的延時(shí)單元中包含二選一數(shù)據(jù)選擇器,增加了延時(shí)線的復(fù)雜度和面積。文獻(xiàn)[15]中的方案需要前置延時(shí)單元才能正確地工作,增加了延時(shí)線的固有延時(shí),限制了最高工作頻率。本文設(shè)計(jì)一種改進(jìn)的可復(fù)位數(shù)控延時(shí)線,在降低面積的同時(shí)增大延時(shí)鎖定環(huán)的最高工作頻率。

      2 系統(tǒng)描述

      本文設(shè)計(jì)的全數(shù)字逐次逼近寄存器延時(shí)鎖定環(huán)的系統(tǒng)框圖如圖1所示。基本結(jié)構(gòu)與文獻(xiàn)[1]提出的結(jié)構(gòu)相同,由時(shí)序控制電路、基本逐次逼近寄存器控制器[2]、譯碼器、數(shù)據(jù)選擇器、采樣電路和本文提出的改進(jìn)型可復(fù)位數(shù)控延時(shí)線(Digitally Controlled Delay Line,DCDL)組成。

      圖1 延時(shí)鎖定環(huán)的系統(tǒng)框圖

      整個(gè)延時(shí)鎖定環(huán)系統(tǒng)的工作時(shí)序如圖2所示[1]。在開(kāi)始階段,信號(hào)start初始化整個(gè)系統(tǒng)。

      圖2 延時(shí)鎖定環(huán)的工作時(shí)序圖

      圖2中的所有控制信號(hào)由圖3所示的時(shí)序控制電路產(chǎn)生[1]。

      輸入時(shí)鐘信號(hào)clkin的3個(gè)周期決定1位SAR控制字。在clkin的第1個(gè)周期,短脈沖信號(hào)clk_edge產(chǎn)生,信號(hào)sample_range設(shè)置為高電平“1”。并且,clk_edge進(jìn)入DCDL中,如果在sample_range的高電平期間,clk_edge沒(méi)有到達(dá)clkout,說(shuō)明對(duì)應(yīng)的DCDL的延時(shí)量過(guò)大,需要修改SAR控制字以減少DCDL的延時(shí)量。相反,對(duì)應(yīng)的SAR控制字將保持不變。在clkin的第2個(gè)周期,信號(hào)rst_dcdl被置為高電平,對(duì)DCDL進(jìn)行復(fù)位以確保延時(shí)線中沒(méi)有殘留的clk_edge。若沒(méi)有對(duì)DCDL進(jìn)行復(fù)位,殘留的clk_edge會(huì)在下一個(gè)sample_range的高電平期間出現(xiàn)在clkout,并用于決定下一位SAR控制字,而不能正確反映當(dāng)前clk_edge在DCDL中的狀態(tài),可能導(dǎo)致錯(cuò)誤的SAR控制字,因此必須在clkin的第2個(gè)周期對(duì)DCDL復(fù)位,以清除殘留的clk_edge信號(hào),同時(shí)調(diào)整SAR控制字。在第3個(gè)clkin周期,SAR控制字有足夠的時(shí)間來(lái)改變DCDL的延時(shí)量。同時(shí)在第3個(gè)clkin周期的開(kāi)始處,產(chǎn)生一個(gè)短脈沖信號(hào)rst_dff用來(lái)對(duì)采樣電路和時(shí)序控制電路的觸發(fā)器進(jìn)行復(fù)位。每3個(gè)clkin周期,重復(fù)一次以上所述過(guò)程。

      圖3 時(shí)序控制電路原理

      在clkin的第1個(gè)周期時(shí),如果clk_edge出現(xiàn)在clkout,對(duì)應(yīng)的SAR控制字保持不變。然后下1位SAR控制字置“1”以增加DCDL的延時(shí)量,阻止DLL向著clkin的第1個(gè)時(shí)鐘上升沿方向鎖定,從而有效地解決零延時(shí)陷阱問(wèn)題。另一方面,在clkin的第1個(gè)周期,如果clk_edge沒(méi)有出現(xiàn)在clkout處,相應(yīng)位的SAR控制字被復(fù)位,減小DCDL的延時(shí)量,因此,可以有效地消除諧波鎖定現(xiàn)象。

      圖2中SAR控制字的變化和最基本的傳統(tǒng)SAR的工作原理一樣,只是SAR控制器的時(shí)鐘信號(hào)clksar的周期是輸入時(shí)鐘信號(hào)clkin周期的3倍[2]。

      3 改進(jìn)型可復(fù)位數(shù)控延時(shí)線

      為了消除諧波鎖定和零延時(shí)陷阱現(xiàn)象,文獻(xiàn)[1,15]提出了可復(fù)位數(shù)控延時(shí)線方案。文獻(xiàn)[1]的可復(fù)位數(shù)控延時(shí)線方案如圖4所示,每個(gè)延時(shí)單元的結(jié)構(gòu)如圖中虛線框內(nèi)所示,由于需要2個(gè)二選一數(shù)據(jù)選擇器,增加了芯片面積。

      圖4 文獻(xiàn)[1]中的可復(fù)位延時(shí)線延時(shí)單元

      文獻(xiàn)[15]的可復(fù)位延時(shí)線方案如圖5所示,輸入時(shí)鐘信號(hào)clkin需要經(jīng)過(guò)前置延時(shí)電路后才能進(jìn)入延時(shí)線中,前置延時(shí)電路增加了系統(tǒng)的固有延時(shí),限制了系統(tǒng)的最高工作頻率。

      圖5 文獻(xiàn)[15]中的可復(fù)位延時(shí)線延時(shí)單元

      為了解決以上2種方案存在的問(wèn)題,本文設(shè)計(jì)了一種改進(jìn)型可復(fù)位延時(shí)線方案,如圖6所示。

      圖6 改進(jìn)型可復(fù)位延時(shí)線延時(shí)單元

      每個(gè)延時(shí)單元由2個(gè)與門(mén)和2個(gè)或非門(mén)組成,如圖6中虛線框內(nèi)所示。信號(hào)scode由SAR控制字b[5:0]譯碼而來(lái),當(dāng)scode為高電平時(shí),輸入時(shí)鐘信號(hào)clkin從該單元進(jìn)入延時(shí)線,并向左傳輸,相反,時(shí)鐘信號(hào)clkin不從該單元進(jìn)入延時(shí)線。信號(hào)rcode={scode[62:0],1’b0}|{64{rst_dcdl}},信號(hào) scode_bar=~{scode|{64{rst_dcdl}}},當(dāng)這2個(gè)信號(hào)為高電平時(shí),完成DCDL的復(fù)位功能,清楚殘留在DCDL中的clk_edge信號(hào)。改進(jìn)后的延時(shí)線既不需要前置延時(shí)電路也不需要二選一數(shù)據(jù)選擇器,在提高系統(tǒng)最高工作頻率的同時(shí),減小了芯片面積。

      4 仿真結(jié)果與對(duì)比

      圖1所示的全數(shù)字逐次逼近寄存器延時(shí)鎖定環(huán)采用TSMC CMOS 65nm LP工藝標(biāo)準(zhǔn)單元實(shí)現(xiàn),核心電路版圖所占的面積為0.008 1 mm2。版圖后仿真結(jié)果表明其工作頻率范圍為250 MHz~2 GHz,功耗為0.4 mW@2 GHz,整個(gè)工作頻率范圍內(nèi),鎖定時(shí)間為18個(gè)輸入時(shí)鐘周期。圖7所示為輸入時(shí)鐘為2 GHz時(shí)的鎖定過(guò)程。圖8所示為輸入時(shí)鐘為250 MHz時(shí)的鎖定過(guò)程。

      圖7 輸入時(shí)鐘為2 GHz時(shí)系統(tǒng)的鎖定過(guò)程

      圖8 輸入時(shí)鐘為250 MHz時(shí)系統(tǒng)的鎖定過(guò)程

      文獻(xiàn)[1,15]方法與本文方法的性能對(duì)比如表1所示,表明本文的設(shè)計(jì)在提高最高工作頻率的同時(shí),減少了核心電路版圖所占的面積。

      表1 性能對(duì)比

      5 結(jié)束語(yǔ)

      根據(jù)動(dòng)態(tài)電壓/頻率調(diào)整低功耗SoC中時(shí)鐘同步問(wèn)題的要求,本文提出一種改進(jìn)型可復(fù)位數(shù)控延時(shí)線方法。利用數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)流程實(shí)現(xiàn)了一個(gè)寬工作頻率范圍、小面積、無(wú)諧波鎖定和解決無(wú)零延時(shí)陷阱的全數(shù)字逐次逼近寄存器延時(shí)鎖定環(huán)。仿真結(jié)果表明,采用該方案的延時(shí)鎖定環(huán)能滿足DVFS SoCs的要求。下一步工作方向?yàn)榧涌煅訒r(shí)鎖定環(huán)的鎖定速度等。

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