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    紅外探測器領(lǐng)域初探

    2014-10-15 19:25:52王劍張欣楊嬌瑜婁鶯
    中國新通信 2014年18期
    關(guān)鍵詞:制冷

    王劍+張欣+楊嬌瑜+婁鶯

    【摘要】 紅外探測器是能對外界紅外光輻射產(chǎn)生響應(yīng)的光電傳感器,是目前傳感器領(lǐng)域發(fā)展的重點(diǎn)之一。本文介紹了紅外探測器技術(shù),梳理了紅外探測器的起源與技術(shù)發(fā)展趨勢,尤其關(guān)注非制冷紅外探測器的技術(shù)發(fā)展。

    【關(guān)鍵詞】 紅外探測器 非制冷 制冷

    一、引言

    紅外探測器是紅外系統(tǒng)的核心,是探測、識別和分析物體紅外信息的關(guān)鍵部件,利用它制成的探測器是軍事、氣象、農(nóng)業(yè)、工業(yè)、醫(yī)學(xué)等方面需要的設(shè)備,它涉及物理、材料等基礎(chǔ)科學(xué)和光學(xué)、機(jī)械、微電子和計(jì)算機(jī)等多學(xué)科領(lǐng)域的綜合科學(xué)技術(shù)。紅外探測器目前主要應(yīng)用在軍事裝備上,進(jìn)行夜視、遙感、偵查和制導(dǎo)等,它能透過煙、塵、霧、陰影、樹叢等,探測重要軍事目標(biāo),能實(shí)現(xiàn)全天候被動(dòng)遠(yuǎn)距離探測。尤其在近十年來的現(xiàn)代化戰(zhàn)爭,擁有紅外預(yù)警、制導(dǎo)和夜視技術(shù)的一方,基本都在戰(zhàn)場上占據(jù)了主動(dòng)。因此,世界各國對紅外探測器的發(fā)展給予了大量的關(guān)注。

    二、紅外探測器技術(shù)分類

    根據(jù)探測機(jī)理的不同,可把紅外探測器分為制冷型探測器和非制冷型探測器兩大類,如表1所示。

    表1 紅外探測器的分類

    類型 典型敏感材料 特點(diǎn)

    制冷

    探測

    器 光導(dǎo)型(光敏電阻) HgCdTe,PbS,PbSe 靈敏度高、響應(yīng)速度快、具有較高的響應(yīng)頻率,一般需在低溫下工作,探測波段較窄

    光伏型 HgCdTe,InSb,PbSnTe

    光發(fā)射-肖特基勢壘探測器 PtSi/Si,IrSi/Si

    量子阱探測器 GaAs/GaAlAs,GeSi/Si

    非制

    冷探

    測器 熱電堆/熱電偶 Au/Poly Si 響應(yīng)時(shí)間較長、靈敏度較低、響應(yīng)波段寬,可以在室溫下工作、使用簡單

    熱釋電 BST薄膜,鐵電PZT

    光機(jī)械 Au/SiNx 雙金屬片

    微測輻射熱計(jì) 氧化釩、非晶硅

    2.1 制冷型紅外探測器

    制冷型紅外探測器一般是指利用半導(dǎo)體材料的光子效應(yīng)制成的探測器,在探測器吸收光子后,本身發(fā)生電子狀態(tài)的改變,從而引起光伏或光電導(dǎo)等現(xiàn)象;

    制冷型紅外探測器系統(tǒng)如蹄鎘汞(HgCdTe)探測器(工作在8-14μm波段)和銻化錮(Insb)探測器(工作在3-5μm波段)的靈敏度、響應(yīng)速度、探測距離等性能都比較高,但都必須用低溫制冷器進(jìn)行制冷,而且紅外成像系統(tǒng)幾乎都要使用機(jī)械掃描裝置,因而整個(gè)紅外成像系統(tǒng)顯得結(jié)構(gòu)復(fù)雜并且成本很高。而且,部分高性能的光子型紅外探測器很難實(shí)現(xiàn)硅基單片式結(jié)構(gòu),需要通過混合集成方式將探測器與讀出電路相連。

    2.2 非制冷型紅外探測器

    非制冷型紅外探測器,又稱為室溫紅外探測器,是指利用探測器接收紅外輻射后自身溫度開始升高,從而引起熱敏元件的物理性質(zhì)發(fā)生改變而實(shí)現(xiàn)對紅外光進(jìn)行檢測的探測器。

    室溫紅外探測器及其焦平面陣列一般不需要制冷,可以直接在室溫下工作,易于使用和維護(hù),可靠性好。因此,研究開發(fā)重量輕、體積小、功耗小和成本低的非制冷焦平面陣列及其成像系統(tǒng)成為一種必然的發(fā)展趨勢。非制冷紅外焦平面陣列主要是以微機(jī)電技術(shù)(MEMS)制備的熱傳感器為基礎(chǔ),大致可分為以下幾種類型:熱電堆/熱電偶、熱釋電、光機(jī)械、微測輻射熱計(jì)。

    熱電堆室溫紅外探測器及其陣列是最早研究并實(shí)用化的紅外成像器件之一,它通過測量多晶硅/金屬或雙摻雜的多晶硅熱堆的熱電勢來探測紅外輻射。其工作原理是利用由逸出功不同的兩種導(dǎo)電材料所組成的閉合回路,當(dāng)兩接觸點(diǎn)處溫度不同時(shí),由于溫度梯度使得材料內(nèi)部的載流子向溫度低的一端移動(dòng),在溫度低的一端形成電荷積累,回路中就會產(chǎn)生熱電勢。因而,通過測量熱電堆兩端的電壓的變化,可以探測出紅外輻射的強(qiáng)弱。

    熱釋電型非制冷紅外焦平面陣列的探測原理是:紅外輻射使材料的溫度發(fā)生變化,引起材料的自發(fā)極化強(qiáng)度變化,在垂直于自發(fā)極化方向的兩個(gè)晶面出現(xiàn)感應(yīng)電荷。因而,可以通過測量感應(yīng)電荷量或電壓的大小,探測紅外輻射的強(qiáng)弱。熱釋電材料大多采用鐵電材料,如鉭酸鋰(LiTaO3)、鉭鈮酸鉀(KTN)和鈦酸鉛(PbTiO3)等。

    光機(jī)械室溫紅外探測器是利用雙層的懸臂梁結(jié)構(gòu),當(dāng)懸臂梁結(jié)構(gòu)收到紅外輻射后溫度升高并彎曲,其端點(diǎn)的彎曲位移量正比于升溫的大小,同時(shí)也正比于雙金屬材料的熱膨脹系數(shù)之差,并可以采用光調(diào)制的方法讀出位移量。

    微測輻射熱計(jì)是近年來發(fā)展勢頭最為迅猛的紅外焦平面之一,是一種電阻型熱傳感器,通過探測紅外輻射引起熱敏電阻的變化而獲得目標(biāo)的紅外信息,繼而轉(zhuǎn)換成目標(biāo)圖像。熱敏電阻型非制冷紅外焦平面陣列使用的熱敏電阻探測材料主要有:氧化釩(VOx)、非晶硅(α-Si)、鈦(Ti)、釔鋇銅氧(YbaCuO)等,其最重要的參數(shù)是電阻溫度系數(shù)(TCR:Temperature Coeffi-cient of Resistance)。它利用熱敏電阻的阻值隨溫度的變化,來探測紅外輻射的強(qiáng)弱。

    紅外焦平面陣列(IRFPA:Infrared Focal Plane Array)是具有對紅外輻射敏感,并兼有信號處理功能的新一代紅外探測器件。自從70年代后期提出紅外焦平面陣列這個(gè)概念以來,它的發(fā)展十分活躍,已經(jīng)研制出單片式、混合式、制冷型和非制冷型等一系列紅外焦平面陣列。二十世紀(jì)九十年代,隨著非制冷紅外焦平面陣列技術(shù)的突破,非制冷紅外熱像儀的靈敏度大幅提高,同時(shí)由于其具有的低成本、低功耗、長壽命、小型化和高可靠性等優(yōu)勢,使其在民用領(lǐng)域逐步得到廣泛應(yīng)用,包括:電力設(shè)備故障檢測、消防救助、火災(zāi)監(jiān)控、工藝監(jiān)控、醫(yī)療測溫、車船夜行、公安偵察、環(huán)境保護(hù)等方面,幾乎涉及到社會生活的各個(gè)領(lǐng)域,并有部分取代制冷型紅外熱像儀的趨勢。

    目前世界上只有美國、法國、日本、以色列四個(gè)國家擁有非制冷焦平面探測器產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)的能力,其核心技術(shù)僅有美國和法國兩個(gè)國家掌握,日本和以色列則由美國取得技術(shù)專利許可,在其國內(nèi)生產(chǎn)和有限制地使用。

    而國內(nèi)在非制冷紅外成像方面的公司主要有浙江大立、廣州颯特和武漢高德等,另外,一些大專院?;蜓芯克珉娮涌萍即髮W(xué)、華中科技大學(xué)、中科院上海技術(shù)物理研究所、兵器211所等,也都在進(jìn)行相關(guān)基礎(chǔ)研究。

    三、發(fā)展趨勢

    雖然非制冷紅外探測器的探測率目前還不及光子型(即制冷型)IRFPA的高,已裝備的非制冷紅外熱成像儀的NETD通常為20~100mK,但是憑借其低成本和高性價(jià)比,在中、低端的軍用和民用市場均有著廣泛的應(yīng)用前景,在科研創(chuàng)新方面得到極大的關(guān)注,是紅外探測器技術(shù)發(fā)展的重要方向。

    參 考 文 獻(xiàn)

    [1] Mottin E, Martin J L, Buffet J, et al. Enhanced amorphous silicon technology for 320*240 microbolometer arrays with a pitch of 35um. Proceeding of SPIE, 2001, 4369:250-256.

    [2] 張敬賢,李玉丹,金偉其。微光與紅外成像[M]。北京:北京理工大學(xué)出版社,1995,226。

    [3] A. Rogalski. Optical detectors for focal plane arrays[J]. Optoelectronics review, 2004,12(2):241-245.

    【摘要】 紅外探測器是能對外界紅外光輻射產(chǎn)生響應(yīng)的光電傳感器,是目前傳感器領(lǐng)域發(fā)展的重點(diǎn)之一。本文介紹了紅外探測器技術(shù),梳理了紅外探測器的起源與技術(shù)發(fā)展趨勢,尤其關(guān)注非制冷紅外探測器的技術(shù)發(fā)展。

    【關(guān)鍵詞】 紅外探測器 非制冷 制冷

    一、引言

    紅外探測器是紅外系統(tǒng)的核心,是探測、識別和分析物體紅外信息的關(guān)鍵部件,利用它制成的探測器是軍事、氣象、農(nóng)業(yè)、工業(yè)、醫(yī)學(xué)等方面需要的設(shè)備,它涉及物理、材料等基礎(chǔ)科學(xué)和光學(xué)、機(jī)械、微電子和計(jì)算機(jī)等多學(xué)科領(lǐng)域的綜合科學(xué)技術(shù)。紅外探測器目前主要應(yīng)用在軍事裝備上,進(jìn)行夜視、遙感、偵查和制導(dǎo)等,它能透過煙、塵、霧、陰影、樹叢等,探測重要軍事目標(biāo),能實(shí)現(xiàn)全天候被動(dòng)遠(yuǎn)距離探測。尤其在近十年來的現(xiàn)代化戰(zhàn)爭,擁有紅外預(yù)警、制導(dǎo)和夜視技術(shù)的一方,基本都在戰(zhàn)場上占據(jù)了主動(dòng)。因此,世界各國對紅外探測器的發(fā)展給予了大量的關(guān)注。

    二、紅外探測器技術(shù)分類

    根據(jù)探測機(jī)理的不同,可把紅外探測器分為制冷型探測器和非制冷型探測器兩大類,如表1所示。

    表1 紅外探測器的分類

    類型 典型敏感材料 特點(diǎn)

    制冷

    探測

    器 光導(dǎo)型(光敏電阻) HgCdTe,PbS,PbSe 靈敏度高、響應(yīng)速度快、具有較高的響應(yīng)頻率,一般需在低溫下工作,探測波段較窄

    光伏型 HgCdTe,InSb,PbSnTe

    光發(fā)射-肖特基勢壘探測器 PtSi/Si,IrSi/Si

    量子阱探測器 GaAs/GaAlAs,GeSi/Si

    非制

    冷探

    測器 熱電堆/熱電偶 Au/Poly Si 響應(yīng)時(shí)間較長、靈敏度較低、響應(yīng)波段寬,可以在室溫下工作、使用簡單

    熱釋電 BST薄膜,鐵電PZT

    光機(jī)械 Au/SiNx 雙金屬片

    微測輻射熱計(jì) 氧化釩、非晶硅

    2.1 制冷型紅外探測器

    制冷型紅外探測器一般是指利用半導(dǎo)體材料的光子效應(yīng)制成的探測器,在探測器吸收光子后,本身發(fā)生電子狀態(tài)的改變,從而引起光伏或光電導(dǎo)等現(xiàn)象;

    制冷型紅外探測器系統(tǒng)如蹄鎘汞(HgCdTe)探測器(工作在8-14μm波段)和銻化錮(Insb)探測器(工作在3-5μm波段)的靈敏度、響應(yīng)速度、探測距離等性能都比較高,但都必須用低溫制冷器進(jìn)行制冷,而且紅外成像系統(tǒng)幾乎都要使用機(jī)械掃描裝置,因而整個(gè)紅外成像系統(tǒng)顯得結(jié)構(gòu)復(fù)雜并且成本很高。而且,部分高性能的光子型紅外探測器很難實(shí)現(xiàn)硅基單片式結(jié)構(gòu),需要通過混合集成方式將探測器與讀出電路相連。

    2.2 非制冷型紅外探測器

    非制冷型紅外探測器,又稱為室溫紅外探測器,是指利用探測器接收紅外輻射后自身溫度開始升高,從而引起熱敏元件的物理性質(zhì)發(fā)生改變而實(shí)現(xiàn)對紅外光進(jìn)行檢測的探測器。

    室溫紅外探測器及其焦平面陣列一般不需要制冷,可以直接在室溫下工作,易于使用和維護(hù),可靠性好。因此,研究開發(fā)重量輕、體積小、功耗小和成本低的非制冷焦平面陣列及其成像系統(tǒng)成為一種必然的發(fā)展趨勢。非制冷紅外焦平面陣列主要是以微機(jī)電技術(shù)(MEMS)制備的熱傳感器為基礎(chǔ),大致可分為以下幾種類型:熱電堆/熱電偶、熱釋電、光機(jī)械、微測輻射熱計(jì)。

    熱電堆室溫紅外探測器及其陣列是最早研究并實(shí)用化的紅外成像器件之一,它通過測量多晶硅/金屬或雙摻雜的多晶硅熱堆的熱電勢來探測紅外輻射。其工作原理是利用由逸出功不同的兩種導(dǎo)電材料所組成的閉合回路,當(dāng)兩接觸點(diǎn)處溫度不同時(shí),由于溫度梯度使得材料內(nèi)部的載流子向溫度低的一端移動(dòng),在溫度低的一端形成電荷積累,回路中就會產(chǎn)生熱電勢。因而,通過測量熱電堆兩端的電壓的變化,可以探測出紅外輻射的強(qiáng)弱。

    熱釋電型非制冷紅外焦平面陣列的探測原理是:紅外輻射使材料的溫度發(fā)生變化,引起材料的自發(fā)極化強(qiáng)度變化,在垂直于自發(fā)極化方向的兩個(gè)晶面出現(xiàn)感應(yīng)電荷。因而,可以通過測量感應(yīng)電荷量或電壓的大小,探測紅外輻射的強(qiáng)弱。熱釋電材料大多采用鐵電材料,如鉭酸鋰(LiTaO3)、鉭鈮酸鉀(KTN)和鈦酸鉛(PbTiO3)等。

    光機(jī)械室溫紅外探測器是利用雙層的懸臂梁結(jié)構(gòu),當(dāng)懸臂梁結(jié)構(gòu)收到紅外輻射后溫度升高并彎曲,其端點(diǎn)的彎曲位移量正比于升溫的大小,同時(shí)也正比于雙金屬材料的熱膨脹系數(shù)之差,并可以采用光調(diào)制的方法讀出位移量。

    微測輻射熱計(jì)是近年來發(fā)展勢頭最為迅猛的紅外焦平面之一,是一種電阻型熱傳感器,通過探測紅外輻射引起熱敏電阻的變化而獲得目標(biāo)的紅外信息,繼而轉(zhuǎn)換成目標(biāo)圖像。熱敏電阻型非制冷紅外焦平面陣列使用的熱敏電阻探測材料主要有:氧化釩(VOx)、非晶硅(α-Si)、鈦(Ti)、釔鋇銅氧(YbaCuO)等,其最重要的參數(shù)是電阻溫度系數(shù)(TCR:Temperature Coeffi-cient of Resistance)。它利用熱敏電阻的阻值隨溫度的變化,來探測紅外輻射的強(qiáng)弱。

    紅外焦平面陣列(IRFPA:Infrared Focal Plane Array)是具有對紅外輻射敏感,并兼有信號處理功能的新一代紅外探測器件。自從70年代后期提出紅外焦平面陣列這個(gè)概念以來,它的發(fā)展十分活躍,已經(jīng)研制出單片式、混合式、制冷型和非制冷型等一系列紅外焦平面陣列。二十世紀(jì)九十年代,隨著非制冷紅外焦平面陣列技術(shù)的突破,非制冷紅外熱像儀的靈敏度大幅提高,同時(shí)由于其具有的低成本、低功耗、長壽命、小型化和高可靠性等優(yōu)勢,使其在民用領(lǐng)域逐步得到廣泛應(yīng)用,包括:電力設(shè)備故障檢測、消防救助、火災(zāi)監(jiān)控、工藝監(jiān)控、醫(yī)療測溫、車船夜行、公安偵察、環(huán)境保護(hù)等方面,幾乎涉及到社會生活的各個(gè)領(lǐng)域,并有部分取代制冷型紅外熱像儀的趨勢。

    目前世界上只有美國、法國、日本、以色列四個(gè)國家擁有非制冷焦平面探測器產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)的能力,其核心技術(shù)僅有美國和法國兩個(gè)國家掌握,日本和以色列則由美國取得技術(shù)專利許可,在其國內(nèi)生產(chǎn)和有限制地使用。

    而國內(nèi)在非制冷紅外成像方面的公司主要有浙江大立、廣州颯特和武漢高德等,另外,一些大專院?;蜓芯克?,如電子科技大學(xué)、華中科技大學(xué)、中科院上海技術(shù)物理研究所、兵器211所等,也都在進(jìn)行相關(guān)基礎(chǔ)研究。

    三、發(fā)展趨勢

    雖然非制冷紅外探測器的探測率目前還不及光子型(即制冷型)IRFPA的高,已裝備的非制冷紅外熱成像儀的NETD通常為20~100mK,但是憑借其低成本和高性價(jià)比,在中、低端的軍用和民用市場均有著廣泛的應(yīng)用前景,在科研創(chuàng)新方面得到極大的關(guān)注,是紅外探測器技術(shù)發(fā)展的重要方向。

    參 考 文 獻(xiàn)

    [1] Mottin E, Martin J L, Buffet J, et al. Enhanced amorphous silicon technology for 320*240 microbolometer arrays with a pitch of 35um. Proceeding of SPIE, 2001, 4369:250-256.

    [2] 張敬賢,李玉丹,金偉其。微光與紅外成像[M]。北京:北京理工大學(xué)出版社,1995,226。

    [3] A. Rogalski. Optical detectors for focal plane arrays[J]. Optoelectronics review, 2004,12(2):241-245.

    【摘要】 紅外探測器是能對外界紅外光輻射產(chǎn)生響應(yīng)的光電傳感器,是目前傳感器領(lǐng)域發(fā)展的重點(diǎn)之一。本文介紹了紅外探測器技術(shù),梳理了紅外探測器的起源與技術(shù)發(fā)展趨勢,尤其關(guān)注非制冷紅外探測器的技術(shù)發(fā)展。

    【關(guān)鍵詞】 紅外探測器 非制冷 制冷

    一、引言

    紅外探測器是紅外系統(tǒng)的核心,是探測、識別和分析物體紅外信息的關(guān)鍵部件,利用它制成的探測器是軍事、氣象、農(nóng)業(yè)、工業(yè)、醫(yī)學(xué)等方面需要的設(shè)備,它涉及物理、材料等基礎(chǔ)科學(xué)和光學(xué)、機(jī)械、微電子和計(jì)算機(jī)等多學(xué)科領(lǐng)域的綜合科學(xué)技術(shù)。紅外探測器目前主要應(yīng)用在軍事裝備上,進(jìn)行夜視、遙感、偵查和制導(dǎo)等,它能透過煙、塵、霧、陰影、樹叢等,探測重要軍事目標(biāo),能實(shí)現(xiàn)全天候被動(dòng)遠(yuǎn)距離探測。尤其在近十年來的現(xiàn)代化戰(zhàn)爭,擁有紅外預(yù)警、制導(dǎo)和夜視技術(shù)的一方,基本都在戰(zhàn)場上占據(jù)了主動(dòng)。因此,世界各國對紅外探測器的發(fā)展給予了大量的關(guān)注。

    二、紅外探測器技術(shù)分類

    根據(jù)探測機(jī)理的不同,可把紅外探測器分為制冷型探測器和非制冷型探測器兩大類,如表1所示。

    表1 紅外探測器的分類

    類型 典型敏感材料 特點(diǎn)

    制冷

    探測

    器 光導(dǎo)型(光敏電阻) HgCdTe,PbS,PbSe 靈敏度高、響應(yīng)速度快、具有較高的響應(yīng)頻率,一般需在低溫下工作,探測波段較窄

    光伏型 HgCdTe,InSb,PbSnTe

    光發(fā)射-肖特基勢壘探測器 PtSi/Si,IrSi/Si

    量子阱探測器 GaAs/GaAlAs,GeSi/Si

    非制

    冷探

    測器 熱電堆/熱電偶 Au/Poly Si 響應(yīng)時(shí)間較長、靈敏度較低、響應(yīng)波段寬,可以在室溫下工作、使用簡單

    熱釋電 BST薄膜,鐵電PZT

    光機(jī)械 Au/SiNx 雙金屬片

    微測輻射熱計(jì) 氧化釩、非晶硅

    2.1 制冷型紅外探測器

    制冷型紅外探測器一般是指利用半導(dǎo)體材料的光子效應(yīng)制成的探測器,在探測器吸收光子后,本身發(fā)生電子狀態(tài)的改變,從而引起光伏或光電導(dǎo)等現(xiàn)象;

    制冷型紅外探測器系統(tǒng)如蹄鎘汞(HgCdTe)探測器(工作在8-14μm波段)和銻化錮(Insb)探測器(工作在3-5μm波段)的靈敏度、響應(yīng)速度、探測距離等性能都比較高,但都必須用低溫制冷器進(jìn)行制冷,而且紅外成像系統(tǒng)幾乎都要使用機(jī)械掃描裝置,因而整個(gè)紅外成像系統(tǒng)顯得結(jié)構(gòu)復(fù)雜并且成本很高。而且,部分高性能的光子型紅外探測器很難實(shí)現(xiàn)硅基單片式結(jié)構(gòu),需要通過混合集成方式將探測器與讀出電路相連。

    2.2 非制冷型紅外探測器

    非制冷型紅外探測器,又稱為室溫紅外探測器,是指利用探測器接收紅外輻射后自身溫度開始升高,從而引起熱敏元件的物理性質(zhì)發(fā)生改變而實(shí)現(xiàn)對紅外光進(jìn)行檢測的探測器。

    室溫紅外探測器及其焦平面陣列一般不需要制冷,可以直接在室溫下工作,易于使用和維護(hù),可靠性好。因此,研究開發(fā)重量輕、體積小、功耗小和成本低的非制冷焦平面陣列及其成像系統(tǒng)成為一種必然的發(fā)展趨勢。非制冷紅外焦平面陣列主要是以微機(jī)電技術(shù)(MEMS)制備的熱傳感器為基礎(chǔ),大致可分為以下幾種類型:熱電堆/熱電偶、熱釋電、光機(jī)械、微測輻射熱計(jì)。

    熱電堆室溫紅外探測器及其陣列是最早研究并實(shí)用化的紅外成像器件之一,它通過測量多晶硅/金屬或雙摻雜的多晶硅熱堆的熱電勢來探測紅外輻射。其工作原理是利用由逸出功不同的兩種導(dǎo)電材料所組成的閉合回路,當(dāng)兩接觸點(diǎn)處溫度不同時(shí),由于溫度梯度使得材料內(nèi)部的載流子向溫度低的一端移動(dòng),在溫度低的一端形成電荷積累,回路中就會產(chǎn)生熱電勢。因而,通過測量熱電堆兩端的電壓的變化,可以探測出紅外輻射的強(qiáng)弱。

    熱釋電型非制冷紅外焦平面陣列的探測原理是:紅外輻射使材料的溫度發(fā)生變化,引起材料的自發(fā)極化強(qiáng)度變化,在垂直于自發(fā)極化方向的兩個(gè)晶面出現(xiàn)感應(yīng)電荷。因而,可以通過測量感應(yīng)電荷量或電壓的大小,探測紅外輻射的強(qiáng)弱。熱釋電材料大多采用鐵電材料,如鉭酸鋰(LiTaO3)、鉭鈮酸鉀(KTN)和鈦酸鉛(PbTiO3)等。

    光機(jī)械室溫紅外探測器是利用雙層的懸臂梁結(jié)構(gòu),當(dāng)懸臂梁結(jié)構(gòu)收到紅外輻射后溫度升高并彎曲,其端點(diǎn)的彎曲位移量正比于升溫的大小,同時(shí)也正比于雙金屬材料的熱膨脹系數(shù)之差,并可以采用光調(diào)制的方法讀出位移量。

    微測輻射熱計(jì)是近年來發(fā)展勢頭最為迅猛的紅外焦平面之一,是一種電阻型熱傳感器,通過探測紅外輻射引起熱敏電阻的變化而獲得目標(biāo)的紅外信息,繼而轉(zhuǎn)換成目標(biāo)圖像。熱敏電阻型非制冷紅外焦平面陣列使用的熱敏電阻探測材料主要有:氧化釩(VOx)、非晶硅(α-Si)、鈦(Ti)、釔鋇銅氧(YbaCuO)等,其最重要的參數(shù)是電阻溫度系數(shù)(TCR:Temperature Coeffi-cient of Resistance)。它利用熱敏電阻的阻值隨溫度的變化,來探測紅外輻射的強(qiáng)弱。

    紅外焦平面陣列(IRFPA:Infrared Focal Plane Array)是具有對紅外輻射敏感,并兼有信號處理功能的新一代紅外探測器件。自從70年代后期提出紅外焦平面陣列這個(gè)概念以來,它的發(fā)展十分活躍,已經(jīng)研制出單片式、混合式、制冷型和非制冷型等一系列紅外焦平面陣列。二十世紀(jì)九十年代,隨著非制冷紅外焦平面陣列技術(shù)的突破,非制冷紅外熱像儀的靈敏度大幅提高,同時(shí)由于其具有的低成本、低功耗、長壽命、小型化和高可靠性等優(yōu)勢,使其在民用領(lǐng)域逐步得到廣泛應(yīng)用,包括:電力設(shè)備故障檢測、消防救助、火災(zāi)監(jiān)控、工藝監(jiān)控、醫(yī)療測溫、車船夜行、公安偵察、環(huán)境保護(hù)等方面,幾乎涉及到社會生活的各個(gè)領(lǐng)域,并有部分取代制冷型紅外熱像儀的趨勢。

    目前世界上只有美國、法國、日本、以色列四個(gè)國家擁有非制冷焦平面探測器產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)的能力,其核心技術(shù)僅有美國和法國兩個(gè)國家掌握,日本和以色列則由美國取得技術(shù)專利許可,在其國內(nèi)生產(chǎn)和有限制地使用。

    而國內(nèi)在非制冷紅外成像方面的公司主要有浙江大立、廣州颯特和武漢高德等,另外,一些大專院?;蜓芯克珉娮涌萍即髮W(xué)、華中科技大學(xué)、中科院上海技術(shù)物理研究所、兵器211所等,也都在進(jìn)行相關(guān)基礎(chǔ)研究。

    三、發(fā)展趨勢

    雖然非制冷紅外探測器的探測率目前還不及光子型(即制冷型)IRFPA的高,已裝備的非制冷紅外熱成像儀的NETD通常為20~100mK,但是憑借其低成本和高性價(jià)比,在中、低端的軍用和民用市場均有著廣泛的應(yīng)用前景,在科研創(chuàng)新方面得到極大的關(guān)注,是紅外探測器技術(shù)發(fā)展的重要方向。

    參 考 文 獻(xiàn)

    [1] Mottin E, Martin J L, Buffet J, et al. Enhanced amorphous silicon technology for 320*240 microbolometer arrays with a pitch of 35um. Proceeding of SPIE, 2001, 4369:250-256.

    [2] 張敬賢,李玉丹,金偉其。微光與紅外成像[M]。北京:北京理工大學(xué)出版社,1995,226。

    [3] A. Rogalski. Optical detectors for focal plane arrays[J]. Optoelectronics review, 2004,12(2):241-245.

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