曾崇毅, 湯俊琪,2, 滿石清
(1.暨南大學(xué) 信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院,廣東 廣州 510632;2.暨南大學(xué) 生命科學(xué)技術(shù)學(xué)院,廣東 廣州 510632;3.云南師范大學(xué) 物理與電子信息學(xué)院,云南 昆明 650031)
核殼結(jié)構(gòu)納米材料是一種復(fù)合材料,是由一個電介質(zhì)核(如氧化硅、聚合物等)及包覆于其上形成均勻殼層的金屬(如貴金屬、堿金屬及部分過渡金屬等)所形成的特殊結(jié)構(gòu)的納米材料[1]。核殼結(jié)構(gòu)的納米粒子與其單組分金屬納米粒子相比,具有更加獨(dú)特的光學(xué)、電磁學(xué)和催化特性等[2-3]。其中表面等離子體共振是金屬納米結(jié)構(gòu)最重要的光學(xué)性質(zhì)之一。
目前研究較多的是由SiO2與Au所構(gòu)成的納米粒子核殼結(jié)構(gòu),這是由于SiO2/Au具有由強(qiáng)烈的光學(xué)吸收及光學(xué)散射所構(gòu)成的等離子體共振特性,且Au具有良好的穩(wěn)定性和生物相容性[4-5]。由于SiO2具有親水性,分散在介質(zhì)中時易團(tuán)聚,因此在制備SiO2單層薄膜前需要對其進(jìn)行表面改性,以提高其疏水性,改善其在水亞相中的分散性和相容性。對納米SiO2的改性有多種方法,通常采用硅烷偶聯(lián)劑法,其硅烷試劑一般為三甲氧基硅烷[6]。
本文利用乙烯基三乙氧基硅烷對其進(jìn)行改性。組裝SiO2納米粒子薄膜的方法有靜電吸附法、化學(xué)沉降法、沉降法、射頻磁控濺射法、溶劑蒸發(fā)法 及 Langmuir-Blodgett(LB)膜 提 拉 法[7-11]。LB膜提拉法能夠精確控制粒子的排列及膜厚,因此本文利用LB膜提拉法制備SiO2納米粒子薄膜,且利用離子濺射法在制備的單層SiO2納米粒子薄膜表面沉積Au薄膜,制備了SiO2/Au核殼納米粒子結(jié)構(gòu)基底,制備的基底SERS效應(yīng)較好,其增強(qiáng)因子可達(dá)106。
表面增強(qiáng)拉曼散射(surface enhanced Raman scattering,簡稱SERS)光譜技術(shù)具有高靈敏度和單分子檢測能力,其增強(qiáng)因子可高達(dá)104~1014,且能檢測吸附在金屬表面的單分子層,并提供表面分子豐富的結(jié)構(gòu)信息[12]。本文采用亞甲基藍(lán)作為探針分子,對制備的SiO2/Au核殼納米結(jié)構(gòu)材料進(jìn)行拉曼散射活性研究,結(jié)果表明,該SiO2/Au核殼納米粒子確有較強(qiáng)的SERS信號。
無水乙醇(EtOH),分析純,天津市百世化工有限公司;正硅酸乙酯(TEOS),分析純,天津市福晨化學(xué)試劑廠;乙烯基三乙氧基硅烷,分析純,阿拉丁試劑(上海)有限公司;冰醋酸,分析純,天津博迪化工有限公司;氨水,分析純,國藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司。雙氧水(H2O2),30%的水溶液;濃硫酸(H2SO4),分析純;亞甲基藍(lán);均為廣州化學(xué)試劑廠。實(shí)驗用水為自制高純水,電阻率大于18.20MΩ·cm。
將2cm×2cm的玻片放入濃硫酸與雙氧水體積比為7∶3的“水虎魚”溶液中浸泡3h,依次用高純水及無水乙醇超聲振蕩10min,以提高玻片的表面親水性,然后放入恒溫干燥箱中于100℃干燥2h,待用。
1.2.1 SiO2納米粒子的合成
采用St?ber方法制備 SiO2納米粒子[13],其制備過程如下:先將25mLEtOH、5mL氨水、4.5mL水在磁力攪拌下混合均勻,然后迅速逐滴加入2.5mLTEOS,磁力攪拌2h,獲得SiO2納米球。
1.2.2 SiO2納米粒子的改性
將制得的SiO2納米球4 000r/min離心5min,用無水乙醇洗滌至少2次,最終沉淀于5mL乙醇中備用。然后取10mL水醇混合液(水、醇體積比為1∶3),加入50μL乙烯基三乙氧基硅烷,再加入約2mL冰醋酸調(diào)節(jié)pH值至4左右,然后攪拌1h,再加入2mL氨水調(diào)節(jié)pH值至10,將上述獲得的5mL納米SiO2乙醇溶液快速加入,攪拌10h,4 000r/min離心5min,再用乙醇洗滌2次,沉淀物在100℃干燥箱中干燥2h,獲得改性SiO2納米球。
1.2.3 大面積單層改性SiO2薄膜的制備
(1)改性SiO2納米粒子溶液的配備。將上述改性后的SiO2納米粒子加入到無水乙醇中,配成10g/mL的改性SiO2納米粒子溶液,超聲振蕩10min使其分散均勻。
(2)表面壓-每分子占據(jù)面積等溫線(π-A曲線)。用微注射器將500μL上述改性SiO2納米粒子溶液逐滴鋪展到LB槽中的高純水亞相上(在該過程中保持改性溶液持續(xù)振蕩),等待10min,待無水乙醇自然揮發(fā)后,以10cm2/min的速度壓縮,當(dāng)達(dá)到一定表面壓時,停止壓縮,得到改性SiO2納米粒子溶液的π-A曲線。
(3)大面積單層改性SiO2薄膜的制備。根據(jù)π-A曲線設(shè)置一定的表面壓,用微注射器將500μL改性SiO2納米粒子溶液逐滴鋪展到高純水亞相上(改性SiO2納米粒子溶液保持持續(xù)振蕩),等待10min,待無水乙醇自然揮發(fā)后,以10cm2/min速度壓縮,當(dāng)表面壓達(dá)到所設(shè)置的表面壓時,用垂直提拉法,提拉速度為1mm/min,將SiO2膜沉積在經(jīng)親水處理的玻片上,制備成大面積的改性SiO2納米粒子單層膜。
1.2.4 SiO2/Au核殼納米粒子的制備
將覆有改性SiO2納米粒子單層膜的玻片置于Balzers Bal-Tec SCD 005型離子濺射儀內(nèi),在30mA電流下濺射金薄膜,厚度約為35nm。濺射時間為90s。
SiO2納米粒子的粒徑分布及單分散性情況用PHILIPS TECNAI 10型透射電鏡進(jìn)行表征,表征前將二氧化硅乙醇溶液滴于覆有碳膜的銅網(wǎng)上,等溶劑揮發(fā)后進(jìn)行表征;大面積改性SiO2納米粒子單層膜的表面形貌用PHILIPS XL-30 ESEM型掃描電鏡觀測,加速電壓為20kV;拉曼光譜測量采用美國DeltaNu公司的Advantage 785Raman Spectrometer,該儀器配有激發(fā)波長分別為514.5nm氬離子和785nm二極管2個激光器以及分辨率為2cm-1的熱電冷卻的電流耦合設(shè)備探測器。
本實(shí)驗利用785nm二極管激光器可有效地避免熒光背景的干擾,50倍放大顯微目鏡,激光照射斑點(diǎn)大小為2μm,到達(dá)樣品表面的激光功率為0.84mW。在測試前,采用拉曼特征峰為520cm-1的單晶硅對光譜儀進(jìn)行校準(zhǔn)。在SERS測試時,取10μL濃度為50μmol/L的亞甲基藍(lán)水溶液分散于樣品表面,待溶劑揮發(fā)后立即進(jìn)行拉曼光譜測試。
SiO2納米粒子的透射電鏡照片如圖1所示。由圖1可知,該SiO2納米粒子為球狀,表面比較光滑平整,單分散性良好,有少數(shù)粒子重疊。平均粒徑為250nm,粒徑分布范圍較窄,不均勻度為12%。
圖1 SiO2納米粒子的透射電鏡照片
改性SiO2納米粒子的表面壓-每分子占據(jù)面積等溫線如圖2所示。
由圖2可以看出,在A點(diǎn)之前,等溫線可能會出現(xiàn)氣態(tài)相、液態(tài)擴(kuò)張相及液態(tài)凝聚相,這些狀態(tài)都不能用于LB鍍膜,A點(diǎn)到B點(diǎn)時等溫線呈現(xiàn)固態(tài)相,此時可用于鍍膜。到達(dá)B點(diǎn)后粒子由于相互之間的作用力而會崩潰,即會出現(xiàn)崩潰相,此時粒子不能用于鍍膜。由圖2也可以看出,實(shí)驗中的SiO2納米粒子的適宜表面壓為20~50mN/m。
玻片上粒徑為250nm的改性SiO2納米粒子,在不同的表面壓下制備的LB膜掃描電鏡照片如圖3所示。
圖3 SiO2納米粒子單層膜
由圖3可見,改性SiO2納米粒子的LB膜基本呈密排單層陣列,但是局部地區(qū)存在著空白或者納米粒子重疊現(xiàn)象,這可能是由于所制備SiO2納米粒子的粒徑存在一定的分布范圍所致,也可能是在制備納米粒子薄膜過程中受到外部環(huán)境的影響所致。
同時由圖3也可以看出,在不同的表面壓下,制備的薄膜其緊密度不同。在表面壓較大的情況下,其薄膜更緊密,但也更容易發(fā)生重疊現(xiàn)象,而在表面壓較小的情況下,制備的薄膜空隙較多。因此在制備SiO2單層薄膜時,選取合適的表面壓則顯得尤為重要。
由于亞甲基藍(lán)的熒光比較微弱(量子效率為0.02±0.005)[14],對表面增強(qiáng)拉曼光譜的影響不大,并且其能夠很好地吸附于貴金屬(如金、銀、銅)納米粒子上,產(chǎn)生較強(qiáng)的SERS效應(yīng),又因其光譜圖簡單,常被用來作為探針分子進(jìn)行SERS活性研究。本實(shí)驗中用亞甲基藍(lán)作為探針分子,對SiO2/Au核殼納米結(jié)構(gòu)基底進(jìn)行SERS活性研究。
亞甲基藍(lán)水溶液的常規(guī)拉曼光譜(NRS)和亞甲基藍(lán)分子吸附于SiO2/Au核殼納米結(jié)構(gòu)基底上的表面增強(qiáng)拉曼光譜(SERS)如圖4所示。譜線NRS表明,亞甲基藍(lán)分子的特征峰因為其極低的濃度而被溶劑強(qiáng)的拉曼散射峰所掩蓋而幾乎觀察不到,只能觀察到1 628、1 405、1 338、1 184、774、500、451cm-1處較弱的振動峰。
圖4 拉曼光譜
本文對于亞甲基藍(lán)分子主要特征峰的拉曼位移、相對強(qiáng)度和歸屬的實(shí)驗結(jié)果與文獻(xiàn)報道的結(jié)果[7,14-15]進(jìn)行了比較。對比 結(jié) 果 表 明,大多 數(shù) 拉曼位移與文獻(xiàn)報道結(jié)果較好地吻合了,只有少數(shù)出現(xiàn)了偏差,還有幾個峰 (如 598、772、889、1 324cm-1)不能準(zhǔn)確地歸屬,這可能是由于亞甲基藍(lán)分子與納米基底之間存在一定的相互作用所導(dǎo)致的。
與亞甲基藍(lán)固體粉末的NRS特征峰相比較,吸附于改性SiO2/Au核殼納米結(jié)構(gòu)基底上的亞甲基藍(lán)分子的部分振動峰發(fā)生了較大的位移,這說明亞甲基藍(lán)分子與基底表面之間存在一定的化學(xué)作用。例如,NRS中的1 544、1 441、1 331、1 272cm-1處的振動峰在SERS中位移至1 506、1 430、1 324、1 304cm-1處。此外,SERS中位于1 122、1 042、889、613、598cm-1處的特征峰在NRS中未能觀測到。
拉曼增強(qiáng)因子的計算公式[4,12]如下:
其中,EF為拉曼增強(qiáng)因子;ISERS和INR分別為亞甲基藍(lán)分子吸附及未吸附在SiO2/Au核殼納米結(jié)構(gòu)活性基底表面某個特征峰的強(qiáng)度面積;NSERS和NNR分別表示對應(yīng)的分子吸附及未吸附情況下激光照射區(qū)域內(nèi)分子的數(shù)目。
經(jīng)過一系列的估算[4,12]可得:
EFMB≈1.58×105×ISERS/INR。
其中,EFMB表示亞甲基藍(lán)的拉曼增強(qiáng)因子?,F(xiàn)選擇圖4中的SERS譜線位于452cm-1處的特征峰對SiO2/Au核殼納米結(jié)構(gòu)活性基底的增強(qiáng)因子進(jìn)行估算,ISERS≈2.3×104cm-1·cps,INR≈1×103cm-1·cps,從而得到EFMB≈3.63×106。
本文對制備的大面積SiO2/Au核殼納米結(jié)構(gòu)基底進(jìn)行SERS效應(yīng)研究,結(jié)果顯示該基底具有較好的拉曼增強(qiáng)效應(yīng),增強(qiáng)因子高達(dá)3.63×106,表明采用該方法制備的基底在SERS的研究中具有潛在的應(yīng)用價值。
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